一種溫度漸變的育嬰箱的制作方法
【專利摘要】本實用新型提出了一種溫度漸變的育嬰箱，包括電源、電壓產(chǎn)生電路、第一石磨盤陣列和第二石磨盤陣列，電壓產(chǎn)生電路的輸入端連接到電源，電壓產(chǎn)生電路的輸出端連接到第一石磨盤陣列，第二石磨盤陣列連接在所述電源和副邊地電位之間。本實用新型的育嬰箱，通過石墨盤陣列提供熱能，石磨盤陣列的導熱性好，物理和化學性能穩(wěn)定，抗振性好，使用時間長。
【專利說明】一種溫度漸變的育嬰箱

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及醫(yī)療器械領(lǐng)域，特別涉及一種育嬰箱。

【背景技術(shù)】
[0002]剛出生的嬰兒身體虛弱，需要在特制的育嬰箱中進行監(jiān)護。育嬰箱最關(guān)鍵的技術(shù)環(huán)節(jié)是溫度控制，目前普遍采用紅外線燈對育嬰箱進行加熱，通過切換導通的紅外線燈的個數(shù)調(diào)節(jié)箱內(nèi)溫度。
[0003]但現(xiàn)有的紅外線燈育嬰箱存在以下不足:(I)育嬰箱的使用年限與紅外線燈息息相關(guān)，而紅外線燈在滿負荷情況下的使用年限只有1-2年；(2)由于紅外線燈的存在，育嬰箱在移動或運輸過程中有非常高的平穩(wěn)性要求，較大的振動或者晃動都會導致紅外線燈的失效；(3)通過切換紅外線燈的個數(shù)來調(diào)節(jié)箱內(nèi)溫度，調(diào)溫過程中溫度變化范圍對于嬰兒而言是很大的，會給嬰兒帶來身體上的不適。
[0004]因此，提供一種使用年限長、抗振動性好、漸變調(diào)溫的育嬰箱是目前亟待解決的問題。
實用新型內(nèi)容
[0005]本實用新型提出一種溫度漸變的育嬰箱，解決了現(xiàn)有紅外線燈育嬰箱使用年限短、抗振性差和調(diào)溫時溫差大的問題。
[0006]本實用新型的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的:
[0007]—種溫度漸變的育嬰箱，包括:電源、電壓產(chǎn)生電路、第一石磨盤陣列和第二石磨盤陣列，電壓產(chǎn)生電路的輸入端連接到電源，電壓產(chǎn)生電路的輸出端連接到第一石磨盤陣列，第二石磨盤陣列連接在所述電源和副邊地電位之間；
[0008]所述第一石磨盤陣列包括兩列串聯(lián)連接的石磨盤串，所述第二石磨盤陣列也包括兩列串聯(lián)連接的石磨盤串，第一石磨盤陣列的石磨盤串和第二石磨盤陣列的石磨盤串交叉排列，所述石磨盤的半徑為1-2厘米；
[0009]所述電壓產(chǎn)生電路包括:
[0010]變壓器，包括原邊繞組和副邊繞組，原邊繞組包括第一端和第二端，副邊繞組包括第一端和第二端，原邊繞組第一端連接到所述電源，副邊繞組第二端連接到副邊地電位，原邊繞組第一端和副邊繞組第二端為同名端；
[0011]開關(guān)管，其源極連接到變壓器原邊繞組第二端，其漏極連接到原邊地電位，其柵極連接到開關(guān)驅(qū)動器；
[0012]開關(guān)驅(qū)動器，包括第一晶體管和第二晶體管，第一晶體管為NPN晶體管，第二晶體管為PNP晶體管，第一晶體管和第二晶體管的基極連接在一起作為控制端，第一晶體管和第二晶體管的發(fā)射極連接在一起作為輸出端，第一晶體管的集電極連接到電源，第二晶體管的集電極連接到原邊地電位；
[0013]頻率發(fā)生電路，包括鎖相環(huán)，其連接至晶振；低通濾波器，連接至鎖相環(huán)的輸出端；壓控振蕩器，連接至低通濾波器輸出端，其輸出端一路通過倍頻器電路反饋至鎖相環(huán)，另一路輸出至放大器，放大器的輸出端連接到所述開關(guān)驅(qū)動器的控制端；
[0014]所述倍頻器電路包括并聯(lián)連接的3倍頻器、6倍頻器和9倍頻器，所述3倍頻器、6倍頻器和9倍頻器分別通過第一溫控開關(guān)、第二溫控開關(guān)和第三溫控開關(guān)連接至所述鎖相環(huán)；
[0015]所述第一溫控開關(guān)、第二溫控開關(guān)和第三溫控開關(guān)與箱體外殼上的按鈕相連接；
[0016]二極管，其陽極連接到變壓器副邊繞組第一端，其陰極連接到電感器；
[0017]電感器與電容器的公共端連接至第一石磨盤陣列的第一端，電容器的另一端連接至副邊地電位和第一石磨盤陣列的第二端。
[0018]可選地，所述第一開關(guān)管、第二開關(guān)管和第三開關(guān)管為MOSFET晶體管。
[0019]可選地，所述晶振振蕩頻率為100MHz。
[0020]本實用新型的有益效果是:
[0021](I)石磨盤陣列的導熱性好，物理和化學性能穩(wěn)定，抗振性好，使用時間長；
[0022](2)第二石磨盤陣列為恒溫陣列，為箱體提供基本熱能，第一石磨盤陣列為調(diào)溫陣列，通過對頻率信號的調(diào)節(jié)改變第一石磨盤陣列的溫度，進而調(diào)節(jié)箱體的溫度；
[0023](3)電壓產(chǎn)生電路的輸出端有電容器，電容器上的電壓不能突變，因此育嬰箱的溫度緩慢變化。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0025]圖1為本實用新型溫度漸變的育嬰箱的電路圖；
[0026]圖2為圖1中第一石磨盤陣列和第二石磨盤陣列的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】
[0027]下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├绢I(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0028]如圖1所示，本實用新型的一種溫度漸變的育嬰箱，包括:電源1、電壓產(chǎn)生電路10、第一石磨盤陣列80和第二石磨盤陣列90，電壓產(chǎn)生電路10的輸入端連接到電源1，電壓產(chǎn)生電路10的輸出端連接到第一石墨盤陣列80，第二石墨盤陣列90連接在所述電源I和副邊地電位之間。
[0029]如圖2所示，所述第一石磨盤陣列80包括兩列串聯(lián)連接的石磨盤串，所述第二石磨盤陣列90也包括兩列串聯(lián)連接的石磨盤串，第一石磨盤陣列的石磨盤串和第二石磨盤陣列的石磨盤串交叉排列，所述石磨盤的半徑為1-2厘米。石墨具有高導電性和高導熱性，而且其化學和物理性能穩(wěn)定，抗振性好，使用時間長。通過電壓產(chǎn)生電路10和電源I分別向第一石墨盤陣列80和第二石墨盤陣列90施加直流電壓，石墨盤作為導體被加熱，向箱體內(nèi)提供熱能。
[0030]具體地，所述電壓產(chǎn)生電路10包括:變壓器11，包括原邊繞組和副邊繞組，原邊繞組包括第一端和第二端，副邊繞組包括第一端和第二端，原邊繞組第一端連接到所述電源1，副邊繞組第二端連接到副邊地電位，原邊繞組第一端和副邊繞組第二端為同名端；開關(guān)管12，其源極連接到變壓器原邊繞組第二端，其漏極連接到原邊地電位，其柵極連接到開關(guān)驅(qū)動器13 ;開關(guān)驅(qū)動器13，包括第一晶體管和第二晶體管，第一晶體管為NPN晶體管，第二晶體管為PNP晶體管，第一晶體管和第二晶體管的基極連接在一起作為控制端，第一晶體管和第二晶體管的發(fā)射極連接在一起作為輸出端，第一晶體管的集電極連接到電源1，第二晶體管的集電極連接到原邊地電位；頻率發(fā)生電路40，包括鎖相環(huán)41，其連接至晶振100 ；低通濾波器42，連接至鎖相環(huán)41的輸出端；壓控振蕩器43，其輸出端一路通過倍頻器電路反饋至鎖相環(huán)，另一路輸出至放大器45，放大器45的輸出端輸出第一頻率信號f I且連接到所述開關(guān)驅(qū)動器13的控制端。二極管14，其陽極連接到變壓器副邊繞組第一端，其陰極連接到電感器15 ;電感器15與電容器16的公共端連接至第一石墨盤電路80的第一端，電容器16的另一端連接至副邊地電位和第一石磨盤陣列80的第二端。
[0031]所述倍頻器電路包括并聯(lián)連接的3倍頻器45、6倍頻器46和9倍頻器47，3倍頻器、6倍頻器和9倍頻器分別通過第一溫控開關(guān)51、第二溫控開關(guān)52和第三溫控開關(guān)53連接至鎖相環(huán)41 ;所述第一溫控開關(guān)51、第二溫控開關(guān)52和第三溫控開關(guān)53與箱體外殼上的按鈕相連接，通過操作育嬰箱箱體上的按鈕控制相應(yīng)的溫控開關(guān)的導通和關(guān)斷，控制第一頻率信號Π，實現(xiàn)電壓產(chǎn)生電路10輸出電壓的調(diào)節(jié)，進而調(diào)節(jié)第一石墨盤陣列80的溫度。
[0032]本實用新型中變壓器的變比為1:1，實現(xiàn)原副邊電氣隔離。
[0033]優(yōu)選地，所述第一開關(guān)管12為MOSFET晶體管。
[0034]優(yōu)選地，所述晶振100的振蕩頻率為10MHz。
[0035]本實用新型的育嬰箱，通過石墨盤陣列提供熱能，石磨盤陣列的導熱性好，物理和化學性能穩(wěn)定，抗振性好，使用時間長；第二石磨盤陣列為恒溫陣列，為箱體提供基本熱能，第一石磨盤陣列為調(diào)溫陣列，通過對頻率信號的調(diào)節(jié)改變第一石磨盤陣列的溫度，進而調(diào)節(jié)箱體的溫度；電壓產(chǎn)生電路的輸出端有電容器，電容器上的電壓不能突變，因此育嬰箱的溫度緩慢變化。
[0036]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種溫度漸變的育嬰箱，其特征在于，包括:電源、電壓產(chǎn)生電路、第一石磨盤陣列和第二石磨盤陣列，電壓產(chǎn)生電路的輸入端連接到電源，電壓產(chǎn)生電路的輸出端連接到第一石磨盤陣列，第二石磨盤陣列連接在所述電源和副邊地電位之間； 所述第一石磨盤陣列包括兩列串聯(lián)連接的石磨盤串，所述第二石磨盤陣列也包括兩列串聯(lián)連接的石磨盤串，第一石磨盤陣列的石磨盤串和第二石磨盤陣列的石磨盤串交叉排列，所述石磨盤的半徑為1-2厘米； 所述電壓產(chǎn)生電路包括: 變壓器，包括原邊繞組和副邊繞組，原邊繞組包括第一端和第二端，副邊繞組包括第一端和第二端，原邊繞組第一端連接到所述電源，副邊繞組第二端連接到副邊地電位，原邊繞組第一端和副邊繞組第二端為同名端； 開關(guān)管，其源極連接到變壓器原邊繞組第二端，其漏極連接到原邊地電位，其柵極連接到開關(guān)驅(qū)動器； 開關(guān)驅(qū)動器，包括第一晶體管和第二晶體管，第一晶體管為NPN晶體管,第二晶體管為PNP晶體管，第一晶體管和第二晶體管的基極連接在一起作為控制端，第一晶體管和第二晶體管的發(fā)射極連接在一起作為輸出端，第一晶體管的集電極連接到電源，第二晶體管的集電極連接到原邊地電位； 頻率發(fā)生電路，包括鎖相環(huán)，其連接至晶振；低通濾波器，連接至鎖相環(huán)的輸出端；壓控振蕩器，連接至低通濾波器輸出端，其輸出端一路通過倍頻器電路反饋至鎖相環(huán)，另一路輸出至放大器，放大器的輸出端連接到所述開關(guān)驅(qū)動器的控制端； 所述倍頻器電路包括并聯(lián)連接的3倍頻器、6倍頻器和9倍頻器，所述3倍頻器、6倍頻器和9倍頻器分別通過第一溫控開關(guān)、第二溫控開關(guān)和第三溫控開關(guān)連接至所述鎖相環(huán)；所述第一溫控開關(guān)、第二溫控開關(guān)和第三溫控開關(guān)與箱體外殼上的按鈕相連接；二極管，其陽極連接到變壓器副邊繞組第一端，其陰極連接到電感器； 電感器與電容器的公共端連接至第一石磨盤陣列的第一端，電容器的另一端連接至副邊地電位和第一石磨盤陣列的第二端。
2.如權(quán)利要求1所述的溫度漸變的育嬰箱，其特征在于，所述晶振振蕩頻率為100MHz。
【文檔編號】H02M3/335GK203933402SQ201420191761
【公開日】2014年11月5日 申請日期:2014年4月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月18日
【發(fā)明者】韓美艷 申請人:韓美艷