本發(fā)明涉及具有在壓電膜層疊有低聲速膜和高聲速膜的構(gòu)造的彈性波裝置。

背景技術(shù)：

以往，已知有具有在基板與壓電膜之間層疊有其它材料層的構(gòu)造的彈性波裝置。在下述的專利文獻1公開了在支承基板上依次層疊有高聲速膜、低聲速膜以及壓電膜的彈性波裝置。在該彈性波裝置中，能夠提高Q值。

在專利文獻1中，在制造彈性波裝置時，將支承基板與層疊有壓電膜、低聲速膜以及高聲速膜的層疊體進行接合。在進行該接合時，能夠使用親水化接合、活性化接合、原子擴散接合、金屬擴散接合等各種方法。

在先技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1：WO2012/086639 A1

技術(shù)實現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的課題

在通過如專利文獻1記載的接合方法對支承基板與其它部分進行接合的情況下，會在壓電膜側(cè)形成許多層，因此由于該形成的膜的應(yīng)力，存在壓電膜產(chǎn)生翹曲的情況。因此，存在在彈性波裝置的特性上出現(xiàn)波動的情況。此外，當翹曲增大時，存在輸送時壓電膜產(chǎn)生破裂的情況。

本發(fā)明的目的在于，提供一種不易產(chǎn)生由翹曲造成的特性的劣化且在輸送時等不易產(chǎn)生破裂的彈性波裝置。

用于解決課題的技術(shù)方案

本發(fā)明涉及的彈性波裝置具備：壓電膜；低聲速膜，層疊在上述壓電膜，傳播的體波的聲速比在上述壓電膜傳播的體波的聲速低；高聲速膜，層疊在上述低聲速膜的與上述壓電膜相反側(cè)的面，傳播的體波的聲速比在上述壓電膜傳播的彈性波的聲速高；基板，直接或間接地層疊在上述高聲速膜的與上述低聲速膜相反側(cè)的面；以及接合層，設(shè)置在從上述高聲速膜中到上述低聲速膜與上述壓電膜的界面為止的任何位置。

在本發(fā)明涉及的彈性波裝置的某個特定的方式中，上述接合層存在于上述高聲速膜中、上述高聲速膜與上述低聲速膜的界面、上述低聲速膜中、或者上述低聲速膜與上述壓電膜的界面的任何位置。

根據(jù)本發(fā)明涉及的彈性波裝置的其它廣義的方式，具備：壓電膜；低聲速膜，層疊在上述壓電膜，傳播的體波的聲速比在上述壓電膜傳播的體波的聲速低；高聲速基板，直接或間接地層疊在上述低聲速膜的與上述壓電膜相反側(cè)的面，傳播的體波的聲速比在上述壓電膜傳播的彈性波的聲速高；以及接合層，位于上述低聲速膜中，或者位于上述壓電膜與上述低聲速膜的界面。

在本發(fā)明涉及的彈性波裝置的另一個特定的方式中，上述接合層存在于上述高聲速基板中、上述高聲速基板與上述低聲速膜的界面、上述低聲速膜中、或者上述低聲速膜與上述壓電膜的界面的任何位置。

在本發(fā)明涉及的彈性波裝置的另一個特定的方式中，上述接合層包含金屬氧化物層或金屬氮化物。

在本發(fā)明涉及的彈性波裝置的另一個特定的方式中，上述接合層包含Ti層，上述Ti層的膜厚為0.4nm以上且為2.0nm以下。

在本發(fā)明涉及的彈性波裝置的另一個特定的方式中，上述Ti層的膜厚為0.4nm以上且為1.2nm以下。

在本發(fā)明涉及的彈性波裝置的另一個特定的方式中，上述壓電膜由LiTaO₃構(gòu)成。

在本發(fā)明涉及的彈性波裝置的另一個特定的方式中，上述低聲速膜由氧化硅構(gòu)成。

在本發(fā)明涉及的彈性波裝置的另一個特定的方式中，上述低聲速膜由氧化硅構(gòu)成，上述接合層存在于上述低聲速膜中的位置，上述低聲速膜具有：第一低聲速膜層，位于上述接合層的上述壓電膜側(cè)；以及第二低聲速膜層，位于上述接合層的與上述壓電膜相反側(cè)，在將上述彈性波裝置利用的彈性波的波長設(shè)為λ時，上述第一低聲速膜層的膜厚為0.12λ以上。

在本發(fā)明涉及的彈性波裝置的另一個特定的方式中，上述第一低聲速膜層的膜厚為0.22λ以上。

在本發(fā)明涉及的彈性波裝置的另一個特定的方式中，上述高聲速膜由氮化鋁或氮化硅構(gòu)成。

在本發(fā)明涉及的彈性波裝置的另一個特定的方式中，還具備層疊在上述高聲速膜與上述基板之間的中間層。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明涉及的彈性波裝置，接合層位于從高聲速膜中到低聲速膜與壓電膜的界面為止的任何位置，或者，位于低聲速膜中或位于壓電膜與低聲速膜的界面，因此，不易產(chǎn)生由形成接合層造成的翹曲。因此，不易產(chǎn)生電特性的劣化，在輸送時等也不易產(chǎn)生破裂。

附圖說明

圖1(a)是本發(fā)明的第一實施方式涉及的彈性波裝置的示意性正面剖視圖，圖1(b)是示出其電極構(gòu)造的示意性俯視圖。

圖2是示出本發(fā)明的第一實施方式的實施例和以往例的彈性波裝置的諧振特性的圖。

圖3是本發(fā)明的第二實施方式涉及的彈性波裝置的示意性正面剖視圖。

圖4是本發(fā)明的第三實施方式涉及的彈性波裝置的示意性正面剖視圖。

圖5是本發(fā)明的第四實施方式涉及的彈性波裝置的示意性正面剖視圖。

圖6是本發(fā)明的第五實施方式涉及的彈性波裝置的示意性正面剖視圖。

圖7是本發(fā)明的第六實施方式涉及的彈性波裝置的示意性正面剖視圖。

圖8是示出SiO₂膜的膜厚與Q值的關(guān)系的圖。

圖9是示出接合層的Ti層的膜厚與Q值的關(guān)系的圖。

具體實施方式

以下，參照附圖對本發(fā)明的具體的實施方式進行說明，從而明確本發(fā)明。

圖1(a)是本發(fā)明的第一實施方式涉及的彈性波裝置的示意性正面剖視圖。

彈性波裝置1具有支承基板2。在支承基板2上層疊有第一氧化硅膜3。在第一氧化硅膜3上層疊有高聲速膜4。在高聲速膜4上作為低聲速膜5層疊有第二氧化硅膜。像后面說明的那樣，低聲速膜5具有用接合層7接合了低聲速膜層5a和低聲速膜層5b的構(gòu)造。在低聲速膜5上層疊有壓電膜6。

另外，低聲速膜5是指，傳播的體波聲速比在壓電膜6傳播的體波的聲速低的膜。此外，高聲速膜4是指，傳播的體波的聲速比在壓電膜6傳播的彈性波的聲速高的膜。

此外，通過IDT電極激勵聲速、模式不同的各種彈性波，但是，在壓電膜6傳播的彈性波是指，為了得到作為濾波器、諧振器的特性而利用的特定的模式的彈性波。

在壓電膜6上設(shè)置有IDT電極8。上述支承基板2能夠由適當?shù)牟牧蠘?gòu)成，只要能夠維持支承基板2上方的構(gòu)造即可。作為這樣的材料，可舉出：藍寶石、LiTaO₃、LiNbO₃、水晶等壓電體；氧化鋁、氧化鎂、氮化硅、氮化鋁、碳化硅、氧化鋯、堇青石、多鋁紅柱石、滑石、鎂橄欖石等各種陶瓷或玻璃等電介質(zhì)；或硅、氮化鎵等半導體；或樹脂。在本實施方式中，支承基板2由Si構(gòu)成。

也可以不設(shè)置第一氧化硅膜3。即，可以在支承基板2直接層疊高聲速膜4。不過，也可以像本實施方式那樣，在支承基板2上間接層疊高聲速膜4，即，可以隔著第一氧化硅膜3設(shè)置高聲速膜4。

上述高聲速膜4的功能是，將彈性波約束在層疊有壓電膜6和低聲速膜5的部分，使得不會泄漏到高聲速膜4以下的構(gòu)造。在本實施方式中，高聲速膜4由氮化鋁構(gòu)成。不過，只要能約束上述彈性波，也能夠使用氮化鋁、氧化鋁、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、DLC膜或金剛石等材料。此外，也可以使用將上述材料作為主成分的介質(zhì)、將上述材料的混合物作為主成分的介質(zhì)等各種復(fù)合材料。

為了將彈性波約束在層疊有壓電膜6和低聲速膜5的部分，高聲速膜4的膜厚越厚越好，優(yōu)選為聲表面波的波長λ的0.5倍以上，更優(yōu)選為1.5倍以上。

作為構(gòu)成上述低聲速膜5的材料，能夠使用具有比在壓電膜6傳播的體波的聲速低的體波聲速的適當?shù)碾娊橘|(zhì)材料。作為這樣的材料，能夠使用氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化鉭、以及在氧化硅加入了氟、碳、硼的化合物等、將上述材料作為主成分的介質(zhì)。

根據(jù)后面說明的制造方法可知，接合層7是通過金屬擴散接合形成的部分，在本實施方式中，由Ti氧化物構(gòu)成。

此外，不限于Ti，也可以使用其它金屬。作為這樣的金屬，能夠舉出Al等。此外，接合層7也可以不由金屬氧化物形成，而是由Ti、Al等金屬形成。不過，為了謀求電絕緣，優(yōu)選金屬氧化物或金屬氮化物。特別是，因為Ti的氧化物或氮化物的接合力高，所以優(yōu)選。

在本實施方式中，壓電膜6由LiTaO₃構(gòu)成。不過，壓電膜6也可以由LiTaO₃以外的壓電單晶構(gòu)成。

在本實施方式中，IDT電極8由Al構(gòu)成。不過，IDT電極8能夠由Al、Cu、Pt、Au、Ag、Ti、Ni、Cr、Mo、W或?qū)⑦@些金屬中的任一種作為主體的合金等適當?shù)慕饘俨牧闲纬?。此外，IDT電極8也可以具有層疊了由這些金屬或合金構(gòu)成的多個金屬膜的構(gòu)造。

雖然在圖1(a)中以簡圖方式示出，但是在壓電膜6上形成有圖1(b)所示的電極構(gòu)造。即，形成有IDT電極8和配置在IDT電極8的彈性波傳播方向兩側(cè)的反射器9、10。由此，構(gòu)成單端口型彈性波諧振器。不過，本發(fā)明中的包含IDT電極的電極構(gòu)造沒有特別限定。能夠?qū)㈦姌O構(gòu)造變形為構(gòu)成適當?shù)闹C振器、組合了諧振器的梯型濾波器、縱向耦合諧振器型濾波器、格型濾波器、或橫向型濾波器等。

在本實施方式的彈性波裝置1中，在高聲速膜4上層疊有低聲速膜5，并在低聲速膜5上層疊有壓電膜6，因此能夠與專利文獻1記載的彈性波裝置同樣地謀求Q值的增大。除此以外，在本實施方式中，利用金屬擴散的接合層7位于低聲速膜5內(nèi)，因此在制造時，在母板的晶片階段不易產(chǎn)生翹曲。因此，在最終得到的彈性波裝置1中不易產(chǎn)生壓電膜6等的翹曲。因此，不易產(chǎn)生特性的劣化。除此以外，在制造時的晶片輸送工序、產(chǎn)品的輸送時等不易產(chǎn)生壓電膜6、支承基板2等的破裂。通過以下對制造方法的說明，對此進行更具體的說明。

在制造彈性波裝置1時，在母板的支承基板上層疊第一氧化硅膜3和高聲速膜4。此后，為了形成低聲速膜5，在高聲速膜4上層疊第二氧化硅膜，從而得到第一層疊體。另外，準備在壓電膜的單面形成有IDT電極并在相反側(cè)的面形成有氧化硅膜的第二層疊體。

然后，在第一層疊體的氧化硅膜面和第二層疊體的上述氧化硅膜面分別層疊Ti層。接著，使第一層疊體、第二層疊體的Ti層彼此接觸，在加熱下進行接合。在該情況下，被接合的兩側(cè)的Ti相互擴散。由此，通過金屬擴散接合形成接合層7。此外，從氧化硅膜側(cè)對Ti層供給氧。因此，該接合層7由Ti氧化物構(gòu)成。因此，在謀求充分的電絕緣的同時牢固地接合第一層疊體和第二層疊體。

將這樣得到的母板的層疊體以單個彈性波裝置1為單位進行切斷。由此，能夠得到彈性波裝置1。

在本實施方式中，上述接合層7位于低聲速膜5中，因此在得到母板的層疊體的階段不易產(chǎn)生翹曲。

本申請的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在利用金屬擴散接合對專利文獻1記載的彈性波裝置進行接合的情況下，在母板的層疊體中壓電膜會產(chǎn)生翹曲。而且，在切斷產(chǎn)生了翹曲的母板的層疊體而得到的彈性波裝置中，存在諧振特性等電特性出現(xiàn)波動的情況。另一方面，也能夠在接合后在加熱下進行壓制成型來消除翹曲。然而，即使實施了該消除翹曲的加工，上述電特性的劣化也未恢復(fù)。因此，可認為由于翹曲在壓電薄膜產(chǎn)生了微裂紋等。

本申請的發(fā)明人對上述翹曲進行了進一步研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，只要像本實施方式那樣選擇第一層疊體、第二層疊體的結(jié)構(gòu)，使得接合層7設(shè)置在低聲速膜5中，就能夠有效地抑制上述翹曲。

在專利文獻1中，將由壓電膜、低聲速膜以及高聲速膜構(gòu)成的層疊構(gòu)造與由介質(zhì)層和支承基板構(gòu)成的層疊構(gòu)造進行了接合。因此，對接合前的壓電膜施加了大的膜應(yīng)力。因此，在母板的層疊體階段壓電膜容易產(chǎn)生比較大的翹曲。

相對于此，在本實施方式中，在第二層疊體中，在壓電膜只層疊有氧化硅膜，因此未對壓電膜施加大的膜應(yīng)力。因此，在通過接合得到的層疊體中，因為施加在壓電膜6的應(yīng)力也小，所以不易產(chǎn)生翹曲。因此，如上所述，不易產(chǎn)生電特性的劣化。此外，也不易產(chǎn)生破裂。對于這一點，將基于具體的實驗例進行說明。

作為上述彈性波裝置1，制作了單端口型的彈性波諧振器。另外，設(shè)IDT電極的電極指的對數(shù)為100對、電極指的交叉寬度為20λ、由電極指間距確定的波長為2.0μm。對于反射器9、10，將電極指的個數(shù)設(shè)為20個。IDT電極8和反射器9、10由金屬Al形成，厚度設(shè)為160nm。

在圖2用實線示出上述實施方式的實施例的諧振特性。此外，為了進行比較，除了將接合層7設(shè)置在第一氧化硅膜3中以外，與上述實施方式的實施例同樣地制作了彈性波裝置。在圖2用虛線示出該以往例的彈性波裝置的諧振特性。根據(jù)圖2可知，在以往例中，在諧振點與反諧振點之間出現(xiàn)了波動。相對于此，可知，根據(jù)實施例，在諧振點與反諧振點之間未出現(xiàn)這種波動。此外，可知，根據(jù)實施例，與以往例相比諧振點處的波形也變得尖銳，阻抗特性的峰谷比也增大。

如上所訴，可認為實施例的諧振特性比以往例的諧振特性提高是因為未產(chǎn)生如前所述的基于翹曲的微裂紋。

圖3是本發(fā)明的第二實施方式涉及的彈性波裝置的示意性正面剖視圖。

在第二實施方式的彈性波裝置21中，在支承基板2上層疊有第一氧化硅膜3、高聲速膜4、低聲速膜5、壓電膜6以及IDT電極8。在第二實施方式的彈性波裝置21中，接合層7存在于高聲速膜4中。即，高聲速膜4具有高聲速膜層4a、4b，在高聲速膜層4a與高聲速膜層4b之間形成有接合層7。

在本實施方式中，也只要在制造時準備在壓電膜上設(shè)置有低聲速膜和高聲速膜層的第二層疊體即可。因此，在壓電膜中不易產(chǎn)生翹曲。因此，與第一實施方式同樣地，在彈性波裝置21中也不易產(chǎn)生電特性的劣化。此外，在晶片階段、最終得到的彈性波裝置21中也不易產(chǎn)生壓電膜的破裂。

圖4是本發(fā)明的第三實施方式涉及的彈性波裝置的示意性正面剖視圖。

在第三實施方式的彈性波裝置31中，在支承基板2上依次層疊有第一氧化硅膜3、高聲速膜4、第二氧化硅膜5B、接合層7、第三氧化硅膜5A、壓電膜6以及IDT電極8。在此，第二氧化硅膜5B和第三氧化硅膜5A均為低聲速膜。在本實施方式中，接合層7位于作為低聲速膜的第二氧化硅膜5B與第三氧化硅膜5A之間的界面。

在本實施方式中，也只要在制造時準備在壓電膜上第二層疊體即可。因此，在壓電膜中不易產(chǎn)生翹曲。因此，在彈性波裝置31中也不易產(chǎn)生電特性的劣化。此外，在晶片階段、最終得到的彈性波裝置31中也不易產(chǎn)生壓電膜的破裂。

圖5是本發(fā)明的第四實施方式涉及的彈性波裝置的示意性正面剖視圖。

在第四實施方式的彈性波裝置41中，在支承基板2上層疊有第一氧化硅膜3、高聲速膜4、低聲速膜5、壓電膜6以及IDT電極8。接合層7位于低聲速膜5與壓電膜6的界面。

在本實施方式中，也只要在制造時準備由壓電膜構(gòu)成的第二層疊體即可。因此，在壓電膜中不易產(chǎn)生翹曲。因此，在彈性波裝置41中也不易產(chǎn)生電特性的劣化。此外，在晶片階段、最終得到的彈性波裝置41中也不易產(chǎn)生壓電膜的破裂。

像第一～第四實施方式的彈性波裝置那樣，只要在從高聲速膜4中到低聲速膜5與壓電膜6的界面為止的任何位置設(shè)置有接合層7即可。

圖6是本發(fā)明的第五實施方式涉及的彈性波裝置的示意性正面剖視圖。

在彈性波裝置51中，在高聲速基板52上層疊有低聲速膜55。在低聲速膜55上層疊有壓電膜56。在壓電膜56上形成有IDT電極58。雖然沒有特別進行圖示，但是在IDT電極58的彈性波傳播方向兩側(cè)設(shè)置有反射器，由此構(gòu)成單端口型彈性波諧振器。

在本實施方式中，使用了高聲速基板52，沒有另外設(shè)置高聲速膜。在壓電膜56的下方層疊有低聲速膜55和高聲速基板52，因此在本實施方式中也能夠提高Q值。像這樣，也可以通過高聲速基板52兼用作高聲速膜和支承基板。

高聲速基板52由傳播的體波的聲速比在壓電膜56傳播的彈性波的聲速高的適當?shù)牟牧蠘?gòu)成。在本實施方式中，高聲速基板52由Si構(gòu)成。不過，高聲速基板52能夠由滿足上述條件的適當?shù)牟牧闲纬伞?/p>

接合層7位于由氧化硅構(gòu)成的低聲速膜55中。即，在第一低聲速膜層55a與第二低聲速膜層55b的界面設(shè)置有接合層7。因此，在制造時，只要準備在壓電膜56層疊IDT電極58和第一低聲速膜層55a而成的第二層疊體即可。因此，在第二層疊體中也不易對壓電膜56施加大的膜應(yīng)力。因此，在壓電膜中不易產(chǎn)生翹曲。

在制造時，在上述第二層疊體的露出了低聲速膜層的面形成Ti、Al等的金屬。此后，準備在母板的高聲速基板上層疊有低聲速膜層的第一層疊體。在該第一層疊體的低聲速膜層上形成Ti等的金屬層。此后，使第一層疊體、第二層疊體的金屬層彼此接觸，并在加熱下進行接合。這樣，能夠與第一實施方式的彈性波裝置1同樣地形成接合層7。

此后，只要切斷所得到的母板的層疊體得到單個彈性波裝置51即可。

在本實施方式中，因為接合層7設(shè)置在上述的位置，所以在制造時在母板的壓電膜階段不易產(chǎn)生翹曲。因此，不易產(chǎn)生電特性的劣化。此外，在母板的層疊體階段、產(chǎn)品的輸送時，在壓電膜56不易產(chǎn)生破裂、微裂紋。

圖7是本發(fā)明的第六實施方式涉及的彈性波裝置的示意性正面剖視圖。在彈性波裝置61中，接合層7位于壓電膜56與低聲速膜55的界面。其它方面，彈性波裝置61與彈性波裝置51相同。

在彈性波裝置61中，接合層7位于靠近壓電膜56側(cè)的位置。因此，在接合前的第二層疊體階段壓電膜56不易產(chǎn)生翹曲。因此，與第五實施方式的彈性波裝置51同樣地，不易產(chǎn)生電特性的劣化。此外，在制造工序中不易產(chǎn)生壓電膜56的翹曲，因此也不易產(chǎn)生破裂、微裂紋。此外，在產(chǎn)品輸送時等，壓電膜56也不易產(chǎn)生翹曲，因此不易產(chǎn)生破裂、微裂紋。

即使在像彈性波裝置51、61那樣使用了高聲速基板52的構(gòu)造中，也可以在高聲速基板52與低聲速膜55之間進一步層疊其它中間層。即，可以在高聲速基板上間接地層疊低聲速膜55。不管怎樣，在使用了高聲速基板52的構(gòu)造中，接合層7只要位于低聲速膜55中或壓電膜56與低聲速膜55的界面中的任何位置即可。

接著，以下對低聲速膜的膜厚與Q值的關(guān)系進行說明。

在圖6所示的第五實施方式涉及的彈性波裝置51中，使第一低聲速膜層55a的膜厚變化，制作了各種彈性波裝置。更具體地，使用了由Si構(gòu)成的高聲速基板52。作為第二低聲速膜層55b，使用了厚度為55nm的SiO₂膜。作為接合層7，使用Ti膜，厚度設(shè)為0.5nm。作為壓電膜56，使用了600nm的LiTaO₃膜。由ITD電極中的電極指間距確定的波長λ設(shè)為2μm。由作為氧化硅的SiO₂形成與壓電膜56相接的第一低聲速膜層55a，并使膜厚不同。

在圖8示出作為低聲速膜層55a的SiO₂膜的膜厚與Q值的關(guān)系。

可知，作為低聲速膜層55a的SiO₂膜的膜厚越厚，Q值越高。在將SiO₂膜的膜厚設(shè)為240nm以上時，即，設(shè)為0.12λ以上時，可得到超過1000的高Q值。在SiO₂膜的膜厚為440nm以上時，即，0.22λ以上時，Q值的變動減小，大體上固定。因此可知，通過將SiO₂膜的膜厚設(shè)為0.22λ以上，從而能夠進一步提高Q值，且能夠減小偏差。像這樣，優(yōu)選在由氧化硅形成與壓電膜56相接的低聲速膜層的情況下，將該SiO₂膜的膜厚設(shè)為0.12λ以上。更優(yōu)選將SiO₂膜的膜厚設(shè)為0.22λ以上。

另外，優(yōu)選使作為低聲速膜層55a的SiO₂膜的膜厚為2λ以下。由此，能夠減小膜應(yīng)力。

接著，對接合層的Ti層的膜厚與Q值的關(guān)系進行說明。

使接合層7的Ti層的膜厚分別不同而制作了圖4所示的第三實施方式的彈性波裝置31。更具體地，高聲速膜5由Si形成。接合層7由Ti層和Ti氧化物層形成。將接合層7形成為，Ti氧化物層位于高聲速膜4側(cè)，并且Ti層位于低聲速膜5側(cè)。將Ti氧化物層的厚度設(shè)為50nm。低聲速膜由SiO₂形成，將厚度設(shè)為700nm。壓電膜6由LiTaO₃形成，將厚度設(shè)為600nm。將彈性波裝置31利用的作為彈性波的聲表面波的波長λ設(shè)為2μm。

圖9是示出作為接合層的Ti層的膜厚與Q值的關(guān)系的圖。

可知，接合層的Ti層的膜厚越小，Q值越大。特別是，在Ti層的膜厚為2.0nm以下時，即，1×10^-3λ以下時，可得到超過1000的高Q值。在Ti層的膜厚為1.2nm以下時，即，0.6×10^-3λ以下時，Q值的變動減小，大體上固定。因此，通過將接合層的Ti層的膜厚設(shè)為1.2nm以下或者設(shè)為0.6×10^-3λ以下，從而能夠進一步提高Q值，且能夠減小偏差。像這樣，優(yōu)選使Ti層的膜厚為2.0nm以下，更優(yōu)選使Ti層的膜厚為1.2nm以下。

另外，Ti層的膜厚優(yōu)選為0.4nm以上。由此，能夠合適地接合上述第一層疊體和上述第二層疊體。

附圖標記說明

1：彈性波裝置；

2：支承基板；

3：第一氧化硅膜；

4：高聲速膜；

4a、4b：高聲速膜層；

5：低聲速膜；

5a、5b：低聲速膜層；

6：壓電膜；

7：接合層；

8：IDT電極；

9、10：反射器；

21、31、41、51、61：彈性波裝置；

52：高聲速基板；

55：低聲速膜；

55a、55b：低聲速膜層；

56：壓電膜；

58：IDT電極。