一種變頻器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種變頻器的制造方法，包括步驟：1）將變頻器主體裝配在能夠置入井道的筒狀外殼內(nèi)；2）將下端蓋封合于筒狀外殼的底端；3）將能夠供井道桿體貫穿的內(nèi)筒套入筒狀外殼內(nèi)，同時(shí)使變頻器主體位于筒狀外殼與內(nèi)筒之間的容腔內(nèi)，直至內(nèi)筒底端到達(dá)下端蓋處，并將下端蓋與內(nèi)筒底端焊接相連，形成筒狀本體；4）從筒狀本體的頂端開口處向容腔內(nèi)注入灌封膠；5）將上端蓋封合于筒狀本體的頂端。上述變頻器的制造方法制造的變頻器呈筒狀，該變頻器的筒狀外殼能夠進(jìn)入鉆井管道，其能夠與井道桿體和電機(jī)等設(shè)備連接后整體深入井下作業(yè)；又本發(fā)明的制造方法通過焊接和注入灌封膠使變頻器能夠滿足井下浸泡的防護(hù)要求；所以能夠應(yīng)用于礦井設(shè)備。
【專利說明】一種變頻器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及變頻控制【技術(shù)領(lǐng)域】，更具體地說，涉及一種變頻器的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]變頻器是變頻調(diào)速領(lǐng)域內(nèi)的重要設(shè)備，廣泛應(yīng)用于傳統(tǒng)工業(yè)(如紡織、陶瓷、機(jī)床加工等)。目前，普通常見的變頻器主要包括:箱體，和位于箱體內(nèi)的變頻器主體；其中變頻器主體主要包括功率器件IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)、與功率器件相連的驅(qū)動(dòng)板、與驅(qū)動(dòng)板相連的控制板、與驅(qū)動(dòng)板相連的電容組件；其中驅(qū)動(dòng)板和控制板均設(shè)置有I/O (input/output)接口。不同功率等級(jí)的變頻器，大小不同，通常變頻器功率越大，其體積也越大。變頻器的箱體通常呈長(zhǎng)方體狀。
[0003]在井下勘探和石油開采應(yīng)用領(lǐng)域，對(duì)礦井設(shè)備的變頻驅(qū)動(dòng)控制有著廣泛的應(yīng)用前景，存在將變頻器應(yīng)用于礦井設(shè)備的需求。在井下勘探和石油開采應(yīng)用領(lǐng)域，井道的橫截面為圓形，礦井設(shè)備的井道桿體(例如鉆桿、抽油桿、抽水桿等被電機(jī)驅(qū)動(dòng)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)或反復(fù)來回運(yùn)動(dòng)的桿體)需要伸入井道內(nèi)進(jìn)行工作。例如在石油開采行業(yè)，對(duì)于井道和井道桿體的直徑存在特定標(biāo)準(zhǔn)，通常井道直徑為116_，井道桿體直徑為64_?，F(xiàn)有的變頻器箱體呈長(zhǎng)方體狀，變頻器只能放置在井道口的上方(井道外的地面上)，然后通過控制線纜和驅(qū)動(dòng)線纜接到井道內(nèi)的抽油機(jī)上。但是，對(duì)于較深的井道，需要較長(zhǎng)的控制線纜和驅(qū)動(dòng)線纜接到抽油機(jī)的電機(jī)上，影響電機(jī)的及時(shí)響應(yīng)，導(dǎo)致輸出功率的消耗較大，成本較高；另外，較長(zhǎng)的線纜較易被損壞，導(dǎo)致變頻器的使用可靠性較低。
[0004]綜上所述，如何制造出能夠應(yīng)用于礦井設(shè)備的變頻器，以實(shí)現(xiàn)變頻器與井道桿體能夠一起進(jìn)入井道工作，是目前本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種變頻器的制造方法，以制造出能夠應(yīng)用于礦井設(shè)備的變頻器，從而實(shí)現(xiàn)變頻器與井道桿體能夠一起進(jìn)入井道工作。
[0006]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:
[0007]一種變頻器的制造方法，包括以下步驟:
[0008]I)將變頻器主體裝配在能夠置入井道的筒狀外殼內(nèi)；
[0009]2)將下端蓋封合于所述筒狀外殼的底端；
[0010]3)將能夠供井道桿體貫穿的內(nèi)筒套入筒狀外殼內(nèi)，同時(shí)使所述變頻器主體位于所述筒狀外殼與所述內(nèi)筒之間的容腔內(nèi)，直至所述內(nèi)筒底端到達(dá)所述下端蓋的通孔底面處，并將所述下端蓋與所述內(nèi)筒底端焊接相連，形成筒狀本體；
[0011]4)從所述筒狀本體的頂端開口處向所述容腔內(nèi)注入灌封膠；
[0012]5 )將具有通孔的上端蓋套設(shè)在所述內(nèi)筒上，并封合于所述筒狀本體的頂端。
[0013]優(yōu)選的，上述制造方法中，所述步驟5)之后還包括步驟6):
[0014]打開所述上端蓋進(jìn)行接線，接完后通過滿焊將所述上端蓋再次封合于所述筒狀本體的頂端，然后通過所述上端蓋的灌封口再次向所述容腔內(nèi)注入灌封膠。
[0015]優(yōu)選的，上述制造方法中，所述步驟I)中裝配所述變頻器主體時(shí)使所述變頻器主體的I/o接口的接線端子外伸于所述筒狀外殼的頂端。
[0016]優(yōu)選的，上述制造方法中，所述步驟4)具體為:
[0017]將端子套筒固定于所述筒狀本體的頂端并套在所述內(nèi)筒外，同時(shí)使所述變頻器主體的I/o接口的接線端子從所述端子套筒的底端過線孔中伸出并位于所述端子套筒內(nèi)；然后向所述端子套筒內(nèi)灌膠，使灌封膠經(jīng)過所述端子套筒上的灌封口注入所述容腔內(nèi)。
[0018]優(yōu)選的，上述制造方法中，所述端子套筒固定于所述筒狀本體的頂端的具體操作為:先通過螺釘或卡扣結(jié)構(gòu)緊固所述端子套筒與所述筒狀本體，然后在兩者的接縫處進(jìn)行滿焊。
[0019]優(yōu)選的，上述制造方法中，所述下端蓋通過滿焊封合于所述筒狀外殼的底端，所述下端蓋與所述內(nèi)筒底端采用滿焊連接，且所述上端蓋通過滿焊封合于所述筒狀本體的頂端。
[0020]優(yōu)選的，上述制造方法中，所述筒狀外殼由上半殼和下半殼對(duì)接后并在接縫處滿焊形成，所述上半殼和所述下半殼(的橫截面均為半圓形。
[0021]優(yōu)選的，上述制造方法中，所述步驟I)具體包括:
[0022]將IGBT、驅(qū)動(dòng)板均裝配在所述下半殼的內(nèi)壁上，并使所述IGBT引腳與所述驅(qū)動(dòng)板電連接；
[0023]將電容組件裝配在所述筒狀外殼的內(nèi)壁上，并使所述電容組件通過銅排與所述驅(qū)動(dòng)板電連接；
[0024]將控制板裝配在所述上半殼的內(nèi)壁上；
[0025]將所述控制板與所述驅(qū)動(dòng)板通過軟排線連接；
[0026]將所述上半殼與所述下半殼合蓋對(duì)接并滿焊在一起。
[0027]優(yōu)選的，上述制造方法中，所述筒狀外殼和所述內(nèi)筒均通過壓鑄成型制造，且在所述筒狀外殼的外表面上開設(shè)有多個(gè)散熱槽。
[0028]優(yōu)選的，上述制造方法中，所述筒狀外殼、所述內(nèi)筒、所述上端蓋和所述下端蓋均采用鑄銅制成。
[0029]從上述的技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明提供的變頻器的制造方法制造的變頻器呈筒狀；應(yīng)用時(shí)，該變頻器的筒狀外殼能夠進(jìn)入礦井井道內(nèi)，內(nèi)筒能夠套在井道桿體上，從而使得變頻器能夠與井道桿體和電機(jī)等設(shè)備連接在一起后整體深入井下作業(yè)。
[0030]又本發(fā)明的制造方法使筒狀外殼、下端蓋以及內(nèi)筒焊接在一起，實(shí)現(xiàn)了密封連接；同時(shí)向變頻器內(nèi)部注入灌封膠，灌封膠既能起到內(nèi)部電氣絕緣隔離作用又能起到加強(qiáng)IP防護(hù)的功效；所以該制造方法裝配獲得的變頻器能夠滿足井下浸泡的防護(hù)要求。
[0031]綜上可知，本發(fā)明提供的變頻器的制造方法制造的變頻器能夠應(yīng)用于礦井設(shè)備，從而實(shí)現(xiàn)了變頻器與井道桿體能夠一起進(jìn)入井道工作。
[0032]同時(shí)，由于上述筒狀的變頻器能夠進(jìn)入井道，所以能夠縮短控制線纜和驅(qū)動(dòng)線纜的長(zhǎng)度，從而降低了對(duì)電機(jī)及時(shí)響應(yīng)的影響，減小了電機(jī)輸出功率的消耗，降低了成本，也降低了控制電纜和驅(qū)動(dòng)線纜被損壞的幾率，有效提高了該變頻器的使用可靠性。【專利附圖】

【附圖說明】
[0033]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0034]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的變頻器的制造方法的流程示意圖；
[0035]圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的變頻器主體的裝配流程示意圖；
[0036]圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的變頻器的制造方法將變頻器的下端蓋封合于筒狀本體后的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0037]圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的變頻器實(shí)現(xiàn)灌封的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的變頻器的制造方法裝配的變頻器的外形圖；
[0039]圖6是本發(fā)明實(shí)施例提供的變頻器的筒狀外殼增加散熱凹槽后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]圖7為圖6中A部分的放大示意圖。
[0041]圖8是本發(fā)明實(shí)施例提供的變頻器的爆炸結(jié)構(gòu)示意圖；
[0042]圖9為圖8中B部分的放大示意圖；
[0043]圖10是本發(fā)明實(shí)施例提供的單管IGBT的布局圖；
[0044]圖11是本發(fā)明實(shí)施例提供的變頻器主體的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0045]圖12為本發(fā)明實(shí)施例提供的變頻器的橫向剖視圖。
[0046]上圖3-12 中:
[0047]筒狀外殼1、散熱槽11、平面區(qū)12、上半殼13、下半殼14、內(nèi)筒2、下端蓋3、上端蓋
4、I/O接口 5、端子套筒6、驅(qū)動(dòng)板7、IGBT8、控制板9、電容組件10。
【具體實(shí)施方式】
[0048]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種變頻器的制造方法，能夠裝配出應(yīng)用于礦井設(shè)備的變頻器，實(shí)現(xiàn)了變頻器能夠與井道桿體一起進(jìn)入井道工作。
[0049]為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0050]請(qǐng)參考附圖1，本發(fā)明實(shí)施例提供的變頻器的制造方法，包括以下步驟:
[0051]S1、將變頻器主體裝配在能夠置入井道的筒狀外殼I內(nèi)；
[0052]S2、將下端蓋3封合于筒狀外殼I的底端；
[0053]S3、將能夠供井道桿體貫穿的內(nèi)筒2套入筒狀外殼I內(nèi)，同時(shí)使變頻器主體位于筒狀外殼I與內(nèi)筒2之間的容腔內(nèi)，直至內(nèi)筒2底端到達(dá)下端蓋3的通孔底面處，并將下端蓋3與內(nèi)筒2底端焊接相連，形成筒狀本體:
[0054]需要說明的是，內(nèi)筒2底端到達(dá)下端蓋3處是指內(nèi)筒2底端端面與下端蓋3的端面平齊，且對(duì)兩者的接縫處也進(jìn)行焊接；
[0055]S4、從筒狀本體的頂端開口處向容腔內(nèi)注入灌封膠；
[0056]S5、將具有通孔的上端蓋4套設(shè)在內(nèi)筒2上，并封合于筒狀本體的頂端:[0057]本實(shí)施例中下端蓋3和上端蓋4的通孔能夠供井道桿體通過，優(yōu)選地下端蓋3和上端蓋4還可供內(nèi)筒2通過，也就是說下端蓋3和上端蓋4的通孔能夠同時(shí)供井道桿體和內(nèi)筒2通過。
[0058]本發(fā)明實(shí)施例提供的變頻器的制造方法制造的變頻器呈如圖5所示的筒狀；應(yīng)用時(shí)，該變頻器的筒狀外殼I能夠進(jìn)入礦井井道內(nèi)，內(nèi)筒2能夠套在井道桿體上，從而使得變頻器能夠與井道桿體和電機(jī)等設(shè)備連接在一起后整體深入井下作業(yè)。
[0059]又本發(fā)明實(shí)施例的制造方法使筒狀外殼1、下端蓋3以及內(nèi)筒2焊接在一起，實(shí)現(xiàn)了密封連接；同時(shí)向變頻器內(nèi)部注入灌封膠，灌封膠既能起到內(nèi)部電氣絕緣隔離作用又能起到加強(qiáng)IP防護(hù)的功效；所以該制造方法裝配獲得的變頻器能夠滿足井下浸泡的防護(hù)要求。
[0060]綜上可知，本發(fā)明實(shí)施例提供的變頻器的制造方法制造的變頻器能夠應(yīng)用于礦井設(shè)備，從而實(shí)現(xiàn)了變頻器與井道桿體能夠一起進(jìn)入井道工作。
[0061]同時(shí)，由于上述筒狀的變頻器能夠進(jìn)入井道，所以能夠縮短控制線纜和驅(qū)動(dòng)線纜的長(zhǎng)度，從而降低了對(duì)電機(jī)及時(shí)響應(yīng)的影響，減小了電機(jī)輸出功率的消耗，降低了成本，也降低了控制電纜和驅(qū)動(dòng)線纜被損壞的幾率，有效提高了該變頻器的使用可靠性。
[0062]為了進(jìn)一步提高變頻器的防護(hù)等級(jí)，上述實(shí)施例提供的制造方法中，步驟S5之后還包括步驟S6:打開上端蓋4進(jìn)行接線，接完后通過滿焊將上端蓋4再次封合于筒狀本體的頂端，此時(shí)內(nèi)筒2的頂端端面與上端蓋4端面平齊，兩者接縫處通過焊接相連；然后通過上端蓋4的灌封口再次向上容腔內(nèi)注入灌封膠。當(dāng)用戶要接線時(shí)，需打開上端蓋4并將線纜穿過上端蓋4上預(yù)留的過線孔進(jìn)行接線動(dòng)作；接完線纜合好上端蓋4并用滿焊的方式進(jìn)行焊接；本實(shí)施例在對(duì)變頻器進(jìn)行接線后，進(jìn)行了再一次的灌膠操作；這樣一來，能夠保證變頻器具有IP68防護(hù)等級(jí)的防護(hù)效果，進(jìn)一步保證了變頻器內(nèi)部電氣的絕緣隔離，更適用于井下浸泡的環(huán)境。
[0063]在本發(fā)明一種具體的實(shí)施例中，步驟SI中裝配變頻器主體時(shí)使變頻器主體的I/O接口 5的接線端子外伸于筒狀外殼I的頂端；避免了在灌膠后I/O接口 5端子被灌封膠全部封住的情況，提高了裝配產(chǎn)品的合格率。
[0064]在本發(fā)明一種具體的實(shí)施例中，步驟S4優(yōu)選為:將端子套筒6固定于筒狀本體的頂端并套在內(nèi)筒2外，達(dá)到如圖4所示的狀態(tài)；同時(shí)使變頻器主體的I/O接口 5的接線端子從端子套筒6的底端過線孔中伸出并位于端子套筒6內(nèi)；然后向端子套筒6內(nèi)灌膠，使灌封膠經(jīng)過端子套筒6上的灌封口注入上述容腔內(nèi)。端子套筒6用于輔助灌封，其底面設(shè)置有與筒狀本體的頂端開口相連通的灌封口 ；灌膠時(shí)利用上述灌封口注入，直至灌封膠達(dá)到端子套筒6的底部端面，進(jìn)而保證I/O接線端子的外露部分不被灌封膠淹沒，保證了客戶接線的可靠性。
[0065]進(jìn)一步的實(shí)施方式中，端子套筒6固定于筒狀本體的頂端的具體操作為:先通過螺釘或卡扣結(jié)構(gòu)緊固端子套筒6與筒狀本體，然后在兩者的接縫處進(jìn)行滿焊；進(jìn)而保證IP68的防護(hù)效果。
[0066]上述實(shí)施例提供的變頻器的制造方法中，優(yōu)選的，下端蓋3通過滿焊封合于筒狀外殼I的底端，下端蓋3與內(nèi)筒2底端采用滿焊連接，且上端蓋4通過滿焊封合于筒狀本體的頂端。本實(shí)施例中，下端蓋3、筒狀外殼1、內(nèi)筒2和上端蓋4相連的位置均采用滿焊實(shí)現(xiàn)密封連接，保證了 IP68的密封效果。當(dāng)然，上述部件之間還可以采用能夠滿足密封相連的其他焊接方式進(jìn)行焊接。
[0067]在本發(fā)明一種具體的實(shí)施例中，筒狀外殼I由上半殼13和下半殼14對(duì)接后并在接縫處滿焊形成，上半殼13和下半殼14的橫截面均為半圓形；這樣便于變頻器主體的安裝。當(dāng)然，上述筒狀外殼I還可以由三個(gè)外殼對(duì)接而成，本實(shí)施例對(duì)此不作具體限定。
[0068]請(qǐng)參考附圖2，優(yōu)選的技術(shù)方案中，步驟SI具體包括:
[0069]Slljf IGBT8、驅(qū)動(dòng)板7均裝配在下半殼14的內(nèi)壁上，并使IGBT8引腳與驅(qū)動(dòng)板7電連接；
[0070]S12、將電容組件10裝配在筒狀外殼I的內(nèi)壁上，并使電容組件10通過銅排與驅(qū)動(dòng)板7電連接，具體的，本實(shí)施例中的電容組件10優(yōu)選為筒狀的電容組件，以節(jié)省占用空間，使變頻器結(jié)構(gòu)更加緊湊；
[0071]S13、將控制板9裝配在上半殼13的內(nèi)壁上；
[0072]S14、將控制板9與驅(qū)動(dòng)板7通過軟排線連接；
[0073]S15、將上半殼13與下半殼14合蓋對(duì)接并滿焊在一起。
[0074]如圖9所示，I/O接口 5分布于各驅(qū)動(dòng)板7上，I/O接口 5包括輸入輸出動(dòng)力端子和控制端子。驅(qū)動(dòng)板7、控制板9上均設(shè)置有I/O接口 5，驅(qū)動(dòng)板7的上I/O接口 5通過銅排引出，控制板9的I/O接口 5通過光纖端子引出。
[0075]請(qǐng)參考附圖8，該圖為本制造方法裝配后的變頻器的爆炸結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施例的變頻器主體包括驅(qū)動(dòng)板7、IGBT8、控制板9、電容組件10和I/O接口 5 ;裝配完的變頻器主體的內(nèi)部電子零部件的布局關(guān)系如圖11所示。采用本實(shí)施例的制造方法能夠提高變頻器主體對(duì)筒狀殼體的適用性。變頻器主體的各部件不限于上述裝配順序，只要滿足部件之間的連接關(guān)系的裝配均可。
[0076]優(yōu)選的，上述實(shí)施例提供的制造方法中，步驟S12具體為:將平面區(qū)12沿著筒狀外殼I的周向等分，使IGBT8通過螺釘緊固在等分面上，同時(shí)將IGBT8的引腳通過焊錫與驅(qū)動(dòng)板7相連；這樣一來，筒狀外殼I內(nèi)壁上的平面區(qū)12分為多個(gè)等分面，便于變頻器主體的電子器件以及電路板的分布。本實(shí)施例將IGBT8緊固在等分面上，IGBT8能夠通過筒狀外殼I散熱，保證了變頻器的散熱功能。
[0077]步驟S13具體為:控制板9通過螺釘緊固于等分面上，并通過軟排線與驅(qū)動(dòng)板7相連接。為了便于控制板9的安裝，使IGBT8分布在筒狀外殼I 一側(cè)的等分面，使控制板9分布在另一側(cè)的等分面；即控制板9與IGBT8相對(duì)設(shè)置，相互之間不會(huì)影響；如圖11和圖12所示。本領(lǐng)域人員可以理解的是，也可采用其他方式將IGBT8和控制板9固定在筒狀外殼I的內(nèi)壁上，例如焊接等。
[0078]進(jìn)一步的技術(shù)方案中，步驟S12中的IGBT8包括多個(gè)單管IGBT，本實(shí)施例將IGBT8采用單管封裝，便于IGBT8在筒狀外殼I與內(nèi)筒2之間的空間的安裝。同時(shí)，單管IGBT以等間距分布且緊貼于平面區(qū)12上，如圖10所示；此時(shí)，筒狀外殼I作為散熱裝置與單管IGBT緊貼，既利于IGBT8的散熱，還能較好地利用內(nèi)部空間，如圖4所示。
[0079]為了在保證產(chǎn)品尺寸的同時(shí)降低制造成本，筒狀外殼I和內(nèi)筒2均優(yōu)選地通過壓鑄成型制造；且在筒狀外殼I的外表面上開設(shè)有多個(gè)散熱槽11，如圖6和圖7所示，該散熱槽11增加了筒狀外殼I的表面積，提高了散熱性能。[0080]需要說明的是，上述筒狀外殼I和內(nèi)筒2可同時(shí)為方筒、多邊形筒或圓筒，內(nèi)筒2和筒狀外殼I也可一個(gè)為圓筒、另一個(gè)為方形或多邊形的筒；當(dāng)然筒狀外殼I和內(nèi)筒2還可以為其他形狀的筒狀，只要滿足內(nèi)筒2能夠供井道桿體穿過，筒狀外殼I能夠進(jìn)入井道的形狀均可。本實(shí)施例中為了便于制造，筒狀外殼I和內(nèi)筒2均優(yōu)選為圓筒形。
[0081]為了使變頻器更好地適應(yīng)井下的地?zé)釋?dǎo)致的高環(huán)境溫度，筒狀外殼1、內(nèi)筒2、上端蓋4和下端蓋3均采用鑄銅制成；這樣一來，變頻器的外部結(jié)構(gòu)均采用鑄銅，鑄銅為高導(dǎo)熱金屬材料，便于變頻器的散熱，當(dāng)然，變頻器的外部結(jié)構(gòu)還可以采用其他高導(dǎo)熱金屬材料制造，本實(shí)施例對(duì)此不作具體限定。
[0082]基于上述實(shí)施例提供的變頻器，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種井下變頻勘探開采系統(tǒng)，該井下變頻勘探開采系統(tǒng)包括:井道桿體；固定設(shè)置于井道桿體的下端且用于勘探開采礦資源的電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)備；上述任意一項(xiàng)所述的變頻器，該變頻器套設(shè)于井道桿體的外側(cè)且固定于井道桿體上，變頻器與電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)備的電機(jī)電連接。
[0083]需要說明的是，井下變頻勘探開采系統(tǒng)用于勘探或開采礦資源(例如石油、水等)，電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)備為鉆頭設(shè)備、抽油機(jī)或者潛水泵等。
[0084]本發(fā)明實(shí)施例提供的井下變頻勘探開采系統(tǒng)，將變頻器套設(shè)于井道桿體上，且變頻器與電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)備的電機(jī)電連接，則縮短了變頻器與電機(jī)之間的距離，也實(shí)現(xiàn)了對(duì)電機(jī)的及時(shí)驅(qū)動(dòng)和及時(shí)控制，降低了變頻器的使用成本，進(jìn)而降低了井下變頻勘探開采的成本；同時(shí)提高了變頻器的使用可靠性，從而提高了整個(gè)井下變頻勘探開采系統(tǒng)的可靠性，降低了出現(xiàn)停工的幾率，進(jìn)而有效提高了井下勘探開采效率，并起到了變頻節(jié)能作用。
[0085]本說明書中各個(gè)實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似部分互相參見即可。
[0086]對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種變頻器的制造方法，其特征在于，包括以下步驟: 1)將變頻器主體裝配在能夠置入井道的筒狀外殼(I)內(nèi)； 2)將下端蓋(3)封合于所述筒狀外殼(I)的底端； 3)將能夠供井道桿體貫穿的內(nèi)筒(2)套入筒狀外殼(I)內(nèi)，同時(shí)使所述變頻器主體位于所述筒狀外殼(I)與所述內(nèi)筒(2 )之間的容腔內(nèi)，直至所述內(nèi)筒(2 )底端到達(dá)所述下端蓋(3 )的通孔底面處，并將所述下端蓋(3 )與所述內(nèi)筒(2 )底端焊接相連，形成筒狀本體； 4)從所述筒狀本體的頂端開口處向所述容腔內(nèi)注入灌封膠； 5)將具有通孔的上端蓋(4)套設(shè)在所述內(nèi)筒(2)上，并封合于所述筒狀本體的頂端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述步驟5)之后還包括步驟6): 打開所述上端蓋(4)進(jìn)行接線，接完后通過滿焊將所述上端蓋(4)再次封合于所述筒狀本體的頂端，然后通過所述上端蓋(4)的灌封口再次向所述容腔內(nèi)注入灌封膠。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述步驟I)中裝配所述變頻器主體時(shí)使所述變頻器主體的I/o接口(5)的接線端子外伸于所述筒狀外殼(I)的頂端。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述步驟4)具體為: 將端子套筒(6)固定于所述筒狀本體的頂端并套在所述內(nèi)筒(2)外，同時(shí)使所述變頻器主體的I/O接口(5)的接線端子從所述端子套筒(6)的底端過線孔中伸出并位于所述端子套筒(6)內(nèi)；然后向所述端子套筒(6)內(nèi)灌膠，使灌封膠經(jīng)過所述端子套筒(6)上的灌封口注入所述容腔內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述端子套筒(6)固定于所述筒狀本體的頂端的具體操作為:先通過螺釘或卡扣結(jié)構(gòu)緊固所述端子套筒(6)與所述筒狀本體，然后在兩者的接縫處進(jìn)行滿焊。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述下端蓋(3)通過滿焊封合于所述筒狀外殼(I)的底端，所述下端蓋(3)與所述內(nèi)筒(2)底端采用滿焊連接，且所述上端蓋(4)通過滿焊封合于所述筒狀本體的頂端。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述筒狀外殼(I)由上半殼(13)和下半殼(14)對(duì)接后并在接縫處滿焊形成，所述上半殼(13)和所述下半殼(14)的橫截面均為半圓形。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述步驟I)具體包括: 將IGBT (8)、驅(qū)動(dòng)板(7)均裝配在所述下半殼(14)的內(nèi)壁上，并使所述IGBT (8)引腳與所述驅(qū)動(dòng)板(7)電連接； 將電容組件(10 )裝配在所述筒狀外殼(I)的內(nèi)壁上，并使所述電容組件(10 )通過銅排與所述驅(qū)動(dòng)板(7)電連接； 將控制板(9 )裝配在所述上半殼(13 )的內(nèi)壁上； 將所述控制板(9)與所述驅(qū)動(dòng)板(7)通過軟排線連接； 將所述上半殼(13)與所述下半殼(14)合蓋對(duì)接并滿焊在一起。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述筒狀外殼(I)和所述內(nèi)筒(2)均通過壓鑄成型制造，且在所述筒狀外殼(I)的外表面上開設(shè)有多個(gè)散熱槽(11)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的制造方法，其特征在于，所述筒狀外殼(I)、所述內(nèi)筒(2)、所述上端蓋(4)和所述下端蓋(3)均采用鑄銅制成。
【文檔編號(hào)】H02M1/00GK103441654SQ201310419484
【公開日】2013年12月11日 申請(qǐng)日期:2013年9月13日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月13日
【發(fā)明者】殷江洪, 劉春夏, 吳建安 申請(qǐng)人:深圳市英威騰電氣股份有限公司