本實(shí)用新型涉及電動(dòng)汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域，具體涉及一種MOSFET并聯(lián)電路系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

隨著國家新能源產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，電動(dòng)車行業(yè)也得到了巨大的發(fā)展，尤其是電動(dòng)車驅(qū)動(dòng)技術(shù)。電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)目前主要有兩個(gè)方向，一類是低壓系統(tǒng)，電池電壓一般在100V以下，主要應(yīng)用于低速移動(dòng)交通工具，如低速電動(dòng)車、無人偵察車等；另一類則是高壓系統(tǒng)，電池電壓一般在200V以上，主要應(yīng)用于高速移動(dòng)交通工具，如高速電動(dòng)車輛、高速鐵路機(jī)車等。電機(jī)驅(qū)動(dòng)器主要采用Insulated Gate Bipolar Transistor即絕緣柵雙極型晶體管(以下簡稱IGBT)或者M(jìn)etal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor即金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(以下簡稱MOSFET)作為主要功率器件，而IGBT目前市場價(jià)格高昂，MOSFET以其開關(guān)速度快，易于并聯(lián)，成本相對較低等特點(diǎn)，非常適合低壓系統(tǒng)。但隨著電機(jī)驅(qū)動(dòng)器功率的增加，單只MOSFET的電流遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足驅(qū)動(dòng)器的要求，因而多只MOSFET并聯(lián)得到大量的應(yīng)用，電機(jī)驅(qū)動(dòng)主拓?fù)鋱D(連接關(guān)系圖)如圖1所示，其中Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6由2～16只MOSFET并聯(lián)連接。多只MOSFET并聯(lián)雖然滿足了大功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的要求，但多只MOSFET并聯(lián)電流均流也尤為重要，因此MOSFET并聯(lián)電路結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)至關(guān)重要。

如圖2所示，目前MOSFET的并聯(lián)電路多采用貼片封裝，MOSFET的并聯(lián)電路焊接在PCB鋁基板上,在現(xiàn)有技術(shù)中，大多數(shù)并聯(lián)MOSFET管的柵極走線，未按照等長等距走線，而是呈單排布局，驅(qū)動(dòng)信號(hào)從單端輸入，當(dāng)高速開關(guān)頻率變化時(shí)，布局在后端的MOSFET管，由于受PCB阻抗的影響，會(huì)延緩MOSFET的導(dǎo)通性能，從而導(dǎo)致整個(gè)并聯(lián)MOSFET的電流不一致，單顆MOSFET會(huì)一直承受過大的電流，隨著時(shí)間的推移，最終導(dǎo)致MOSFET損壞。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種MOSFET并聯(lián)電路系統(tǒng)，使得MOSFET柵極電阻保持一致，以達(dá)到MOSFET電流均衡的目的。

具體技術(shù)方案如下：

一種MOSFET并聯(lián)電路系統(tǒng)，包括n個(gè)并聯(lián)的MOSFET組以及驅(qū)動(dòng)信號(hào)；n為大于等于1的整數(shù)，每個(gè)MOSFET組并聯(lián)有四個(gè)MOSFET，所述MOSFET到所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)的距離均相等。

優(yōu)選的，所述MOSFET組以及驅(qū)動(dòng)信號(hào)焊接在PCB上。

優(yōu)選的，所述n為1～6。

優(yōu)選的，所述MOSFET包括第一接觸點(diǎn)和第二接觸點(diǎn)；所述MOSFET并聯(lián)電路系統(tǒng)包括位于右上方、左上方、右下方和左下方的四個(gè)MOSFET組，位于右上方和位于右下方的MOSFET組中的MOSFET的第一接觸點(diǎn)均與所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)連接，位于左上方和位于左下方的MOSFET組中的MOSFET的第二接觸點(diǎn)均與所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)連接。

應(yīng)用本實(shí)用新型的技術(shù)方案，具有以下有益效果：

MOSFET并聯(lián)電路的布局是否對稱，將直接影響并聯(lián)MOSFET的導(dǎo)通和關(guān)斷同時(shí)性，本實(shí)用新型一種MOSFET并聯(lián)電路系統(tǒng)采用一種等長等距布線方式，從而使得流過每個(gè)MOSFET的電流相同，各個(gè)MOSFET發(fā)熱均衡，保護(hù)每顆MOSFET不被損壞，保證每個(gè)并聯(lián)的MOSFET的使用壽命基本相同。

除了上面所描述的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)之外，本實(shí)用新型還有其它的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)。下面將參照圖，對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。

附圖說明

構(gòu)成本申請的一部分的附圖用來提供對本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，本實(shí)用新型的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本實(shí)用新型，并不構(gòu)成對本實(shí)用新型的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1是電機(jī)控制器驅(qū)動(dòng)拓?fù)鋱D；

圖2是現(xiàn)有技術(shù)MOSFET并聯(lián)電路系統(tǒng)圖；

圖3是本實(shí)用新型一種MOSFET并聯(lián)電路系統(tǒng)圖。

圖中標(biāo)號(hào)：x、驅(qū)動(dòng)信號(hào)；y、MOSFET。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明，但是本實(shí)用新型可以根據(jù)權(quán)利要求限定和覆蓋的多種不同方式實(shí)施。

如圖3所示，本實(shí)用新型提供一種MOSFET并聯(lián)電路系統(tǒng)，所述MOSFET并聯(lián)電路焊接在PCB上，包括n個(gè)并聯(lián)的MOSFET組以及驅(qū)動(dòng)信號(hào)(圖3中標(biāo)示為x)；n為大于等于1的整數(shù)，每個(gè)MOSFET組并聯(lián)有四個(gè)MOSFET(圖3中標(biāo)示為y)，所述MOSFET到所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)的距離均相等，從而使得流過每個(gè)MOSFET的電流相同，進(jìn)而使得各個(gè)MOSFET發(fā)熱均衡，單顆MOSFET由于不會(huì)一直承受過大的電流，從而保護(hù)了每顆MOSFET不被損壞,這就保證了每個(gè)并聯(lián)的MOSFET的使用壽命基本相同。

實(shí)施例1：

n＝4，所述MOSFET并聯(lián)電路系統(tǒng)包括位于右上方、左上方、右下方和左下方的四個(gè)MOSFET組，每個(gè)MOSFET組并聯(lián)有4個(gè)MOSFET，每個(gè)MOSFET包括第一接觸點(diǎn)和第二接觸點(diǎn)；位于右上方和位于右下方的MOSFET組中的MOSFET的第一接觸點(diǎn)均與所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)連接，位于左上方和位于左下方的MOSFET組中的MOSFET的第二接觸點(diǎn)均與所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)連接。所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)位于4個(gè)小組的正中間，位于右上方和位于右下方的兩個(gè)MOSFET組關(guān)于驅(qū)動(dòng)信號(hào)軸對稱分布，位于左上方和位于左下方的兩個(gè)MOSFET組關(guān)于驅(qū)動(dòng)信號(hào)軸對稱分布，則此16個(gè)并聯(lián)的MOSFET到驅(qū)動(dòng)信號(hào)的距離均相等，從而使得流過每個(gè)MOSFET的電流均相同，進(jìn)而使得各個(gè)MOSFET發(fā)熱均衡，單顆MOSFET由于不會(huì)一直承受過大的電流，從而保護(hù)了每顆MOSFET不被損壞,這就保證了每個(gè)并聯(lián)的MOSFET的使用壽命基本相同。

以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本實(shí)用新型可以有各種更改和變化。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。