專利名稱：可變電容模塊及匹配電路模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及實(shí)現(xiàn)規(guī)定幅度的電容值的可變電容模塊及包含該可變電容模塊的匹配電路模塊。
背景技術(shù)：
以往，作為高頻收發(fā)模塊，存在各種用一個(gè)天線來(lái)收發(fā)多個(gè)通信信號(hào)的高頻模塊， 所述多個(gè)通信信號(hào)分別利用了不同的頻帶。在這樣的高頻模塊中，若例如在天線與收發(fā)電路之間不進(jìn)行匹配，則不能以較低的損耗來(lái)收發(fā)通信信號(hào)。這里，若收發(fā)環(huán)境穩(wěn)定，則在理論上，匹配所用的電容值成為固定的，但若例如是像移動(dòng)電話這樣的可能容易發(fā)生移動(dòng)、 或姿勢(shì)容易發(fā)生變化的設(shè)備，則無(wú)法用固定電容量來(lái)進(jìn)行完全匹配。因此，例如在專利文獻(xiàn)1所記載的RFMEMS元件中，使用MEMS(微電子機(jī)械系統(tǒng)(Micro Electro Mechanical System))作為電容元件，形成電極面彼此互相相對(duì)的接地電極和可動(dòng)電極，在接地電極與可動(dòng)電極之間適當(dāng)?shù)卦O(shè)定微小間隔，從而實(shí)現(xiàn)匹配所需要的、所希望的可變電容值。專利文獻(xiàn)1 日本專利特開(kāi)2003-258502號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
然而，如上所述，在現(xiàn)有的高頻模塊中，由于用一個(gè)天線來(lái)收發(fā)多個(gè)通信信號(hào)，因此，必須使電容值相對(duì)于各個(gè)通信信號(hào)可變。因而，所需要的可變電容范圍也會(huì)發(fā)生變化， 作為高頻模塊所需要的電容范圍會(huì)變大。此時(shí)，一般采用形成多個(gè)MEMS元件并將它們并聯(lián)連接的結(jié)構(gòu)，但通過(guò)像這樣將多個(gè)MEMS元件形成于同一基板上，會(huì)增大基板尺寸。而且，由于如上述專利文獻(xiàn)1所示那樣用半導(dǎo)體制造工藝來(lái)形成MEMS元件，因此，這樣基板尺寸會(huì)增大，從而會(huì)導(dǎo)致成本大幅上升。另外，在一塊基板上形成有多個(gè)MEMS元件的情況下，會(huì)產(chǎn)生形成有效分量、從而難以使電容在較寬的頻帶中可變的問(wèn)題。因此，本發(fā)明的目的在于，實(shí)現(xiàn)一種能可靠且便宜地實(shí)現(xiàn)所需要的各種可變電容范圍的可變電容模塊。進(jìn)而，通過(guò)使用該可變電容模塊，從而便宜地實(shí)現(xiàn)能在所需要的各種阻抗匹配范圍內(nèi)可靠地進(jìn)行匹配的匹配電路模塊。本發(fā)明的可變電容模塊包括可變電容元件、第一固定電容元件、以及第二固定電容元件?？勺冸娙菰哂幸?guī)定的可變電容量幅度。第一固定電容元件與可變電容元件進(jìn)行串聯(lián)連接，并安裝于安裝有可變電容元件的層疊基板上、或由層疊基板的內(nèi)層平板電極形成。第二固定電容元件與可變電容元件和第一固定電容元件的串聯(lián)電路進(jìn)行并聯(lián)連接， 并安裝于安裝有可變電容元件的層疊基板上、或由層疊基板的內(nèi)層平板電極形成。更具體而言，特別是對(duì)于本發(fā)明的可變電容模塊，可變電容元件由MEMS元件形成。在該結(jié)構(gòu)中，可變電容電路由可變電容元件、第一固定電容元件、以及第二固定電容元件形成。這里，若將可變電容元件的電容量設(shè)為Cv，將第一固定電容元件的電容量設(shè)為 Cl，將第二固定電容元件的電容量設(shè)為C2，則作為可變電容電路、即可變電容模塊的合成電容量Cm如下式所示。[數(shù)學(xué)式1] CvCm = Cv /1 +CV/ C1 +C2因而，可變電容模塊的合成電容量Cm通過(guò)第一固定電容元件和第二固定電容元件的組合，而變得比單純只使用可變電容元件的電容量Cv的情況要多樣。而且，由于只有可變電容元件是MEMS元件，而第一固定電容元件和第二固定電容元件是通過(guò)不使用MEMS 元件的一般的貼片元器件或形成于層疊基板中的內(nèi)層平板電極來(lái)實(shí)現(xiàn)的，因此，比全部都由多個(gè)MEMS元件形成的模塊要便宜，且不會(huì)產(chǎn)生寄生電容。另外，本發(fā)明的可變電容模塊的可變電容元件將可變電容量幅度進(jìn)行固定。將第二固定電容元件設(shè)定為成為模塊所希望的可變電容范圍的基準(zhǔn)的電容值。將第一固定電容元件設(shè)定為決定作為模塊所希望的可變電容間距的電容值。在該結(jié)構(gòu)中，即使可變電容元件是一種，但通過(guò)適當(dāng)設(shè)定第一固定電容元件和第二固定電容元件的電容量，也能容易地實(shí)現(xiàn)作為模塊所希望的可變電容范圍和可變間距。另外，本發(fā)明的可變電容模塊的第一固定電容元件和第二固定電容元件都由內(nèi)層平板電極所形成，并且，利用第一固定電容元件和第二固定電容元件這兩者所共用的內(nèi)層平板電極，來(lái)形成本發(fā)明的可變電容模塊的第一固定電容元件和第二固定電容元件。在該結(jié)構(gòu)中，與分別單獨(dú)形成第一固定電容元件和第二固定電容元件相比，通過(guò)共用成為這些元件彼此連接的連接端一側(cè)的內(nèi)層平板電極，能實(shí)現(xiàn)小型化。另外，由于在第一固定電容元件與第二固定電容元件之間沒(méi)有連接電極圖案，因此，不會(huì)發(fā)生該連接電極圖案與層疊基板內(nèi)的其他電極進(jìn)行無(wú)用的高頻耦合等問(wèn)題，從而能防止特性惡化。另外，本發(fā)明的可變電容模塊的第一固定電容元件和第二固定電容元件形成于層疊基板中的、安裝有可變電容元件的區(qū)域的下層。在該結(jié)構(gòu)中，由于構(gòu)成可變電容模塊的各元件沿層疊基板的層疊方向進(jìn)行排列， 并在對(duì)該層疊基板進(jìn)行俯視的狀態(tài)下集中地進(jìn)行配置，因此，能實(shí)現(xiàn)小型化。另外，由于能縮短連接構(gòu)成這些可變電容模塊的各元件的連接電極圖案，因此，能防止特性惡化，并能容易地形成該連接電極圖案。由此，能實(shí)現(xiàn)特性優(yōu)異的小型的可變電容模塊，所述可變電容模塊能實(shí)現(xiàn)如上所述的多樣的可變電容范圍。另外，本發(fā)明的匹配電路模塊包括上述的可變電容模塊，并包括形成于或安裝于層疊基板的電感器。然后，利用形成于層疊基板的電極圖案來(lái)連接可變電容模塊和電感器， 從而構(gòu)成LC電路網(wǎng)。在該結(jié)構(gòu)中，只要通過(guò)在形成有如上所述的可變電容模塊的層疊基板形成電感器，并將可變電容模塊和電感器與規(guī)定電路圖案相連接，就能形成匹配電路模塊。此時(shí)，由于可變電容模塊是能如上所述那樣實(shí)現(xiàn)多樣的可變電容范圍的模塊，因此，也能多樣地設(shè)定匹配電路模塊的阻抗匹配范圍。由此，可以實(shí)現(xiàn)能設(shè)定多樣的阻抗匹配范圍的、小型的匹配電路模塊。另外，本發(fā)明的匹配電路模塊包括由形成于層疊基板的短截線用電極所形成的、 與LC電路網(wǎng)相連接的開(kāi)路短截線。在該結(jié)構(gòu)中，通過(guò)進(jìn)一步將開(kāi)路短截線與LC電路網(wǎng)相連接，能利用開(kāi)路短截線，使得能由LC電路網(wǎng)進(jìn)行匹配的阻抗匹配范圍在不同的阻抗匹配范圍內(nèi)有很大的變化。此時(shí)，由于能通過(guò)調(diào)整開(kāi)路短截線的線路長(zhǎng)度等來(lái)設(shè)定偏移量，因此，能設(shè)定更多樣的阻抗匹配范圍。此時(shí)，由于開(kāi)路短截線由形成于層疊基板的短截線用電極形成，因此，匹配電路模塊不會(huì)大幅增大。即，能實(shí)現(xiàn)既能抑制占有面積增大、又能在更大的阻抗匹配范圍之中進(jìn)行適當(dāng)?shù)淖杩蛊ヅ涞钠ヅ潆娐纺K。另外，本發(fā)明的匹配電路模塊使用短截線用電極的電極長(zhǎng)度各不相同的多個(gè)開(kāi)路短截線作為開(kāi)路短截線。在該結(jié)構(gòu)中，通過(guò)設(shè)置多個(gè)開(kāi)路短截線，能設(shè)定更多樣的阻抗匹配范圍。另外，本發(fā)明的匹配電路模塊在LC電路網(wǎng)與開(kāi)路短截線之間具有開(kāi)關(guān)元件。在該結(jié)構(gòu)中，若利用開(kāi)關(guān)元件將開(kāi)路短截線從LC電路網(wǎng)斷開(kāi)，則能設(shè)定LC電路網(wǎng)單獨(dú)的阻抗匹配范圍，若利用開(kāi)關(guān)元件將開(kāi)路短截線與LC電路網(wǎng)相連接，則能利用開(kāi)路短截線，使LC電路網(wǎng)單體的阻抗匹配范圍在不同的阻抗匹配范圍內(nèi)有很大的變化。由此，由于能利用開(kāi)關(guān)元件的通/斷控制來(lái)設(shè)定兩個(gè)阻抗匹配范圍，因此，能在更大的阻抗匹配范圍內(nèi)進(jìn)行匹配。另外，本發(fā)明的匹配電路模塊對(duì)短截線用電極的電極長(zhǎng)度進(jìn)行設(shè)定，使得利用開(kāi)路短截線進(jìn)行切換的阻抗匹配范圍不重疊。在該結(jié)構(gòu)中，利用上述開(kāi)關(guān)元件的通/斷控制使阻抗匹配范圍不重疊，從而能利用開(kāi)關(guān)元件來(lái)有效地?cái)U(kuò)大阻抗匹配范圍。另外，利用形成于層疊基板的電感器用電極來(lái)形成本發(fā)明的匹配電路模塊的電感器，形成電感器用電極和短截線用電極，使它們?cè)趯?duì)層疊基板進(jìn)行俯視時(shí)不重疊。在該結(jié)構(gòu)中，由于電感器用電極的電極面不與短截線用電極的電極面相對(duì)，因此， 電感器與開(kāi)路短截線幾乎不會(huì)發(fā)生高頻耦合，從而容易設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)所希望的阻抗匹配范圍的電路。另外，在本發(fā)明的匹配電路模塊中，形成短截線用電極、以及內(nèi)層平板電極，使它們?cè)趯?duì)層疊基板進(jìn)行俯視時(shí)不重疊，所述內(nèi)層平板電極用來(lái)形成第一固定電容元件和第二固定電容元件。在該結(jié)構(gòu)中，由于形成第一固定電容元件和第二固定電容元件的內(nèi)層平板電極不與短截線用電極相對(duì)，因此，第一固定電容元件和第二固定電容元件幾乎不會(huì)與開(kāi)路短截線發(fā)生高頻耦合，從而容易設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)所希望的阻抗匹配范圍的電路。根據(jù)本發(fā)明，能可靠且便宜地實(shí)現(xiàn)能設(shè)定所需要的各種可變電容范圍的可變電容模塊。此外，通過(guò)使用這樣的可變電容模塊，能可靠且便宜地實(shí)現(xiàn)能設(shè)定所需要的各種阻抗匹配范圍的小型的匹配電路模塊。


圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的匹配電路模塊1的等效電路圖。圖2是本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的匹配電路模塊1的層疊圖。圖3是表示與可變電容元件Cv、與該可變電容元件Cv進(jìn)行串聯(lián)連接的串聯(lián)固定電容元件Cse、以及與這些可變電容元件Cv和串聯(lián)固定電容元件Cse的串聯(lián)電路進(jìn)行并聯(lián)的并聯(lián)固定電容元件Csh的各種組合相對(duì)應(yīng)的、可變電容電路的合成電容量Ct及電容量的間距寬AC的特性的圖。圖4是表示與是否連接開(kāi)路短截線Mub和開(kāi)路短截線Mub的長(zhǎng)度的變化相對(duì)應(yīng)的、阻抗匹配范圍的變化的圖。圖5是表示開(kāi)路短截線Mub的變化的框圖。圖6是表示LC電路網(wǎng)的變化的電路圖。
具體實(shí)施例方式參照附圖，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的匹配電路模塊進(jìn)行說(shuō)明。圖1是本實(shí)施方式的匹配電路模塊1的等效電路圖。如圖1所示，本實(shí)施方式的匹配電路模塊1具有以下電路結(jié)構(gòu)即，包括第一輸入輸出端P1、以及第二輸入輸出端P2， 在第一輸入輸出端Pl與第二輸入輸出端P2之間，插入有LC電路網(wǎng)10。LC電路網(wǎng)10的第一輸入輸出端Pl —側(cè)的端部與開(kāi)關(guān)元件SW的一端相連接，該開(kāi)關(guān)SW的另一端與開(kāi)路短截線Mub相連接。LC電路網(wǎng)10具有串聯(lián)連接在第一輸入輸出端Pl與第二輸入輸出端P2之間的電感器Ll和電感器L2。此時(shí)，第一輸入輸出端Pl —側(cè)是電感器Li，第二輸入輸出端P2 —側(cè)是電感器L2。在電感器Ll的第一輸入輸出端Pl —側(cè)的端部與接地之間，連接有可變電容元件 Cvl0在電感器Ll和電感器L2的連接點(diǎn)與接地之間，連接有可變電容元件Cv2。在電感器L2的第二輸入輸出端P2 —側(cè)的端部與接地之間，連接有構(gòu)成本發(fā)明的 “可變電容模塊”的可變電容電路11。將固定電容元件Ce2(相當(dāng)于本發(fā)明的第二固定電容元件)與固定電容元件Cel (相當(dāng)于本發(fā)明的第一固定電容元件)和可變電容元件Cv3的串聯(lián)電路進(jìn)行并聯(lián)連接，從而形成可變電容電路11。另外，將可變電容電路12與電感器L1、L2的串聯(lián)電路進(jìn)行并聯(lián)連接。將固定電容元件Ce4(相當(dāng)于本發(fā)明的第二固定電容元件)與固定電容元件Ce3(相當(dāng)于本發(fā)明的第一固定電容元件)和可變電容元件Cv4的串聯(lián)電路進(jìn)行并聯(lián)連接，從而形成可變電容電路12。接著，參照?qǐng)D2，對(duì)本實(shí)施方式的匹配電路模塊的原理性結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。另外，圖2 是本實(shí)施方式的匹配電路模塊1的層疊圖。在圖2中，將最下層設(shè)為第1層，將最上層設(shè)為第17層，以層編號(hào)從下層側(cè)起逐漸增加的方式來(lái)進(jìn)行記載。另外，圖2的各層所記載的〇 標(biāo)記表示通孔，起到將形成于各絕緣層上的電極圖案沿層疊方向彼此導(dǎo)通的功能。如圖2所示，匹配電路模塊1包括具有17層的層疊基板。在層疊基板1的第1層的背面、即匹配電路模塊1本身的安裝面上，形成有用于安裝該匹配電路模塊1本身的連接盤(pán)。在該第1層的背面上，還形成有與第一輸入輸出端Pl和第二輸入輸出端P2相對(duì)應(yīng)的連接盤(pán)。在第1層的表面上，在從層疊方向來(lái)看不與成為第一輸入輸出端Pl和第二輸入輸出端P2的連接盤(pán)重疊的幾乎整個(gè)面上都形成有接地電極GND。將該接地電極GND兼用作固定電容元件Cel的構(gòu)成相對(duì)電極的一個(gè)電極Celb、以及固定電容元件Ce2的構(gòu)成相對(duì)電極的一個(gè)電極Cdb。在第2層的表面上，利用規(guī)定形狀的平板電極圖案，形成有固定電容元件Cel的構(gòu)成相對(duì)電極的另一個(gè)電極Cela、以及固定電容元件Ce2的構(gòu)成相對(duì)電極的另一個(gè)電極Ce2a。在第3層的表面上，以與第1層表面基本相同的形狀，形成有接地電極GND。該接地電極GND兼用作固定電容元件Cel的構(gòu)成相對(duì)電極的一個(gè)電極Celb、以及固定電容元件 Ce2的構(gòu)成相對(duì)電極的一個(gè)電極Ce2b。這樣，利用第1層 第3層，來(lái)形成固定電容元件Ce 1、Ce2。在第4層、第5層上，只形成有通孔。由此，固定電容元件Cel、Ce2的形成區(qū)域在層疊方向上與后述的電感器Li、L2和開(kāi)路短截線Mub的形成區(qū)域隔開(kāi)兩層左右來(lái)進(jìn)行配置。從層疊方向來(lái)看，第6層 第8層被與接地電極相連接的通孔劃分成兩個(gè)區(qū)域，在第一區(qū)域AlOl中，形成有構(gòu)成電感器Li、L2的線形電極圖案。另外，在第二區(qū)域A102中， 形成有構(gòu)成開(kāi)路短截線Mub的線形電極圖案。即，形成電感器L1、L2的線形電極圖案和開(kāi)路短截線Mub的線形電極圖案，使它們?cè)趶膶盈B方向來(lái)看時(shí)不重合。這樣，將開(kāi)路短截線 Stub和電感器L1、L2分開(kāi)配置于第一區(qū)域AlOl和第二區(qū)域A102中，從而能提高兩者的隔離性。另外，用與接地電極相連接的通孔進(jìn)行分隔，從而能進(jìn)一步提高隔離特性。此外，形成電感器Ll的線形電極圖案和電感器L2的線形電極圖案，也使它們?cè)趶膶盈B方向來(lái)看時(shí)不重合。另外，開(kāi)路短截線Mub的線形電極圖案形成得比電感器L1、L2的線形電極圖案的
寬度要寬。在第9層、第10層、以及第11層上，只形成有通孔。由此，電感器L1、L2和開(kāi)路短截線Mub的形成區(qū)域在層疊方向上與后述的固定電容元件Ce3、Ce4的形成區(qū)域隔開(kāi)三層左右來(lái)進(jìn)行配置。在第12層的第一區(qū)域AlOl中，利用規(guī)定形狀的平板電極圖案，形成有固定電容元件Ce4的相對(duì)電極的一個(gè)電極CMa。此時(shí)，形成固定電容元件Ce4的一個(gè)電極( ,以將其配置于第三區(qū)域A103內(nèi)，所述第三區(qū)域A103與從層疊方向來(lái)看位于最上層的第17層上的MEMS元件的安裝區(qū)域相同。在第13層的第一區(qū)域AlOl與第三區(qū)域A103的交叉區(qū)域中，利用規(guī)定形狀的平板電極圖案，形成有固定電容元件Ce4的相對(duì)電極的另一個(gè)電極Ce4b。該固定電容元件Ce4 的另一個(gè)電極Ce4b兼用作固定電容元件Ce3的相對(duì)電極的一個(gè)電極Cdb。在第14層的第一區(qū)域AlOl與第三區(qū)域A103的交叉區(qū)域中，利用規(guī)定形狀的平板電極圖案，形成有固定電容元件Ce3的相對(duì)電極的另一個(gè)電極Ce3a。在第15層上，只形成有通孔，在第16層上，只形成有通孔和走線電極圖案。在第17層的表面、即構(gòu)成匹配電路模塊1的層疊基板的上表面上，形成有安裝開(kāi)關(guān)元件SW、以及包含可變電容元件Cvl Cv4的MEMS元件Cmems的連接盤(pán)電極，在分別對(duì)應(yīng)的連接盤(pán)上，安裝有開(kāi)關(guān)元件SW和MEMS元件Cmem^這樣，通過(guò)使用本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)，能用設(shè)置于層疊基板內(nèi)部的電極來(lái)實(shí)現(xiàn)電感器Li、L2、短截線Stub、和固定電容元件Cel Ce4，并能用安裝于層疊基板上的單個(gè)元器件的MEMS元件來(lái)實(shí)現(xiàn)可變電容元件Cvl Cv4。接著，對(duì)作為本實(shí)施方式的匹配電路模塊的特征性功能部的可變電容電路進(jìn)行說(shuō)明。
對(duì)于可變電容電路11、12，將固定電容元件與可變電容元件進(jìn)行串聯(lián)連接，并將固定電容元件與該串聯(lián)連接電路進(jìn)行并聯(lián)連接，從而既能只以可變電容元件Cv3或可變電容元件Cv4來(lái)構(gòu)成這些可變電容電路，又能實(shí)現(xiàn)多樣的電容量。例如，將各個(gè)電容元件的標(biāo)號(hào)設(shè)為各個(gè)電容量，從而根據(jù)下式來(lái)獲得可變電容電路11的合成電容量Ctll。[數(shù)學(xué)式2]
權(quán)利要求
1.一種可變電容模塊，其特征在于，包括可變電容元件，該可變電容元件具有由MEMS元件所形成的規(guī)定的可變電容量幅度； 第一固定電容元件，該第一固定電容元件與所述可變電容元件進(jìn)行串聯(lián)連接，并安裝于安裝有所述可變電容元件的層疊基板上、或由所述層疊基板的內(nèi)層平板電極形成；以及第二固定電容元件，該第二固定電容元件與所述可變電容元件和所述第一固定電容元件的串聯(lián)電路進(jìn)行并聯(lián)連接，并安裝于安裝有所述可變電容元件的層疊基板上、或由所述層疊基板的內(nèi)層平板電極形成。
2.如權(quán)利要求1所述的可變電容模塊，其特征在于， 所述可變電容元件將所述可變電容量幅度進(jìn)行固定，將所述第二固定電容元件設(shè)定為成為模塊所希望的可變電容范圍的基準(zhǔn)的電容值， 將所述第一固定電容元件設(shè)定為決定作為所述模塊所希望的可變電容間距的電容值。
3.如權(quán)利要求1或2所述的可變電容模塊，其特征在于，所述第一固定電容元件和所述第二固定電容元件都由所述內(nèi)層平板電極所形成，并且，利用所述第一固定電容元件和所述第二固定電容元件這兩者所共用的內(nèi)層平板電極， 來(lái)形成所述第一固定電容元件和所述第二固定電容元件。
4.如權(quán)利要求3所述的可變電容模塊，其特征在于，所述第一固定電容元件和所述第二固定電容元件形成于所述層疊基板中的、安裝有所述可變電容元件的區(qū)域的下層。
5.如權(quán)利要求1至4的任一項(xiàng)所述的可變電容模塊，其特征在于， 用MEMS元件作為所述可變電容元件。
6.一種匹配電路模塊，其特征在于，所述匹配電路模塊包括如權(quán)利要求1至5的任一項(xiàng)所述的可變電容模塊， 并包括形成于或安裝于所述層疊基板的電感器，利用形成于所述層疊基板的電極圖案來(lái)連接所述可變電容模塊和所述電感器，從而構(gòu)成LC電路網(wǎng)。
7.如權(quán)利要求6所述的匹配電路模塊，其特征在于，包括由形成于所述層疊基板的短截線用電極所形成的、與所述LC電路網(wǎng)相連接的開(kāi)路短截線。
8.如權(quán)利要求7所述的匹配電路模塊，其特征在于，所述開(kāi)路短截線包括所述短截線用電極的電極長(zhǎng)度各不相同的多個(gè)開(kāi)路短截線。
9.如權(quán)利要求7或8所述的匹配電路模塊，其特征在于， 在所述LC電路網(wǎng)與所述開(kāi)路短截線之間具有開(kāi)關(guān)元件。
10.如權(quán)利要求9所述的匹配電路模塊，其特征在于，對(duì)所述短截線用電極的電極長(zhǎng)度進(jìn)行設(shè)定，使得利用所述開(kāi)路短截線進(jìn)行切換的阻抗匹配范圍不重疊。
11.如權(quán)利要求6至10的任一項(xiàng)所述的匹配電路模塊，其特征在于， 利用形成于所述層疊基板的電感器用電極來(lái)形成所述電感器，形成所述電感器用電極和所述短截線用電極，使它們?cè)趯?duì)所述層疊基板進(jìn)行俯視時(shí)不
12.如權(quán)利要求6至11的任一項(xiàng)所述的匹配電路模塊，其特征在于， 形成所述短截線用電極、以及所述內(nèi)層平板電極，使它們?cè)趯?duì)所述層疊基板進(jìn)行俯視時(shí)不重疊，所述內(nèi)層平板電極用來(lái)形成所述第一固定電容元件和所述第二固定電容元件。
全文摘要
本發(fā)明便宜地實(shí)現(xiàn)小型的可變電容模塊，所述可變電容模塊能可靠且便宜地實(shí)現(xiàn)所需要的各種可變電容范圍?？勺冸娙蓦娐?11)包括可變電容元件(Cv3)、以及固定電容元件(Ce1、Ce2)。將可變電容元件(Cv3)與固定電容元件(Ce1)進(jìn)行串聯(lián)連接，將該串聯(lián)電路與固定電容元件(Ce2)進(jìn)行并聯(lián)連接。由此，可變電容電路的合成電容量的范圍以固定電容元件(Ce2)的電容量為基準(zhǔn)，利用可變電容元件(Cv3)與固定電容元件(Ce1)的合成電容量來(lái)給出電容量的間距寬ΔC。此時(shí)，固定電容元件(Ce1、Ce2)由層疊基板的內(nèi)層平板電極來(lái)實(shí)現(xiàn)，可變電容元件(Cv3)由安裝于層疊基板的上表面的MEMS元件來(lái)實(shí)現(xiàn)。
文檔編號(hào)H03H7/38GK102356440SQ20108001357
公開(kāi)日2012年2月15日 申請(qǐng)日期2010年3月25日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月30日
發(fā)明者利根川謙, 原田哲郎, 永井智浩 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所