Igbt轉(zhuǎn)接板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種IGBT轉(zhuǎn)接板，包括：輸入端口和輸出端口，所述輸入端口和輸出端口之間連接有門極電阻選通電路、阻容吸收電路和限幅保護電路；所述輸入端口，包括柵極輸入端口和發(fā)射極輸入端口，用于接收驅(qū)動板的驅(qū)動信號；所述輸出端口，包括柵極輸出端口和發(fā)射極輸出端口，用于向IGBT輸出控制信號，且所述發(fā)射極輸出端口和所述發(fā)射極輸入端口連接；所述門極電阻選通電路，用于在所述IGBT開通和關(guān)斷時提供不同阻值的門極電阻；阻容吸收電路，用于對所述脈沖信號進行濾波；限幅保護電路，用于對所述控制信號進行限幅；其中，所述柵極輸出端口和所述發(fā)射極輸出端口以焊盤形式實現(xiàn)。
【專利說明】IGBT轉(zhuǎn)接板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子領(lǐng)域，尤其涉及一種IGBT轉(zhuǎn)接板。
【背景技術(shù)】
[0002]絕緣柵雙極晶體管絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Translator,簡稱IGBT)，是一種新型復合器件，集MOSFET和晶體管的優(yōu)點于一體，具有響應速度快，工作電流大，耐高壓等優(yōu)點，被廣泛應用于電力電子領(lǐng)域。但是由于IGBT自身的特性，其工作時會發(fā)生擎住效應，如在IGBT關(guān)斷期間，在柵極電路中會產(chǎn)生一些高頻振蕩信號，這些信號輕則會使本該關(guān)斷的IGBT處于微通狀態(tài)，重則將使其處于短路直通狀態(tài)，因而導致門極失控；或者因電流電壓過大或不穩(wěn)定造成IGBT的損壞，從而無法正常工作。針對所述問題，存在多種IGBT驅(qū)動保護電路，用以連接驅(qū)動電路和IGBT。
[0003]但是，在現(xiàn)有技術(shù)中，IGBT的控制端口，尤其是中小功率IGBT的控制端口需要通過導線實現(xiàn)與驅(qū)動保護電路的連接，在此過程中器件和電路很容易發(fā)生損壞，降低了 IGBT的通用化。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種IGBT轉(zhuǎn)接板，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中中小功率IGBT與驅(qū)動保護電路連接不方便導致的不利于IGBT的通用化的缺陷。
[0005]—方面，本發(fā)明實施例提供一種IGBT轉(zhuǎn)接板,包括:輸入端口和輸出端口，所述輸入端口和所述輸出端口之間連接有門極電阻選通電路、阻容吸收電路和限幅保護電路；
[0006]所述輸入端口，包括柵極輸入端口和發(fā)射極輸入端口，用于接收驅(qū)動板的驅(qū)動信號;
[0007]所述輸出端口，包括柵極輸出端口和發(fā)射極輸出端口，用于向絕緣柵雙極晶體管IGBT輸出控制信號，且所述發(fā)射極輸出端口和所述發(fā)射極輸入端口連接；
[0008]所述門極電阻選通電路，用于在所述IGBT開通和關(guān)斷時提供不同阻值的門極電阻；
[0009]所述阻容吸收電路，用于對所述驅(qū)動信號進行濾波；
[0010]所述限幅保護電路，用于對所述控制信號進行限幅；
[0011]其中，所述柵極輸出端口和所述發(fā)射極輸出端口以焊盤形式實現(xiàn)。
[0012]另一方面，本發(fā)明實施例提供一種IGBT轉(zhuǎn)接板,包括:第一輸入端口、第一輸出端口、第二輸入端口、第二輸出端口、連接在所述第一輸入端口和所述第一輸出端口之間的第一電路以及連接在所述第二輸入端口和所述第二輸出端口之間的第二電路；
[0013]所述第一電路和所述第二電路均包括門極電阻選通電路、阻容吸收電路和限幅保護電路；
[0014]所述第一輸入端口，包括第一柵極輸入端口和第一發(fā)射極輸入端口，用于接收驅(qū)動板的驅(qū)動信號；[0015]所述第二輸入端口，包括第二柵極輸入端口和第二發(fā)射極輸入端口，用于接收驅(qū)動板的驅(qū)動信號；
[0016]所述第一輸出端口，包括第一柵極輸出端口和第一發(fā)射極輸出端口，用于向第一絕緣柵雙極晶體管IGBT輸出控制信號，且所述第一發(fā)射極輸出端口和所述第一發(fā)射極輸入端口連接；
[0017]所述第二輸出端口，包括第二柵極輸出端口和第二發(fā)射極輸出端口，用于向第二IGBT輸出控制信號，且所述第二發(fā)射極輸出端口和所述第二發(fā)射極輸入端口連接；
[0018]所述第一電路中的門極電阻選通電路，用于在所述第一 IGBT開通和關(guān)斷時提供不同阻值的門極電阻；所述第二電路中的門極電阻選通電路，用于在所述第二 IGBT開通和關(guān)斷時提供不同阻值的門極電阻；
[0019]所述第一電路中的阻容吸收電路，用于對所述第一輸入端口接收的驅(qū)動信號進行濾波；所述第二電路中的阻容吸收電路，用于對所述第二輸入端口接收的驅(qū)動信號進行濾波；
[0020]所述第一電路中的限幅保護電路，用于對所述第一輸出端口輸出的控制信號進行限幅；所述第二電路中的限幅保護電路，用于對所述第二輸出端口輸出的控制信號進行限幅;
[0021]其中，所述第一柵極輸出端口、所述第二柵極輸出端口、所述第一發(fā)射極輸出端口和所述第二發(fā)射極輸出端口以焊盤形式實現(xiàn)。
[0022]本發(fā)明提供的IGBT轉(zhuǎn)接板，可以通過焊盤實現(xiàn)IGBT與板上驅(qū)動保護電路的連接，從而在保證降低IGBT損耗，防止IGBT靜電擊穿的同時，提高了 IGBT的通用化。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]圖1為本發(fā)明實施例中IGBT模塊的示意圖；
[0024]圖2為本發(fā)明實施例提供的一個IGBT轉(zhuǎn)接板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖3為本發(fā)明實施例提供的一個IGBT轉(zhuǎn)接板的電路示意圖；
[0026]圖4為本發(fā)明實施例提供的一個IGBT轉(zhuǎn)接板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖5為本發(fā)明實施例提供的一個IGBT轉(zhuǎn)接板的電路示意圖；
[0028]圖6為本發(fā)明實施例提供的一個IGBT轉(zhuǎn)接板與IGBT模塊的連接示意圖；
[0029]圖7為本發(fā)明實施例提供的一個IGBT轉(zhuǎn)接板與驅(qū)動板以及IGBT模塊的連接示意圖。
【具體實施方式】
[0030]本發(fā)明提供一種IGBT轉(zhuǎn)接板，從而避免IGBT靜電擊穿、方便IGBT與驅(qū)動保護電路的連接并且提高IGBT的通用化。
[0031]圖1為本發(fā)明實施例中IGBT模塊的示意圖，如圖1所示，所述IGBT模塊包括:半橋結(jié)構(gòu)的第一 IGBT (圖中未標出)和第二 IGBT (圖中未標出)、主端口 11和控制端口 12 ;主端口 11包括:第一端口 111、第二端口 112和第三端口 113;控制端口 12包括:第一柵極控制端口 121、第一發(fā)射極控制端口 122、第二柵極控制端口 123和第二發(fā)射極控制端口 124。
[0032]具體的，第一端口 111為所述IGBT模塊的輸出端口 ；第二端口 112通常連接電源負極或接地，用于向所述IGBT模塊提供低電位；第三端口 113通常連接電源正極，用于向所述IGBT模塊提供高電位；第一柵極控制端口 121和第一發(fā)射極控制端口 122分別連接所述第一 IGBT的柵極和發(fā)射極，用于接收控制信號，從而控制所述第一 IGBT的工作狀態(tài)；第二柵極控制端口 123和第二發(fā)射極控制端口 124分別連接所述第二 IGBT的柵極和發(fā)射極，用于接收控制信號，從而控制所述第二 IGBT的工作狀態(tài)。
[0033]所述工作狀態(tài)包括:IGBT開通和IGBT關(guān)斷。以所述第一 IGBT為例，當?shù)谝粬艠O控制端口 121接收的控制信號的電位高于第一發(fā)射極控制端口 122接收的控制信號的電位，且其電位差達到一定值，則所述第一 IGBT開通；當?shù)谝粬艠O控制端口 121接收的控制信號的電位與第一發(fā)射極控制端口 122接收的控制信號的電位差低于一定值或為負值時，則所述第一 IGBT關(guān)斷。
[0034]圖2為本發(fā)明實施例提供的一個IGBT轉(zhuǎn)接板的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2所示，包括:輸入端口 21和輸出端口 22，輸入端口 21和輸出端口 22之間連接有門極電阻選通電路23、阻容吸收電路24和限幅保護電路25。
[0035]輸入端口 21包括柵極輸入端口 211和發(fā)射極輸入端口 212，與驅(qū)動板連接，用于接收所述驅(qū)動板的驅(qū)動信號；輸出端口 22包括柵極輸出端口 221和和發(fā)射極輸出端口 222，用于向IGBT輸出控制信號，且發(fā)射極輸出端口 222和發(fā)射極輸入端口 212連接。
[0036]門極電阻選通電路23，用于在所述IGBT開通和關(guān)斷時提供不同阻值的門極電阻；阻容吸收電路24，用于對所述驅(qū)動信號進行濾波；限幅保護電路25，用于對所述控制信號進行限幅；其中，柵極輸出端口 221和發(fā)射極輸出端口 222以焊盤形式實現(xiàn)。
[0037]可選的，門極電阻選通電路23、阻容吸收電路24和限幅保護電路25的相對位置關(guān)系并不只局限于圖2中所示的位置關(guān)系。例如，阻容吸收電路24或限幅保護電路25連接在靠近輸入端口 21的一端，門極電阻選通電路23連接在靠近輸出端口 22的一端,本實施例在此不對其進行限制。
[0038]本實施例提供的IGBT轉(zhuǎn)接板具有驅(qū)動保護功能，且輸出端口為焊盤結(jié)構(gòu)，可以方便地與IGBT焊接，在保護IGBT的同時，提高了 IGBT的通用化。
[0039]圖3為本發(fā)明實施例提供的一個IGBT轉(zhuǎn)接板的電路示意圖，如圖3所示，包括:輸入端口 31和輸出端口 32，輸入端口 31和輸出端口 32之間連接有門極電阻選通電路、阻容吸收電路和限幅保護電路。
[0040]輸入端口 31包括柵極輸入端口 Gin和發(fā)射極輸入端口 Ein，輸入端口 31與驅(qū)動板連接，用于接收所述驅(qū)動板的驅(qū)動信號；輸出端口 32包括柵極輸出端口 Gout和和發(fā)射極輸出端口 Eout，用于向IGBT輸出控制信號，且發(fā)射極輸出端口 Eout和發(fā)射極輸入端口 Ein連接。
[0041]其中，Gout和Eout以焊盤形式實現(xiàn)。
[0042]作為本實施例一種可實施的方式，所述門極電阻選通電路串聯(lián)在Gin和Gout之間，包括:第一二極管D1、第一電阻RGl和第二電阻RG2。
[0043]其中，所述Dl與RGl串聯(lián)，且RG2與Dl和所述RGl并聯(lián)。
[0044]所述門極電阻選通電路的工作原理為:當所述IGBT開通時，Dl正向?qū)ǎ梢越频刃閷Ь€通路，驅(qū)動信號通過RGl和RG2的并聯(lián)門極電阻，即等效的門極電阻的阻值為RGl和RGl的并聯(lián)電阻的阻值，所述等效的門極電阻的阻值小于RGl的阻值，且小于RG2的阻值；
[0045]當IGBT關(guān)斷時，Dl反向截止，可以近似等效為斷路，驅(qū)動信號只通過RG2，即等效的門極電阻的阻值為RG2的阻值。相對IGBT開通時等效的門極電阻的阻值，IGBT關(guān)斷時等效的門極電阻的阻值較大。從而實現(xiàn)了 IGBT開通和關(guān)斷時，門極電阻選擇不同的阻值，即當IGBT開通時，門極電阻的阻值較小，當IGBT關(guān)斷時，門極電阻的阻值較大。
[0046]可選的，Dl為快速二極管，用于使IGBT快速開通；RG1和RG2為大功率電阻，用于使IGBT有效緩關(guān)斷，從而提高IGBT的性能并保護IGBT不被擊穿。
[0047]可選的，RGl的阻值不大于RG2的阻值，使IGBT開通和關(guān)斷時等效的門極電阻不同阻值的效果更明顯。
[0048]可選的，RGl和RG2的參數(shù)根據(jù)IGBT的工作性能參數(shù)確定，例如，RGl的阻值為1.8歐姆(Q )，功率為2瓦特(W);RG2的阻值為3 Q，功率為2W，本實施例在此不對其進行限制。
[0049]本實施方式通過IGBT開通和關(guān)斷時，門極選擇不同阻值的門極電阻，確保IGBT快速開通，降低開通損耗；IGBT較緩地關(guān)斷，防止因IGBT的集電極電流減小過快導致的誤導通。
[0050]作為本實施例又一可實施的方式，所述阻容吸收電路連接在Gout和Eout之間，包括:第三電阻Rl和第一電容Cl，其中Rl和Cl并聯(lián)。
[0051]所述阻容吸收電路的工作原理為:當輸入端口 31接收到的脈沖信號受到干擾時，Rl和Cl組成的所述阻容吸收電路可以進行一定程度的濾波處理，并且，在沒有接收脈沖信號的情況下，所述阻容吸收電路可以通過分壓或吸收IGBT柵極上積累的電荷，防止IGBT受到靜電施加的超過其閾值電壓值的電壓時發(fā)生擊穿。
[0052]可選的，Rl為貼片電阻，Cl為貼片電容。由于貼片元器件具有體積小，占用版面少及元器件之間布線距離短等優(yōu)點，可以實現(xiàn)資源的節(jié)省和集成度的提高。
[0053]可選的，Rl和Cl的參數(shù)根據(jù)IGBT的工作性能參數(shù)確定，例如，Rl的阻值為10千歐姆(kQ )，Cl的電容值為1.5納法(nF)，本實施例在此不對其進行限制。
[0054]本實施方式通過阻容吸收電路進行濾波，實現(xiàn)對干擾信號的吸收，并且防止IGBT發(fā)生靜電擊穿。
[0055]作為本實施例又一可實施的方式，所述限幅保護電路連接在Gout和所述Eout之間，包括:參數(shù)相同的第一穩(wěn)壓管Zl和第二穩(wěn)壓管Z2，其中，Zl和Z2反串聯(lián)，且Zl的正極與Z2的正極連接。
[0056]穩(wěn)壓管，即當其反向擊穿后，其兩端的電壓基本保持不變，從而實現(xiàn)穩(wěn)壓限幅作用。
[0057]所述限幅保護電路的工作原理為:當IGBT開通時，Zl發(fā)揮穩(wěn)壓限幅作用，Z2正向?qū)?；當IGBT關(guān)斷時，Zl正向?qū)ǎ琙2發(fā)揮穩(wěn)壓限幅作用，從而保證向IGBT輸出的所述控制信號的絕對值不超過一定值，即將其限幅在一定范圍內(nèi)。
[0058]其中，IGBT導通后的管壓降與所加柵源電壓有關(guān)，在漏源電流一定的情況下，柵極和發(fā)射極之間的壓降\E越高，器件的導通損耗就越小，這有利于充分發(fā)揮管子的工作能力。但是，Vcje并非越高越好，原因是一旦發(fā)生過流或短路，柵壓越高，則電流幅值越高，控制信號超出一定范圍就可能破壞柵極，IGBT損壞的可能性就越大。
[0059]可選的，Zl和Z2的參數(shù)可以根據(jù)IGBT的工作性能參數(shù)確定，從而提高對IGBT限幅保護的準確性和可靠性。例如，Zl和Z2的穩(wěn)定電壓參數(shù)為16V，本實施例在此不對其進行限制。
[0060]本實施方式通過穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓限幅作用，防止IGBT控制信號的幅度過大，避免IGBT發(fā)熱量增大導致柵極擊穿。
[0061]可選的，所述門極電阻選通電路、所述阻容吸收電路和所述限幅保護電路的相對位置關(guān)系并不只局限于圖3所示的位置關(guān)系，例如，所述阻容吸收電路或所述限幅保護電路也可以連接在靠近輸入端口 31的一端，所述門極電阻選通電路連接在靠近輸出端口 32的一端，本實施例在此不對其進行限制。
[0062]本實施例通過門極電阻選通電路、阻容吸收電路和限幅保護電路提高了 IGBT的性能和可靠性，且采用焊盤形式實現(xiàn)了 IGBT通用化的提高。
[0063]圖4為本發(fā)明實施例提供的一個IGBT轉(zhuǎn)接板的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖4所示，包括:
[0064]第一輸入端口 41、第一輸出端口 42、第二輸入端口 43、第二輸出端口 44、連接在第一輸入端口 41和第一輸出端口 42之間的第一電路45以及連接在第二輸入端口 43和第二輸出端口 44之間的第二電路46。
[0065]第一電路45和第二電路46均包括門極電阻選通電路、阻容吸收電路和限幅保護電路；其中，所述門極電阻選通電路、所述阻容吸收電路和所述限幅保護電路參照圖2、圖3所示實施例，本實施例在此不再贅述。
[0066]第一輸入端口 41,包括第一柵極輸入端口和第一發(fā)射極輸入端口 ；第二輸入端口43，包括第二柵極輸入端口和第二發(fā)射極輸入端口 ；第一輸入端口 41和第二輸入端口 43均用于接收驅(qū)動板的驅(qū)動信號。
[0067]第一輸出端口 42,包括第一柵極輸出端口和第一發(fā)射極輸出端口，用于向第一IGBT輸出控制信號,且所述第一發(fā)射極輸出端口和所述第一發(fā)射極輸入端口連接；第二輸出端口 44，包括第二柵極輸出端口和第二發(fā)射極輸出端口，用于向第二 IGBT輸出控制信號，且所述第二發(fā)射極輸出端口和所述第二發(fā)射極輸入端口連接；
[0068]其中，第一輸出端口 42和第二輸出端口 44以焊盤形式實現(xiàn)。
[0069]本實施例通過輸出端口為焊盤形式的IGBT轉(zhuǎn)接板，實現(xiàn)了連接方便的IGBT，簡化IGBT布線進而提高IGBT的通用化。
[0070]圖5為本發(fā)明實施例提供的一個IGBT轉(zhuǎn)接板電路示意圖，如圖5所示，包括:第一輸入端口 51、第一輸出端口 52、第二輸入端口 53、第二輸出端口 54、連接在第一輸入端口 51和第一輸出端口 52之間的第一電路以及連接在第二輸入端口 53和第二輸出端口 54之間的第二電路。
[0071]所述第一電路和所述第二電路均包括門極電阻選通電路、阻容吸收電路和限幅保護電路；其中，所述門極電阻選通電路、所述阻容吸收電路和所述限幅保護電路參照圖2、圖3所示實施例，本實施例在此不再贅述。
[0072]第一輸入端口 51,包括第一柵極輸入端口 Glin和第一發(fā)射極輸入端口 Elin ;第二輸入端口 53，包括第二柵極輸入端口 G2in和第二發(fā)射極輸入端口 E2in ;第一輸入端口 51和第二輸入端口 53均用于接收驅(qū)動板的驅(qū)動信號。
[0073]第一輸出端口 52,包括第一柵極輸出端口 Glout和第一發(fā)射極輸出端口 Elout,用于向第一 IGBT輸出控制信號，且Elout和Elin連接；第二輸出端口 54，包括第二柵極輸出端口 G2out和第二發(fā)射極輸出端口 E2out，用于向第二 IGBT輸出控制信號，且E2out和E2in連接；
[0074]其中，第一輸出端口 52和第二輸出端口 54以焊盤形式實現(xiàn)。
[0075]本實施例通過門極電阻選通電路、阻容吸收電路和限幅保護電路提高了 IGBT的性能和可靠性，且采用焊盤形式的IGBT轉(zhuǎn)接板實現(xiàn)連接方便的IGBT，簡化IGBT布線進而提高IGBT的通用化。
[0076]圖6為本發(fā)明實施例提供的一個IGBT轉(zhuǎn)接板與IGBT模塊的連接示意圖，如圖6所示，包括=IGBT模塊61和IGBT轉(zhuǎn)接板62。
[0077]具體的，IGBT模塊61為如圖1所示的IGBT模塊，本實施例在此不再贅述。
[0078]IGBT轉(zhuǎn)接板62為如圖4、圖5所示的IGBT轉(zhuǎn)接板，包括:第一柵極輸出端口Glout、第二柵極輸出端口 G2out、第一發(fā)射極輸出端口 Elout、第二發(fā)射機輸出端口 E2out、第一柵極輸入端口 Glin、第二柵極輸入端口 G2in、第一發(fā)射極輸入端口 Elin和第二發(fā)射極輸入端口 E2in,另外,第一電路和第二電路在圖6中未標出。
[0079]其中，Glout與所述IGBT模塊的第一柵極控制端口通過焊盤連接，Elout與所述IGBT模塊的第一發(fā)射極控制端口通過焊盤連接，G2out與所述IGBT模塊的第二柵極控制端口通過焊盤連接，E2out與所述IGBT模塊的第二發(fā)射極控制端口通過焊盤連接。
[0080]可選的，當所述IGBT轉(zhuǎn)接板的各輸出端口和所述IGBT模塊的各控制端口如上述方式對應連接的條件下，通過對IGBT轉(zhuǎn)接板62的輸入端口與驅(qū)動板進行選擇性連接，可以實現(xiàn)不同的連接模式，例如，單路模式或雙路模式。
[0081]其中，當IGBT模塊的主端口、Glin和Elin與驅(qū)動板連接、或所述IGBT模塊的主端口、G2in和E2in與所述驅(qū)動板連接，即實現(xiàn)單路模式；當所述IGBT模塊的主端口、Glin和Elin、G2in和E2in均與所述驅(qū)動板連接，即實現(xiàn)雙路模式。
[0082]其中，IGBT轉(zhuǎn)接板62的輸出端口 Glout、G2out、Elout和E2out均通過焊盤實現(xiàn)與IGBT模塊的控制端口的連接，從而在實現(xiàn)對IGBT門極選擇、阻容吸收和限幅保護的同時提高IGBT的通用化。
[0083]圖7為本發(fā)明實施例提供的一個IGBT轉(zhuǎn)接板與驅(qū)動板以及IGBT模塊的連接示意圖，如圖7所示，包括:第一 IGBT模塊71、第二 IGBT模塊72、第一 IGBT轉(zhuǎn)接板73、第二 IGBT轉(zhuǎn)接板74和驅(qū)動板75，其中，任一所述IGBT轉(zhuǎn)接板與所述驅(qū)動板的連接模式為雙路模式。
[0084]其中，第一 IGBT模塊71和第二 IGBT模塊72為圖1所示的IGBT模塊，第一 IGBT轉(zhuǎn)接板73和第二 IGBT轉(zhuǎn)接板74為圖4、圖5所示的IGBT轉(zhuǎn)接板，本實施例在此不再贅述。
[0085]具體的，所述驅(qū)動板75包括:第一驅(qū)動柵極端口 G1、第二驅(qū)動柵極端口 G2、第一驅(qū)動發(fā)射極端口 E1、第二驅(qū)動發(fā)射極端口 E2、第一驅(qū)動集電極端口 Cl及第二驅(qū)動集電極端口C2。
[0086]具體的，Cl、第一 IGBT模塊71的第三端口和第二 IGBT模塊72的第三端口連接；C2、第一 IGBT模塊71的第一端口和第二 IGBT模塊72的第一端口連接，用于形成反饋，提高IGBT工作性能；
[0087]Gl通過分線結(jié)構(gòu)分別與第一 IGBT轉(zhuǎn)接板73的Glin、所述第二 IGBT轉(zhuǎn)接板74的Glin連接；E1通過分線結(jié)構(gòu)分別與第一 IGBT轉(zhuǎn)接板73的Elin、第二 IGBT轉(zhuǎn)接板74的Elin連接；[0088]G2通過分線結(jié)構(gòu)分別與第一 IGBT轉(zhuǎn)接板73的G2in、第二 IGBT轉(zhuǎn)接板74的G2in連接；E2通過分線結(jié)構(gòu)分別與第一 IGBT轉(zhuǎn)接板73的E2in、第二 IGBT轉(zhuǎn)接板74的E2in連接；
[0089]驅(qū)動板75、第一 IGBT轉(zhuǎn)接板73和第二 IGBT轉(zhuǎn)接板74通過分線連接結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)所述第一 IGBT模塊71、第二 IGBT模塊72與驅(qū)動板75的并聯(lián)結(jié)構(gòu)。
[0090]本實施例通過驅(qū)動板與IGBT轉(zhuǎn)接板的分線連接實現(xiàn)驅(qū)動板與并聯(lián)結(jié)構(gòu)的IGBT模塊的連接，簡化了 IGBT的布線設(shè)計，提高IGBT的可靠性和通用化。
[0091]最后應說明的是:以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應當理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術(shù)方案的精神和范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種IGBT轉(zhuǎn)接板，其特征在于，包括:輸入端口和輸出端口，所述輸入端口和所述輸出端口之間連接有門極電阻選通電路、阻容吸收電路和限幅保護電路； 所述輸入端口，包括柵極輸入端口和發(fā)射極輸入端口，用于接收驅(qū)動板的驅(qū)動信號；所述輸出端口，包括柵極輸出端口和發(fā)射極輸出端口，用于向絕緣柵雙極晶體管IGBT輸出控制信號，且所述發(fā)射極輸出端口和所述發(fā)射極輸入端口連接； 所述門極電阻選通電路，用于在所述IGBT開通和關(guān)斷時提供不同阻值的門極電阻； 所述阻容吸收電路，用于對所述驅(qū)動信號進行濾波； 所述限幅保護電路，用于對所述控制信號進行限幅； 其中，所述柵極輸出端口和所述發(fā)射極輸出端口以焊盤形式實現(xiàn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IGBT轉(zhuǎn)接板，其特征在于，所述門極電阻選通電路串聯(lián)在所述柵極輸入端口和所述柵極輸出端口之間，包括:第一二極管、第一電阻和第二電阻； 其中，所述第一二極管與所述第一電阻串聯(lián)，所述第二電阻與所述第一二極管、第一電阻并聯(lián)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的IGBT轉(zhuǎn)接板，其特征在于，所述阻容吸收電路連接所述柵極輸出端口和所述發(fā)射極輸出端口，包括:第三電阻和第一電容； 其中，所述第三電阻與所述第一電容并聯(lián)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IGBT轉(zhuǎn)接板，其特征在于，所述限幅保護電路連接所述柵極輸出端口和所述發(fā)射極輸出端口，包括:參數(shù)相同的第一穩(wěn)壓管和第二穩(wěn)壓管； 其中，所述第一穩(wěn)壓管和所述第二穩(wěn)壓管反串聯(lián)連接，且所述第一穩(wěn)壓管的正極和所述第二穩(wěn)壓管的正極連接。`
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的IGBT轉(zhuǎn)接板，其特征在于， 所述第一二極管為快速二極管；所述第一電阻和所述第二電阻為大功率電阻； 所述第三電阻為貼片電阻；所述第一電容為貼片電容。
6.—種IGBT轉(zhuǎn)接板,其特征在于，包括:第一輸入端口、第一輸出端口、第二輸入端口、第二輸出端口、連接在所述第一輸入端口和所述第一輸出端口之間的第一電路以及連接在所述第二輸入端口和所述第二輸出端口之間的第二電路； 所述第一電路和所述第二電路均包括門極電阻選通電路、阻容吸收電路和限幅保護電路； 所述第一輸入端口，包括第一柵極輸入端口和第一發(fā)射極輸入端口，用于接收驅(qū)動板的驅(qū)動信號； 所述第二輸入端口，包括第二柵極輸入端口和第二發(fā)射極輸入端口，用于接收驅(qū)動板的驅(qū)動信號； 所述第一輸出端口，包括第一柵極輸出端口和第一發(fā)射極輸出端口，用于向第一絕緣柵雙極晶體管IGBT輸出控制信號，且所述第一發(fā)射極輸出端口和所述第一發(fā)射極輸入端口連接； 所述第二輸出端口，包括第二柵極輸出端口和第二發(fā)射極輸出端口，用于向第二 IGBT輸出控制信號，且所述第二發(fā)射極輸出端口和所述第二發(fā)射極輸入端口連接； 所述第一電路中的門極電阻選通電路，用于在所述第一 IGBT開通和關(guān)斷時提供不同阻值的門極電阻；所述第二電路中的門極電阻選通電路，用于在所述第二 IGBT開通和關(guān)斷時提供不同阻值的門極電阻； 所述第一電路中的阻容吸收電路，用于對所述第一輸入端口接收的驅(qū)動信號進行濾波；所述第二電路中的阻容吸收電路，用于對所述第二輸入端口接收的驅(qū)動信號進行濾波； 所述第一電路中的限幅保護電路，用于對所述第一輸出端口輸出的控制信號進行限幅；所述第二電路中的限幅保護電路，用于對所述第二輸出端口輸出的控制信號進行限幅; 其中，所述第一柵極輸出端口、所述第二柵極輸出端口、所述第一發(fā)射極輸出端口和所述第二發(fā)射極輸出端口以焊盤形式實現(xiàn)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的IGBT轉(zhuǎn)接板，其特征在于，所述第一電路中的門極電阻選通電路串聯(lián)在所述第一柵極輸入端口和所述第一柵極輸出端口之間，所述第二電路中的門極電阻選通電路串聯(lián)在所述第二柵極輸入端口和所述第二柵極輸出端口之間，所述第一電路中的門極電阻選通電路和所述第二電路中的門極電阻選通電路均包括:第一二極管、第一電阻和第二電阻； 其中，所述第一二極管與所述第一電阻串聯(lián)，所述第二電阻與所述第一二極管、所述第一電阻并聯(lián)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的IGBT轉(zhuǎn)接板，其特征在于，所述第一電路中的阻容吸收電路連接所述第一柵極輸出端口和所述第一發(fā)射極輸出端口，所述第二電路中的阻容吸收電路連接所述第一柵極輸出端口和所述第一發(fā)射極輸出端口，所述第一電路中的阻容吸收電路和所述第二電路中的阻容吸收電路均包括:第三電阻和第一電容； 其中，所述第三電阻與所 述第一電容并聯(lián)。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的IGBT轉(zhuǎn)接板，其特征在于，所述第一電路中的限幅保護電路連接所述第一柵極輸出端口和所述第一發(fā)射極輸出端口，所述第二電路中的限幅保護電路連接所述第二柵極輸出端口和所述第二發(fā)射極輸出端口，所述第一電路中的限幅保護電路和所述第二電路中的限幅保護電路均包括:參數(shù)相同的第一穩(wěn)壓管和第二穩(wěn)壓管； 其中，所述第一穩(wěn)壓管和所述第二穩(wěn)壓管反串聯(lián)連接，且所述第一穩(wěn)壓管的正極和所述第二穩(wěn)壓管的正極連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的IGBT轉(zhuǎn)接板，其特征在于， 所述第一二極管為快速二極管；所述第一電阻和所述第二電阻為大功率電阻； 所述第三電阻為貼片電阻；所述第一電容為貼片電容。
【文檔編號】H03K17/567GK103731126SQ201210390414
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2012年10月15日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月15日
【發(fā)明者】吳志友, 戴碧君, 李桂蓮, 高婷 申請人:中國北車股份有限公司