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簡(jiǎn)易型欠電壓的保護(hù)裝置制造方法

文檔序號(hào):7414722閱讀:301來源:國(guó)知局
簡(jiǎn)易型欠電壓的保護(hù)裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種簡(jiǎn)易型欠電壓的保護(hù)裝置,包括:一電壓檢測(cè)單元及一啟動(dòng)單元。該電壓檢測(cè)單元包含有一二極管、一可變電阻器、一晶體管及一固定電阻器。該啟動(dòng)單元包含有一第二晶體管。在外部的電壓源小于該二極管的電壓,第一晶體管的射極接腳至該集極接腳間的電壓小于第二晶體管的閘極接腳至源極接腳間的臨界電壓時(shí),第二晶體管不導(dǎo)通,而關(guān)閉該啟動(dòng)單元;在外部的電壓源大于二極管的電壓,第一晶體管的射極接腳至集極接腳間的電壓大于第二晶體管的閘極接腳至源極接腳間的臨界電壓,則第二晶體管導(dǎo)通,而開啟啟動(dòng)單元。本實(shí)用新型利用少數(shù)的電子零件制作成簡(jiǎn)易型欠電壓的保護(hù)裝置,使線路簡(jiǎn)易,讓制作上更加容易,可大幅度降低制作成本。
【專利說明】簡(jiǎn)易型欠電壓的保護(hù)裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型有關(guān)一種保護(hù)裝置,尤指一種簡(jiǎn)易型欠電壓的保護(hù)裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]由于短路故障等原因,線路電壓會(huì)在短時(shí)間內(nèi)出現(xiàn)大幅度降低甚至消失的現(xiàn)象。它會(huì)給線路和電器設(shè)備帶來?yè)p傷。例如,使電動(dòng)機(jī)疲倒、堵轉(zhuǎn),從而產(chǎn)生數(shù)倍于額定電流的過電流,燒壞電動(dòng)機(jī);當(dāng)電壓恢復(fù)時(shí),大量電動(dòng)機(jī)的自起動(dòng)又會(huì)使電動(dòng)機(jī)的電壓大幅度下降,造成危害。引起電動(dòng)機(jī)疲倒的電壓稱為臨界電壓。當(dāng)線路電壓降低到臨界電壓時(shí),保護(hù)電器的動(dòng)作,稱為欠電壓保護(hù),其任務(wù)主要是防止設(shè)備因過載而燒毀。當(dāng)線路電壓低于臨界電壓保護(hù)電器才動(dòng)作的稱為失壓保護(hù),其主要任務(wù)是防止電動(dòng)機(jī)自起動(dòng)。
[0003]而目前欠電壓的保裝置,如中國(guó)臺(tái)灣專利證書第1354423號(hào)的“一種欠電壓保護(hù)裝置”專利,該專利的圖2揭示的欠電壓保護(hù)裝置包括一啟動(dòng)單元以及一電壓檢測(cè)單元。電壓檢測(cè)單元具有一電阻器R3、一積納二極管D4、一比較器Ul以及一分壓?jiǎn)卧?R4、R5)。該啟動(dòng)單元具有二個(gè)第一二極管D1、復(fù)數(shù)電阻器Rf R2、一第一開關(guān)組件Q1、一第二開關(guān)組件Q2、一第二二極管D2、一積納二極管D3、一電容器C I。
[0004]在上述專利的欠電壓保護(hù)裝置作動(dòng)時(shí),以該電壓檢測(cè)單元接收到該分壓?jiǎn)卧?R4、R5)分壓后的該輸入電壓,先通過該比較器Ul將該分壓后的該輸入電壓與該參考電壓進(jìn)行比較,當(dāng)該分壓后的該輸入電壓聞?dòng)谠搮⒖茧妷簳r(shí),該輸出端output輸出一正電壓值,使該第二第晶體Q 2開啟,即可再觸發(fā)該第一開關(guān)組件Q I開啟,并使得該風(fēng)扇得以開始作動(dòng)。反之,當(dāng)該分壓后的該輸入電壓低于該參考電壓時(shí),該輸出端output輸出一負(fù)電壓值,此時(shí)該第二晶體管Q2關(guān)閉,而無(wú)法觸發(fā)該第一開關(guān)組件Q1,該第一開關(guān)組件Ql關(guān)閉,因此該風(fēng)扇無(wú)法作動(dòng),即可達(dá)到欠電壓保護(hù)的功效。
[0005]雖然,上述的欠電壓保護(hù)裝置可有效保護(hù)風(fēng)扇,但是該欠電壓保護(hù)裝置的所使用的電子零件數(shù)較多,導(dǎo)致線路復(fù)雜,使制作成本增加,造成制作上的困擾。而且所使用的分壓電阻R4、R5為固定電阻器直接固接在電路上,當(dāng)要運(yùn)用于不同的輸入電壓上時(shí),此固定電阻器無(wú)法進(jìn)行阻值的調(diào)整,因此運(yùn)用的范圍將受到限制。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0006]有鑒于此,本實(shí)用新型的目的在于提供一種簡(jiǎn)易型欠電壓的保護(hù)裝置。
[0007]為達(dá)到上述的目的,本實(shí)用新型提供一種簡(jiǎn)易型欠電壓的保護(hù)裝置,其電性連接外部的電壓源,包括:
[0008]一電壓檢測(cè)單元,包含:
[0009]—二極管,其具有一輸入端及一輸出端,該輸入端以電性連接外部的電壓源;
[0010]一可變電阻器,其具有一第一接腳、一第二接腳及一第三接腳,該可變電阻器的第一接腳以電性連接該保護(hù)裝置的電路接地端,并電性連接外部的電壓源,該可變電阻器的第三接腳與該二極管的輸出端電性連接;
[0011]一第一晶體管,其具有一集極接腳、一射極接腳及一基極接腳,該第一晶體管的集極接腳與該可變電阻器的第一接腳及該電路接地端電性連接,該第一晶體管的基極接腳與該可變電阻器的第二接腳電性連接;
[0012]一固定電阻器,其上具有一輸入端及一輸出端,該輸入端電性連接該保護(hù)裝置的電路電源,該固定電阻器的輸出端與該第一晶體管的射極接腳電性連接;及
[0013]一啟動(dòng)單元,包含:
[0014]一第二晶體管,其上具有一源極接腳、一汲極接腳及一閘極接腳,該第二晶體管的源極接腳與該第一晶體管的集極接腳及該電路接地端電性連接,該第二晶體管的閘極接腳與該固定電阻器的輸出端及第一晶體管的射極接腳電性連接,該第二晶體管的汲極接腳與該保護(hù)裝置的電路電源電性連接;
[0015]其中,在外部的電壓源小于該二極管的電壓,且該第一晶體管的射極接腳至該集極接腳間的電壓小于第二晶體管的閘極接腳至該源極接腳間的臨界電壓時(shí),則該第二晶體管不導(dǎo)通,而關(guān)閉該啟動(dòng)單元;在外部的電壓源大于二極管的電壓,且該第一晶體管的射極接腳至該集極接腳間的電壓大于第二晶體管的閘極接腳至該源極接腳間的臨界電壓時(shí),則該第二晶體管導(dǎo)通,而開啟該啟動(dòng)單元。
[0016]作為上述一種簡(jiǎn)易型欠電壓的保護(hù)裝置的優(yōu)選方案,其中該二極管的輸入端以電性連接外部的電壓源的正電壓源,該電壓源的電壓范圍在(T10v之間。
[0017]作為上述一種簡(jiǎn)易型欠電壓的保護(hù)裝置的優(yōu)選方案,其中該二極管為稽納二極管,該稽納二極管的電壓范圍在2.(T62V之間。
[0018]作為上述一種簡(jiǎn)易型欠電壓的保護(hù)裝置的優(yōu)選方案,其中該可變電阻器的第一接腳以電性連接外部的電壓源的負(fù)電壓源。
[0019]作為上述一種簡(jiǎn)易型欠電壓的保護(hù)裝置的優(yōu)選方案,其中該第一晶體管為PNP型晶體管。
[0020]作為上述一種簡(jiǎn)易型欠電壓的保護(hù)裝置的優(yōu)選方案,其中該第二晶體管為N通道的空乏型金氧半場(chǎng)效晶體管。
[0021]作為上述一種簡(jiǎn)易型欠電壓的保護(hù)裝置的優(yōu)選方案,其中該外部的電壓源小于該二極管的電壓時(shí),該射極接腳至該集極接腳間的電壓為0.5^0.9V。
[0022]作為上述一種簡(jiǎn)易型欠電壓的保護(hù)裝置的優(yōu)選方案,其中該外部的電壓源大于二極管的電壓時(shí),該射極接腳至該集極接腳間的電壓等于該射極接腳至該基極接腳間的電壓加上該基極接腳至電路接地端的電壓。
[0023]作為上述一種簡(jiǎn)易型欠電壓的保護(hù)裝置的優(yōu)選方案,其中該第一晶體管的基極接腳至電路接地端的電壓為外部的電壓源減去二極管的電壓乘于該可變電阻器的分壓比。
[0024]作為上述一種簡(jiǎn)易型欠電壓的保護(hù)裝置的優(yōu)選方案,其中該可變電阻器的電阻值范圍在(Γ500ΚΩ之間。
[0025]為達(dá)到上述的目的,本實(shí)用新型提供另一種簡(jiǎn)易型欠電壓的保護(hù)裝置,其電性連接外部的電壓源,包括:
[0026]一電壓檢測(cè)單元,包含:
[0027]—二極管,其具有一輸入端及一輸出端,該輸入端以電性連接外部的電壓源;
[0028]一可變電阻器,其具有一第一接腳、一第二接腳及一第三接腳,該可變電阻器的第一接腳以電性連接該保護(hù)裝置的電路接地端,并電性連接外部的電壓源,該可變電阻器的第三接腳與該二極管的輸出端電性連接;
[0029]一第一晶體管,其具有一集極接腳、一射極接腳及一基極接腳,該第一晶體管的射極接腳與該可變電阻器的第一接腳及該電路接地端電性連接,該第一晶體管的基極接腳與該可變電阻器的第二接腳電性連接;
[0030]一固定電阻器,其上具有一輸入端及一輸出端,該輸入端電性連接該保護(hù)裝置的電路電源,該固定電阻器的輸出端與該第一晶體管的集極接腳電性連接;及
[0031]一啟動(dòng)單元,包含:
[0032]一第二晶體管,其上具有一源極接腳、一汲極接腳及一閘極接腳,該第二晶體管的源極接腳與該第一晶體管的射極接腳及該電路接地端電性連接,該第二晶體管的汲極接腳與該保護(hù)裝置的電路電源電性連接;
[0033]—反向器,其具有一輸入端級(jí)一輸出端,該反向器的輸入端與該固定電阻器的輸出端及該第一晶體管的集極接腳電性連接,該反向器的輸出端與該第二晶體管的閘極接腳電性連接;
[0034]其中,在外部的電壓源小于該二極管的電壓時(shí),該第一晶體管的集極至射極的電壓等于電路電源,該反向器的輸出為低電位,且該啟動(dòng)單元的第二晶體管為截止;在外部的電壓源大于該二極管的電壓時(shí),該第一晶體管的基極至射極的電壓大于順向?qū)妷海以摷瘶O至射極的電壓等于飽和電壓,該反向器的輸出為高電位,且該啟動(dòng)單元的第二晶體管為導(dǎo)通。
[0035]作為上述另一種簡(jiǎn)易型欠電壓的保護(hù)裝置的優(yōu)選方案,其中該二極管的輸入端以電性連接外部的電壓源的正電壓源,該電壓源的電壓范圍在(T10v之間。
[0036]作為上述另一種簡(jiǎn)易型欠電壓的保護(hù)裝置的優(yōu)選方案,其中該二極管為稽納二極管,該稽納二極管的電壓范圍在2.(T62V之間。
[0037]作為上述另一種簡(jiǎn)易型欠電壓的保護(hù)裝置的優(yōu)選方案,其中該可變電阻器的第一接腳以電性連接外部的電壓源的負(fù)電壓源。
[0038]作為上述另一種簡(jiǎn)易型欠電壓的保護(hù)裝置的優(yōu)選方案,其中該第一晶體管為NPN型晶體管。
[0039]作為上述另一種簡(jiǎn)易型欠電壓的保護(hù)裝置的優(yōu)選方案,其中該第二晶體管為N通道的空乏型金氧半場(chǎng)效晶體管。
[0040]作為上述另一種簡(jiǎn)易型欠電壓的保護(hù)裝置的優(yōu)選方案,其中該外部的電壓源大于該二極管的電壓時(shí),該第一晶體管的基極至射極電壓的順向?qū)妷簽?.6^1.1V,該第一晶體管的集極至射極電壓的飽和電壓為0.2^0.4V。
[0041]作為上述另一種簡(jiǎn)易型欠電壓的保護(hù)裝置的優(yōu)選方案,其中該第一晶體管的基極接腳至電路接地端的電壓為外部的電壓源減去二極管的電壓乘于該可變電阻器的分壓比。
[0042]作為上述另一種簡(jiǎn)易型欠電壓的保護(hù)裝置的優(yōu)選方案,其中該可變電阻器的電阻值范圍在(Γ500ΚΩ之間。
[0043]為達(dá)到上述的目的,本實(shí)用新型提供又一種簡(jiǎn)易型欠電壓的保護(hù)裝置,其電性連接外部的電壓源,包括:
[0044]一電壓檢測(cè)單元,包含:
[0045]—二極管,其具有一輸入端及一輸出端,該輸入端以電性連接外部的電壓源;
[0046]—可變電阻器,其具有一第一接腳、一第二接腳及一第三接腳,該可變電阻器的第一接腳以電性連接該保護(hù)裝置的電路接地端,并電性連接外部的電壓源,該可變電阻器的第三接腳與該二極管的輸出端電性連接;
[0047]一第一晶體管,其具有一源極接腳、一汲極接腳及一閘極接腳,該第一晶體管的源極接腳與該可變電阻器的第一接腳及該電路接地端電性連接,該第一晶體管的閘極接腳與該可變電阻器的第二接腳電性連接;
[0048]—固定電阻器,其上具有一輸入端及一輸出端,該固定電阻器的輸入端電性連接該保護(hù)裝置的電路電源,該固定電阻器的輸出端與該第一晶體管的汲極接腳電性連接;及
[0049]一啟動(dòng)單元,包含:
[0050]一第二晶體管,其上具有一源極接腳、一汲極接腳及一閘極接腳,該第二晶體管的源極接腳與該第一晶體管的源極接腳及該電路接地端電性連接,該第二晶體管的汲極接腳與該保護(hù)裝置的電路電源電性連接;
[0051]—反向器,其具有一輸入端級(jí)一輸出端,該反向器的輸入端與該固定電阻器的輸出端及該第一晶體管的汲極接腳電性連接,該反向器的輸出端與該第二晶體管的閘極接腳電性連接;
[0052]其中,在外部的電壓源小于二極管電壓,第一晶體管的閘極至源極的電壓小于第一晶體管的閘極至源極的臨界電壓時(shí),該第一晶體管不導(dǎo)通,該汲極至源極電壓等于電路電源,使該反向器的輸出為低電位,該啟動(dòng)單元的第二晶體管為截止;在外部的電壓源大于二極管電壓,第一晶體管的閘極至源極的電壓大于第一晶體管的閘極至源極的臨界電壓時(shí),該第一晶體管導(dǎo)通,該汲極至源極電壓等于零伏特,該反向器的輸出為高電位,且該啟動(dòng)單元的第二晶體管為導(dǎo)通。
[0053]作為上述又一種簡(jiǎn)易型欠電壓的保護(hù)裝置的優(yōu)選方案,其中該二極管的輸入端以電性連接外部的電壓源的正電壓源,該電壓源的電壓范圍在(T10v之間。
[0054]作為上述又一種簡(jiǎn)易型欠電壓的保護(hù)裝置的優(yōu)選方案,其中該二極管為稽納二極管,該稽納二極管的電壓范圍在2.(T62V之間。
[0055]作為上述又一種簡(jiǎn)易型欠電壓的保護(hù)裝置的優(yōu)選方案,其中該可變電阻器的第一接腳以電性連接外部的電壓源的負(fù)電壓源。
[0056]作為上述又一種簡(jiǎn)易型欠電壓的保護(hù)裝置的優(yōu)選方案,其中該第一晶體管及該第二晶體管為N通道的空乏型金氧半場(chǎng)效晶體管。
[0057]作為上述又一種簡(jiǎn)易型欠電壓的保護(hù)裝置的優(yōu)選方案,其中該第一晶體管的閘極接腳至電路接地端的電壓為外部的電壓源減去二極管的電壓乘于該可變電阻器的分壓比。
[0058]作為上述又一種簡(jiǎn)易型欠電壓的保護(hù)裝置的優(yōu)選方案,其中該可變電阻器的電阻值范圍在(Γ500ΚΩ之間。
[0059]本實(shí)用新型利用少數(shù)的電子零件制作成簡(jiǎn)易型欠電壓的保護(hù)裝置,使線路簡(jiǎn)易,讓制作上更加容易,可以大幅度降低制作成本;而且使用可變電阻器會(huì)根據(jù)外部的電壓源的大小來調(diào)整電阻值,以控制電壓值比例輸出,讓保護(hù)裝置可運(yùn)用于不同的輸入電壓源上。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0060]圖1為本實(shí)用新型的欠電壓保護(hù)裝置的電路方塊示意圖;
[0061]圖2為本實(shí)用新型的欠電壓保護(hù)裝置的電路線路示意圖;
[0062]圖3為本實(shí)用新型的欠電壓保護(hù)裝置的另一實(shí)施例電路線路示意圖;
[0063]圖4為本實(shí)用新型的欠電壓保護(hù)裝置的再一實(shí)施例電路線路示意圖。
[0064]【主要元件符號(hào)說明】
[0065]電壓檢測(cè)單元-1 ;二極管-11 ;輸入端-111 ;輸出端-112 ;可變電阻器_12 ;第一接腳-121 ;第二接腳-122 ;第三接腳-123 ;第一晶體管-13、15、16 ;集極接腳_131、151 ;射極接腳_132、152 ;基極接腳_133、153 ;固定電阻器_14 ;輸入端-141 ;輸出端-142 ;
[0066]啟動(dòng)單元-2;第二晶體管-21 ;源極接腳_211、161 ;汲極接腳-212、162 ;閘極接腳-213、163 ;
[0067]反向器-3 ;輸入端-31 ;輸出端-32 ;
[0068]保護(hù)裝置-10 ;電路接地端-101 ;電路電源-102 ;
[0069]電壓源-20 ;正電壓源-201 ;負(fù)電壓源-202。

【具體實(shí)施方式】
[0070]為了讓本實(shí)用新型的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯,下文將配合附圖,作詳細(xì)說明如下。
[0071]請(qǐng)參閱圖1及圖2,為本實(shí)用新型的欠電壓保護(hù)裝置的電路方塊及電路線路示意圖。如圖所示:本實(shí)用新型的簡(jiǎn)易型欠電壓的保護(hù)裝置10,包括:一電壓檢測(cè)單元I及一啟動(dòng)單元2。
[0072]該電壓檢測(cè)單元1,包含有一二極管(Dl)ll、一可變電阻器(Rl) 12、一晶體管(Ql) 13及一固定電阻器(R2) 14。
[0073]該二極管11,具有一輸入端111及一輸出端112,該輸入端111以電性連接外部的電壓源20的正電壓源(+Vin)201。在本圖中,該二極管11為稽納二極管。在本圖中,該稽納二極管的電壓范圍在2.(T62V之間。
[0074]該可變電阻器12,具有一第一接腳121、一第二接腳122及一第三接腳123。該可變電阻器12的第一接腳121以電性連接該保護(hù)裝置10的電路接地端101,并電性連接外部的電壓源20的負(fù)電壓源(-Vin) 202,該可變電阻器12的第二接腳122與該晶體管13的基極接腳133電性連接,該可變電阻器12的第三接腳123與該二極管11的輸出端112電性連接。在本圖中,該可變電阻器12的電阻值范圍在(Γ500ΚΩ之間。
[0075]該第一晶體管13,具有一集極接腳131、一射極接腳132及一基極接腳133。該第一晶體管13的集極接腳131與該可變電阻器12的第一接腳121及該電路接地端101電性連接,該第一晶體管13的基極接腳133與該可變電阻器12的第二接腳122電性連接。在本圖中,該第一晶體管13為PNP型晶體管。
[0076]該固定電阻器14,其上具有一輸入端141及一輸出端142,該輸入端141電性連接該保護(hù)裝置10的電路電源(Vcc) 102,該固定電阻器14的輸出端142與該第一晶體管13的射極接腳132電性連接。
[0077]該啟動(dòng)單元2,由一第二晶體管21組成。該第二晶體管21上具有一源極接腳(Source) 211、一汲極接腳(Drain) 212及一閘極接腳(Gate) 213,該第二晶體管21的源極接腳211與該第一晶體管13的集極接腳131及該電路接地端101電性連,該第二晶體管21的閘極接腳213與該固定電阻器14的輸出端142及第一晶體管13的射極接腳132電性連接,該第二晶體管21的汲極接腳212與該保護(hù)裝置的電路電源電性連接。在本圖中,該第二晶體管21為N通道的空乏型金氧半場(chǎng)效晶體管(cbplet1n mode M0SFET)。
[0078]本實(shí)用新型的電路動(dòng)作原理,則是通過二極管11、可變電組器12的壓降及第一晶體管13的射極接腳132至該基極接腳133間的電壓(Veb)控制該射極接腳132至該集極接腳131間的電壓(Vec)準(zhǔn)位。
[0079]當(dāng)外部的電壓源(Vin) 20 (電壓源20的電壓范圍在(TlOOV之間)小于該二極管11的電壓(Vz),該射極接腳132至該集極接腳131間的電壓(Vec)約0.5^0.9V[即Veb電壓],此時(shí)射極接腳132至該集極接腳131間的電壓(Vec)小于第二晶體管21的閘極接腳213至該源極接腳211間的臨界電壓(Vgsthreshoid voltage)時(shí),則該第二晶體管21不導(dǎo)通(Turn OFF),而關(guān)閉該啟動(dòng)單元2。
[0080]當(dāng)外部的電壓源(Vin) 20大于二極管11的電壓(Vz),該射極接腳132至該集極接腳131間的電壓(Vec)等于是該射極接腳132至該基極接腳133間的電壓(Veb)加上該基極接腳133至電路接地端101的電壓(Vb)[即為Vec=Veb+Vb],且在該射極接腳132至該集極接腳131間的電壓(Vec)大于第二晶體管21的閘極接腳213至該源極接腳211間的臨界電壓(Vgsthreshoid voltage),則該第二晶體管21導(dǎo)通(Turn ON),而開啟該啟動(dòng)單元2。在本圖中,該基極接腳133至電路接地端101的電壓(Vb)為外部的電壓源20減去二極管11的電壓[Vb=(Vin-Vz)]乘于可變電阻器12的分壓比。
[0081]請(qǐng)參閱圖3,為本實(shí)用新型的欠電壓保護(hù)裝置的另一實(shí)施例電路線路示意圖。如圖所示:本圖的欠電壓保護(hù)裝置的電路線路與圖2大致相同,不同處是在于圖3的第一晶體管15改為NPN型晶體管,該第一晶體管15,具有一集極接腳151、一射極接腳152及一基極接腳153。該第一晶體管15的射極接腳152與該可變電阻器12的第一接腳121及該電路接地端101電性連接,該第一晶體管15的基極接腳153與該可變電阻器12的第二接腳122電性連接,該集極接腳151與該固定電阻器14的輸出端142電性連接。且,該第一晶體管15的集極接腳151與該固定電阻器14的輸出端142電性連接處及該啟動(dòng)單元2之間電性連接有一反向器3,該反向器3的輸入端31與該第一晶體管15的集極接腳151與該固定電阻器14的輸出端142電性連接處電性連接,該反向器3的輸出端32與該第二晶體管21的閘極接腳213電性連接。
[0082]當(dāng)VirKVDl,第一晶體管(Ql) 15的集極至射極電壓(Vce)=電路電源(Vcc),因此反向器3的輸出為低電位(Low),所以該啟動(dòng)單元2的第二晶體管21為截止(Turn OFF)。
[0083]當(dāng)Vin>VDl,第一晶體管(Ql) 15的基極至射極電壓(Vbe) >順向?qū)妷?0.6?1.1V),因此集極至射極電壓(Vce) =飽和電壓(0.2^0.4V),該反向器3的輸出為高電位(HIGH),所以該啟動(dòng)單元2的第二晶體管21為導(dǎo)通(Turn ON)。
[0084]該基極接腳153至電路接地端101的電壓(Vb)為外部的電壓源20減去二極管11的電壓[Vb=(Vin-Vz)]乘以可變電阻器12的分壓比。
[0085]請(qǐng)參閱圖4,為本實(shí)用新型的欠電壓保護(hù)裝置的再一實(shí)施例電路線路示意圖。如圖所示:本圖的欠電壓保護(hù)裝置的電路線路與圖2大致相同,不同處是在于圖4的第一晶體管16改為N通道的空乏型金氧半場(chǎng)效晶體管,該第一晶體管16具有一源極接腳161、一汲極接腳162及一閘極接腳163,該第一晶體管16的源極接腳161與該可變電阻器12的第一接腳121及該電路接地端101電性連接,該第一晶體管16的閘極接腳163與該可變電阻器12的第二接腳122電性連接,該第一晶體管16的汲極接腳162與該固定電阻器14的輸出端142電性連接。且,該第一晶體管16的汲極接腳162與該固定電阻器14的輸出端142電性連接處及該啟動(dòng)單元2之間電性連接有一反向器3,該反向器3的輸入端31與該第一晶體管16的汲極接腳162與該固定電阻器14的輸出端142電性連接處電性連接,該反向器3的輸出端32與該第二晶體管21的閘極接腳213電性連接。
[0086]當(dāng)Vin〈VDl時(shí),第一晶體管(Ql) 16的閘極至源極電壓(Vgs)〈第一晶體管16的閘極至源極的臨界電壓(Vgs,th),該第一晶體管16不導(dǎo)通,汲極至源極電壓(Vds)=電路電源(Vcc),因此該反向器3的輸出為低電位(Low),所以該啟動(dòng)單元2的第二晶體管21為截止(Turn OFF)。
[0087]當(dāng)Vin>VDl時(shí),第一晶體管(Ql) 16的閘極至源極電壓(Vgs) >第一晶體管16的閘極至源極的臨界電壓(Vgs,th),該第一晶體管16導(dǎo)通,汲極至源極電壓(Vds)=OV,因此該反向器3的輸出為高電位(HIGH),所以該啟動(dòng)單元2的第二晶體管21為導(dǎo)通(Turn ON)。
[0088]該閘極接腳163至電路接地端101的電壓(Vg)為外部的電壓源20減去二極管11的電壓[Vg=(Vin-Vz)]乘于可變電阻器12的分壓比。
[0089]通過上述的少數(shù)電子零件來制作簡(jiǎn)易型欠電壓的保護(hù)裝置10,使制作更佳容易,可大幅度降低制作成本,且在欠電壓時(shí),可以保護(hù)負(fù)載的壽命。
[0090]進(jìn)一步,本實(shí)用新型的可變電阻器12的電阻值調(diào)整,會(huì)根據(jù)外部的電壓源(Vin) 20的大小來調(diào)整電阻值,以控制電壓值比例輸出,讓保護(hù)裝置10可運(yùn)用于不同的輸入電壓源上。
[0091]以上所述,僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例,并非因此而限定本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍,故舉凡運(yùn)用本實(shí)用新型說明書及附圖所作的均等變化與修飾,皆為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍所涵蓋。
【權(quán)利要求】
1.一種簡(jiǎn)易型欠電壓的保護(hù)裝置,其電性連接外部的電壓源,其特征在于,包括: 一電壓檢測(cè)單元,包含: 一二極管,其具有一輸入端及一輸出端,該輸入端以電性連接外部的電壓源; 一可變電阻器,其具有一第一接腳、一第二接腳及一第三接腳,該可變電阻器的第一接腳以電性連接該保護(hù)裝置的電路接地端,并電性連接外部的電壓源,該可變電阻器的第三接腳與該二極管的輸出端電性連接; 一第一晶體管,其具有一集極接腳、一射極接腳及一基極接腳,該第一晶體管的集極接腳與該可變電阻器的第一接腳及該電路接地端電性連接,該第一晶體管的基極接腳與該可變電阻器的第二接腳電性連接; 一固定電阻器,其上具有一輸入端及一輸出端,該輸入端電性連接該保護(hù)裝置的電路電源,該固定電阻器的輸出端與該第一晶體管的射極接腳電性連接;及 一啟動(dòng)單元,包含: 一第二晶體管,其上具有一源極接腳、一汲極接腳及一閘極接腳,該第二晶體管的源極接腳與該第一晶體管的集極接腳及該電路接地端電性連接,該第二晶體管的閘極接腳與該固定電阻器的輸出端及第一晶體管的射極接腳電性連接,該第二晶體管的汲極接腳與該保護(hù)裝置的電路電源電性連接; 其中,在外部的電壓源小于該二極管的電壓,且該第一晶體管的射極接腳至該集極接腳間的電壓小于第二晶體管的閘極接腳至該源極接腳間的臨界電壓時(shí),則該第二晶體管不導(dǎo)通,而關(guān)閉該啟動(dòng)單元;在外部的電壓源大于二極管的電壓,且該第一晶體管的射極接腳至該集極接腳間的電壓大于第二晶體管的閘極接腳至該源極接腳間的臨界電壓時(shí),則該第二晶體管導(dǎo)通,而開啟該啟動(dòng)單元。
2.如權(quán)利要求1所述的保護(hù)裝置,其特征在于,該二極管的輸入端以電性連接外部的電壓源的正電壓源,該電壓源的電壓范圍在(T10v之間。
3.如權(quán)利要求2所述的保護(hù)裝置,其特征在于,該二極管為稽納二極管,該稽納二極管的電壓范圍在2.(T62V之間。
4.如權(quán)利要求3所述的保護(hù)裝置,其特征在于,該可變電阻器的第一接腳以電性連接外部的電壓源的負(fù)電壓源。
5.如權(quán)利要求4所述的保護(hù)裝置,其特征在于,該第一晶體管為PNP型晶體管。
6.如權(quán)利要求5所述的保護(hù)裝置,其特征在于,該第二晶體管為N通道的空乏型金氧半場(chǎng)效晶體管。
7.如權(quán)利要求6所述的保護(hù)裝置,其特征在于,該外部的電壓源小于該二極管的電壓時(shí),該射極接腳至該集極接腳間的電壓為0.5^0.9V。
8.如權(quán)利要求7所述的保護(hù)裝置,其特征在于,該外部的電壓源大于二極管的電壓時(shí),該射極接腳至該集極接腳間的電壓等于該射極接腳至該基極接腳間的電壓加上該基極接腳至電路接地端的電壓。
9.如權(quán)利要求8所述的保護(hù)裝置,其特征在于,該第一晶體管的基極接腳至電路接地端的電壓為外部的電壓源減去二極管的電壓乘于該可變電阻器的分壓比。
10.如權(quán)利要求9所述的保護(hù)裝置,其特征在于,該可變電阻器的電阻值范圍在0?500ΚΩ之間。
11.一種簡(jiǎn)易型欠電壓的保護(hù)裝置,其電性連接外部的電壓源,其特征在于,包括: 一電壓檢測(cè)單元,包含: 一二極管,其具有一輸入端及一輸出端,該輸入端以電性連接外部的電壓源; 一可變電阻器,其具有一第一接腳、一第二接腳及一第三接腳,該可變電阻器的第一接腳以電性連接該保護(hù)裝置的電路接地端,并電性連接外部的電壓源,該可變電阻器的第三接腳與該二極管的輸出端電性連接; 一第一晶體管,其具有一集極接腳、一射極接腳及一基極接腳,該第一晶體管的射極接腳與該可變電阻器的第一接腳及該電路接地端電性連接,該第一晶體管的基極接腳與該可變電阻器的第二接腳電性連接; 一固定電阻器,其上具有一輸入端及一輸出端,該輸入端電性連接該保護(hù)裝置的電路電源,該固定電阻器的輸出端與該第一晶體管的集極接腳電性連接;及 一啟動(dòng)單元,包含: 一第二晶體管,其上具有一源極接腳、一汲極接腳及一閘極接腳,該第二晶體管的源極接腳與該第一晶體管的射極接腳及該電路接地端電性連接,該第二晶體管的汲極接腳與該保護(hù)裝置的電路電源電性連接; 一反向器,其具有一輸入端級(jí)一輸出端,該反向器的輸入端與該固定電阻器的輸出端及該第一晶體管的集極接腳電性連接,該反向器的輸出端與該第二晶體管的閘極接腳電性連接; 其中,在外部的電壓源小于該二極管的電壓時(shí),該第一晶體管的集極至射極的電壓等于電路電源,該反向器的輸出為低電位,且該啟動(dòng)單元的第二晶體管為截止;在外部的電壓源大于該二極管的電壓時(shí),該第一晶體管的基極至射極的電壓大于順向?qū)妷?,且該集極至射極的電壓等于飽和電壓,該反向器的輸出為高電位,且該啟動(dòng)單元的第二晶體管為導(dǎo)通。
12.如權(quán)利要求11所述的保護(hù)裝置,其特征在于,該二極管的輸入端以電性連接外部的電壓源的正電壓源,該電壓源的電壓范圍在(T10v之間。
13.如權(quán)利要求12所述的保護(hù)裝置,其特征在于,該二極管為稽納二極管,該稽納二極管的電壓范圍在2.(T62V之間。
14.如權(quán)利要求13所述的保護(hù)裝置,其特征在于,該可變電阻器的第一接腳以電性連接外部的電壓源的負(fù)電壓源。
15.如權(quán)利要求14所述的保護(hù)裝置,其特征在于,該第一晶體管為NPN型晶體管。
16.如權(quán)利要求15所述的保護(hù)裝置,其特征在于,該第二晶體管為N通道的空乏型金氧半場(chǎng)效晶體管。
17.如權(quán)利要求16所述的保護(hù)裝置,其特征在于,該外部的電壓源大于該二極管的電壓時(shí),該第一晶體管的基極至射極電壓的順向?qū)妷簽?.6^1.1V,該第一晶體管的集極至射極電壓的飽和電壓為0.2^0.4V。
18.如權(quán)利要求17所述的保護(hù)裝置,其特征在于,該第一晶體管的基極接腳至電路接地端的電壓為外部的電壓源減去二極管的電壓乘于該可變電阻器的分壓比。
19.如權(quán)利要求18所述的保護(hù)裝置,其特征在于,該可變電阻器的電阻值范圍在0?500ΚΩ之間。
20.一種簡(jiǎn)易型欠電壓的保護(hù)裝置,其電性連接外部的電壓源,其特征在于,包括: 一電壓檢測(cè)單元,包含: 一二極管,其具有一輸入端及一輸出端,該輸入端以電性連接外部的電壓源; 一可變電阻器,其具有一第一接腳、一第二接腳及一第三接腳,該可變電阻器的第一接腳以電性連接該保護(hù)裝置的電路接地端,并電性連接外部的電壓源,該可變電阻器的第三接腳與該二極管的輸出端電性連接; 一第一晶體管,其具有一源極接腳、一汲極接腳及一閘極接腳,該第一晶體管的源極接腳與該可變電阻器的第一接腳及該電路接地端電性連接,該第一晶體管的閘極接腳與該可變電阻器的第二接腳電性連接; 一固定電阻器,其上具有一輸入端及一輸出端,該固定電阻器的輸入端電性連接該保護(hù)裝置的電路電源,該固定電阻器的輸出端與該第一晶體管的汲極接腳電性連接;及 一啟動(dòng)單元,包含: 一第二晶體管,其上具有一源極接腳、一汲極接腳及一閘極接腳,該第二晶體管的源極接腳與該第一晶體管的源極接腳及該電路接地端電性連接,該第二晶體管的汲極接腳與該保護(hù)裝置的電路電源電性連接; 一反向器,其具有一輸入端級(jí)一輸出端,該反向器的輸入端與該固定電阻器的輸出端及該第一晶體管的汲極接腳電性連接,該反向器的輸出端與該第二晶體管的閘極接腳電性連接; 其中,在外部的電壓源小于二極管電壓,第一晶體管的閘極至源極的電壓小于第一晶體管的閘極至源極的臨界電壓時(shí),該第一晶體管不導(dǎo)通,該汲極至源極電壓等于電路電源,使該反向器的輸出為低電位,該啟動(dòng)單元的第二晶體管為截止;在外部的電壓源大于二極管電壓,第一晶體管的閘極至源極的電壓大于第一晶體管的閘極至源極的臨界電壓時(shí),該第一晶體管導(dǎo)通,該汲極至源極電壓等于零伏特,該反向器的輸出為高電位,且該啟動(dòng)單元的第二晶體管為導(dǎo)通。
21.如權(quán)利要求20所述的保護(hù)裝置,其特征在于,該二極管的輸入端以電性連接外部的電壓源的正電壓源,該電壓源的電壓范圍在(Γ100V之間。
22.如權(quán)利要求21所述的保護(hù)裝置,其特征在于,該二極管為稽納二極管,該稽納二極管的電壓范圍在2.(T62V之間。
23.如權(quán)利要求22所述的保護(hù)裝置,其特征在于,該可變電阻器的第一接腳以電性連接外部的電壓源的負(fù)電壓源。
24.如權(quán)利要求23所述的保護(hù)裝置,其特征在于,該第一晶體管及該第二晶體管為N通道的空乏型金氧半場(chǎng)效晶體管。
25.如權(quán)利要求24所述的保護(hù)裝置,其特征在于,該第一晶體管的閘極接腳至電路接地端的電壓為外部的電壓源減去二極管的電壓乘于該可變電阻器的分壓比。
26.如權(quán)利要求25所述的保護(hù)裝置,其特征在于,該可變電阻器的電阻值范圍在0?500ΚΩ之間。
【文檔編號(hào)】H02H3/24GK204179636SQ201420595237
【公開日】2015年2月25日 申請(qǐng)日期:2014年10月15日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月15日
【發(fā)明者】陳聯(lián)興, 蔡正特, 黃盛亙 申請(qǐng)人:博大科技股份有限公司
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