1.一種電流倍增型低電壓電流復(fù)用無源混頻器，其特征在于：包括互補(bǔ)輸入跨導(dǎo)級、無源本振開關(guān)和電流倍增型低電壓跨阻放大器，所述互補(bǔ)輸入跨導(dǎo)級包括PMOS管，電流倍增型低電壓跨阻放大器為跨導(dǎo)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)，電流倍增型低電壓跨阻放大器包括NMOS管共源放大器、PMOS管共柵管和差分對，差分對包括PMOS管組成的跨導(dǎo)管，通過NMOS管共源放大器為PMOS管共柵管提升跨導(dǎo)，電流倍增型低電壓電流復(fù)用無源混頻器的輸入信號由互補(bǔ)輸入跨導(dǎo)級輸入，無源本振開關(guān)輸入本振信號，互補(bǔ)輸入跨導(dǎo)級的PMOS管通過無源本振開關(guān)為電流倍增型低電壓跨阻放大器提供偏置電流，差分對的跨導(dǎo)管與PMOS管共柵管尺寸相同，并偏置在相同的直流電流下，差分對的柵極與PMOS共柵管的柵極相連，在跨導(dǎo)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)電路的作用下，PMOS管共柵管的源極相當(dāng)于虛地，差分對中的跨導(dǎo)管復(fù)制PMOS管共柵管的電流并注入到負(fù)載，將下變頻后的電流進(jìn)行了倍增。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流倍增型低電壓電流復(fù)用無源混頻器，其特征在于：所述無源本振開關(guān)包括第二NMOS管NM2和第三NMOS管NM3，電流倍增型低電壓跨阻放大器包括第二PMOS管PM2、第三PMOS管PM3、第四PMOS管PM4、第五PMOS管PM5、第六PMOS管PM6、第七PMOS管PM7、第八PMOS管PM8、第四NMOS管NM4、第五NMOS管NM5、第三電阻R3、第四電阻R4和第二電容C2，其中，
所述第二NMOS管NM2的漏極接第三NMOS管NM3的漏極，其連接點(diǎn)連接至互補(bǔ)輸入跨導(dǎo)級的信號輸出端，第二NMOS管NM2和第三NMOS管NM3的柵極分別接本振信號的正極和負(fù)極，第二NMOS管NM2的源極接第二PMOS管PM2的源極，第三NMOS管NM3的源極接第三PMOS管PM3的源極，第二電容C2的上極板接第三NMOS管NM3的源極，第二電容C2的下極板接第二NMOS管NM2的源極，第二PMOS管PM2的漏極為電流倍增型低電壓電流復(fù)用無源混頻器的輸出信號正極，第三電阻R3的正極接第二PMOS管PM2的漏極，第三電阻R3的負(fù)極接地，第二PMOS管PM2的柵極接第四NMOS管NM4的漏極；
所述第四PMOS管PM4的源極、第五PMOS管PM5的源極和第六PMOS管PM6的源極相接，其連接點(diǎn)連接電源電壓；第四PMOS管PM4的柵極、第五PMOS管PM5的柵極和第六PMOS管PM6的柵極相接，其連接點(diǎn)接第三偏置電壓；第四PMOS管PM4的漏極接第四NMOS管NM4的漏極，第四NMOS管NM4的柵極接第二NMOS管NM2的源極；第三PMOS管PM3的柵極、第五NMOS管NM5的漏極和第五PMOS管PM3的漏極相接，第三PMOS管PM3的漏極為電流倍增型低電壓電流復(fù)用無源混頻器的輸出信號負(fù)極；第四NMOS管NM4的源極和第五NMOS管NM5的源極接地；第五NMOS管NM5的柵極接第三PMOS管PM3的源極；第四電阻R4的正極接第三PMOS管PM3的漏極，第四電阻R4的負(fù)極接地；第六PMOS管PM6的漏極、第七PMOS管PM7的源極和第八PMOS管PM8的源極相接，第七PMOS管PM7的柵極接第二PMOS管PM2的柵極，第七PMOS管PM7的漏極接第二PMOS管PM2的漏極，第八PMOS管PM8的柵極接第三PMOS管PM3的柵極，第八PMOS管PM8的漏極接第三PMOS管PM3的漏極。