專利名稱：一種用于高壓集成電路的延時(shí)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及延時(shí)電路和濾波電路技術(shù)，尤其涉及高壓集成電路(HVIC)中的 對(duì)輸入信號(hào)的延時(shí)和濾波控制電路，該延時(shí)電路還涉及到高壓集成電路中的高壓DMOS技 術(shù)。
背景技術(shù)：
高壓集成電路是一種帶有欠壓保護(hù)、邏輯控制等功能的柵極驅(qū)動(dòng)電路，它將電 力電子與半導(dǎo)體技術(shù)結(jié)合，逐漸取代傳統(tǒng)的分立元件，越來越多地被應(yīng)用在IGBT、大功率 MOSFET的驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域。高壓集成電路的核心部分是電平轉(zhuǎn)換電路，該電路的功能是在同一晶 圓上將對(duì)地0 15V的信號(hào)轉(zhuǎn)換成對(duì)地600V 615V的信號(hào)。因?yàn)閼?yīng)用場(chǎng)合的需要，輸入信號(hào)進(jìn)入高壓集成電路內(nèi)部后，通常需要一個(gè)延時(shí)電 路對(duì)信號(hào)進(jìn)行延時(shí)處理，該延時(shí)電路的作用是使輸入信號(hào)的上升沿延時(shí)長(zhǎng)于下降沿延時(shí)， 處理后的信號(hào)進(jìn)入脈沖發(fā)生電路，脈沖發(fā)生電路使信號(hào)的上升沿和下降沿分別產(chǎn)生一個(gè)脈 沖去控制后續(xù)的電平轉(zhuǎn)換電路中的高壓DMOS的導(dǎo)通，從而使低壓區(qū)的信號(hào)傳入高壓區(qū)。但是，由于電路外部的干擾或者是由于輸入信號(hào)中帶有干擾信號(hào)，使輸入信號(hào)中 存在一些比噪聲寬比通常的有效信號(hào)窄的脈沖，這些脈沖可能使高壓集成電路的輸出端產(chǎn) 生持續(xù)的高電平而不能復(fù)位到低電平，從而導(dǎo)致高壓集成電路產(chǎn)生誤動(dòng)作。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于解決現(xiàn)有技術(shù)的上述不足，提供一種用于高壓集成電路的 延時(shí)電路，即考慮更周全的針對(duì)高壓集成電路的新型延時(shí)電路，該延時(shí)電路電路考慮到了 復(fù)雜的應(yīng)用場(chǎng)合，確保低壓區(qū)的輸入信號(hào)都能成功傳送至高壓區(qū)，避免了高壓集成電路發(fā) 生誤動(dòng)作，從而能有效提高高壓集成電路的可靠性。所述的一種用于高壓集成電路的延時(shí)電路，由延時(shí)電路、脈沖發(fā)生電路和電平轉(zhuǎn) 換電路組成，所述延時(shí)電路是限窄延時(shí)電路，所述限窄延時(shí)電路由低壓側(cè)電源(VCC-GND) 進(jìn)行供電，輸入信號(hào)連接至限窄延時(shí)電路的輸入端，限窄延時(shí)電路的輸出端連接脈沖發(fā)生 電路的輸入端，所述脈沖發(fā)生電路由低壓側(cè)電源(VCC-GND)進(jìn)行供電，脈沖發(fā)生電路的兩 輸出端連接電平轉(zhuǎn)換電路的兩輸入端，所述電平轉(zhuǎn)換電路由高壓側(cè)電源(VB-VS)進(jìn)行供 電。所述限窄延時(shí)電路用于在輸入信號(hào)VIN的脈沖寬度較寬時(shí)，實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)延時(shí)電路的功能， 為輸入信號(hào)脈沖VIN的上升沿產(chǎn)生延時(shí)TON，為輸入信號(hào)脈沖VIN的下降沿產(chǎn)生延時(shí)T0FF， 并使TON > TOFF ；并且能夠在輸入信號(hào)VIN的脈沖寬度較窄時(shí)，保證經(jīng)過限窄延時(shí)電路后 的脈沖信號(hào)寬度不小于某一預(yù)定值TMIN，TMIN是確保電平轉(zhuǎn)換電路能正常工作，使信號(hào)能 從低壓區(qū)向高壓區(qū)正確傳送的最小信號(hào)寬度。所述限窄延時(shí)電路的構(gòu)成是輸入信號(hào)VIN連接第一 PMOS管和第一 NMOS管的柵 極，所述第一 PMOS管的源極和襯底相連并接到VCC，所述第一 NMOS管的源極和襯底相連并 接到GND，第一 PMOS管的漏極接到第一電阻的一端，第一 NMOS管的漏極接到第二電阻的一端，所述第一電阻的另一端和所述第二電阻的另一端相連并接到第一電容的一端和施密特 觸發(fā)器的輸入端，所述第一電容的另一端與GND相連，所述施密特觸發(fā)器的輸出端鏈接脈 沖發(fā)生電路的輸入端。所述第一電阻阻值為RON、所述第二電阻阻值為R0FF，所述第一電容容值為C，施 密特觸發(fā)器的高電平觸發(fā)電壓為VTHVH、低電平觸發(fā)電壓為VTHVL。當(dāng)輸入信號(hào)VIN的脈沖寬度較寬時(shí)
權(quán)利要求1.一種用于高壓集成電路的延時(shí)電路，由延時(shí)電路、脈沖發(fā)生電路和電平轉(zhuǎn)換電路組 成，其特征在于所述延時(shí)電路是限窄延時(shí)電路(801)，由低壓側(cè)電源(VCC-GND)進(jìn)行供電， 輸入信號(hào)連接至限窄延時(shí)電路(801)的輸入端，限窄延時(shí)電路(801)的輸出端連接脈沖發(fā) 生電路(80 的輸入端，所述脈沖發(fā)生電路(802)由低壓側(cè)電源(VCC-GND)進(jìn)行供電，脈沖 發(fā)生電路(80 的兩輸出端連接電平轉(zhuǎn)換電路(80 的兩輸入端，所述電平轉(zhuǎn)換電路(803) 由高壓側(cè)電源(VB-VS)進(jìn)行供電，所述限窄延時(shí)電路(801)用于在輸入信號(hào)VIN的脈沖寬 度較寬時(shí)，實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)延時(shí)電路的功能，為輸入信號(hào)脈沖VIN的上升沿產(chǎn)生延時(shí)TON，為輸入 信號(hào)脈沖VIN的下降沿產(chǎn)生延時(shí)T0FF，并使TON > TOFF ；并且能夠在輸入信號(hào)VIN的脈沖寬 度較窄時(shí)，保證經(jīng)過限窄延時(shí)電路(801)后的脈沖信號(hào)寬度不小于某一預(yù)定值TMIN，TMIN 是確保電平轉(zhuǎn)換電路能正常工作，使信號(hào)能從低壓區(qū)向高壓區(qū)正確傳送的最小信號(hào)寬度。
2.如權(quán)利要求1所述的一種用于高壓集成電路的延時(shí)電路，其特征在于所述限窄延 時(shí)電路(801)由低壓側(cè)電源供電，所述低壓側(cè)電源的正端為VCC、負(fù)端為GND，所述限窄延時(shí) 電路(801)的構(gòu)成是輸入信號(hào)VIN端連接第一 PMOS管(804)和第一 NMOS管(805)的柵 極，所述第一 PMOS管(804)的源極和襯底相連并接到VCC，所述第一 NMOS管(805)的源極 和襯底相連并接到GND，第一 PMOS管(804)的漏極接到第一電阻(806)的一端，第一 NMOS 管(805)的漏極接到第二電阻(807)的一端，所述第一電阻(806)的另一端和所述第二電 阻(807)的另一端相連并接到第一電容(800)的一端和施密特觸發(fā)器(808)的輸入端，所 述第一電容(800)的另一端與GND相連，所述施密特觸發(fā)器(808)的輸出端鏈接脈沖發(fā)生 電路(802)的輸入端。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種用于高壓集成電路的延時(shí)電路，由限窄延時(shí)電路、脈沖發(fā)生電路和電平轉(zhuǎn)換電路組成，輸入信號(hào)連接至限窄延時(shí)電路的輸入端，限窄延時(shí)電路的輸出端連接脈沖發(fā)生電路的輸入端，脈沖發(fā)生電路的兩輸出端連接電平轉(zhuǎn)換電路的兩輸入端，所述限窄延時(shí)電路用于在輸入信號(hào)VIN的脈沖寬度較寬時(shí)，實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)延時(shí)電路的功能，為輸入信號(hào)VIN的上升沿產(chǎn)生延時(shí)TON，為輸入信號(hào)脈沖VIN的下降沿產(chǎn)生延時(shí)TOFF，并使TON＞TOFF；并且能夠在輸入信號(hào)VIN的脈沖寬度較窄時(shí)，保證經(jīng)過限窄延時(shí)電路后的信號(hào)的脈沖寬度不小于某一預(yù)定值TMIN。該電路能夠確保低壓區(qū)的輸入信號(hào)都能成功傳送至高壓區(qū)，避免了高壓集成電路發(fā)生誤動(dòng)作，從而能有效提高高壓集成電路的可靠性。
文檔編號(hào)H03K5/13GK201878108SQ20102058782
公開日2011年6月22日 申請(qǐng)日期2010年11月2日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月2日
發(fā)明者馮宇翔, 吳建興, 吳美飛 申請(qǐng)人:杭州士蘭微電子股份有限公司