電子部件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明的電子部件(1)具有：支承構(gòu)件(5)；SAW元件(7)，其隔著空間(S)安裝在該支承構(gòu)件(5)上，并具有與所述支承構(gòu)件的對置面；和樹脂部(9)，其覆蓋該SAW元件(7)，并且設(shè)置為對空間(S)進行密封。SAW元件(7)具有：壓電基板(19)；IDT(35)，其設(shè)置于壓電基板(19)的對置面(19a)；布線(33)(外側(cè)布線(39))，其設(shè)置于壓電基板(19)的對置面(19a)并從IDT(35)向壓電基板(19)的外周側(cè)延伸；和堰構(gòu)件(43)，其與布線(33)的側(cè)方緣部(39a)相鄰，并部分地設(shè)置于包圍IDT(35)的周方向。
【專利說明】電子部件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種包含彈性表面波(SAW:Surface Acoustic Wave)元件、壓電薄膜諧振器(FBAR:Film Bulk Acoustic Resonator)等電子元件的電子部件。
【背景技術(shù)】
[0002]在具備支承構(gòu)件、安裝于該支承構(gòu)件的電子元件和覆蓋該電子元件的密封樹脂的電子部件中，已知有使得密封樹脂不流入到支承構(gòu)件與電子元件之間的對置空間中的電子部件。例如，在專利文獻I中，通過在電子元件以及支承構(gòu)件的彼此對置的對置面的任意一方形成包圍對置空間的環(huán)狀的堤壩(dam)，從而使得密封樹脂不會流入到對置空間中。由此，阻止了露出于對置空間的功能體(SAW諧振器等)被樹脂部覆蓋，抑制了功能體的電氣特性的下降。另外，還已知有并未設(shè)置這樣的堤壩的電子部件(專利文獻2)。
[0003]在先技術(shù)文獻
[0004]專利文獻
[0005]專利文獻I JP特開平05-55303號公報
[0006]專利文獻2 JP特開2006-279484號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]發(fā)明要解決的課題
[0008]但是，在專利文獻I的技術(shù)中，例如，由于必須要將堤壩設(shè)置為環(huán)狀，因而產(chǎn)生電子元件等的對置面的節(jié)省空間化受到妨礙等的不便。
[0009]本發(fā)明的目的在于提供一種能夠適當?shù)乜刂泼芊鈽渲牧鲃拥碾娮硬考?br> [0010]解決課題的手段
[0011]本發(fā)明的一方式所涉及的電子部件具有:支承構(gòu)件；電子元件，其隔著空間安裝在該支承構(gòu)件上，并具有與所述支承構(gòu)件的對置面；和密封樹脂，其覆蓋該電子元件，并且，設(shè)置為對所述空間進行密封，所述電子元件具有:元件基板；功能體，其設(shè)置于該元件基板的對置面；第I布線，其設(shè)置于所述元件基板的對置面，并從所述功能體向所述元件基板的外周側(cè)延伸；和針對液狀樹脂的流動抑制部，其包含位于所述第I布線的緣部以及所述功能體的緣部以及這些緣部的相鄰位置中的至少任意一者的部分，并局部地設(shè)置于包圍所述功能體的周方向。
[0012]發(fā)明效果
[0013]根據(jù)上述構(gòu)成，能夠適當?shù)乜刂泼芊鈽渲牧鲃印?br> 【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1 (a)以及圖1 (b)是表示本發(fā)明的第I實施方式所涉及的電子部件的外觀的立體圖。
[0015]圖2是圖1的電子部件的分解立體圖。[0016]圖3 (a)是沿圖1(a)的IIIa-1IIa線的剖面圖，圖3 (b)是圖3(a)的區(qū)域IIIb的放大圖。
[0017]圖4是將圖1的電子部件的一部分取下而表示的俯視圖。
[0018]圖5 (a)是圖4的區(qū)域Va的放大圖，圖5(b)是沿圖5 (a)的Vb-Vb線的剖面圖，圖5(c)是沿圖5(a)的Vc-Vc線的剖面圖。
[0019]圖6(a)?圖6(e)是用于說明圖1的電子部件的制造方法的剖面圖。
[0020]圖7是表示本發(fā)明的第2實施方式所涉及的電子部件的與圖4相當?shù)母┮晥D。
[0021]圖8是表示本發(fā)明的第3實施方式所涉及的電子部件的與圖4相當?shù)母┮晥D。
[0022]圖9是表示本發(fā)明的第4實施方式所涉及的電子部件的與圖4相當?shù)母┮晥D。
[0023]圖10是表示本發(fā)明的第5實施方式所涉及的電子部件的與圖4相當?shù)母┮晥D。
[0024]圖11是表示本發(fā)明的第6實施方式所涉及的堰構(gòu)件的俯視圖。
[0025]圖12是表示本發(fā)明的第7實施方式所涉及的堰構(gòu)件的俯視圖。
[0026]圖13是本發(fā)明的第8實施方式所涉及的電子部件的與圖5(c)相當?shù)钠拭鎴D。
[0027]圖14是表示本發(fā)明的第9實施方式所涉及的電子部件的與圖4相當?shù)母┮晥D。
[0028]圖15 (a)是圖14的區(qū)域XVa的放大圖，圖15 (b)是沿圖15 (a)的XVb-XVb線的剖面圖。
[0029]圖16(a)?圖16(h)是表示第9實施方式所涉及的各種變形例的俯視圖。
【具體實施方式】
[0030]以下，參照附圖對本發(fā)明的實施方式所涉及的電子部件進行說明。另外，在以下的說明中所用到的圖是示意性的圖，附圖上的尺寸比率等不一定與現(xiàn)實的情形一致。
[0031 ] 此外，在各實施方式等的說明中，關(guān)于與已經(jīng)說明過的構(gòu)成相同或者相類似的構(gòu)成，有時會標注相同的符號而省略說明。
[0032]<第I實施方式>
[0033]圖1 (a)是表示本發(fā)明的第I實施方式所涉及的電子部件I的外觀的從上表面Ia側(cè)來看的立體圖，圖1(b)是表示電子部件I的外觀的從下表面Ib側(cè)來看的立體圖。
[0034]另外，電子部件I可以將任意一個方向設(shè)為上方或者下方，但為了方便起見，定義正交坐標系xyz，并且將z方向的正側(cè)作為上方，從而使用上表面或者下表面的用語。
[0035]電子部件I例如形成為大致長方體狀，并在其下表面lb，按適當?shù)男螤钜约斑m當?shù)臄?shù)量露出有多個外部端子3。電子部件I的大小設(shè)為適當?shù)拇笮〖纯?，例如，I邊的長度為Imm?數(shù)mm η
[0036]電子部件I通過使下表面Ib相對于未圖示的安裝基板對置地配置、并經(jīng)由焊料凸塊等將在安裝基板設(shè)置的焊墊與多個外部端子3相接合而被安裝于安裝基板。然后，電子部件1，例如，經(jīng)由多個外部端子3中的任意一個輸入信號，對所輸入的信號施行規(guī)定處理并從多個外部端子3中的任意一個輸出。
[0037]另外，多個外部端子3的數(shù)目、位置以及作用可以根據(jù)電子部件I內(nèi)部的構(gòu)成等適當?shù)卦O(shè)定。在本實施方式中，對4個外部端子3被設(shè)置于下表面Ib的4個角的情況進行了例示。
[0038]圖2是電子部件I的分解立體圖。圖3 (a)是沿圖1 (a)的IIIa-1IIa線的剖面圖。另外，實際上，電子部件I若沒有一部分構(gòu)件的破斷則不能分解成圖2那樣。
[0039]電子部件I具有支承構(gòu)件5、在該支承構(gòu)件5上安裝的SAW元件7、介于支承構(gòu)件5與SAW元件7之間的凸塊8 (圖3 (a))和對SAW元件7進行密封的樹脂部9。
[0040]支承構(gòu)件5例如由剛性印刷線路板構(gòu)成，具有絕緣基體11、在絕緣基體11的上表面Ila形成的上表面導電層13A(圖3(a))、在絕緣基體11的內(nèi)部與上表面Ila平行地形成的內(nèi)部導電層13B(圖3(a))、在上下方向貫通絕緣基體11的全部或一部分的貫通導體15(圖3(a))和在絕緣基體11的下表面Ilb形成的已經(jīng)敘述的外部端子3。另外，支承構(gòu)件5也可以不設(shè)置內(nèi)部導電層13B。
[0041]絕緣基體11例如形成為大致薄型的長方體狀。此外，絕緣基體11例如形成為含有樹脂、陶瓷以及/或者無定形狀態(tài)的無機材料。絕緣基體11既可以由單一材料構(gòu)成，也可以像使樹脂浸潰到基材中而得到的基板那樣由復合材料構(gòu)成。
[0042]上表面導電層13A包含有用于將SAW元件7安裝到支承構(gòu)件5的基板焊墊17 (圖3(a))。貫通導體15以及內(nèi)部導電層13B包含有對基板焊墊17與外部端子3進行連接的布線。另外，上表面導電層13A、內(nèi)部導電層13B以及貫通導體15也可以包含電感器、電容器或者執(zhí)行適當?shù)奶幚淼碾娐?。上表面導電?3A、內(nèi)部導電層13B、貫通導體15以及外部端子3例如由Cu等的金屬構(gòu)成。
[0043]SAW元件7具有壓電基板19和在壓電基板19的下表面(支承構(gòu)件5的對置面)19a設(shè)置的元件導電層20。另外，除此之外，SAW元件7還可以具有覆蓋壓電基板19的上表面19b的電極以及/或者保護層等適當?shù)臉?gòu)件。
[0044]壓電基板19例如形成為大致薄型的長方體狀。壓電基板19的俯視時的大小與支承構(gòu)件5的俯視時的大小相比較更小。壓電基板19例如由鉭酸鋰單晶、鈮酸鋰單晶等的具有壓電性的單晶的基板構(gòu)成。
[0045]元件導電層20包含有元件焊墊25A?25D (以下，有時省略A?D)。另外，對于元件導電層20所包含的其他構(gòu)成(圖案)將在后面敘述。
[0046]凸塊8介于元件焊墊25和基板焊墊17之間，將這些焊墊接合在一起。凸塊8由焊料構(gòu)成。焊料既可以是Pb-Sn合金焊料等利用了鉛的焊料，也可以是Au-Sn合金焊料、Au-Ge合金焊料、Sn-Ag合金焊料、Sn-Cu合金焊料等無鉛焊料。另外，凸塊8也可以通過導電性粘接劑而形成。
[0047]通過將凸塊8介于元件焊墊25和基板焊墊17之間，從而在絕緣基體11的上表面Ila與壓電基板19的下表面19a之間形成了間隙(空間S，圖3(a))。由此，后面敘述的SAW的傳播變得容易化。
[0048]樹脂部9例如設(shè)置為在支承構(gòu)件5上覆蓋SAW元件7。即，樹脂部9與SAW元件7的上表面19b及側(cè)而19c、以及支承構(gòu)件5的上表面Ila中的SAW元件7的外周部分相抵接。優(yōu)選這些抵接部分中至少一部分最好全部粘接在一起。
[0049]樹脂部9的外形例如形成為大致長方體狀。其俯視時的形狀以及大小例如與支承構(gòu)件5的平面形狀相同，且樹脂部9的側(cè)面與支承構(gòu)件5的側(cè)面齊平。樹脂部9的SAW元件7上的厚度可以設(shè)為從SAW元件7的保護的觀點等各種觀點來看的適當?shù)拇笮　?br> [0050]樹脂部9由樹脂構(gòu)成。樹脂優(yōu)選為熱硬化性樹脂，熱硬化性樹脂例如是環(huán)氧樹脂或者酚醛樹脂。在樹脂中，也可以混入由絕緣性粒子構(gòu)成的填料，該絕緣性粒子由與該樹脂相比熱膨脹系數(shù)低的材料形成。絕緣性粒子的材料例如是二氧化硅、氧化鋁、苯酚、聚乙烯、玻璃纖維、石墨填料。
[0051]樹脂部9并未填充到空間S中，而空間S被樹脂部9密封住?？臻gS內(nèi)既可以設(shè)成真空，也可以封入有空氣等氣體。在封入有氣體的情況下，其壓力在空間S內(nèi)的溫度與大氣的溫度相等時，既可以高于大氣壓，也可以與大氣壓同等，還可以低于大氣壓。
[0052]圖3(b)是圖3(a)的區(qū)域IIIb的放大圖。
[0053]樹脂部9具有包圍空間S的內(nèi)壁面9a。內(nèi)壁面9a位于例如比壓電基板19的側(cè)面19c更靠近內(nèi)側(cè)。另外，內(nèi)壁面9a既可以是凹狀，也可以是凸狀，還可以是平面狀。此外，內(nèi)壁面9a既可以與凸塊8相抵接，也可以不抵接。
[0054]圖4是將支承構(gòu)件5取下而表示的從下表面?zhèn)葋砜吹碾娮硬考蘒的俯視圖。
[0055]兀件導電層20包含例如一個或多個(在本實施方式中為多個)SAW諧振器31A?3IE (以下，有時省略A?E)、和與多個SAW諧振器31相連接的布線33。另外，布線33也可以被視為包含元件焊墊25。
[0056]SAff諧振器31可以根據(jù)各種目的按適當?shù)臉?gòu)成、數(shù)量以及配置來設(shè)置。在本實施方式中，對通過多個SAW諧振器31來構(gòu)成梯形SAW濾波器的情況進行了例示。
[0057]具體來說，SAff諧振器3IA?3IC在元件焊墊25A與25B之間串聯(lián)連接。SAW諧振器31D以及31E與它們并聯(lián)連接。即，SAW諧振器31D以及31E被配置在SAW諧振器31A?31C間與元件焊墊25C以及2?之間。
[0058]若對元件焊墊25A輸入信號，則由多個SAW諧振器3IA?3IE構(gòu)成的梯形SAW濾波器對該信號進行濾波而輸出到元件焊墊25B。另外，元件焊墊25C以及2?與基準電位相連接。
[0059]各SAW諧振器31例如是單端口 SAW諧振器，具有IDT35和夾著IDT35的2個反射器37。
[0060]IDT35具有被配置為彼此咬合的I對梳齒電極36。各梳齒電極36具有形成為長條的匯流條36a、和從匯流條36a向與該匯流條36a的長邊方向正交的方向延伸的多個電極指36b。多個電極指36b的間距大致恒定。
[0061]反射器37具有形成為長條狀且使長邊彼此對置地配置的I對匯流條37a、和在I對匯流條37a之間延伸的多個電極指37b。多個電極指37b的間距大致恒定，并且與IDT35的多個電極指36b的間距大致相等。IDT35與反射器37的間隔和電極指36b以及37b的間
距大致相等。
[0062]輸入到I對梳齒電極36的一個匯流條36a的電信號被變換成向與多個電極指36b正交的方向傳播的SAW，該SAW被再次變換成電信號而從I對梳齒電極36的另一個匯流條36a輸出。在該過程中，電信號的通帶外的頻率分量受到衰減。通帶相當于將多個電極指36b的間距設(shè)為大約半波長的SAW的頻帶。
[0063]多個SAW諧振器31收納在空間S內(nèi)(未被樹脂部9覆蓋)。因此，在SAW諧振器31中，SAW的傳播(壓電基板19的振動)變得容易化。
[0064]布線33例如具有對多個SAW諧振器31與元件焊墊25進行連接的外側(cè)布線39、和對SAW諧振器31彼此(或者梳齒電極36與反射器37)進行連接的中間布線41。
[0065]外側(cè)布線39基本上對匯流條36a與元件焊墊25進行連接。此外，中間布線41基本上對相互不同的SAW諧振器31的匯流條36a彼此進行連接。另外，在SAW諧振器31D中，成為基準電位側(cè)的匯流條36a與一個反射器37由中間布線41連接，該反射器37與元件焊墊25C由外側(cè)布線39連接。
[0066]外側(cè)布線39從SAW諧振器31向壓電基板19的外周側(cè)延伸。此外，外側(cè)布線39的位于比元件焊墊25更靠近外周側(cè)的部分也位于比空間S更靠近外側(cè)，并與樹脂部9相接。
[0067]另外，中間布線41由于對收納在空間S內(nèi)的SAW諧振器31彼此等進行連接，因而基本上不與樹脂部9相接。但是，例如，為了將SAW元件7小型化而對多個SAW諧振器31適當?shù)嘏渲玫慕Y(jié)果，也可以有時中間布線41的一部分位于空間S的外側(cè)而與樹脂部9相接。
[0068]外側(cè)布線39以及中間布線41既可以直線狀地延伸，也可以曲線狀地延伸，還可以彎曲。此外，既可以以恒定的寬度延伸，也可以寬度慢慢變化，還可以寬度分階段地變化。在本實施方式中，外側(cè)布線39從SAW諧振器31以恒定的寬度直線狀地延伸后，發(fā)生彎曲并且寬度變寬。
[0069]元件導電層20的各部分(SAW諧振器31、布線33以及元件焊墊25)例如彼此都由相同的材料形成。另外，在圖4等中，為了說明的方便，對這些部分之間的邊界線進行了明示。但是，實際上，其中的一部分也可以由不同的材料構(gòu)成。元件導電層20例如由Al-Cu合金等的金屬構(gòu)成。另外，在元件焊墊25中，也可以將與凸塊8的粘接性的提高等作為目的，在表面形成鎳以及金等的適當?shù)腻兏矊?。元件導電?0厚度例如為IOOnm?300nm。
[0070]在SAW元件7的下表面19a，除了上述以外，還設(shè)置有在制作電子部件I的過程等中用于控制(具體來說為抑制)成為樹脂部9的液狀的樹脂的流動的多個堰構(gòu)件43。
[0071]堰構(gòu)件43與外側(cè)布線39的側(cè)方緣部39a(外側(cè)布線39延伸的方向的側(cè)方的緣部)相鄰地設(shè)置。此外，堰構(gòu)件43散布在SAW元件7的下表面19a。S卩，堰構(gòu)件43被部分地(局部地)設(shè)置于包圍一個或多個SAW諧振器31的周方向(或者周)，并未包圍一個或多個SAW諧振器31。此外，堰構(gòu)件43沒有橫穿過布線33。此外，堰構(gòu)件43相對于SAW諧振器31 (更詳細來說是電極指)而沒有位于SAW的傳播方向(y方向)。
[0072]圖5(a)是圖4的區(qū)域Va的放大圖。圖5(b)是沿圖5(a)的Vb-Vb線的剖面圖。圖5(c)是沿圖5(a)的Vc-Vc線的剖面圖。
[0073]堰構(gòu)件43與外側(cè)布線39的側(cè)方緣部39a的側(cè)面39aa相抵接。堰構(gòu)件43既可以在側(cè)方緣部39a與外側(cè)布線39重復一部分(既可以覆蓋外側(cè)布線39的上表面39b)，也可以不重復。在本實施方式中，對重復的情況進行了例示。此外，堰構(gòu)件43的厚度可以適當?shù)卦O(shè)定，例如，該厚度大于外側(cè)布線39的厚度。例如，相對于外側(cè)布線39的厚度為IOOnm?300nm,堰構(gòu)件43的厚度為0.5?3 μ m。
[0074]堰構(gòu)件43的與外側(cè)布線39處于相反側(cè)的側(cè)面43a為傾斜面，側(cè)面43a與下表面19a所形成的槽的角度Θ 2大于外側(cè)布線39的側(cè)面39aa與下表面19a所形成的槽的角度Θ1。另外，雖然沒有特別圖示，但是堰構(gòu)件43的前面或者后面(面向X方向的面)也可以與側(cè)面43a同樣地為傾斜面。
[0075]堰構(gòu)件43既可以由絕緣材料形成，也可以由導電材料形成。但是，在如本實施方式一樣堰構(gòu)件43與外側(cè)布線39相抵接的情況下，從使元件導電層20的阻抗等與設(shè)計值高精度地一致的觀點出發(fā)，優(yōu)選堰構(gòu)件43由絕緣材料形成。絕緣材料例如為樹脂或者陶瓷。樹脂從圖案形成的容易性的觀點出發(fā)優(yōu)選為感光性樹脂。感光性樹脂例如為聚酰亞胺。[0076]圖6 (a)?圖6(e)是用于說明電子部件I的制造方法的圖。圖6 (a)、圖6 (d)以及圖6(e)是與圖3(a)相對應(yīng)的剖面圖，圖6 (b)以及圖6(c)是與圖5(c)相對應(yīng)的剖面圖。制造工序從圖6(a)到圖6(e)按順序向前進行。
[0077]首先，如圖6(a)所示，在壓電基板19的下表面19a上，形成元件導電層20。另外，該工序以通過被分割而以成為壓電基板19的母基板為對象來進行，而在圖6 (a)中，僅圖示了與I個電子部件I相對應(yīng)的部分。
[0078]在元件導電層20的形成中，具體來說，首先，通過濺射法、蒸鍍法或CVD (ChemicalVapor Deposition)等的薄膜形成方法,在下表面19a上形成金屬層。接著,針對金屬層利用光刻法等來進行圖案形成(patterning)。通過圖案形成而形成SAW諧振器31、布線33以及元件焊墊25。
[0079]若形成元件導電層20，則如圖6(b)所示，形成成為堰構(gòu)件43的絕緣層45。絕緣層45例如形成在壓電基板19的下表面19a的整個面，也覆蓋元件導電層20。絕緣層45的形成例如通過蒸鍍法或者CVD等的薄膜形成方法來進行。
[0080]若形成絕緣層45，則如圖6(c)所示，通過光刻法等進行圖案形成，從而形成堰構(gòu)件43。此時，例如，作為絕緣層45的材料，若使用正型感光性材料，則越接近下表面19a光就越由于光的散射而不能充分地照射，結(jié)果，能夠使堰構(gòu)件43的側(cè)面43a比外側(cè)布線39的側(cè)面39aa更傾斜?；?，利用適當?shù)墓鈱W系統(tǒng)將通過光掩膜的光放大(負型的情況)或者縮小(正型的情況)，從而使光的外周面傾斜，由此能夠使側(cè)面43a傾斜。
[0081]然后，雖然并未特別圖示，但是通過對母基板進行切割，SAff元件7被單片化。
[0082]接著，如圖6 (d)所示，在支承構(gòu)件5安裝SAW元件7。另外，在該時點，支承構(gòu)件5例如還并未被單片化而處于作為母基板的狀態(tài)。但是，也可以正在被單片化。
[0083]具體來說，首先，準備支承構(gòu)件5。支承構(gòu)件5的制造方法可以與一般的印刷線路板的制造方法相同。接著，通過絲網(wǎng)印刷等的適當?shù)姆椒?，將凸塊8設(shè)置于支承構(gòu)件5。另夕卜，凸塊8也可以在SAW元件7的單片化之前等設(shè)置于SAW元件7。然后，隔著凸塊8將SAW元件7配置在支承構(gòu)件5上，并通過回流焊爐等對凸塊8進行加熱、熔融，然后，進行冷卻。
[0084]若SAW元件7被安裝到支承構(gòu)件5，則如圖6 (e)所示，供給成為樹脂部9的液狀的樹脂47。樹脂47的供給例如通過絲網(wǎng)印刷來進行。此時，例如，通過先將樹脂47的粘度設(shè)定得較高、或者先將施加給樹脂47的壓力設(shè)定得較低、或者先將空間S的高度設(shè)定得較低，能夠抑制樹脂47流入到空間S中。作為提高粘度的方法，可以列舉出將樹脂47的組成設(shè)為適當?shù)慕M成、增加樹脂47中的效果促進劑的含有量、降低樹脂47的固化溫度等方法。
[0085]這樣在本實施方式中，基本上，利用起因于成為樹脂部9的液狀的樹脂47的粘性而產(chǎn)生的抵抗力來抑制樹脂47向空間S的流動。另外，在供給樹脂47時未對SAW元件7的周圍進行減壓的情況下，也能夠利用空間S內(nèi)的空氣。此外，凸塊8也有助于抑制樹脂47的流動。
[0086]但是，如圖5(a)以及圖5(b)所示，樹脂47的一部分有可能沿著外側(cè)布線39的側(cè)方緣部39a向空間S側(cè)流動。這可以認為是取決于在外側(cè)布線39的側(cè)面39aa與壓電基板19的下表面19a所形成的槽中所產(chǎn)生的毛細管力。
[0087]但是，通過與側(cè)方緣部39a相鄰地設(shè)置了堰構(gòu)件43，樹脂47沿外側(cè)布線39的流動受到攔截。對于其他的觀點，樹脂47流動的路徑從箭頭yl所示的路徑變更為比該路徑更長的箭頭y2所示的路徑。結(jié)果，能夠抑制樹脂47到達SAW諧振器31，進而能夠抑制由于樹脂47而導致SAW諧振器31的電氣特性下降。
[0088]然后，對樹脂47加熱而固化。然后，與由多個支承構(gòu)件5構(gòu)成的母基板一起進行切割，將電子部件I單片化。
[0089]如上所述，在本實施方式中，電子部件I具有:支承構(gòu)件5 ;SAW元件7，其隔著空間S安裝在該支承構(gòu)件5上；和樹脂部9，其覆蓋該SAW元件7，并且設(shè)置為對空間S進行密封。SAW元件7具有:壓電基板19 ;IDT35，其設(shè)置于壓電基板19的下表面19a ;布線33 (外側(cè)布線39)，其設(shè)置于壓電基板19的下表面19a并從IDT35向壓電基板19的外周側(cè)延伸；和堰構(gòu)件43，其與布線33的側(cè)方緣部39a相鄰，并部分地設(shè)置于包圍IDT35的周方向。
[0090]因此，如參照圖5進行說明的那樣，會在成為樹脂部9的樹脂47容易流動的位置以準確定位的方式設(shè)置抑制流動的構(gòu)件。結(jié)果，在抑制電子部件I的大型化的同時，對樹脂47到達招致SAW諧振器31的特性下降的位置進行抑制，從而能夠抑制SAW諧振器31的電氣特性的下降。
[0091]堰構(gòu)件43相對于多個電極指36b而僅設(shè)置于位于與多個電極指36b正交的方向(排列方向)的區(qū)域的外側(cè)區(qū)域。
[0092]因此，從SAW諧振器31向SAW的傳播方向(y方向)泄漏的SAW由堰構(gòu)件43進行反射而返回到SAW諧振器31的情形受到抑制，進而，SAW諧振器31的電氣特性的下降受到抑制。
[0093]如參照圖5 (C)進行說明的那樣，堰構(gòu)件43與外側(cè)布線39的側(cè)方緣部39a相抵接，堰構(gòu)件43的與側(cè)方緣部39a處于反對側(cè)的側(cè)面43a和壓電基板19的下表面19a所形成的角度Θ 2大于側(cè)方緣部39a的側(cè)面39aa和壓電基板19的下表面19a所形成的角度Θ I。
[0094]因此，堰構(gòu)件43的側(cè)面43a的毛細管力與外側(cè)布線39的側(cè)面39aa的毛細管力相比較更小。結(jié)果，堰構(gòu)件43的樹脂47的流動抑制效果增加。
[0095]〈第2實施方式>
[0096]圖7是第2實施方式所涉及的電子部件的與圖4相當?shù)母┮晥D。
[0097]第2實施方式僅堰構(gòu)件43的配置位置與第I實施方式不同。具體來說，如下所示。
[0098]在第2實施方式的SAW元件107中，堰構(gòu)件43與IDT35以及反射器37的緣部相鄰，并在外側(cè)布線39延伸出來的一側(cè)(X方向的正側(cè)或負側(cè))堵住了 IDT35與反射器37的間隙。
[0099]在此，在液狀的樹脂47沿著外側(cè)布線39的側(cè)方緣部39a從壓電基板19的外周側(cè)向內(nèi)側(cè)流動的情況下，即使樹脂47到達匯流條36a的外側(cè)的緣部36aa (與電極指36b處于相反側(cè)的緣部)，對于SAW諧振器31的電氣特性也幾乎不會造成影響。但是，若進一步樹脂47沿著緣部36aa流動并流入到IDT35與反射器37的間隙中，則成為樹脂47位于SAW傳播的范圍內(nèi)，SAW諧振器31的電氣特性下降。
[0100]因此，在本實施方式中，通過堰構(gòu)件43，能夠抑制樹脂47向這樣的間隙的流入并抑制電氣特性的下降。另外，關(guān)于對樹脂47到達反射器37的SAW的傳播方向(y方向)外側(cè)進行抑制等，堰構(gòu)件43與第I實施方式同樣地，有助于加長路徑或使毛細管力下降。
[0101]〈第3實施方式〉
[0102]圖8是第3實施方式所涉及的電子部件的與圖4相當?shù)母┮晥D。[0103]第3實施方式僅堰構(gòu)件的形狀與第I實施方式不同。具體來說，如下所示。
[0104]在第3實施方式的SAW元件207中，堰構(gòu)件243橫穿過外側(cè)布線39。S卩，堰構(gòu)件243具有與第I實施方式的堰構(gòu)件43相當?shù)南噜彶?43f、和與相鄰部243f相連接的在外側(cè)布線39上橫穿過外側(cè)布線39的橫斷部243g。
[0105]因此，通過相鄰部243f可以取得與第I實施方式的堰構(gòu)件43同樣的效果。進而，通過橫斷部243g，又能夠攔截一邊浸濕外側(cè)布線39的表面一邊傳來的樹脂47，能夠更可靠地抑制樹脂47的流動。另外，第I實施方式的堰構(gòu)件43能夠視為僅具有相鄰部243f。
[0106]〈第4實施方式〉
[0107]圖9是第4實施方式所涉及的電子部件的與圖4相當?shù)母┮晥D。
[0108]第4實施方式對第2實施方式與第3實施方式進行了組合。即，在第4實施方式的SAW元件307中，堰構(gòu)件243與第3實施方式同樣地，具有相鄰部243f和橫斷部243g。然后，相鄰部243f形成得比較長，不僅與外側(cè)布線39的緣部相鄰，還與匯流條36a的緣部以及反射器37的緣部相鄰，進而，與第2實施方式同樣地堵住了 IDT35與反射器37的間隙。
[0109]〈第5實施方式〉
[0110]圖10是第5實施方式所涉及的電子部件的與圖4相當?shù)母┮晥D。
[0111]在第5實施方式的電子部件中，也與第I實施方式同樣地，設(shè)置有與外側(cè)布線39的緣部相鄰的堰構(gòu)件43。在此，第5實施方式的SAW元件407具有用于使2個布線立體交叉的絕緣體451,堰構(gòu)件43通過與絕緣體451相同的材料而形成。具體來說，如下所示。
[0112]SAff元件407具有:SAW諧振器31，其被輸入來自元件焊墊25A的不平衡信號；和SAff濾波器431，其被輸入從SAW諧振器31輸出的信號，并將平衡信號輸出到元件焊墊25D以及25E。另外，元件焊墊25B、25C以及25F被賦予了基準電位，并與SAW濾波器431相連接。
[0113]SAff諧振器31與第I實施方式的SAW諧振器31為同樣的構(gòu)成。SAW濾波器431具有沿SAW的傳播方向排列的多個(在本實施方式中為5個)IDT35和在其兩側(cè)配置的反射器37。
[0114]此外，SAW元件407具有第I布線33、在該第I布線33上配置的絕緣體451、和配置在該絕緣體451上并與第I布線33立體交叉的第2布線433。
[0115]具體來說，在SAW諧振器31與SAW濾波器431之間，第I布線33的對SAW諧振器31以及SAW濾波器431進行連接的3根中間布線41、和第2布線433的對元件焊墊25C、25F以及SAW濾波器431進行連接的部分立體交叉。
[0116]此外，在SAW濾波器431與元件焊墊25D以及25E之間，第I布線33的對SAW濾波器431、元件焊墊25D以及25E進行連接的外側(cè)布線39、和第2布線433的對元件焊墊25C、25F以及SAW濾波器431進行連接的部分立體交叉。
[0117]第I布線33除了平而形狀以外，與第I實施方式的布線33為同樣的構(gòu)成。即，第I布線33例如通過與SAW諧振器31以及SAW濾波器431等相同的材料(Al-Cu合金等金屬)以及厚度(例如100?300nm)來形成。
[0118]絕緣體451例如由樹脂形成。樹脂優(yōu)選為聚酰亞胺等的感光性樹脂。絕緣體451的厚度例如為0.5 μ m?3 μ m。
[0119]第2布線433例如由金、鎳、鉻等金屬形成。第2布線433例如形成得比第I布線33更厚，使得不會由于因絕緣體451產(chǎn)生的階差而發(fā)生斷線，其厚度例如為I?2 μ m。
[0120]SAW元件407的制造方法除了絕緣體451以及第2布線433的形成以外，可以與第I實施方式的SAW元件7的制造方法相同。
[0121 ] 絕緣體451與堰構(gòu)件43同樣地，通過絕緣層45的圖案形成(圖6 (b)以及圖6 (C))而形成。因此，堰構(gòu)件43會與立體交叉必需的絕緣體451的形成同時地形成，制造成本的增大受到抑制。
[0122]第2布線433例如在絕緣體451以及堰構(gòu)件43的形成后，與第I布線33同樣地，通過金屬層的形成以及該金屬層的圖案形成而形成。另外，第3實施方式的堰構(gòu)件243能夠視為在與絕緣體451同樣的構(gòu)成中在其上沒有設(shè)置導電層(第2布線433)。
[0123]〈第6實施方式〉
[0124]圖11是表示第6實施方式所涉及的堰構(gòu)件543的俯視圖。
[0125]堰構(gòu)件543與第I實施方式同樣地和外側(cè)布線39的側(cè)方緣部39a相抵接。在與該抵接位置相比的樹脂47的流動的上游側(cè)(沿側(cè)方緣部39a的方向上的壓電基板19的外周側(cè))，堰構(gòu)件543具有相對于側(cè)方緣部39a而傾斜為越靠近上游側(cè)越遠離側(cè)方緣部39a的傾斜緣部543c。即，堰構(gòu)件543與側(cè)方緣部39a之間的間隙越靠近流動的上游側(cè)變得越大。另外，傾斜緣部543c既可以是直線狀，也可以是曲線狀。
[0126]通過毛細管力沿著側(cè)方緣部39a的側(cè)面39aa與壓電基板19的下表面19a所形成的槽(圖5(b))流過來的樹脂47若到達傾斜緣部543c，則由于傾斜緣部543c的側(cè)面與下表面19a所形成的槽的毛細管力而想要沿著傾斜緣部543c流動。此時，因為樹脂47依然被吸向側(cè)方緣部39a與下表面19a的槽，所以會對樹脂47施加力使得其遍布側(cè)方緣部39a與傾斜緣部543c進行擴展。結(jié)果，樹脂47沿傾斜緣部543c的流動受到阻礙，能夠抑制樹脂47的流動。
[0127]另外，傾斜緣部543c與側(cè)方緣部39a在俯視時所形成的角度可以在大于0°且小于90°的范圍內(nèi)適當?shù)卦O(shè)定。此外，對于傾斜緣部543c，也可以如參照圖5(c)進行說明的那樣，將角度Θ 2設(shè)定得較大，使得堰構(gòu)件543與壓電基板19的下表面19a所形成的槽的毛細管力變小。堰構(gòu)件543既可以通過與外側(cè)布線39相同的材料以及相同的工序來形成，也可以由絕緣材料來形成。
[0128]〈第7實施方式〉
[0129]圖12是表示第7實施方式所涉及的堰構(gòu)件643的俯視圖。
[0130]堰構(gòu)件643與其他實施方式不同，相鄰緣部643e隔著比較微小的間隙而與外側(cè)布線39的側(cè)方緣部39a相鄰。另外，該間隙既可以是有意地形成的間隙，也可以是由于圖案形成的的誤差而形成的間隙。
[0131]相鄰緣部643e與側(cè)方緣部39a之間的間隙的大小，例如，設(shè)為與外側(cè)布線39 (第I布線33)的厚度相同程度以下，使得流過側(cè)方緣部39a的側(cè)面39aa與壓電基板19的下表面19a所形成的槽的樹脂47與相鄰緣部643e也相接，例如，為0.1 μ m?0.3 μ m。
[0132]此外，堰構(gòu)件643在相鄰緣部643e的下游側(cè)(IDT35側(cè))，具有相對于側(cè)方緣部39a而傾斜為越靠近下游側(cè)越遠離側(cè)方緣部39a的傾斜緣部643c。即，堰構(gòu)件643與側(cè)方緣部39a之間的間隙越靠近樹脂47的流動的下游側(cè)越會擴展。另外，傾斜緣部643c既可以是直線狀，也可以是曲線狀。[0133]若樹脂47流過相鄰緣部643e與側(cè)方緣部39a的間隙而到達傾斜緣部643c，則樹脂47不僅沿側(cè)方緣部39a流動，還由于傾斜緣部643c與壓電基板19的下表面19a所形成的槽的毛細管力而想要沿傾斜緣部643c流動。因此，通過傾斜緣部643c延伸為遠離側(cè)方緣部39a,會對樹脂47施加毛細管力使得遍布側(cè)方緣部39a與傾斜緣部643c進行擴展。結(jié)果，樹脂47沿側(cè)方緣部39a的流動受到阻礙，能夠抑制樹脂47的流動。
[0134]另外，傾斜緣部643c與側(cè)方緣部39a在俯視時所形成的角度可以在大于0°且小于90°的范圍內(nèi)適當?shù)卦O(shè)定。此外，傾斜緣部643c也可以將Θ2(圖5(c))設(shè)定得較小(例如，90度以下)，使得吸引樹脂47的毛細管力變大。
[0135]堰構(gòu)件643既可以通過與外側(cè)布線39相同的材料以及相同的工序來形成，也可以由絕緣材料來形成。在本實施方式中，因為堰構(gòu)件643與外側(cè)布線39并未抵接，所以即使通過導電材料來形成了堰構(gòu)件643，與其他的實施方式相比較，堰構(gòu)件643給包含外側(cè)布線39在內(nèi)的元件導電層的阻抗等帶來的影響也會較小，能夠使該阻抗等高精度地與設(shè)計值相一致。
[0136]〈第8實施方式〉
[0137]圖13是表示第8實施方式所涉及的電子部件的與圖5(c)相當?shù)钠拭鎴D。
[0138]第8實施方式的電子部件僅具有覆蓋元件導電層20的保護層53這一點與第I實施方式不同。
[0139]保護層53有助于元件導電層20的抗氧化等。保護層53例如設(shè)置于壓電基板19的下表面19a的大致整個面，覆蓋SAW諧振器31以及布線33，并使元件焊墊25露出。保護層53由絕緣材料構(gòu)成。絕緣材料例如是氧化硅(Si02等)、氧化鋁、氧化鋅、氧化鈦、氮化硅或硅。保護層53的厚度例如為元件導電層20的厚度的1/10程度(10?30nm)。
[0140]在設(shè)置有保護層53的情況下，產(chǎn)生布線33所引起的階差，樹脂47由于該階差的毛細管力而流動。因此，在第8實施方式中，通過設(shè)置與外側(cè)布線39的側(cè)方緣部39a隔著保護層53相鄰的堰構(gòu)件43，也可以獲得抑制樹脂47的流動的效果。
[0141]另外，在以上的第I?第8實施方式中，SAW元件7等是本發(fā)明的電子元件的一個示例，樹脂部9是本發(fā)明的密封樹脂的一個示例，壓電基板19是本發(fā)明的元件基板的一個示例，IDT35(或者梳齒電極36)或反射器37是本發(fā)明的功能體以及交叉電極的一個示例，堰構(gòu)件43等是本發(fā)明的流動抑制部的一個示例。在第I實施方式的布線33的側(cè)面39aa等以及第8實施方式中的保護層53出現(xiàn)的階差的壁面分別是本發(fā)明的布線等所形成的階差的壁面的一個示例。
[0142]〈第9實施方式〉
[0143]圖14是表示第9實施方式所涉及的電子部件的與圖4相當?shù)母┮晥D。
[0144]在第I?第8實施方式中，作為對于液狀的樹脂47的流動抑制部而設(shè)置了具有與布線33相鄰的部分的堰構(gòu)件43。相對于此，在第9實施方式中，作為流動抑制部而設(shè)置有形成于布線33的凹部49。具體來說，如下所示。
[0145]外側(cè)布線39，例如若無視凹部49，則與第I實施方式同樣地，包含固定寬度的直線狀部分而構(gòu)成。具體來說，例如，外側(cè)布線39包含從匯流條36a(或者匯流條37a)向與匯流條36a正交的方向以恒定的寬度直線狀地延伸的第I部分39c、和從第I部分39c的側(cè)方朝向與第I部分39c正交的方向以大于第I部分39c的恒定的寬度直線狀地延伸的第2部分39d，并形成為大致L字狀。
[0146]凹部49設(shè)置于外側(cè)布線39 (第I部分39c)的側(cè)方。外側(cè)布線39的側(cè)方緣部39a由于形成凹部49，從而與假定為未形成凹部49的情況相比較而變得較長。另外，以下，將側(cè)方緣部39a中在外側(cè)布線39的延伸方向上成為凹部49的前后的部分稱為基準緣部39ac，將凹部49的部分稱為圖案形成緣部39ab。在本實施方式中，基準緣部39ac直線狀地延伸。
[0147]凹部49的形狀以及大小可以適當?shù)卦O(shè)定。例如，在本實施方式中，凹部49的形狀是三角形。此外，例如，凹部49距基準緣部39ac的深度設(shè)為小于外側(cè)布線39的在其延伸方向上成為凹部49的前后的部分的寬度(或者假定為未形成凹部49時的寬度)的1/2。
[0148]本實施方式的電子部件的制造方法大致與第I實施方式的電子部件的制造方法同樣。但是，不進行堰構(gòu)件43的形成(圖6(b)以及圖6(c))，而作為替代，在元件導電層20的形成(圖6(a))時，形成凹部49。
[0149]圖15(a)是圖14的區(qū)域XVa的放大圖，圖15(b)是圖15(a)的XVb-XVb線的剖面圖。
[0150]如在第I實施方式的說明中所敘述的那樣，在對圖6(e)所示的液狀的樹脂47進行供給的工序中，如圖15(a)以及圖15(b)所示，樹脂47的一部分可能會沿著外側(cè)布線39的側(cè)方緣部39a向空間S側(cè)流動。
[0151]但是，通過形成了凹部49，液狀的樹脂47所流動的路徑(側(cè)方緣部39a)與假定為未形成凹部49的情況相比較長。即，沿著布線33延伸的方向的流動受到抑制。因此，樹脂47到達SAW諧振器31受到抑制，進而，由于樹脂47而導致SAW諧振器31的電氣特性下降受到抑制。雖然通過使布線33自身彎曲而使布線33自身變長也能夠使側(cè)方緣部39a變長，但是與該方法相比較，設(shè)置凹部49的方法中能夠縮小布線33的配置區(qū)域，并且，阻抗的增大抑制也受到期待。
[0152]因為凹部49形成為三角形，所以凹部49的圖案形成緣部39ab具有第I緣部39aba(圖15(a))、和位于比第I緣部39aba更靠近SAW諧振器31側(cè)并與第I緣部39aba交叉的第2緣部39abb (圖15(a))。此外，第I緣部39aba與第2緣部39abb之間形成的角相對較小(例如小于90° )。
[0153]因此，液狀的樹脂47若沿第I緣部39aba流動而到達第I緣部39aba與第2緣部39abb的角部，則一面被吸向第2緣部39abb的槽而想要向SAW諧振器31側(cè)前進，一面又依然被吸向第I緣部39aba的槽，因而會對樹脂47施加力使得遍布第I緣部39aba與第2緣部39abb進行擴展。結(jié)果，樹脂47沿第2緣部39abb向SAW諧振器31側(cè)的流動受到阻礙，能夠期待樹脂47的流動受到抑制。
[0154]如圖14所示，在與IDT35相連接的外側(cè)布線39(與元件焊墊25A、25B以及2邪相對應(yīng)的外側(cè)布線39)，凹部49設(shè)置于側(cè)方兩側(cè)。對于在側(cè)方兩側(cè)設(shè)置的2個凹部49，外側(cè)布線39的延伸方向的位置彼此不同。更詳細來說，2個凹部49設(shè)置為在與外側(cè)布線39正交的方向上看來彼此并未重疊。
[0155]因此，能夠在布線33的側(cè)方兩側(cè)，抑制樹脂的流入。另一方面，與設(shè)置于側(cè)方兩側(cè)的凹部49在布線33的延伸方向上彼此被設(shè)置于相同的位置的情況相比較，布線33的剖面積變窄受到抑制。
[0156]另外，在與反射器37相連接的外側(cè)布線39 (與元件焊墊25C相對應(yīng)的外側(cè)布線39)，凹部49僅設(shè)置于在和反射器37的連接位置中成為IDT35側(cè)的側(cè)方。
[0157]這是經(jīng)過了如下考慮的結(jié)果:在成為樹脂部9的樹脂流入到反射器37的外側(cè)的情況下，若與成為樹脂部9的樹脂流入到IDT35與反射器37之間的情況相比較，則在SAW元件7的特性劣化較小、以及布線33的剖面積的縮小受到抑制這些方面優(yōu)選。但是，在與反射器37相連接的外側(cè)布線39,也可以在側(cè)方兩側(cè)設(shè)置凹部49。
[0158]圖16(a)?圖16(h)是表示第9實施方式所涉及的變形例的俯視圖。另外，在這些圖的說明中，將紙面下方作為布線33與SAW諧振器31相連接的一側(cè)，將紙面上方作為壓電基板19的外周側(cè)。
[0159]在實施方式中，凹部49設(shè)為了三角形狀。但是，凹部即使為三角形以外的形狀，也會發(fā)揮使布線33的側(cè)方緣部39a變長而抑制液狀的樹脂47的流入的效果。此外，即使取代凹部而設(shè)置凸部，也可以實現(xiàn)側(cè)方緣部39a變長、抑制液狀的樹脂47的流入的效果。因此，圖16(a)?圖16(h)示出了包含那樣的凸部以及凹部中的至少一方的凹凸部的變形例。
[0160]在圖16(a)中，凹部149設(shè)為了使橢圓變成一半之后那樣的形狀。這樣，圖案形成緣部39ab可以設(shè)為曲線狀。另外，凹部149能夠視為對實施方式的凹部49的角部進行倒角、或者使2邊變?yōu)榍€狀而得到。另外，基準緣部39ac與圖案形成緣部39ab的交叉部也可以被倒角。
[0161]在圖16(b)中，凹部249設(shè)為了 5角形。這樣，凹部也可以是具有4個以上的邊的形狀。另外，凹部249在其最深部包含由第I緣部39aba、和以小于90°的角度與該第I緣部39aba交叉的第2緣部39abb構(gòu)成的凹部，所以在凹部249的最深部，也能夠?qū)崿F(xiàn)與凹部49的第I緣部39aba和第2緣部39abb的交叉部處的效果同樣的效果。
[0162]此外，在圖16(b)中，布線33的側(cè)方緣部39a按照如下的方式來延伸:若從壓電基板19的外周側(cè)到達凹部249，則相對于之前的行進方向而以90°的角度Θ進行方向轉(zhuǎn)換。換言之，圖案形成緣部39ab包含了與基準緣部39ac正交的第3緣部39abc。
[0163]因此，通過設(shè)置沒有沿基準緣部39ac的方向(液狀的樹脂47的流入方向)延伸的第3緣部39abc，相對于凹部的大小等而容易高效地將側(cè)方緣部39a設(shè)得較長。此外，基準緣部39ac與第3緣部39abc的交叉部與以小于90°的角度進行方向轉(zhuǎn)換的情況相比較，更接近于槽中斷了的狀態(tài)，毛細管力下降。綜上所述，能夠期待樹脂47的流入受到有效地抑制。
[0164]另外，在這樣的具有4條以上的邊的形狀或者側(cè)方緣部39a以90°的角度進行方向轉(zhuǎn)換的凹部中，也可以與圖16(a)同樣地，對角部進行倒角、或?qū)⑦叺闹辽僖徊糠衷O(shè)為曲線狀。90°的方向轉(zhuǎn)換也可以通過曲線逐步進行。
[0165]在圖16(c)中，布線33的側(cè)方緣部39a按照如下的方式來延伸:若從壓電基板19的外周側(cè)到達凹部349，則相對于到目前為止的行進方向而以超過90°的角度Θ進行方向轉(zhuǎn)換。
[0166]在這樣角度Θ超過90°的情況下，能夠進一步顯著地實現(xiàn)與參照圖16(b)敘述的角度Θ為90°的效果同樣的效果。具體來說，首先，圖案形成緣部39ab含有相對于沿基準緣部39ac的方向(液狀的樹脂47的流入方向)而反向延伸的緣部，因而相對于凹部的大小等而容易高效地將側(cè)方緣部39a設(shè)得較長。此外，基準緣部39ac與圖案形成緣部39ab的交叉部與以小于90°的角度進行方向轉(zhuǎn)換的情況相比較，更接近于槽中斷了的狀態(tài)，毛細管力下降。
[0167]另外，在這樣的側(cè)方緣部39a以超過90°的角度Θ進行方向轉(zhuǎn)換的情況下，凹部349也可以如實施方式的凹部49或圖16(b)的凹部249那樣設(shè)為多角形(圖案形成緣部39ab可以設(shè)為直線狀)。
[0168]在圖16(d)中，取代凹部而設(shè)置有凸部444。如上所述，在凸部444也實現(xiàn)布線33的側(cè)方緣部39a變長、液狀的樹脂47的流入受到抑制的效果。
[0169]此外，在圖16(d)中，布線33的側(cè)方緣部39a與圖16(c)同樣地，按照如下的方式來延伸:若從壓電基板19的外周側(cè)到達凹部349，則相對于到目前為止的行進方向而以超過90°的角度Θ進行方向轉(zhuǎn)換(角度Θ也可以與圖16(b)同樣為90° )。
[0170]因此，首先，與圖16(b)以及圖16(c)同樣地，圖案形成緣部39ab包含與沿基準緣部39ac的方向(液狀的樹脂47的流入方向)反向地延伸的緣部，因而相對于凹部的大小等而容易高效地將側(cè)方緣部39a設(shè)得較長。此外，基準緣部39ac與圖案形成緣部39ab的交叉部和實施方式的凹部49的第I緣部39aba與第2緣部39abb的交叉部同樣地實現(xiàn)擴展樹脂47那樣的作用。綜上所述，能夠期待樹脂47的流入受到有效地抑制。
[0171]另外，凸部既可以與實施方式以及圖16(a)同樣地，角度Θ小于90°，也可以與實施方式以及圖16(b)同樣地，設(shè)為三角形或者5角形等適當?shù)亩嘟切?，還可以與圖16(a)以及圖16(c)同樣地，將圖案形成緣部39ab設(shè)為曲線狀。
[0172]在圖16(e)中，沿著布線33的延伸方向連續(xù)地設(shè)置有凹部549和凸部544?？梢赃@樣連續(xù)地設(shè)置凹部以及凸部。另外，既可以連續(xù)地設(shè)置凹部和凹部，也可以連續(xù)地設(shè)置凸部和凸部，還可以連續(xù)地設(shè)置3個以上的凹部或凸部。凹部以及凸部可以設(shè)為實施方式以及圖16(a)?圖16(d)所示那樣的各種形狀。
[0173]在圖16(f)中，在凸部644的圖案形成緣部39ab還形成有凹凸。在該情況下，側(cè)方緣部39a進一步變長。另外，同樣地，也可以取代凸部而在凹部形成凹凸。凹凸的形狀以及大小可以設(shè)為適當?shù)男螤钜约按笮　?br> [0174]在圖16(g)中，在布線33的延伸方向的同一位置，在一個側(cè)方形成有凹部749，而在另一個側(cè)方形成有凸部744。凹部749以及凸部744優(yōu)選為彼此相互補充的形狀以及大小。另外，凹部以及凸部可以設(shè)為實施方式以及圖16(a)?圖16(f)所示那樣的各種形狀。
[0175]凹部749以及凸部744與已經(jīng)說明的凹部以及凸部同樣地，與未設(shè)置凹部749以及凸部744的情況相比較，使側(cè)方緣部39a變長，并抑制液狀的樹脂47的流入。此外，因為夾著布線33配置凹部749以及凸部744，所以布線33的寬度的變化受到抑制。
[0176]另外，圖16(g)所示的布線33具有在凹部749以及凸部744的前后沿相同方向延伸的第I布線部33a以及第2布線部33b，此外，具有從第I布線部33a —直到第2布線部33b并與它們平行地通過凹部749以及凸部744的配置位置的固定寬度的通過區(qū)域33e (陰影線所示的區(qū)域)。因此，布線33的設(shè)置有凹部749以及凸部744的部分可以與布線33自身的彎曲部區(qū)別開來。另外，若將布線33的設(shè)置有凹部749以及凸部744的部分與布線33自身的彎曲部進一步嚴格地區(qū)別，則凹部749的深度以及凸部744的突出量為第I布線部33a以及第2布線部33b的一半以下或者1/3以下。對于圖16(a)?圖16(f)所示的布線33，布線33的寬度由于凹部或凸部而變窄或變寬，能夠與布線33自身的彎曲部明確地區(qū)別開來。[0177]在圖16(h)中，布線33曲線狀地延伸，而且，在延伸方向上寬度發(fā)生變化。在這樣的布線33上，也可以設(shè)置與實施方式以及圖16(a)?圖16(g)所例示的那樣的凹部或者凸部。
[0178]本發(fā)明并不限于以上的實施方式，可以通過各種方式來實施。
[0179]第I?第9實施方式以及第9實施方式所涉及的變形例可以適當組合。例如，在第5實施方式中，作為由與實現(xiàn)立體布線的絕緣體相同的材料構(gòu)成的堰構(gòu)件，也可以如第3或第4實施方式一樣設(shè)置橫穿過布線的堰構(gòu)件，第6實施方式的堰構(gòu)件的形狀(流動的上游側(cè)的傾斜緣部)也可以應(yīng)用于第I?第4實施方式的堰構(gòu)件，第7實施方式的堰構(gòu)件的形狀(流動的下游側(cè)的傾斜緣部)也可以應(yīng)用于第I以及第2實施方式的堰構(gòu)件，第8實施方式的保護層也可以在第2?第7實施方式中的任意一個實施方式中進行設(shè)置，第I?第8實施方式的堰構(gòu)件和第9實施方式及其變形例的凹凸部也可以一同設(shè)置。
[0180]此外，例如，在流動抑制部是凹凸部的情況下，也可以與第8實施方式同樣地，布線以及功能體被這些有助于抗氧化等的絕緣性的保護層覆蓋，保護層露出于空間。在該情況下，也能夠通過在布線的側(cè)方形成的凹凸部(與該凹凸部相對應(yīng)而在保護層的表面形成的凹凸部)來抑制沿著起因于布線的厚度而在保護層的表面產(chǎn)生的階差的流動。
[0181]電子部件并不限定于SAW裝置。換言之，電子元件并不限定于SAW元件(功能體并不限定于交叉電極)。電子元件既可以是未利用彈性波的電子元件，也可以是利用壓電薄膜諧振器等的SAW以外的彈性波的電子元件。
[0182]支承構(gòu)件并不限定于對電子元件與安裝基板進行居間調(diào)節(jié)。例如，支承構(gòu)件也可以作為便攜式設(shè)備等電子設(shè)備的母板(主板、主基板)而發(fā)揮作用。此外，支承構(gòu)件也可以安裝多個電子兀件。
[0183]功能體既可以由導體形成，也可以由半導體形成。在功能體是交叉電極的情況下，交叉電極如在圖4以及圖7等中所例示的那樣，既可以是IDT，也可以是反射器。
[0184]流動抑制部并不限定于堰構(gòu)件或布線的凹凸部。例如，流動抑制部也可以通過在元件基板的下表面將液狀的樹脂的潤濕性較低的材料涂敷得非常薄而構(gòu)成，或者通過在覆蓋布線等的保護層形成剖視時的凹凸部而構(gòu)成。總之，通過將流動抑制部設(shè)置為至少一部分配置于布線等的緣部或者其相鄰位置、并且局部地配置于包圍功能體的周方向，例如，與設(shè)置在整個外周上將功能體包圍那樣的堤壩的情況相比較，可以實現(xiàn)能夠高效地控制流動等效果。
[0185]堰構(gòu)件的相鄰部既可以如圖4等所例示的那樣與布線的緣部相鄰，也可以如圖7等所例示的那樣與功能體的緣部相鄰。相鄰部在與功能體的緣部相鄰的情況下，可以根據(jù)功能體的構(gòu)成等各種情況而配置于適當?shù)奈恢?。例如，相鄰部?yōu)選位于比若密封樹脂到達則功能體的電氣特性的下降相對較大的位置更靠近布線側(cè)。或，為了抑制密封樹脂包圍功能體，相鄰部優(yōu)選與功能體的連接有布線的緣部(例如圖7的緣部36aa)相鄰,或者與該緣部所交叉的緣部(例如圖7的與緣部36aa交叉的緣部36ab)相鄰(優(yōu)選避開功能體中的與布線處于相反側(cè)的緣部)。
[0186]另外，在功能體是交叉電極的情況下，為了流入的密封樹脂相對于交叉電極的電極指而不會位于彈性波的傳播方向，相鄰部優(yōu)選與布線的側(cè)方緣部、匯流條中的與電極指處于相反側(cè)的緣部以及與該緣部交叉的緣部中的至少任意一者相鄰(優(yōu)選避開匯流條中的電極指側(cè)的緣部以及電極指的緣部)。
[0187]如圖11以及圖12所例示的那樣，在堰構(gòu)件與布線或者功能體的緣部之間的間隙的寬度發(fā)生變化的情況下，該間隙的變化并不限定于起因于堰構(gòu)件的形狀的變化，也可以起因于布線或者功能體的緣部的形狀的變化(彎曲、屈曲等)。
[0188]通過流動抑制部(堰構(gòu)件、凹凸部等)來抑制密封樹脂的流動的布線并不限定于對功能體與元件焊墊進行連接的外側(cè)布線，例如，也可以是對多個功能體彼此進行連接的中間布線。如上所述，即使是中間布線，在多個功能體等的配置情況下，也從多個功能體向元件基板的外周側(cè)延伸，有可能將密封樹脂引導至功能體。
[0189]流動抑制部作為密封樹脂沿著布線流動的情況下的故障安全防護裝置而發(fā)揮作用，在完成后的產(chǎn)品中，無需一定與密封樹脂相接。此外，布線也無需一定與密封樹脂相接。此外，密封樹脂的內(nèi)壁面(9a)也可以位于比元件基板的側(cè)面(19c)更靠近外側(cè)。
[0190]密封樹脂并不限定于將液狀的樹脂供給到電子元件上而形成。例如，也可以使片狀的樹脂覆蓋到電子元件，然后，使其固化而形成。在該情況下，在使片狀的樹脂固化的過程中，樹脂暫且熔融，其一部分也有可能沿著布線進行流動，流動抑制部有效地發(fā)揮作用。
[0191]符號說明
[0192]I電子部件
[0193]5支承構(gòu)件
[0194]S 空間
[0195]7 SAff元件(電子元件)
[0196]9樹脂部(密封樹脂)
[0197]19壓電基板(元件基板)
[0198]19a下表面
[0199]33第I布線
[0200]36梳齒電極(功能體)
[0201]39外側(cè)布線
[0202]39a側(cè)方緣部
[0203]39aa側(cè)面(階差的壁面)
[0204]43堰構(gòu)件(流動抑制部、相鄰部)
【權(quán)利要求】
1.一種電子部件，具有: 支承構(gòu)件； 電子元件，其隔著空間安裝在該支承構(gòu)件上，并具有與所述支承構(gòu)件的對置面；和 密封樹脂，其覆蓋該電子元件，并且設(shè)置為對所述空間進行密封， 所述電子元件具有: 兀件基板； 功能體，其設(shè)置于該元件基板的對置面； 第I布線，其設(shè)置于所述元件基板的對置面，并從所述功能體向所述元件基板的外周側(cè)延伸；和 針對液狀樹脂的流動抑制部，其包含位于所述第I布線的緣部以及所述功能體的緣部以及這些緣部的相鄰位置中的至少任意一者的部分，并且局部地設(shè)置于包圍所述功能體的周方向。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件，其中， 所述流動抑制部是與所述第I布線的緣部以及所述功能體的緣部中的至少任意一者相鄰或從至少任意一個緣部突出的堰構(gòu)件。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所 述的電子部件，其中， 所述流動抑制部是在所述第I布線的緣部形成的俯視時的凹部以及凸部中的至少一方。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子部件，其中， 所述元件基板是壓電基板， 所述功能體是具有與所述第I布線相連接的匯流條、和從該匯流條向所述第I布線的相反側(cè)延伸的多個電極指的第I交叉電極， 所述堰構(gòu)件與所述第I布線的側(cè)方緣部、所述匯流條的與所述第I布線相連接的緣部、以及與該緣部交叉的緣部中的至少任意一者相鄰或從至少任意一個緣部突出。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子部件，其中， 所述電子元件還具有:設(shè)置于所述壓電基板的下表面，且相對于所述第I交叉電極在與所述多個電極指正交的方向上隔著間隙相鄰的第2交叉電極， 所述堰構(gòu)件堵住所述間隙的所述第I布線側(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的電子部件，其中， 所述堰構(gòu)件相對于所述多個電極指僅設(shè)置于位于所述多個電極指的排列方向的區(qū)域的外側(cè)區(qū)域。
7.根據(jù)權(quán)利要求2、4~6中任一項所述的電子部件，其中， 所述堰構(gòu)件并未橫穿過所述第I布線。
8.根據(jù)權(quán)利要求2、4~6中任一項所述的電子部件，其中， 所述堰構(gòu)件包含在所述第I布線上橫穿過所述第I布線并在其上沒有重疊導電層的絕緣性的橫斷部。
9.根據(jù)權(quán)利要求2、4~8中任一項所述的電子部件，其中， 所述電子部件還具有: 絕緣體，其配置在所述第I布線上；和第2布線，其配置在所述絕緣體上并與所述第I布線立體交叉， 所述堰構(gòu)件由與所述絕緣體相同的材料構(gòu)成。
10.根據(jù)權(quán)利要求2、4~9中任一項所述的電子部件，其中， 所述堰構(gòu)件與相鄰的緣部的階差的壁面相抵接，所述堰構(gòu)件的與所述階差處于相反側(cè)的側(cè)面和所述元件基板的對置面之間形成的這2個面所形成的槽內(nèi)的角度，大于所述階差的壁面和所述元件基板的對置面之間形成的這2個面所形成的槽內(nèi)的角度。
11.根據(jù)權(quán)利要求2、4~10中任一項所述的電子部件，其中， 所述堰構(gòu)件與相鄰的緣部的階差的壁面相抵接，并具有按照從該抵接位置朝向沿著構(gòu)成所述階差的緣部的方向的所述元件基板的外周側(cè)遠離構(gòu)成所述階差的緣部的方式，相對于構(gòu)成所述階差的緣部而傾斜延伸的緣部。
12.根據(jù)權(quán)利要求2、4~9中任一項所述的電子部件，其中， 所述堰構(gòu)件隔著間隙與相鄰的緣部的階差的壁面相鄰， 所述間隙具有越靠近沿著構(gòu)成所述階差的緣部的方向的所述功能體側(cè)越擴大的部分。
13.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子部件，其中， 所述第I布線的緣 部按照如下方式來延伸:若從所述元件基板的外周側(cè)到達所述凹部以及所述凸部中的至少一方，則相對于到目前為止的行進方向而以90°以上的角度進行方向轉(zhuǎn)換。
14.根據(jù)權(quán)利要求3或13所述的電子部件，其中， 所述凹部以及所述凸部中的至少一方包含由第I緣部和與該第I緣部以小于90°的角度進行交叉的第2緣部構(gòu)成的凹部。
15.根據(jù)權(quán)利要求3、13或14所述的電子部件，其中， 所述第I布線由于所述凹部而寬度變窄或由于所述凸部而寬度變寬。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的電子部件，其中， 所述凹部以及所述凸部中的至少一方在所述布線的側(cè)方兩側(cè)，按照所述布線的延伸方向的位置彼此不同的方式設(shè)置有多個。
17.根據(jù)權(quán)利要求3、13或14所述的電子部件，其中， 所述電子部件在所述布線的側(cè)方兩側(cè)，具有在所述布線的延伸方向上在彼此相同的位置設(shè)置的I對所述凹部、I對所述凸部、以及I對所述凹部與所述凸部中的任意一者。
【文檔編號】H03H9/25GK103999365SQ201280061351
【公開日】2014年8月20日 申請日期:2012年12月26日 優(yōu)先權(quán)日:2011年12月27日
【發(fā)明者】及川彰, 坂田英治 申請人:京瓷株式會社