專利名稱：：振蕩電路的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及振蕩電路，特別是涉及可以從一個水晶振動器中獲得多個振蕩頻率的振蕩電路。技術背景以前，采用水晶振動器轉換頻率的振蕩器，必須是振蕩不同頻率的2個振蕩電路，通過釆用開關的轉換擇2個振蕩電路內的某一個來獲得不同的振蕩頻率的方法。例如，計時器中搭載兩個振蕩電路，將l個水晶振蕩器作為時間計量使用，采用另外的1個水晶振蕩器作為控制使用。另外，例如，在控制基板中，采用兩個水晶振蕩器的兩個頻率被分另啦制4頓。作為這種振蕩電路，例如從專禾忟獻l-3中獲得。[專利文獻l]特開2004_140817號公報[專利文獻2]特開2005—167572號公報[專利文獻3]特開2005—86378號公報
發(fā)明內容發(fā)明戶;i軍決的技術問題雖然，在專利文獻1到3中示出的振蕩電路中，存在這樣的問題，為了轉換頻率，由于2個水晶振動器和其振蕩電路是必要的，因此其面積變大、成本也升高。另外，在采用水晶振動器計量時亥啲計時器中，在該計時器的功能測試瞎況下，用于計量時刻的水晶振動器頻率，例如32.768Khz下進行功能觀賦。由于采用該時亥附量用的水晶振動器下頻率比較慢，存在計時器的功能測試中需要的時間變長這樣的問題。作為該功能測試，例如，來自采用水晶振蕩器的振蕩電路的32.768Khz雖然被分頻電路分頻后生成lHz，但是該分頻回路在正常分頻時存在檢查是否的測試。另外，為了該功能測試，不采用來自振蕩電路的頻率，在計時器中輸入來自外部的頻率5K行功能測試也是可以的，但是這種情況下，存在這樣的問題，計時器的功能測試本身需要的時間變短，而不能進行振蕩器本身的觀賦。本發(fā)明為了克月讓述缺陷，其致力于提供一種能夠從一個水晶振動器(振蕩振動器)獲得多個振蕩頻率的振蕩電路。解決問題的手段本發(fā)明為了解決，問題，本發(fā)明的振蕩電路為如下構成。一種振蕩電路，其特征在于具有振蕩振動器；與，振蕩振動器并列連接的振蕩逆變器；與，振蕩逆變器的輸出端子連接的阻尼電阻；和與上述振蕩逆變器并列連接的電阻值可變的反饋電阻。另外，一種振蕩電路，其中上述振蕩電路具有改變上述振蕩逆變器的電流驅動能力的振蕩逆變器開關。另外，一種振蕩電路，其特征在于具有振蕩振動器；與上述振蕩振動器并列連接的振蕩逆變器；與上述振蕩逆變器的輸出端子連接的阻尼電阻；與上述振蕩逆變器并列連接的反饋電阻；和改變上述振蕩逆變器的電流驅動能力的振蕩逆變器開關。另外，一種振蕩電路，其中所述反饋電阻的電阻值是可變的。另外，一種振蕩電路，其中上述反饋電阻由第一反饋電阻、第二反饋電阻、與所述第二反饋電阻并列連接的反饋電阻開關構成。另外，一種振蕩電路，其中所述第二反饋電阻是多個反饋電阻，所述反饋電阻開關是多個反饋電阻開關。另外，一種振蕩電路，其中所述振蕩逆變器由多個晶體管構成，并與所述振蕩逆變器開關的輸入相對應改變工作的晶體管的個數(shù)。另外，一種振蕩電路，其中所述振蕩逆變器具有具有不同的電流驅動能力的多個振蕩逆變器電路，并具有與所述振蕩逆變器開關的輸入相對應的、從所述多個振蕩逆變器電路中選擇一個振蕩逆變器電路的振蕩逆變器電路選擇開關。另外，一種振蕩電路，其中所述振蕩逆變器具有與上述振蕩逆變器開關的輸入相對應輸出可變電壓的可變電壓源和通過輸入來自所述可變電壓源的可變電壓驅動的振蕩逆變器電路。發(fā)明效果根據本發(fā)明，振蕩電路中設有振蕩振動器、振蕩逆變器、在振蕩逆變器的輸出和輸入端子之間連接的阻尼電阻、與振蕩逆變器的輸入輸出連接的反饋電阻、和改變反饋電阻的電阻值的反饋電阻開關或改變振蕩逆變器的相互電導值的振蕩逆變器開關，通過反饋電阻開關或振蕩逆變器開關轉換反饋電阻的電阻值或振蕩逆變器的相互電導值，通過使得振蕩電路的頻率范圍可變和選擇振蕩振動器具有的高次諧波成分，可以轉換振蕩頻率，并可以從一個振蕩振動器中獲得多個振蕩頻率。另外，根據本發(fā)明，通過從一個振蕩振動器中獲得多個振蕩頻率，水晶振蕩電路具有可以提供一種元件數(shù)少、芯片面積小的振蕩電路的效果。另外，根據本發(fā)明，因為通過從一個振蕩振動器中獲得多個振蕩頻率，水晶振蕩電路可以提供一種元件數(shù)少并且芯片面積小的振蕩電路，從而提供了可以斷氐水晶振蕩電路的制造成本的效果。另外，根據本發(fā)明，水晶振蕩電路，從一個振蕩振動器中可以得到多個振蕩頻率，功能觀賦時ffl31采用高次諧波使振蕩振動器動作，從而具有能夠縮短功能測試需要的時間的效果。另外，根據本發(fā)明，水晶振蕩電路，從一個振蕩振動器中可以得至眵個振蕩頻率，功能測試時通過采用高次諧波使振蕩振動器動作，不但縮短了功能測試時需要的時間，而且還具有可以確認振蕩電路本身的動作的效果。圖1^出本發(fā)明的第一實施方式的振蕩電路的電路圖。圖2^出圖1中的振蕩電路的頻率特性的頻率特性圖。圖3是示出本發(fā)明的第二實施方式的振蕩電路的電路圖。圖4是示出本發(fā)明的第三實施方式的振蕩電路的電路圖。圖5^出本發(fā)明的第四實施方式的振蕩電路的電路圖。[符號說明]1、水晶振蕩器2、21、22振蕩逆變器3、31逆變器Rf、RfT、Rf2、Rf3反饋電阻Rd阻尼電阻<table>tableseeoriginaldocumentpage7</column></row><table>VI可變電壓源具體實施方式第一實施方式下面，參照附圖，說明本發(fā)明的實施方式。圖1是示出本發(fā)明的一個實施方式的振蕩電路構成的概括方塊圖。振蕩電路具有振蕩逆變器2、反饋電阻Rfl和Rf1、阻尼電阻Rd和開關SW2(反饋電阻開關)。振蕩逆變器2例如是由P溝道MOS晶體管和N溝道MOS晶體管構成的CMOS振蕩逆變器。在振蕩逆變器2的兩端連接串聯(lián)連接的反饋電阻Rf1和Rf2。另外，振蕩逆變器2的輸出連接阻尼電阻Rd。開關SW2是在振蕩逆變器2的兩端串聯(lián)連接的反饋電阻Rfl和Rf2中、選擇是否插入反饋電阻Rf2的開關。該開關SW2在斷開時，在振蕩逆變器2的兩端連接的反饋電阻中插入反饋電阻Rf2，振蕩逆變器2的反饋電阻反饋電阻Rfl和Rf2。另一方面，該開關SW2在閉合時，沒有在振蕩逆變器2的兩端連接的反饋電阻中插入反饋電阻Rf2，振蕩逆變器2的反饋電阻反饋電阻Rf1。因此，M31開關SW2可以改變振蕩逆變器2的反饋電阻的電阻值。另外，戰(zhàn)振蕩電路的輸入端子為XIN，輸出端子為XOUT。i繊入端子XESf和輸出端子XOUT連接在振蕩振動器1兩端的兩端。該振蕩振動器1是7k晶振蕩器或陶瓷振蕩器。以下，該振蕩振動器l以水晶振蕩器l進行說明。另外，水晶振蕩器l的輸入端子通過輸入電容cg接地，水晶振蕩器l的輸出端子通過輸出電容cd接地。輸入電容cg和輸出電容cd是基板等的電容。釆用以上構成的水晶振動器的振蕩電路M設置與反饋電阻Rf1串聯(lián)插入反饋電阻Rf2的開關，Mii采用開關切換一個振蕩電路的反饋電阻的電阻值，使得振蕩電路的頻率范圍可變，通雌擇水晶振動器具有的高次諧波成分，可以切換振蕩頻率，從而可以從一個水晶振動器得到多個振蕩頻率。<原理〉下面，說明由一個水晶振動器獲得多個振蕩頻率的原理。在此，采用測量時刻時使用的具有32.768kHz的頻率的水晶振動器，來說明得到其6倍的頻率200kHz的頻率的情況。首先，一般地，對于設計的頻率來說水晶振動器具有其倍數(shù)的頻率。例如，設計具有32.768kHz的頻率的水晶振動器，具有其2倍、3倍…6倍…n倍(n為自然數(shù))的頻率，即高次諧波。通常，由水晶振動器具有的多個頻率，只有振蕩電路設計的頻率產生振蕩，例如只輸出32.768kHz的頻率，所以采用該水晶振動器。以上所述32.768kHz的7jC晶振動器，如，所說明的在其制備工藝上存在200kHz的高次諧波。為此，采用32.768kHz的水晶振動器時，通過調整振蕩電路側的頻率范圍，無論32.768kHz還是200kHz進行振蕩都是可能的。下面，采用圖2，說明32.768kHz的水晶振動器采用32.768kHz和200kHz進行振蕩的情況和該振蕩電路的頻率范圍。在此，圖2中示出縱軸為負性電阻RL、橫軸為頻率f的振蕩電路的頻率范圍。在此，負性電阻RL是從輸A^子XIN和輸出端子XOUT看到的齡振蕩電路的電阻成分。圖2的實線示出的波形是圖1的開關斷開時的頻率范圍，另一方面，圖2的虛線示出的波形是圖1的開關閉合時的頻率范圍。該圖2的波形是實測或通過模擬(、〉厶^一->3測定、計測后的波形。圖2中，在開關斷開時，以32Khz為中心容易進行振蕩，另一方面，在開關閉合時，以200Khz為中心容易進行振蕩。在此，為了說明該頻率范圍的一般特性，說明與反饋電阻的電阻值相對的截止頻率fc的變化。該截止頻率fc，以縱軸為負性電阻RL、橫軸為頻率f的振蕩電路的頻率范圍中，具體地為負性電阻R1^0Q時的頻率。該截止頻率fc采用下式l算出。fcagm/(Rf'cg'cd)(式l)在此，gm是振蕩逆變器的相互電導，Rf是反饋電阻，cg是輸入電容，cd8是輸出電容。頻率范圍的可變如式1所示，截止頻率fc在反饋電阻Rf變大時在低頻率范圍內振蕩；相反地，在反饋電阻Rf變小時在高頻率范圍內振蕩。圖2中，作為開關閉合時的截止頻率fc32，當開關閉合時的截止頻率為fc200時，開關斷開下反饋電阻Rf變大盼瞎況的截止頻率fc32與開關閉合下反饋電阻Rf變小的情況的截止頻率fc200相比較，其頻率低。該截止頻率fc成為振蕩電路輸出的頻率的標記。il3Ul述說明可知，要在32.768kHz下振蕩時，例如可以使幵關SW2斷開，使反饋電阻Rf變大，要在200kHz下振蕩時，可以使開關SW2閉合，使反饋電阻Rf變小。如上所述，mt改變反饋電阻Rf的值，翻多選擇水晶振動器具有的高次諧波并容易地實現(xiàn)切換頻率。再者，圖1的反饋電阻Rfl和Rf2具有實測戰(zhàn)反饋電阻Rf和振蕩頻率f^3I51模擬測定、決定的電阻值。第二實施方式下面，釆用圖3，說明選擇改變反饋電阻Rf的電阻值后水晶振動器具有的高次諧波以振蕩的振蕩電路的第二實膽式。相同的附圖中，與圖1的各部對應部分上具有相同的符號，省略其說明。反饋電阻Rf3是連接在振蕩逆變器2的兩端的、與反饋電阻Rf1和Rf2串聯(lián)連接的反饋電阻。開關SW3^擇是否插入反饋電阻Rf3作為與振蕩逆變器2的兩端串聯(lián)連接的反饋電阻的開關。在該振蕩電路中，fflil開關SW2閉合和斷開、以及開關SW3的閉合和斷開可以選擇4種反饋電阻的電阻值，從而可以選擇4種振蕩頻率。在容易地設定反饋電阻的電阻值的情況下，例如，使各開關均斷開，或使各開關的任一個閉合。這種情況下，作為反饋電阻的電阻，可以選擇只有反饋電阻Rf1、反饋電阻Rfl和Rf2、以及反饋電阻Rfl和Rf3的三種，與各個反饋電阻的電阻值相對輸出振蕩頻率。再者，圖3說明了三個反饋電阻的情況，但是在此不作為限定，可以是多個反饋電阻串聯(lián)連接，對各個反饋電阻設置選擇是否插入振蕩逆變器的反饋電阻的開關。M3U^構成，采用一個水晶振動器可以得至哆個振蕩頻率。另外，上述說明中，雖然僅說明了作為反饋電阻串聯(lián)的情況，但是在此不作為限定，通過多個反饋電阻串聯(lián)或并聯(lián)連接，對各個反饋電阻設置選擇是否插入振蕩逆變器的反饋電阻的開關，由開關的閉合/斷開可改變與振蕩逆變器相對的反饋電阻的電阻值，以采用一個水晶振動器可以獲得多個振蕩頻率。第三實施方式下面，說明采用一個水晶振動器可以得到多個振蕩頻率的振蕩電路的第三實施方式。第一實施方式和第二實施方式中，通過使得反饋電阻的電阻值可變化，可采用一個水晶振動器獲得多個振蕩頻率。對此，第三實施方式中，m改變振蕩逆變器的相互電導gm即通過使得振蕩逆變器的電流驅動能力可變化，釆用一個水晶振動默尋至哆個振蕩頻率。在lMil式l，即使M3i振蕩逆變器的相互電導gm的變化，也使得截止頻率fc變化。例如，M式l，相互電導gm變大時，截止頻率fc變大；相反的，相互電導gm變小時，截止頻率fc變小。為此，通過使得振蕩逆變器的相互電導gm可變化，可以使得振蕩頻率可變化，從而采用一個水晶振動器肖,獲得多個振蕩頻率。第三實施方式中，圖1或圖3的振蕩電路中，使得振蕩逆變器2變?yōu)槿鐖D4(a)所示的振蕩逆變器21。該振蕩逆變器21在相互電導gm肖的多可變化的方面上、與圖1或圖3的振蕩電路中的振蕩逆變器2不同。圖1或圖3中，振蕩逆變器2在振蕩電路中連接的連接點為連接點A和連接點B，圖4(a)的振蕩逆變器21在該連接點A和連接點B上連接。另外，圖4(a)的振蕩逆變器21中，用于選擇、轉換相互電導gm的選擇信號EN從外部輸入。圖4(a)的振蕩逆變器21，il31i^卜部輸入的選擇信號EN是高電平或低電平，從被設定的2個值中選擇一個值作為振蕩逆變器21的相互電導gm的值。再者，在該第三實施方式中，沒有使得反饋電阻的電阻值可變化，例如，圖1中，在不具有反饋電阻Rf2和開關SW2的振蕩電路中，可以用圖4(a)的振蕩逆變器21置換振蕩逆變器2。下面，采用圖4(b)說明圖4(a)的振蕩逆變器21中作為一個例子的電路構成。此后，以電源電路的電源電位為VDD、接地電位為VSS進行說明。該電源電路是沒有圖示出的電源電路。另外，對于振蕩逆變器21，以從連接點A輸入的信號為輸入信號A、從連接點B輸出的信號為輸出信號B進行i兌明。輸入信號A輸入到P溝道MOS晶體管PIO、P溝道MOS晶體管Pl1、N溝道MOS晶體管NIO以及N溝道MOS晶體管Nll中的各個柵極中。P溝道MOS晶體管P10中，漏極連接N溝道MOS晶體管N10的漏極，源M31接電源電路VDD。從該P溝道MOS晶體管P10的漏極和N溝道MOS晶體管N10的漏極的連接點輸出輸出信號B。另外，N溝道MOS晶體管N10中源極接地。P溝道MOS晶體管P10和N溝道MOS晶體管N10對輸入信號A起到逆變器的功能，向輸出端子B輸出反轉輸入信號A后的信號。此后，由該P溝道MOS晶體管P10和N溝道MOS晶體管N10構成的逆變器成為第一逆變器電路。選擇信號EN連接N溝道MOS晶體管N12的柵極。另外，選擇信號ENffiiii!變器31連接P溝道MOS晶體管P12的柵極。P溝道MOS晶體管P12的源，腿接電源電路，N溝道MOS晶體管N12的源極接地。P溝道MOS晶體管Pl1中，源極連接P溝道MOS晶體管P12的漏極，漏極連接輸出端子B。N溝道MOS晶體管Nll中，源豐腿接N溝道MOS晶體管N12的漏極，漏極連接輸出端子B。此后，將P溝道MOS晶體管Pll的漏極和輸出端子B的連接點、以及N溝道MOS晶體管Nll的漏極和輸出端子B的連接點作為連接點C進行i兌明。下面，說明圖4(b)中振蕩逆變器21的動作。首先，選擇信號EN是高電平時，N溝道MOS晶體管N12在柵極中輸入高電平并閉合。另外，由于N溝道MOS晶體管N12的源極接地，所以漏極和接地點被導通，該漏極的電位大劍氐至接地電壓VSS。另外，選擇信號EN是高電平時，P溝道MOS晶體管P12由于ii^變器31所以在柵極中輸入低電平并閉合。為此，P溝道MOS晶體管P12的漏極和源極成為導通的狀態(tài)。該選擇信號EN是高電平時，在輸入信號A中被輸入高電平時，通過第一逆變器電路輸出反轉輸入信號A后的低電平。另外，輸入信號A中輸入高電平時，在P溝道MOS晶體管Pll的柵極中輸入高電平，P溝道MOS晶體管Pll斷開，使得P溝道MOS晶體管Pll的源極和漏極成為非導通狀態(tài)。另外，輸入信號A中輸入高電平時，在N溝道MOS晶體管Nll的柵極中輸入高電平，N溝道MOS晶體管Nll閉合，使得N溝道MOS晶體管Nll的源極和漏極成為導通狀態(tài)。在此，選擇信號EN成為高電平，N溝道MOS晶體管N12的漏極接地。為此，N溝道MOS晶體管Nl1的源極艦N溝道MOS晶體管N12接地。為此，連接點C的電位ffl31第一逆變器電路的N溝道MOS晶體管N10和N溝道MOS晶體管Nll的兩個N溝道MOS晶體管輸出低電平。該選擇信號EN為高電平時，相反地，輸入信號A中輸入低電平時，第一逆變器電路，輸出反轉輸入信號A后的高電平。另外，輸入信號A中輸入低電平時，在P溝道MOS晶體管Pll的柵極中輸入低電平，P溝道MOS晶體管Pll閉合，使得P溝道MOS晶體管Pll的源極和漏極成為導通狀態(tài)。另外，輸入信號A中輸入低電平時，N溝道MOS晶體管Nll在柵極中輸入低電平，N溝道MOS晶體管Nll斷開。為此，使得N溝道MOS晶體管Nil的源極和漏極成為非導通狀態(tài)。從而，連接點C的電位通過第一逆變器電路的P溝道MOS晶體管P10和P溝道MOS晶體管Pll的兩個P溝道MOS晶體管輸出高電平。另一方面，選擇信號EN是低電平時，N溝道MOS晶體管N12在柵極中輸入低電平并斷開。由此，N溝道MOS晶體管Nll成為源極與接地點切開的浮動狀態(tài)。另外，選擇信號EN是低電平時，P溝道MOS晶體管P12M3i^變器31在柵極中輸入高電平并斷開。由此，P溝道M0S晶體管P11成為源極與電源電路切開的浮動狀態(tài)。該選擇信號EN是低電平時，N溝道MOS晶體管Nll和P溝道MOS晶體管Pll由于N溝道MOS晶體管N12和P溝道MOS晶體管P12斷開，因此不動作。為lth^擇信號EN是低電平時，在輸入信號A中輸入高電平時，艦第一逆變器電路的N溝道MOS晶體管NIO的一個N溝道MOS晶體管輸出低電平。另外，選擇信號EN是低電平時，在輸入信號A中輸入低電平時，Jlil第一逆變器電路的P溝道MOS晶體管PIO的一個P溝道MOS晶體管輸出高電平。參照圖4(c)歸納說明i^振蕩逆變器21的動作。再者，在此，說明P溝道MOS晶體管P10和P11、以及N溝道MOS晶體管N10和N11中的M尺寸相同的情況。再者，基于一個P溝道MOS晶體管的高電平輸出電流或其相互電導為gmH，另外，基于一個N溝道MOS晶體管的低電平的輸出電流或其相互電導為gmL。這樣，例如，基于2個P溝道MOS晶體管的高電平的相互電導為2gmH。另外，例如，基于2個N溝道MOS晶體管的低電平的相互電導為2gmL。選擇信號EN是高電平時，在輸入信號A中輸入高電平時，ffiil第一逆變器電路的N溝道MOS晶體管N10和N溝道MOS晶體管Nl1的2個N溝道MOS晶體管輸出低電平。因此，這種情況下，振蕩逆變器21的相互電導為2gmL。另外，選擇信號EN是高電平時，相反地，在輸入信號A中輸入低電平時，i!31第一逆變器電路的P溝道MOS晶體管P10和P溝道MOS晶體管Pl1的2個P溝道MOS晶體管輸出高電平。因此，這種情況下，振蕩逆變器21的相互電導為2gmH。另外，選擇信號EN是低電平時，在輸入信號A中輸入高電平時，fflil第一逆變器電路的N溝道MOS晶體管N10的1個N溝道MOS晶體管輸出低電平。因此，這種情況下，振蕩逆變器21的相互電導為gmL。另外，選擇信號EN是低電平時，相反地，在輸入信號A中輸入低電平時，M3i第一逆變器電路的P溝道MOS晶體管PIO的1個P溝道MOS晶體管輸出高電平。因此，這種情況下，振蕩逆變器21的相互電導為gmH。在圖4(c)表中概括了上述關系。在圖4(c)中，示出了輸入信號A和選擇信號EN分另偽高電平問或者低電平[L]的情況下的振蕩逆變器21的相互電導的值。根據戰(zhàn)，如圖4(c)中示出，fflii^擇信號EN為高電平或低電平，能夠使得振蕩逆變器21的相互電導gm可變化。為此，ffi)l采用可以使得上述說明的相互電導gm可變化的振蕩逆變器21，育,使得振蕩頻率可變化，采用一個水晶振動器可得到多個振蕩頻率。再者，振蕩逆變器21的相互電導的值，即P溝道MOS晶體管P10至P12以及N溝道MOS晶體管N10至N12中各個相互電導的值結合水晶振動器具有的高次諧波而被設定。首先，第三實施方式中，ffiil^擇信號EN是高電平或低電平，使得振蕩逆變器21的輸出電流可變化，但是在此不作為限定，只要是振蕩逆變器21的相互電導gm是可變化的構成，就可以4頓任何構成。例如，作為振蕩逆變器21，M相互電導gm不同的多個振蕩逆變器和從相互電導gm不同的多個振蕩逆變器中選擇一個振蕩逆變器的開關，振蕩逆變器21的相互電導gm也可以被選擇為任一個振蕩逆變器的相互電導gm。再者，所謂相互電導gm不同的多個振蕩逆變器是振蕩逆變器的尺寸不同的振蕩逆變器。第四實施方式下面，說明采用一個水晶振動器可以得到多個振蕩頻率的振蕩電路的第四實施方式。第三實施方式中，基于選擇信號EN是高電平或低電平，使得振蕩逆變器21的輸出電流可變化，M使得該振蕩逆變器21的相互電導gm可變化，采用一個水晶振蕩器得到多個振蕩頻率。相對于該第三實施方式中為固定電壓源，第四實施方式中采用可變電壓源，ffiil使得振蕩逆變器的相互電導gm可變化，采用一個水晶振蕩器可以得到多個振蕩頻率。采用圖5(a)說明第三實施方式中的振蕩逆變器22。該振蕩逆變器22與圖4(a)中的振蕩逆變器21同樣、對在圖1或圖3中與連接點A和連接點B連接的振蕩逆變器2被置換的振蕩逆變器。該振蕩逆變器22對應于A"卜部輸入的可變電壓設定信號Vreg，iM使可變電壓源的電壓變化，使得輸出信號B可變化。下面，采用圖4(b)說明作為振蕩逆變器22的一個例子的電路構成?？勺冸妷涸碫I對應于/妨卜部輸入的可變電壓設定信號Vreg，是使電源電壓可變化而輸出的電壓源。可變電壓源V1的一端被設置、另一端輸出可變電壓。輸入信號A輸入到P溝道MOS晶體管P20和N溝道MOS晶體管N20中的各個柵極中，P溝道MOS晶體管P20的源極連接可變電壓源VI的輸出端子，N溝道MOS晶體管N20的源極接地。P溝道MOS晶體管P20中的漏t皿接N溝道MOS晶體管N20的漏極。從該P溝道MOS晶體管P20的漏極和N溝道MOS晶體管N20的漏極的連接點輸出輸出信號B。該P溝道MOS晶體管P20和N溝道MOS晶體管N20對輸入信號A起到逆變器的功能，從輸出端子B輸出反轉輸入信號A后的信號。另外，根據AA^卜部輸入的可變電壓設定信號Vreg，并fflil使得可變電壓源Vl的電壓可變化，向輸出端子B輸出的電流是可變化的。因此，該振蕩逆變器22根據從外部輸入的可變電壓設定信號Vreg、通過使得可變電壓源V1的輸出電壓可變化、通過使得向輸出端子B輸出的電流可變化，可以使得振蕩逆變器22的相互電導gm的值可變化，因此采用一個水晶振蕩器可以得到多個振蕩頻率。另外，振蕩逆變器22的相互電導gm的值結合水晶振蕩器具有的高次諧波而被設定。另外，根據式1可知，通過使得輸入電容cg或輸出電容cd可變化，可以使得截止頻率fc可變化。因此，艦^tr入電容cg或輸出電容cd可變化，使振蕩電路的頻率可變化，采用一個水晶振蕩器可以得至哆個振蕩頻率。例如也可以這樣，根據電容cx和執(zhí)行是否向輸入電容cg插入電容cx的電容開關SWX的構成，m該電容開關SWX的閉合或斷開的控制，選擇控制輸入電容Cg的值是輸入電容Cg或者是輸入電容Cg+電容CX，并選擇振蕩電路的頻率，因此，采用一個水晶振動器可以得至眵個振蕩頻率。另外，對于輸出電容cd，也與輸入電容Cg相同，通過使得其電容的值可變化，采用一個水晶振蕩器可以得到多個振蕩頻率。另外，雖然上述說明中，就第一至第四實施方式分別進行了單獨說明，但是在此不作為限定，也可以分別組合第一至第四實施方式而使用。另外，f柳采用戰(zhàn)說明的一個水晶振蕩器得至哆個振蕩頻率的振蕩電路，倉,縮短功能測試需要的時間。例如，預先構成能夠輸出通常運用時的頻率(例如32.768KHz)和比其快的頻率(例如200KHz)的振蕩電路，在功能測試中通過采用快的頻率(例如200KHz)使整個電路動作，可以縮短功能測試需要的時間。另外，該水晶振動器可以通過1個水晶振動器獲得多個振蕩頻率，功能測試時Mil使水晶振動器在高次諧波動作，不但縮短了功能測試需要的時間，而且也可以確認振蕩電路本身的動作。另外，在上述說明中，雖然說明了基本頻率為32.768KHz、輸出基本頻率和其6倍頻率即200KHz的情況，但是在此不作為限定，M5i;人7jC晶振動器具有的任意高次諧波中選擇任意的高次諧波，并在該選擇的高次諧波上使振蕩電路振蕩的構成，振蕩電路可以在水晶振蕩器具有的任意高次諧波振蕩。另外，上述說明中雖然說明了計時器中使用振蕩電路的情況，但是根據本發(fā)明的振蕩電路并不局限于此，振蕩電路也可以適合于任何機器或裝置。以上，雖然參照附圖詳細說明了本發(fā)明的實施方式，但是具體構成并不局限于該實施方式，也包括了不超出本發(fā)明的宗旨范圍的設計等。產業(yè)上的利用可能性本發(fā)明適用于采用振蕩電路的電路，特別是需要多個頻率的電路。權利要求1.一種振蕩電路，其特征在于，具有振蕩振動器；與上述振蕩振動器并聯(lián)連接的振蕩逆變器；與上述振蕩逆變器的輸出端子連接的阻尼電阻；和與上述振蕩逆變器并聯(lián)連接的電阻值可變的反饋電阻。2、根據權利要求1所述的振蕩電路，其特征在于所述振蕩電路具有改變，振蕩逆變器的電流驅動能力的振蕩逆變器開關。3、一種振蕩電路，其特征在于，具有振蕩振動器；與戰(zhàn)振蕩振動器并聯(lián)連接的振蕩逆變器；與戰(zhàn)振蕩逆變器的輸出端子連接的阻尼電阻；與戰(zhàn)振蕩逆變器并聯(lián)連接的反饋電阻；禾口改變J^振蕩逆變器的電流驅動能力的振蕩逆變器開關。4、根據權利要求3所述的振蕩電路，其特征在于所述反饋電阻的電阻值是可變的。5、根據權利要求l、2或4所述的振蕩電路，其特征在于所述反饋電阻由第一反饋電阻、第二反饋電阻和與，第二反饋電阻并聯(lián)連接的反饋電阻開關構成。6、根據權利要求5所述的振蕩電路，其特征在于所述第二反饋電阻是多個反饋電阻，所述反饋電阻開關是多個反饋電阻開關。7、根據權利要求2到6中任一個所述的振蕩電路，其特征在于所述振蕩逆變器由多個晶體管構成，并根據所述振蕩逆變器開關的輸入，改變動作的晶體管的個數(shù)。8、根據權利要求2到7中任一個所述的振蕩電路，其特征在于，所述振蕩逆變器具有具有不同的電流驅動能力的多個振蕩逆變器電路；禾口根據所述振蕩逆變器開關的輸入，從所述多個振蕩逆變器電路中選擇一個振蕩逆變器電路的振蕩逆變器電路選擇開關。9、根據權利要求2到8中任一個所述的振蕩電路，其特征在于，所述振蕩逆變器具有根據所述振蕩逆變器開關的輸入輸出可變電壓的可變電壓源；禾口以從所述可變電壓源輸入的可變電壓驅動的振蕩逆變器電路。全文摘要本發(fā)明提供一種可以從一個振蕩振動器中獲得多個振蕩頻率的振蕩電路。振蕩電路設有振蕩振動器、振蕩逆變器、與振蕩逆變器的輸出和輸出端子之間連接的阻尼電阻、與振蕩逆變器的輸入輸出連接的反饋電阻、和改變反饋電阻的電阻值的反饋電阻開關或改變振蕩逆變器的相互電導值的振蕩逆變器開關，因此通過由反饋電阻開關或振蕩逆變器開關轉換反饋電阻的電阻值或振蕩逆變器的相互電導值，使得振蕩電路的頻率范圍可變并選擇振蕩振動器具有的高次諧波，可以轉換振蕩頻率，并可以從一個振蕩振動器獲得多個振蕩頻率。文檔編號H03B5/32GK101247107SQ200810092039公開日2008年8月20日申請日期2008年2月15日優(yōu)先權日2007年2月17日發(fā)明者佐藤豐,渡邊考太郎申請人:精工電子有限公司