a、212a可包含Ag、Au、Pt、Pd、Ni及Cu中的一種以上的成分，夕卜部電極231、232可包含Ag、N1、Sn成分中的一種以上的成分。
[0117]上述內(nèi)部電極21 la、212a可設(shè)置成多種形狀及模式，上述第一內(nèi)部電極21 Ia和第二內(nèi)部電極212a可具有相同模式，也可具有互不相同的模式。S卩，當(dāng)構(gòu)成燒體時，若以使第一內(nèi)部電極211a和第二內(nèi)部電極212a的一部分相向的方式重疊，則內(nèi)部電極211a、212a并不局限于特定模式。
[0118]此時，這種內(nèi)部電極21 la、212a之間的間隔及相向的面積或者相互重疊的長度可以以滿足抑制器200的擊穿電壓Vbr的方式構(gòu)成，例如，上述內(nèi)部電極211a、212a之間的間隔可以為10?100 μπι。
[0119]另一方面，在相對應(yīng)的一對電極211a、212a之間配置有防護(hù)薄片層213，上述防護(hù)薄片層213用于從防護(hù)靜電的過電壓中保護(hù)回路保護(hù)器件及周邊回路。
[0120]這種防護(hù)薄片層213在上述一對內(nèi)部電極211a、212a之間形成有形成為中空形的至少一個空隙形成部件215。為此，防護(hù)薄片層213可在設(shè)有空隙形成部件215的位置形成有貫通孔。
[0121]詳細(xì)說明如下，在上述燒體相互層疊有第一薄片層211和第二薄片層212，上述第一薄片層211在上部面設(shè)有第一內(nèi)部電極211a，上述第二薄片層212在下部面設(shè)有第二內(nèi)部電極212a，在上述第一薄片層211及第二薄片層212的之間配置有防護(hù)薄片層213。
[0122]即，以使上述第一內(nèi)部電極21 Ia及第二內(nèi)部電極212a相向的方式依次層疊第一薄片層211、防護(hù)薄片層213及第二薄片層212。
[0123]以此，上述第一內(nèi)部電極211a及第二內(nèi)部電極212a以相向的方式配置后，被上述防護(hù)薄片層213相互隔開規(guī)定間隔，上述第一內(nèi)部電極211a及第二內(nèi)部電極212a的一側(cè)分別與上述空隙形成部件215相接觸。
[0124]另一方面，配置于上述第一薄片層211和第二薄片層212的防護(hù)薄片層213貫通地形成有至少一個貫通孔。
[0125]其中，上述貫通孔位于以上述防護(hù)薄片層213為基準(zhǔn)來分別配置于上部和下部的第一內(nèi)部電極211a及第二內(nèi)部電極212a相互重疊的區(qū)域。
[0126]此時，可在上述貫通孔設(shè)有空隙形成部件215。這種空隙形成部件215可配置于內(nèi)部電極211a、212a之間，并在內(nèi)壁包括沿著高度方向以規(guī)定厚度涂敷的放電物質(zhì)層125a、125b、125c。
[0127]相對應(yīng)地，在不單獨設(shè)置空隙形成部件215的情況下，放電物質(zhì)層可在上述貫通孔的內(nèi)壁沿著高度方向以規(guī)定厚度涂敷。
[0128]其中，上述空隙形成部件215或涂敷于上述空隙形成部件215的放電物質(zhì)層的上部端與上述第二內(nèi)部電極212a相接觸，下部端與上述第一內(nèi)部電極211a相接觸。
[0129]通過這種空隙形成部件215，可在一對內(nèi)部電極211a、212a之間形成空隙216。通過這種空隙216來從外部流入的靜電可在內(nèi)部電極211a、212a之間進(jìn)行放電。此時，可使內(nèi)部電極211a、212a之間的電阻變低，可將觸電保護(hù)器件200的兩端的電壓差減小到規(guī)定值以下。因此，抑制器220可以不受絕緣破壞而使靜電通過。
[0130]其中，構(gòu)成上述放電物質(zhì)層225a、225b、225c的放電物質(zhì)需要電容率低、無導(dǎo)電率，且在施加過電壓時，不能有短路(short)。
[0131]為此，上述放電物質(zhì)可由至少包含一種金屬粒子的非導(dǎo)電性物質(zhì)形成，且可由包含SiC或硅類成分的半導(dǎo)體物質(zhì)形成。并且，也可按規(guī)定的比率混合選自SiC、碳、石墨及Zno中的一種以上材料和選自Ag、Pd、Pt、Au、Cu、N1、W及Mo中的一種以上材料來形成上述放電物質(zhì)。
[0132]作為一例，在上述第一內(nèi)部電極211a及第二內(nèi)部電極212a包含Ag成分的情況下，上述放電物質(zhì)可包含SiC-ZnO類成分。SiC(Silicon carbide，碳化娃)成分具有優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性，在氧化環(huán)境下也具有優(yōu)秀的穩(wěn)定性，并具有規(guī)定的導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性，具有低的電容率。
[0133]并且，ZnO成分具有優(yōu)秀的非線性阻抗特性及放電特性。.
[0134]當(dāng)分別單獨使用SiC和ZnO時，兩者均有導(dǎo)電性，但若混合兩者并進(jìn)行燒結(jié)，則SiC粒子表面與ZnO相結(jié)合，從而形成作為絕緣性低的物質(zhì)的絕緣層。
[0135]這種絕緣層使SiC完全發(fā)生反應(yīng)來在SiC粒子表面形成SiC-ZnO反應(yīng)層。以此，上述絕緣層可阻斷Ag通過，來向放電物質(zhì)賦予更高一層的絕緣性，并提高對于靜電的耐性，從而解決在電子部件安裝抑制器120時發(fā)生的直流電短路現(xiàn)象。
[0136]其中，作為上述放電物質(zhì)的一例，雖然以包含SiC-ZnO類的成分的方式進(jìn)行了說明，但不局限于此，可使用包含與構(gòu)成上述第一內(nèi)部電極211a及第二內(nèi)部電極212a的成分相匹配的半導(dǎo)體物質(zhì)或金屬離子的分導(dǎo)電性物質(zhì)作為上述放電物質(zhì)。
[0137]此時，涂敷于上述空隙形成部件215的內(nèi)壁的上述放電物質(zhì)層215a、215b、215c可包括:第一部分215a，沿著空隙形成部件215的內(nèi)壁涂敷；第二部分215b，從上述第一部分215a的上端沿著上述防護(hù)薄片層213的上部面以與第一內(nèi)部電極211a相向地進(jìn)行接觸的方式延伸；以及第三部分215c，從上述第一部分215a的下端沿著上述防護(hù)薄片層213的下部面以與第二內(nèi)部電極212a相向地進(jìn)行接觸的方式延伸。
[0138]以此，上述放電物質(zhì)層215a、215b、215c不僅形成于上述空隙形成部件215的內(nèi)壁，而且上述第二部分215b及第三部分215c以分別從上述空隙形成部件215的上部端和下部端延伸的方式形成，從而可擴(kuò)大與上述第一內(nèi)部電極211a及第二內(nèi)部電極212a的接觸面積。
[0139]根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，隨著構(gòu)成上述放電物質(zhì)層215a、215b、215c的成分中的一部分因靜電火花而被氣化，即使放電物質(zhì)層215a、215b、215c的一部分受損，上述放電物質(zhì)層215a、215b、215c也可以行駛自身的功能，從而可提高對靜電的耐性。
[0140]另一方面，上述防護(hù)薄片層213可具有多個空隙形成部件215。像這樣，若上述空隙形成部件215的數(shù)量增加，則靜電的放電路徑也增加，從而可提高對靜電的耐性。
[0141]需要注明的是，配置于上述第一薄片層211及第二薄片層212之間的防護(hù)薄片層213的面積可以與上述第一薄片層211及第二薄片層212的面積相同，但包括相對應(yīng)的第一內(nèi)部電極211a及第二內(nèi)部電極212a相重疊的面積，且面積可以小于上述第一薄片層211及第二薄片層212的面積。
[0142]上述電容層220a、220b使得從如天線的導(dǎo)體12流入的通信信號無衰減地通過，上述電容層220a、220b可以以電連接的方式與觸電保護(hù)部210并聯(lián)。例如，電容層220a、220b可配置于觸電保護(hù)部210的上部及下部中的至少一個或同時配置于上部和下部。
[0143]其中，可在各個電容層220a、220b分別層疊有多個薄片層。此時，構(gòu)成電容層220a、220b的多個薄片層可包括具有電容率的絕緣體，優(yōu)選地，可由陶瓷材料形成。
[0144]例如，陶瓷材料可包含金屬類氧化化合物，上述金屬類氧化化合物包含選自Er203、Dy2O3, Ho2O3, V2O5, CoO、MoO3, Sn02& BaT1 3中的一種以上，或者可包含鐵氧體，并且，可使用低溫共燒陶瓷(LTCC，low-temperature co-fired ceramic)或高溫共燒陶瓷(HTCC，high-temperature co-fired ceramic)等。并且，上述陶瓷材料可使用ZnO類的壓敏電阻材料或Pr類材料及Bi類材料等，而作為金屬類氧化化合物來提及的Er203、Dy203、Ho2O3、V2O5、CoO、Mo03、Sn02& BaT1 3僅為一例，也可使用未提及的其他種類的金屬類氧化化合物。
[0145]此時，構(gòu)成上述電容層220a、220b的多個電容器電極可以以使相向的一對電容器電極之間的間隔dl成為15?ΙΟΟμπι范圍的方式設(shè)置，例如，可使上述電容器電極具有20 μm的間隔。
[0146]另一方面，觸電保護(hù)器件200的觸電保護(hù)部210和電容層220a、220b可以構(gòu)成為不同的電極間隔及不同的電極寬度。
[0147]S卩，相向配置的一對內(nèi)部電極21 la、212a之間的間隔可以與電容器電極221a、222a、223a、224a、225a、226a、227a、228a 之間的間隔相同。
[0148]此時，觸電保護(hù)部210和電容層220a、220b之間的間隔可大于一對內(nèi)部電極211a、212a之間的間隔。
[0149]S卩，優(yōu)選地，以防止沿著上述一對內(nèi)部電極211a、212a流動的靜電或泄漏電流向相鄰的電容器電極泄漏的方式與內(nèi)部電極211a、212a確保充分的間隔。此時，上述電容層220a、220b和上述觸電保護(hù)部210之間的距離可以為15?100 μm，優(yōu)選地，上述電容層220a,220b和上述觸電保護(hù)部210之間的距離為上述一對內(nèi)部電極211a、212a之間的間隔的兩倍以上。例如，在上述一對內(nèi)部電極21 la、212a之間的間隔為10 μ m的情況下，上述電容層220a、220b和上述觸電保護(hù)部210之間的距離可以為20 μπι以上。
[0150]像這樣，觸電保護(hù)器件100具有電容層220a、220b，從而可使靜電通過，阻斷外部電源的泄漏電流，并可容易地提供適合使用目的的通信頻帶的電容。即，以往，通過上述電容層115a、115b對靜電同時使用用于保護(hù)內(nèi)部回路的抑制器、壓敏電阻或齊納二極管及用于提高射頻(Rf)接收靈敏度的額外部件，而與這種現(xiàn)有技術(shù)不同，本發(fā)明具有可通過一個觸電保護(hù)器件100來提高對靜電的保護(hù)，并且可提高射頻接收靈敏度的優(yōu)點。
[0151]作為另一實施例，如圖6所示，觸電保護(hù)器件300可包括隔開規(guī)定間隔來水平配置的一對內(nèi)部電極314a、314b。S卩，內(nèi)部電極314a、314b以形成空隙的方式相互隔開地配置于至少一對薄片層311、312的內(nèi)部。優(yōu)選地，上述一對內(nèi)部電極314a、314b以向平行的方向隔開規(guī)定間隔的方式配置于同一平面上。
[0152]其中，可在一對內(nèi)部電極314a、314b之間形成有空隙320。其中，空隙320的高度可以高于一對內(nèi)部電極314a、314b的高度，寬度可以大于一對內(nèi)部電極314a、314b的間隔。像這樣，若空隙320的體積擴(kuò)大，則在基于靜電進(jìn)行放電時，即使從內(nèi)部電極314a、314b發(fā)生微細(xì)的龜裂，也因內(nèi)部電極314a、314b之間的空間廣闊而可以減少由龜裂引起的缺陷的發(fā)生率。此時，上述空隙作為在流入靜電時，通過一對內(nèi)部電極314a、314b來放電的空間，優(yōu)選地，上述空隙的體積以滿足對靜電的耐