專(zhuān)利名稱(chēng)：開(kāi)關(guān)電路和用于開(kāi)關(guān)電路的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請(qǐng)涉及用于開(kāi)關(guān)電路的裝置和方法，更具體地說(shuō)，涉及包括被配置為減小開(kāi)關(guān)信號(hào)的失真的求和節(jié)點(diǎn)的開(kāi)關(guān)電路。
背景技術(shù)：
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)裝置可以用作用于連接電信號(hào)的開(kāi)關(guān)。通常，MOSFET裝置僅有很小的在雙極等固態(tài)開(kāi)關(guān)中存在的偏移電壓或者沒(méi)有偏移電壓。通常，MOSFET開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻(Rm)非常低而斷開(kāi)電阻(Rtjff)非常高。在現(xiàn)代化裝置中，Rm可以是歐姆量級(jí)或者更小，而Rtjff可以是許多兆歐。在MOSFET開(kāi)關(guān)中，1 可以是裝置的柵極-源極電壓Vgs的函數(shù)。因?yàn)镽m是Vgs的函數(shù)，因此如果Vgs是恒定的或者其它條件相同，則Rm也可以恒定。當(dāng)這些開(kāi)關(guān)裝置被用于音頻信號(hào)時(shí)，如果Rm隨著輸入信號(hào)的電壓電 平而改變，則開(kāi)關(guān)上的傳送信號(hào)的保真度可能受到負(fù)面影響。開(kāi)關(guān)的音頻保真度的一個(gè)度量可以是由開(kāi)關(guān)引入的總諧波失真(THD)。Pollitt 的第 4，093，874 號(hào)題為 “Constant Impedance MOSFET Switch” 的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)(在本文中，“‘874專(zhuān)利”)的目的是使MOSFET的Rm保持恒定而不管輸入信號(hào)電壓如何變化?！?74專(zhuān)利討論了通過(guò)使Vgs保持恒定(在設(shè)置的溫度)而不論輸入信號(hào)電壓如何變化來(lái)使Rm保持恒定。然而，‘874專(zhuān)利使用邏輯信號(hào)電壓值來(lái)確定Vgs電壓電平，其中，邏輯信號(hào)電壓值使開(kāi)關(guān)導(dǎo)通/斷開(kāi)。然而，由于用于產(chǎn)生邏輯信號(hào)電壓的電源電壓可以隨著負(fù)載改變，這使得邏輯信號(hào)電壓值隨之而改變。Vgs的這種改變可以改變Rm，并且因此限制‘874專(zhuān)利的有用的動(dòng)態(tài)范圍。此外，在具有較大的負(fù)信號(hào)擺動(dòng)的應(yīng)用中，由于MOSFET的柵氧化層的退化，因此會(huì)減弱MOSFET的可靠性。

發(fā)明內(nèi)容
本文討論了用于開(kāi)關(guān)電路以向傳輸門(mén)提供恒定的柵極-源極電壓的裝置和方法。在一個(gè)實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)電路包括求和電路，該求和電路具有被配置為連接到傳輸門(mén)的柵極的輸出端，該求和電路可以被配置為在傳輸門(mén)的柵極與源極之間維持實(shí)質(zhì)上恒定的偏置電壓。一種開(kāi)關(guān)電路，其定義有導(dǎo)通狀態(tài)和斷開(kāi)狀態(tài)，所述開(kāi)關(guān)電路在處于所述導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)將第一節(jié)點(diǎn)連接到第二節(jié)點(diǎn)，所述電路包括=MOSFET裝置，其包括柵極；源極，其被連接到所述第一節(jié)點(diǎn)；以及漏極，其被連接到所述第二節(jié)點(diǎn)；其中，當(dāng)所述MOSFET裝置處于所述導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，信號(hào)可以在所述源極與所述漏極之間傳送；以及求和電路，其具有輸出端，所述輸出端連接到所述MOSFET裝置的所述柵極，所述求和電路被配置為在所述導(dǎo)通狀態(tài)期間維持所述MOSFET裝置的所述柵極與所述MOSFET裝置的所述源極之間具有實(shí)質(zhì)上恒定的控制電壓，所述求和電路包括電流源，其被連接到所述輸出端；二極管網(wǎng)絡(luò)，其被連接到所述電流源，并被連接到所述第一節(jié)點(diǎn)和所述第二節(jié)點(diǎn)中的至少一個(gè)，所述二極管網(wǎng)絡(luò)被配置為在所述導(dǎo)通狀態(tài)期間從所述電流源接收電流；以及控制開(kāi)關(guān)，其連接到所述輸出端，所述控制開(kāi)關(guān)被配置為在所述斷開(kāi)狀態(tài)期間轉(zhuǎn)移來(lái)自所述二極管網(wǎng)絡(luò)的所述電流。一種用于開(kāi)關(guān)電路的方法，包括在MOSFET開(kāi)關(guān)的第一開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)處接收信息；提供電流以生成所述MOSFET開(kāi)關(guān)的控制信號(hào)；將所述電流傳送通過(guò)連接到所述MOSFET開(kāi)關(guān)的柵極節(jié)點(diǎn)以及所述第一開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的二極管網(wǎng)絡(luò)，所述電流被配置為生成所述控制信號(hào)的第一狀態(tài)，所述控制信號(hào)的所述第一狀態(tài)被配置為將所述信息從所述第一開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)傳送到所述MOSFET開(kāi)關(guān)的第二開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)；以及將所述電流從所述二極管網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)移到參考，所轉(zhuǎn)移的電流被配置為生成所述控制信號(hào)的第二狀態(tài)，所述控制信號(hào)的所述第二狀態(tài)被配置為在所述MOSFET開(kāi)關(guān)處將所述第一開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)與所述第二開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)隔離。該概括旨在提供對(duì)本專(zhuān)利申請(qǐng)的主題的概述。而不旨在提供對(duì)本發(fā)明的排他的或窮盡的解釋。包括的詳細(xì)描述用于提供與本專(zhuān)利申請(qǐng)有關(guān)的其它信息。


在不必按比例繪制的附圖中，類(lèi)似的數(shù)字可以描述不同的視圖中的類(lèi)似的組件。具有不同字母后綴的相似數(shù)字可以表示類(lèi)似組件的不同例子。附圖以舉例說(shuō)明而非限制的方式概括地示出了本文中討論的各個(gè)實(shí)施方式。圖I概括地示出了針對(duì)傳輸門(mén)的控制節(jié)點(diǎn)處的給定的控制電壓，當(dāng)傳輸門(mén)電壓從約-4伏變化為約+4伏時(shí)傳輸門(mén)的導(dǎo)通電阻與傳輸門(mén)的開(kāi)關(guān)端子處的電壓之間的關(guān)系
Rflatness
的實(shí)施例。圖2至圖5概括地示出了包括恒定Vgs電路的系統(tǒng)的實(shí)施例。圖6概括地示出了低壓監(jiān)控電路的實(shí)施例。圖7概括地示出了可以使用本文所描述的恒定Vgs電路獲得的改進(jìn)的Rflatmss的實(shí)施例。
具體實(shí)施例方式圖I概括地示出了針對(duì)傳輸門(mén)(passgate)的控制節(jié)點(diǎn)處的給定的控制電壓，當(dāng)傳輸門(mén)的開(kāi)關(guān)端子處的開(kāi)關(guān)電壓從約-4伏變化為約+4伏時(shí)傳輸門(mén)的導(dǎo)通電阻與傳輸門(mén)的開(kāi)關(guān)端子處的開(kāi)關(guān)電壓之間的關(guān)系Rflatmss的實(shí)施例。在該實(shí)施例中，在施加的電壓范圍上，導(dǎo)通電阻從約4歐姆到約14歐姆變化了 10歐姆。對(duì)于施加于傳輸門(mén)的諸如音頻信號(hào)的信號(hào)，當(dāng)傳輸門(mén)將信號(hào)從一個(gè)端子傳送到另一個(gè)端子時(shí)，在施加的電壓范圍上的電阻的變化
Rflatness
會(huì)引起失真。Stultz 等的第 7,782,117 號(hào)名稱(chēng)為 “Constant Switch Vgs Circuit forMinimizing Rflatness and Improving Audio Performance” 的美國(guó)專(zhuān)利(在本文中，“‘117專(zhuān)利”)提供了用于將恒定的柵極-源極電壓Vgs施加到傳輸門(mén)以改進(jìn)Rflatmss的基于電流反射鏡的電路。本發(fā)明人已經(jīng)認(rèn)識(shí)到用于向諸如金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)傳輸門(mén)的半導(dǎo)體傳輸門(mén)提供恒定的柵極-源極電壓Vgs的各種示例性的可替換電路。在某些實(shí)施例中，除了改進(jìn)Rflatass以外，示例性的電路還可以提供施加于傳輸門(mén)的更廣泛的電壓，其包括變化一電壓參考值的多個(gè)電壓。在多個(gè)實(shí)施例中，本文公開(kāi)的用于傳輸門(mén)的傳輸門(mén)開(kāi)關(guān)電路可以提供恒定的Vgs以使得傳輸門(mén)引起很少失真或者沒(méi)有失真，或者可以在傳輸門(mén)的開(kāi)關(guān)端子維持與信號(hào)的極性無(wú)關(guān)的恒定的Vgs，在某些實(shí)施例中，從而允許在沒(méi)有柵氧化層退化的情況下在傳輸門(mén)上更大的電壓變化。在一個(gè)實(shí)施例中，對(duì)于PMOS傳輸門(mén)，可以在柵氧化層退化之前允許更大的正輸入電壓；而對(duì)于NMOS傳輸門(mén)，可以在柵氧化層退化之前允許更大的負(fù)輸入電壓。圖2概括地示出了系統(tǒng)200的實(shí)施例，該系統(tǒng)200包括恒定Vgs電路201和傳輸門(mén)202(例如，MOSFET傳輸門(mén)晶體管)，傳輸門(mén)202具有第一開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)203、第二開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)204、以及控制節(jié)點(diǎn)205傳輸門(mén)。傳輸門(mén)202可以連接到恒定Vgs電路201。恒定Vgs電路201可以包括求和電路和逆變器210。求和電路可以包括諸如求和配置中的差分運(yùn)算放大器的放大器206、第一輸入電阻207、第二輸入電阻208、以及反饋電阻209。在一個(gè)實(shí)施例中,恒定Vgs電路201可以包括第一輸入端211和第二輸入端212。恒定Vgs電路201的第一輸入端211可以接收控制信號(hào)(例如，偏置電壓)，以啟用和禁用傳輸門(mén)202。恒定Vgs電路201的第二輸入端212可以在傳輸門(mén)202的第一開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)203處接收信號(hào)。在一個(gè)實(shí)施例中，可以根據(jù)第一輸入電阻207和第二輸入電阻208以及反饋電阻209的電阻值的選擇來(lái)對(duì)偏置電壓和傳輸門(mén)的第一開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)203處的電壓進(jìn)行求和、·放大和反轉(zhuǎn)。在一個(gè)實(shí)施例中，恒定Vgs電路201可以在諸如MOSFET傳輸門(mén)的柵極的傳輸門(mén)202控制節(jié)點(diǎn)205與諸如MOSFET傳輸門(mén)的源極的傳輸門(mén)202開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)203、204中的一個(gè)之間維持實(shí)質(zhì)上恒定的電壓電平。在某些實(shí)施例中，實(shí)質(zhì)上恒定的電壓電平可以指示接收的控制信號(hào)的電壓。在一個(gè)實(shí)施例中，第一輸入電阻207和第二輸入電阻208以及反饋電阻209可以被選擇為提供單位增益，并且逆變器210可以在傳輸門(mén)202控制節(jié)點(diǎn)205處提供偏置電壓。在一個(gè)實(shí)施例中，第一開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)203可以是MOSFET傳輸門(mén)的源極接點(diǎn)，第二開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)204可以是MOSFET傳輸門(mén)的漏極節(jié)點(diǎn)，并且控制節(jié)點(diǎn)205可以是MOSFET傳輸門(mén)的柵極節(jié)點(diǎn)。在這個(gè)實(shí)施例中，可以在柵極節(jié)點(diǎn)與源極節(jié)點(diǎn)之間維持恒定的偏置電壓，而不論在第一開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)203處的極性或接收電壓如何。圖3概括地示出了系統(tǒng)300的實(shí)施例，系統(tǒng)300包括恒定Vgs電路301和傳輸門(mén)302 (例如，MOSFET傳輸門(mén)晶體管)，傳輸門(mén)302具有第一開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)303、第二開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)304以及控制節(jié)點(diǎn)305。傳輸門(mén)302可以連接到恒定Vgs電路301。恒定Vgs電路301可以包括求和電路。求和電路可以包括諸如差分運(yùn)算放大器的放大器306、第一輸入電阻307、第二輸入電阻308以及反饋電阻網(wǎng)絡(luò)309。恒定Vgs電路301的第一輸入端311可以接收控制信號(hào)(例如，偏置電壓)，以啟用和禁用傳輸門(mén)302，并且恒定Vgs電路301的第二輸入端312可以在傳輸門(mén)302的第一開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)303處接收信號(hào)。在一個(gè)實(shí)施例中，可以根據(jù)第一輸入電阻207和第二輸入電阻308的選擇值以及反饋電阻網(wǎng)絡(luò)309的電阻值來(lái)對(duì)偏置電壓和第一開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)303處的電壓進(jìn)行求和和放大。在一個(gè)實(shí)施例中，第一輸入電阻307和第二輸入電阻308以及反饋電阻網(wǎng)絡(luò)309可以被選擇為提供約為2的增益以在傳輸門(mén)302的控制節(jié)點(diǎn)305處提供偏置電壓。在一個(gè)實(shí)施例中，傳輸門(mén)302的第一開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)303可以是MOSFET傳輸門(mén)的源極節(jié)點(diǎn)，傳輸門(mén)302的控制節(jié)點(diǎn)305可以是MOSFET傳輸門(mén)的柵極節(jié)點(diǎn)。在這個(gè)實(shí)施例中，可以在柵極節(jié)點(diǎn)與源極節(jié)點(diǎn)之間維持偏置電壓，而不論在傳輸門(mén)302的第一開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)303處的極性或接收電壓如何。圖4概括地示出了系統(tǒng)400的實(shí)施例，該系統(tǒng)400包括恒定Vgs電路401和傳輸門(mén)402(例如，MOSFET傳輸門(mén)晶體管)，傳輸門(mén)402具有第一開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)403、第二開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)404以及控制節(jié)點(diǎn)405。在一個(gè)實(shí)施例中，施加于控制節(jié)點(diǎn)405的電壓可以調(diào)整第一開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)403與第二開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)404之間的電阻。傳輸門(mén)402可以連接到恒定Vgs電路401。恒定Vgs電路401可以包括放大器406、第一輸入電阻407、第二輸入電阻408、以及緩沖電阻413。在一個(gè)實(shí)施例中，恒定Vgs電路401的第一輸入端411可以接收控制信號(hào)(例如，偏置電壓)，以啟用和禁用傳輸門(mén)402 ;恒定Vgs電路401的第二輸入端412可以在傳輸門(mén)402的第一開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)403處接收信號(hào)。在一個(gè)實(shí)施例中，可以根據(jù)第一輸入電阻407、第二輸入電阻408、緩沖電阻413的選擇以及放大器406的增益來(lái)對(duì)偏置電壓和傳輸門(mén)402的第一開(kāi)關(guān)端子403處的電壓進(jìn)行求和和放大。在一個(gè)實(shí)施例中，可以通過(guò)為第一輸入電阻407和第二輸入電阻408以及緩沖電阻413中的每一個(gè)選擇相同的電阻并且配置放大器406以具有為3的增益來(lái)在傳輸門(mén)402的控制節(jié)點(diǎn)405處提供偏置電壓。在一個(gè)實(shí)施例中，第一輸入電阻407和第二輸入電阻408以及緩沖電阻413的更高電阻值可以提供改進(jìn)的諧波失真。
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在一個(gè)實(shí)施例中，傳輸門(mén)402的第一開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)403可以包括MOSFET傳輸門(mén)的源極節(jié)點(diǎn)，傳輸門(mén)402的控制節(jié)點(diǎn)405可以包括MOSFET傳輸門(mén)的柵極節(jié)點(diǎn)。在這個(gè)實(shí)施例中，可以在柵極節(jié)點(diǎn)與源極節(jié)點(diǎn)之間維持偏置電壓，而不論在傳輸門(mén)402的第一開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)403處的極性或接收電壓如何。圖5概括地示出了系統(tǒng)500的實(shí)施例，系統(tǒng)500包括恒定Vgs電路501和傳輸門(mén)502 (例如，MOSFET傳輸門(mén)晶體管)，傳輸門(mén)502具有第一開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)503和第二開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)504以及控制節(jié)點(diǎn)505。傳輸門(mén)502可以連接到恒定Vgs電路501。恒定Vgs電路501可以包括電流源515、一個(gè)或多個(gè)偏壓二極管516、以及控制開(kāi)關(guān)517。在一個(gè)實(shí)施例中，控制開(kāi)關(guān)517可以包括被配置為接收控制信號(hào)以啟用或禁用傳輸門(mén)502的控制節(jié)點(diǎn)518。在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)傳輸門(mén)502被啟用時(shí)，在第一開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)503與第二開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)504之間可存在低阻抗，并且當(dāng)傳輸門(mén)502被禁用時(shí)，在第一開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)503與第二開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)504之間可存在高阻抗。在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)控制開(kāi)關(guān)517處于禁用傳輸門(mén)502的狀態(tài)時(shí)，控制開(kāi)關(guān)517可以模擬短路，并且將來(lái)自電流源515的電流轉(zhuǎn)移，并且將傳輸門(mén)502的控制節(jié)點(diǎn)505拉到諸如接地電壓的斷開(kāi)狀態(tài)電勢(shì)。在某些實(shí)施例中，控制開(kāi)關(guān)517可以連接到低壓監(jiān)控電路以將來(lái)自電流源515的電流轉(zhuǎn)移到以下兩者中的較低者接地電壓電平、或者傳輸門(mén)的一個(gè)開(kāi)關(guān)端子503或504處的電壓電平，以在一個(gè)開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)(諸如MOSFET傳輸門(mén)的源極節(jié)點(diǎn))時(shí)使傳輸門(mén)502保持?jǐn)嚅_(kāi)。在某些實(shí)施例中，低壓監(jiān)控電路530可以在諸如MOSFET傳輸門(mén)的源極節(jié)點(diǎn)等的開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)相對(duì)于接地電壓變?yōu)閷?shí)質(zhì)上為負(fù)的時(shí)輔助使傳輸門(mén)502保持?jǐn)嚅_(kāi)狀態(tài)。在這個(gè)實(shí)施例中，在傳輸門(mén)502的斷開(kāi)狀態(tài)下，可以使用低壓監(jiān)控電路530將傳輸門(mén)的控制電壓自動(dòng)地參考以下兩者中的較低者接地電壓、或者傳輸門(mén)502的開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)處的電壓。當(dāng)控制開(kāi)關(guān)517處于啟用傳輸門(mén)502的狀態(tài)時(shí)，控制開(kāi)關(guān)517可以模擬開(kāi)路，并且來(lái)自電流源515的電流可以流過(guò)一個(gè)或多個(gè)偏壓二極管516，從而生成高于傳輸門(mén)502第一開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)503處電壓的偏置電壓電平。在一個(gè)實(shí)施例中，可以將偏置電壓施加于傳輸門(mén)502控制節(jié)點(diǎn)505，從而啟用傳輸門(mén)502并且在控制節(jié)點(diǎn)505與傳輸門(mén)502第一開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)503之間維持恒定電壓。
在一個(gè)實(shí)施例中，傳輸門(mén)502第一開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)503可以是MOSFET傳輸門(mén)的源極節(jié)點(diǎn)，而傳輸門(mén)502控制節(jié)點(diǎn)505可以是MOSFET傳輸門(mén)的柵極節(jié)點(diǎn)。在這個(gè)實(shí)施例中，可以在柵極節(jié)點(diǎn)與源極節(jié)點(diǎn)之間維持偏置電壓，而不論在傳輸門(mén)502第一開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)503處的極性或接收電壓如何。在包括圖2至圖4的實(shí)施例的某些實(shí)施例中，緩沖器519可以用于在向恒定Vgs電路501進(jìn)行輸入之前或者作為向恒定Vgs電路501進(jìn)行輸入的一部分,在傳輸門(mén)502的第一開(kāi)關(guān)端子503處對(duì)信號(hào)進(jìn)行緩沖。圖6概括地示出了包括一對(duì)交叉連接的晶體管620、621和二極管622的低壓監(jiān)控電路630。在一個(gè)實(shí)施例中，可以將低壓監(jiān)控電路630的第一節(jié)點(diǎn)623拉到低壓監(jiān)控電路630的第二節(jié)點(diǎn)624處電壓和第三節(jié)點(diǎn)625處電壓的較低者。例如，如果第二節(jié)點(diǎn)624處于接地電壓并且第三節(jié)點(diǎn)625相對(duì)于接地電壓實(shí)質(zhì)上是負(fù)的，則第二晶體管621可以打開(kāi)，從而將第一節(jié)點(diǎn)623拉到第三節(jié)點(diǎn)625處的實(shí)質(zhì)上為負(fù)的電壓。如果第三節(jié)點(diǎn)625高于接地電壓，則第一晶體管620可以打開(kāi)，從而將第一節(jié)點(diǎn)623拉到接地電壓。在某些實(shí)施例中，低壓監(jiān)控電路可以包括二極管622。當(dāng)晶體管620、621 二者是斷開(kāi)的并且處于高阻抗?fàn)顟B(tài)時(shí)，二極管可以提供到接地的路徑。應(yīng)當(dāng)理解的是，在不偏離本主題的范圍的情況下，其它 低壓監(jiān)控電路是可能的。圖7概括地示出了可以使用本文所描述的恒定Vgs電路獲得的改進(jìn)的Rflatmss的實(shí)施例。第一曲線(xiàn)701不出了對(duì)于未連接到恒定Vgs電路的傳輸門(mén)在施加的電壓的范圍上在導(dǎo)通電阻與開(kāi)關(guān)電壓之間的關(guān)系Rflatness。第一曲線(xiàn)701顯示出在施加的電壓范圍上導(dǎo)通電阻的約10歐姆的差別。第二曲線(xiàn)702示出了對(duì)于連接到恒定Vgs電路的傳輸門(mén)在施加的電壓的范圍上在導(dǎo)通電阻與開(kāi)關(guān)電壓之間的關(guān)系Rflatness。第二曲線(xiàn)702顯示出在施加的電壓范圍上導(dǎo)通電阻的約I歐姆的差別。因此，通過(guò)使用根據(jù)本主題的恒定Vgs電路，可以顯著改進(jìn)傳輸門(mén)的
Rflatness °在一些實(shí)施例中，“實(shí)質(zhì)上恒定”的控制電壓可以是使得信號(hào)失真小于I. 4%的柵極-源極電壓。在一些實(shí)施例中，實(shí)質(zhì)上恒定的柵極-源極電壓可以使得信號(hào)失真大約是O. 06%。在一些實(shí)施例中，實(shí)質(zhì)上恒定可意味著對(duì)于給定信號(hào)的電壓擺動(dòng)(諸如實(shí)施例(圖7)中6伏的電壓擺動(dòng))，導(dǎo)通電阻的變化是I歐姆或更小。附加說(shuō)明和實(shí)施例在實(shí)施例I中，開(kāi)關(guān)電路可以定義導(dǎo)通狀態(tài)和斷開(kāi)狀態(tài)，所述開(kāi)關(guān)電路在處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)將第一節(jié)點(diǎn)連接到第二節(jié)點(diǎn)。所述開(kāi)關(guān)電路包括=MOSFET裝置，其包括柵極；源極，其被連接到所述第一節(jié)點(diǎn)；以及漏極，其被連接到所述第二節(jié)點(diǎn)；其中，當(dāng)所述MOSFET裝置處于所述導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，信號(hào)可以在所述源極與所述漏極之間傳送。開(kāi)關(guān)電路還可以包括求和電路，其具有連接到所述MOSFET裝置的所述柵極的輸出端，其被配置為在所述導(dǎo)通狀態(tài)期間在所述MOSFET裝置的所述柵極與所述MOSFET裝置的所述源極之間維持實(shí)質(zhì)上恒定的控制電壓。所述求和電路可以包括電流源，其被連接到所述輸出端；二極管網(wǎng)絡(luò)，其被連接到所述電流源，并被連接到所述第一節(jié)點(diǎn)和所述第二節(jié)點(diǎn)中的至少一個(gè)，所述二極管網(wǎng)絡(luò)被配置為在所述導(dǎo)通狀態(tài)期間從所述電流源接收電流；以及控制開(kāi)關(guān)，其連接到所述輸出端，所述控制開(kāi)關(guān)被配置為在所述斷開(kāi)狀態(tài)期間轉(zhuǎn)移來(lái)自所述二極管網(wǎng)絡(luò)的所述電流。
在實(shí)施例2中，實(shí)施例I的開(kāi)關(guān)電路可選擇地包括緩沖器，其被連接到所述二極管網(wǎng)絡(luò)，并被連接到所述第一節(jié)點(diǎn)和所述第二節(jié)點(diǎn)中的所述至少一個(gè)。在實(shí)施例3中，實(shí)施例I至2中的任意一個(gè)或多個(gè)的控制開(kāi)關(guān)可選擇地包括晶體管，所述晶體管被配置為在所述晶體管的柵極節(jié)點(diǎn)處接收控制信號(hào)。在實(shí)施例4中，實(shí)施例I至3中的任意一個(gè)或多個(gè)的控制開(kāi)關(guān)可選擇地包括低壓監(jiān)控電路，其被配置為將所述控制開(kāi)關(guān)的節(jié)點(diǎn)連接到參考電壓，其中，所述參考電壓是以下兩者中的較低者接地電壓、或所述第一節(jié)點(diǎn)和所述第二節(jié)點(diǎn)中的一個(gè)處的電壓。在實(shí)施例5中，實(shí)施例I至4中的任意一個(gè)或多個(gè)的低壓監(jiān)控電路可選擇地包括連接到所述控制開(kāi)關(guān)的第一晶體管和第二晶體管。在實(shí)施例6中，實(shí)施例I至5中的任意一個(gè)或多個(gè)的低壓監(jiān)控電路的第一晶體管和第二晶體管可選擇地相互交叉連接。 在實(shí)施例7中，實(shí)施例I至6中的任意一個(gè)或多個(gè)的所述第一晶體管可選擇地連接到接地電壓；并且實(shí)施例I至6中的任意一個(gè)或多個(gè)的所述第二晶體管可選擇地連接到所述第一節(jié)點(diǎn)和所述第二節(jié)點(diǎn)中的一個(gè)。在實(shí)施例8中，開(kāi)關(guān)電路可以被配置為連接到MOSFET的柵極，并且在低阻抗導(dǎo)通狀態(tài)與高阻抗斷開(kāi)狀態(tài)之間切換M0SFET，所述高阻抗和所述低阻抗是在所述MOSFET的第一開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)與第二開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)之間測(cè)量的。所述開(kāi)關(guān)電路可以包括求和電路，其具有被配置為連接到所述MOSFET的所述柵極的輸出端，并且在所述導(dǎo)通狀態(tài)期間在所述MOSFET的所述柵極與所述第一開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)之間維持實(shí)質(zhì)上恒定的控制電壓，以及控制開(kāi)關(guān)，其被連接到所述輸出端。所述求和電路可以包括電流源，其被連接到所述輸出端；以及，二極管網(wǎng)絡(luò)，其被連接到所述電流源，并被連接到所述第一節(jié)點(diǎn)和所述第二節(jié)點(diǎn)中的至少一個(gè)，所述二極管網(wǎng)絡(luò)被配置為在所述導(dǎo)通狀態(tài)期間從所述電流源接收電流；以及控制開(kāi)關(guān)，其被配置為在所述斷開(kāi)狀態(tài)期間轉(zhuǎn)移來(lái)自所述二極管網(wǎng)絡(luò)的所述電流。所述控制開(kāi)關(guān)可以被配置為在所述斷開(kāi)狀態(tài)期間轉(zhuǎn)移來(lái)自所述二極管網(wǎng)絡(luò)的所述電流。在實(shí)施例9中，實(shí)施例I至8中的任意一個(gè)或多個(gè)的開(kāi)關(guān)電路可選擇地包括緩沖器，其被連接到所述二極管網(wǎng)絡(luò)，并被連接到所述第一節(jié)點(diǎn)和所述第二節(jié)點(diǎn)中的所述至少一個(gè)。在實(shí)施例10中，實(shí)施例I至9中的任意一個(gè)或多個(gè)的控制開(kāi)關(guān)可選擇地包括晶體管，所述晶體管被配置為在所述晶體管的柵極節(jié)點(diǎn)處接收控制信號(hào)。在實(shí)施例11中，實(shí)施例I至10中的任意一個(gè)或多個(gè)的開(kāi)關(guān)電路可選擇地包括低壓監(jiān)控電路，其被配置為將所述控制開(kāi)關(guān)的節(jié)點(diǎn)連接到參考電壓，其中，所述參考電壓是以下兩者中的較低者接地電壓、或所述第一節(jié)點(diǎn)和所述第二節(jié)點(diǎn)中的一個(gè)處的電壓。在實(shí)施例12中，實(shí)施例I至11中的任意一個(gè)或多個(gè)的低壓監(jiān)控電路可選擇地包括連接到所述控制開(kāi)關(guān)的第一晶體管和第二晶體管。在實(shí)施例13中，實(shí)施例I至12中的任意一個(gè)或多個(gè)的低壓監(jiān)控電路的所述第一晶體管和所述第二晶體管可選擇地相互交叉連接。在實(shí)施例14中，實(shí)施例I至13中的任意一個(gè)或多個(gè)的第一晶體管被可選擇地連接到接地電壓，并且所述第二晶體管可選擇地連接到所述第一節(jié)點(diǎn)和所述第二節(jié)點(diǎn)中的一個(gè)。
在實(shí)施例15中，方法包括^MOSFEt開(kāi)關(guān)的第一開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)處接收信息；提供電流以生成所述MOSFET開(kāi)關(guān)的控制信號(hào)；將所述電流傳送通過(guò)連接到所述MOSFET開(kāi)關(guān)的柵極節(jié)點(diǎn)以及所述第一開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的二極管網(wǎng)絡(luò)，所述電流被配置為生成所述控制信號(hào)的第一狀態(tài)，所述控制信號(hào)的所述第一狀態(tài)被配置為將所述信息從所述第一開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)傳送到所述MOSFET開(kāi)關(guān)的第二開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)；以及將所述電流從所述二極管網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)移到參考，所轉(zhuǎn)移的電流被配置為生成所述控制信號(hào)的第二狀態(tài)，所述控制信號(hào)的所述第二狀態(tài)被配置為在所述MOSFET開(kāi)關(guān)處將所述第一開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)與所述第二開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)隔離。在實(shí)施例16中，實(shí)施例I至15中的任意一個(gè)或多個(gè)的將所述電流傳送通過(guò)二極管網(wǎng)絡(luò)可選擇地包括在所述控制信號(hào)的所述第一狀態(tài)下在所述MOSFET裝置的所述柵極與所述MOSFET裝置的源極之間維持實(shí)質(zhì)上恒定的第一控制電壓電平。在實(shí)施例17中，實(shí)施例I至16中的任意一個(gè)或多個(gè)的所述將所述電流從所述二極管網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)移到參考可選擇地包括在所述控制信號(hào)的所述第二狀態(tài)下在所述MOSFET裝置的所述柵極與所述MOSFET裝置的所述源極之間維持第二控制電壓電平。
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在實(shí)施例18中，實(shí)施例I至17中的任意一個(gè)或多個(gè)的方法可選擇地包括緩沖來(lái)自所述第一開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的所述電流。在實(shí)施例19中，實(shí)施例I至18中的任意一個(gè)或多個(gè)的所述將所述電流從所述二極管網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)移到參考可選擇地包括當(dāng)所述第一節(jié)點(diǎn)處的電壓大于接地電壓時(shí)，將所述電流從所述二極管網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)移到接地。在實(shí)施例20中，實(shí)施例I至19中的任意一個(gè)或多個(gè)的所述將所述電流從所述二極管網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)移到參考可選擇地包括當(dāng)所述第一節(jié)點(diǎn)處的電壓小于接地電壓時(shí)，將所述電流從所述二極管網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)移到所述第一節(jié)點(diǎn)。在實(shí)施例21中，開(kāi)關(guān)電路定義了導(dǎo)通狀態(tài)和斷開(kāi)狀態(tài)，所述開(kāi)關(guān)電路在處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)將第一節(jié)點(diǎn)連接到第二節(jié)點(diǎn)。所述電路包括=MOSFET裝置，其包括柵極；源極，其被連接到所述第一節(jié)點(diǎn)；以及漏極，其被連接到所述第二節(jié)點(diǎn)。當(dāng)所述MOSFET裝置處于所述導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，信號(hào)可以在所述源極與所述漏極之間傳送。開(kāi)關(guān)電路包括求和電路，其具有連接到所述MOSFET裝置的所述柵極的輸出端，其被配置為在所述MOSFET裝置的所述柵極與所述MOSFET裝置的所述源極之間維持偏置電壓。所述求和電路包括放大器，其具有連接到所述求和電路的所述輸出端的放大器輸出端；第一電阻，其被配置為將所述放大器的第一輸入端連接到所述偏置電壓；以及第二電阻，其被配置為將所述放大器的所述第一輸入端連接到所述第一節(jié)點(diǎn)。在實(shí)施例22中，實(shí)施例I至21中的任意一個(gè)或多個(gè)的求和電路被可選擇地配置為在MOSFET裝置的柵極與MOSFET裝置的源極之間提供實(shí)質(zhì)上恒定的電壓電平。在實(shí)施例23中，實(shí)施例I至22中的任意一個(gè)或多個(gè)的開(kāi)關(guān)電路可選擇地包括 第三電阻，所述第三電阻被配置為將放大器的第一輸入端連接到放大器的輸出端。在實(shí)施例24中，實(shí)施例I至23中的任意一個(gè)或多個(gè)的放大器的第一輸入端可選擇地包括反相輸入端，所述放大器的第二輸入端可選擇地包括非反相輸入端。在實(shí)施例25中，實(shí)施例I至24中的任意一個(gè)或多個(gè)的開(kāi)關(guān)電路可選擇地包括逆變器，該逆變器連接在求和電路的輸出端與輸出節(jié)點(diǎn)之間。在實(shí)施例26中，實(shí)施例I至25中的任意一個(gè)或多個(gè)的逆變器可選擇地包括具有單位增益的反相放大器。在實(shí)施例27中，實(shí)施例I至26中的任意一個(gè)或多個(gè)的開(kāi)關(guān)電路可選擇地包括第三電阻，所述第三電路被配置為將放大器的第二輸入端連接到放大器的輸出端。在實(shí)施例28中，實(shí)施例I至27中的任意一個(gè)或多個(gè)的第一輸入端可選擇地包括放大器的非反相輸入端，并且第二輸入端包括放大器的反相輸入端。在實(shí)施例29中，實(shí)施例I至28中的任意一個(gè)或多個(gè)的開(kāi)關(guān)電路可選擇地包括第三電阻，所述第三電阻被配置為將放大器的第一輸入端連接到參考電勢(shì)，并且其中，放大器的第一輸入端包括非反相輸入端。在實(shí)施例30中，實(shí)施例I至29中的任意一個(gè)或多個(gè)的第一電阻、第二電阻和第三電阻可選擇地具有實(shí)質(zhì)上相同的電阻值，并且放大器可選擇地包括約為3的增益。在實(shí)施例31中，開(kāi)關(guān)電路被配置為連接到MOSFET的柵極，并且在低阻抗導(dǎo)通狀態(tài)·與高阻抗斷開(kāi)狀態(tài)之間切換M0SFET，所述高阻抗和所述低阻抗是在所述MOSFET的第一開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)與第二開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)之間測(cè)量的。所述開(kāi)關(guān)電路可以包括求和電路，其具有被配置為連接到所述MOSFET的所述柵極的輸出端，并且在所述MOSFET的所述柵極與所述第一開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)之間維持偏置電壓。所述求和電路可以包括放大器，其具有放大器輸出端，放大器輸出端被連接到求和電路的輸出端；第一電阻，其被配置為將放大器的第一輸入端連接到偏置電壓；以及第二電阻，其被配置為將放大器的第一輸入端連接到第一開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)。在實(shí)施例32中，實(shí)施例I至31中的任意一個(gè)或多個(gè)的求和電路被可選擇地配置為在MOSFET裝置的柵極與MOSFET裝置的源極之間提供實(shí)質(zhì)上恒定的電壓電平。在實(shí)施例33中，實(shí)施例I至32中的任意一個(gè)或多個(gè)的開(kāi)關(guān)電路可選擇地包括第三電阻，所述第三電阻被配置為將放大器的第一輸入端連接到放大器的輸出端。在實(shí)施例34中，實(shí)施例I至33中的任意一個(gè)或多個(gè)的所述放大器的所述第一輸入端可選擇地包括反相輸入端，所述放大器的第二輸入端可選擇地包括非反相輸入端。在實(shí)施例35中，實(shí)施例I至34中的任意一個(gè)或多個(gè)的開(kāi)關(guān)電路可選擇地包括逆變器，該逆變器連接在求和電路的輸出端與輸出節(jié)點(diǎn)之間。在實(shí)施例36中，實(shí)施例I至35中的任意一個(gè)或多個(gè)的逆變器可選擇地包括具有單位增益的反相放大器。在實(shí)施例37中，實(shí)施例I至36中的任意一個(gè)或多個(gè)的開(kāi)關(guān)電路可選擇地包括第三電阻，所述第三電路被配置為將放大器的第二輸入端連接到放大器的輸出端。在實(shí)施例38中，實(shí)施例I至37中的任意一個(gè)或多個(gè)的第一輸入端可選擇地包括放大器的非反相輸入端，并且第二輸入端可選擇地包括放大器的反相輸入端。在實(shí)施例39中，實(shí)施例I至38中的任意一個(gè)或多個(gè)的開(kāi)關(guān)電路可選擇地包括第三電阻，所述第三電阻被配置為將放大器的第一輸入端連接到參考電勢(shì)。在實(shí)施例40中，實(shí)施例I至39中的任意一個(gè)或多個(gè)的第一電阻、第二電阻和第三電阻可選擇地具有實(shí)質(zhì)上相同的電阻值，并且放大器可選擇地包括約為3的增益。在實(shí)施例41中，方法包括接收MOSFET裝置的源極處的信號(hào)；在求和電路處接收偏置電壓，其中求和電路包括放大器；使用放大器來(lái)將偏置電壓和接收信號(hào)進(jìn)行求和以提供控制電壓；以及將控制電壓施加于MOSFET裝置的柵極。在實(shí)施例42中，實(shí)施例I至41中的任意一個(gè)或多個(gè)將控制電壓施加于MOSFET裝置的柵極可選擇地包括在所述MOSFET裝置的導(dǎo)通狀態(tài)下在所述MOSFET裝置的所述柵極與所述MOSFET裝置的源極之間維持實(shí)質(zhì)上恒定的電壓電平。在實(shí)施例43中，實(shí)施例I至42中的任意一個(gè)或多個(gè)的方法可選擇地包括對(duì)放大器的輸出端進(jìn)行緩沖以生成控制電壓。在實(shí)施例44中，實(shí)施例I至43中的任意一個(gè)或多個(gè)的緩沖步驟可選擇地包括對(duì)放大器的輸出端進(jìn)行反轉(zhuǎn)以生成控制電壓。實(shí)施例45可以包括實(shí)施例I至44中的任意一個(gè)或多個(gè)的任意部分或任意部分的組合或者可以可選擇地與其組合以包括可以包含以下各項(xiàng)的主題用于執(zhí)行實(shí)施例I至44的功能中的任意一個(gè)或多個(gè)的裝置、或具有當(dāng)由機(jī)器執(zhí)行時(shí)使得機(jī)器執(zhí)行實(shí)施例I至44的功能中的任意一個(gè)或多個(gè)的指令的機(jī)器可讀介質(zhì)。

上述詳細(xì)說(shuō)明包括對(duì)附圖的參照，附圖也是所述詳細(xì)說(shuō)明書(shū)的一部分。附圖以圖解的方式顯示了可應(yīng)用本發(fā)明的具體實(shí)施例。這些實(shí)施例在本發(fā)明中被稱(chēng)作“示例”。這些實(shí)施例還可以包括除了所示出或所描述的那些要素以外的要素。然而，本發(fā)明人還設(shè)想了在其中僅提供了所示出或所描述的那些要素的實(shí)施例。此外，本發(fā)明人還參照特定的實(shí)施例(或者其一個(gè)或多個(gè)方面)或者參照本文所示出或描述的其它實(shí)施例(或者其一個(gè)或多個(gè)方面)設(shè)想了使用所示出或所描述的那些要素的任意組合或排列的實(shí)施例(或者，其一個(gè)或多個(gè)方面)。本文中引用的所有公開(kāi)物、專(zhuān)利和專(zhuān)利文件都以引用的方式完整地并入本文，就如同單獨(dú)地以引用的方式并入一樣。在本文與以引用的方式并入的那些文件之間不一致的用法的情況下，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為并入的參考文件中的用法是本文的用法的補(bǔ)充；對(duì)不可調(diào)和的不一致的用法，以本文中的用法為準(zhǔn)。在本發(fā)明中，與專(zhuān)利文件通常使用的一樣，術(shù)語(yǔ)“一”或“某一”表示包括一個(gè)或多個(gè)，但其他情況或在使用“至少一個(gè)”或“一個(gè)或多個(gè)”時(shí)應(yīng)除外。在本發(fā)明中，除非另外指明，否則使用術(shù)語(yǔ)“或”指無(wú)排他性的或者，使得“A或B”包括“A但不是B”、“B但不是A”以及“A和B”。在本發(fā)明中，術(shù)語(yǔ)“包含”和“在其中”等同于各個(gè)術(shù)語(yǔ)“包括”和“其中”的通俗英語(yǔ)。同樣，在下面的權(quán)利要求中，術(shù)語(yǔ)“包含”和“包括”是開(kāi)放性的，即，系統(tǒng)、裝置、物品或步驟包括除了權(quán)利要求中這種術(shù)語(yǔ)之后所列出的那些元件以外的元件的，依然視為落在該權(quán)利要求的范圍之內(nèi)。此外，在下面的權(quán)利要求中，術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”和“第三”等僅僅用作標(biāo)簽，并非對(duì)對(duì)象有數(shù)量要求。本發(fā)明所述的方法示例可至少部分地由機(jī)器或電腦執(zhí)行。一些例子可以包括包含有指令的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)或機(jī)器可讀介質(zhì)，所述指令可操作以配置電子裝置來(lái)執(zhí)行上述示例中所述的方法。這些方法的實(shí)現(xiàn)可以包括代碼，諸如微代碼、匯編語(yǔ)言代碼、高級(jí)語(yǔ)言代碼等。這些代碼可以包括用于執(zhí)行各個(gè)方法的計(jì)算機(jī)可讀指令。這些代碼可以形成計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的一部分。進(jìn)一步地，在一個(gè)實(shí)施例中，這些代碼可以在執(zhí)行期間或其它時(shí)間期間有形地存儲(chǔ)在一個(gè)或多個(gè)易失性、非暫態(tài)或非易失性的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上。這些有形的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的示例可以包括但不限于硬盤(pán)、可移除磁盤(pán)、可移除光盤(pán)(例如，壓縮光盤(pán)和數(shù)字視頻光盤(pán))、磁帶、存儲(chǔ)卡或存儲(chǔ)棒、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、只讀存儲(chǔ)器(ROM)等。上述說(shuō)明的作用在于解說(shuō)而非限制。例如上述示例(或示例的一個(gè)或多個(gè)方面)可彼此結(jié)合使用。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在理解上述說(shuō)明書(shū)的基礎(chǔ)上使用其他實(shí)施例。遵照37C. F. R. § I. 72(b)的規(guī)定提供摘要，允許讀者快速確定本技術(shù)公開(kāi)的性質(zhì)。提交本摘要時(shí)要理解的是該摘要不用于解釋或限制權(quán)利要求的范圍或意義。同樣，在上面的具體實(shí)施方式
中，各種特征可歸類(lèi)成將本公開(kāi)內(nèi)容合理化。這不應(yīng)理解成未要求保護(hù)的公開(kāi)特征對(duì)任何權(quán)利要求是必不可少的。相反，本發(fā)明的主題可具有少于特定公開(kāi)的實(shí)施例中的所有特 征的特征。因此，下面的權(quán)利要求據(jù)此并入具體實(shí)施方式
中，每個(gè)權(quán)利要求均作為一個(gè)單獨(dú)的實(shí)施例，可以設(shè)想這些實(shí)施例可以以各種組合和排列彼此相結(jié)合。應(yīng)參看所附的權(quán)利要求以及這些權(quán)利要求所享有的等同物的所有范圍，來(lái)確定本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一種開(kāi)關(guān)電路，其定義有導(dǎo)通狀態(tài)和斷開(kāi)狀態(tài)，所述開(kāi)關(guān)電路在處于所述導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)將第一節(jié)點(diǎn)連接到第二節(jié)點(diǎn)，所述電路包括 MOSFET裝置，其包括 柵極； 源極，其被連接到所述第一節(jié)點(diǎn)；以及 漏極，其被連接到所述第二節(jié)點(diǎn)； 其中，當(dāng)所述MOSFET裝置處于所述導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，信號(hào)能夠在所述源極與所述漏極之間傳送；以及 求和電路，其具有輸出端，所述輸出端連接到所述MOSFET裝置的所述柵極，所述求和電路被配置為在所述導(dǎo)通狀態(tài)期間維持所述MOSFET裝置的所述柵極與所述MOSFET裝置的所述源極之間具有實(shí)質(zhì)上恒定的控制電壓，所述求和電路包括 電流源，其被連接到所述輸出端； 二極管網(wǎng)絡(luò)，其被連接到所述電流源，并被連接到所述第一節(jié)點(diǎn)和所 述第二節(jié)點(diǎn)中的至少一個(gè)，所述二極管網(wǎng)絡(luò)被配置為在所述導(dǎo)通狀態(tài)期間 從所述電流源接收電流；以及 控制開(kāi)關(guān)，其連接到所述輸出端，所述控制開(kāi)關(guān)被配置為在所述斷開(kāi) 狀態(tài)期間轉(zhuǎn)移來(lái)自所述二極管網(wǎng)絡(luò)的所述電流。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的開(kāi)關(guān)電路，包括緩沖器，其被連接到所述二極管網(wǎng)絡(luò)，并被連接到所述第一節(jié)點(diǎn)和所述第二節(jié)點(diǎn)中的所述至少一個(gè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的開(kāi)關(guān)電路，其中，所述控制開(kāi)關(guān)包括晶體管，所述晶體管被配置為在所述晶體管的柵極節(jié)點(diǎn)處接收控制信號(hào)。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的開(kāi)關(guān)電路，包括低壓監(jiān)控電路，其被配置為將所述控制開(kāi)關(guān)的節(jié)點(diǎn)連接到參考電壓，其中，所述參考電壓是以下兩者中的較低者接地電壓、或所述第一節(jié)點(diǎn)和所述第二節(jié)點(diǎn)中的一個(gè)處的電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的開(kāi)關(guān)電路，其中，所述低壓監(jiān)控電路包括連接到所述控制開(kāi)關(guān)的第一晶體管和第二晶體管。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的開(kāi)關(guān)電路，其中，所述低壓監(jiān)控電路的所述第一晶體管和所述第二晶體管相互交叉連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的開(kāi)關(guān)電路，其中，所述第一晶體管連接到接地；并且 其中，所述第二晶體管連接到所述第一節(jié)點(diǎn)和所述第二節(jié)點(diǎn)中的一個(gè)。
8.一種用于開(kāi)關(guān)電路的方法，包括 在MOSFET開(kāi)關(guān)的第一開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)處接收信息； 提供電流以生成所述MOSFET開(kāi)關(guān)的控制信號(hào)； 將所述電流傳送通過(guò)連接到所述MOSFET開(kāi)關(guān)的柵極節(jié)點(diǎn)以及所述第一開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的二極管網(wǎng)絡(luò)，所述電流被配置為生成所述控制信號(hào)的第一狀態(tài)，所述控制信號(hào)的所述第一狀態(tài)被配置為將所述信息從所述第一開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)傳送到所述MOSFET開(kāi)關(guān)的第二開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)；以及 將所述電流從所述二極管網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)移到參考，所轉(zhuǎn)移的電流被配置為生成所述控制信號(hào)的第二狀態(tài)，所述控制信號(hào)的所述第二狀態(tài)被配置為在所述MOSFET開(kāi)關(guān)處將所述第一開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)與所述第二開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)隔離。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，將所述電流傳送通過(guò)所述二極管網(wǎng)絡(luò)包括在所述控制信號(hào)的所述第一狀態(tài)下，在所述MOSFET裝置的所述柵極與所述MOSFET裝置的所述源極之間維持實(shí)質(zhì)上恒定的第一控制電壓電平。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，將所述電流從所述二極管網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)移到參考包括在所述控制信號(hào)的所述第二狀態(tài)下，在所述MOSFET裝置的所述柵極與所述MOSFET裝置的所述源極之間維持第二控制電壓電平。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，包括緩沖來(lái)自所述第一開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的所述電流。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，將所述電流從所述二極管網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)移到參考包括當(dāng)所述第一節(jié)點(diǎn)處的電壓大于接地電壓時(shí)，將來(lái)自所述二極管網(wǎng)絡(luò)的所述電流轉(zhuǎn)移到接地。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，將所述電流從所述二極管網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)移到參考包括當(dāng)所述第一節(jié)點(diǎn)處的電壓小于接地電壓時(shí)，將來(lái)自所述二極管網(wǎng)絡(luò)的所述電流轉(zhuǎn)移到所述第一節(jié)點(diǎn)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種開(kāi)關(guān)電路和用于開(kāi)關(guān)電路的方法。提供了用于開(kāi)關(guān)電路以向傳輸門(mén)提供實(shí)質(zhì)上恒定的柵極-源極電壓的裝置和方法。在一個(gè)實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)電路包括求和電路，該求和電路具有被配置為連接到傳輸門(mén)的柵極的輸出端，該求和電路可以被配置為維持傳輸門(mén)的柵極與源極之間的實(shí)質(zhì)上恒定的電壓。
文檔編號(hào)H03K17/16GK102790608SQ20121014742
公開(kāi)日2012年11月21日 申請(qǐng)日期2012年5月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月13日
發(fā)明者詹姆斯·約瑟夫·莫拉 申請(qǐng)人:快捷半導(dǎo)體(蘇州)有限公司, 快捷半導(dǎo)體公司