專(zhuān)利名稱(chēng)：整流電路及整流器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電子領(lǐng)域，尤其涉及一種整流電路及整流器。
背景技術(shù)：
整流電路是電子線(xiàn)路中出現(xiàn)最早的一種，它是將交流電變?yōu)橹绷麟?，?yīng)用十分廣泛，電路形式也是各種各樣的，并且都有自己的特點(diǎn)。在功能上，整流電路主要是把正負(fù)交替的正弦交流電壓變換成單方向的脈沖電壓，設(shè)計(jì)上即可根據(jù)半導(dǎo)體二極管的單向?qū)ㄐ詠?lái)完成。整流電路的種類(lèi)主要有半波整流電路、單相橋式半控整流電路、單相橋式全控整流電路、三相橋式半控整流電路、三相橋式全控整流電路等。一般對(duì)于數(shù)碼發(fā)電機(jī)穩(wěn)壓變頻的控制來(lái)說(shuō)，對(duì)整流部分的要求是很高的，除了線(xiàn)路的可靠性、穩(wěn)定性和可控性是必須考慮的因素。另外，對(duì)于限流、信號(hào)的抗干擾與溫度等保護(hù)也是在整流線(xiàn)路設(shè)計(jì)中必須考慮的。綜合種種有利因素，目前往往采用三個(gè)二極管加三個(gè)單向可控硅使用構(gòu)成一個(gè)三相橋式整流線(xiàn)路，達(dá)到整流效果，其電路結(jié)構(gòu)圖如圖1所示，每一相的整流橋均是由一個(gè)普通二極管與可控硅構(gòu)成整流橋，再串入限流電阻和電容， 從而達(dá)到整流效果，但是在運(yùn)行的過(guò)程中有時(shí)會(huì)出現(xiàn)得到電壓不穩(wěn)定和前端電流過(guò)大而導(dǎo)致元件發(fā)熱等缺點(diǎn)。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型主要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種整流電路及整流器，解決現(xiàn)有技術(shù)中電壓不穩(wěn)定及元件發(fā)熱的缺點(diǎn)。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采用的一個(gè)技術(shù)方案是提供一種整流電路， 包括快恢復(fù)二極管、第一單向可控硅和過(guò)零檢測(cè)單元，所述整流電路具有輸入端、輸出端和反饋端，所述快恢復(fù)二極管的負(fù)極連接所述第一單向可控硅的陽(yáng)極，兩者連接的公共接點(diǎn)接整流電路的輸入端，所述快恢復(fù)二極管的正極接地，所述第一單向可控硅的陰極接整流電路的輸出端，所述過(guò)零檢測(cè)單元連接所述整流電路的輸入端和所述第一單向可控硅的門(mén)極，所述過(guò)零檢測(cè)單元還連接所述整流電路的反饋端。其中，所述過(guò)零檢測(cè)單元包括光耦、二極管、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第二單向可控硅、第三單向可控硅；所述二極管負(fù)極接所述第一單向可控硅的門(mén)極，所述第一電阻、第二電阻和第三電阻串聯(lián)接在整流電路的輸入端與所述二極管的負(fù)極之間；所述第二單向可控硅陽(yáng)極接整流電路的輸入端，第二單向可控硅陰極接所述第三單向可控硅陽(yáng)極， 第二單向可控硅門(mén)極接所述第一電阻與第二電阻的公共接點(diǎn)；所述第三單向可控硅陰極接第三電阻與二極管的公共接點(diǎn)，門(mén)極接所述第二電阻與第三電阻的公共接點(diǎn)；所述光耦的第一腳和第二腳接整流電路的反饋端，光耦的第三腳接第三電阻與二極管的公共接點(diǎn)，光耦的第四腳接第二電阻與第三電阻的公共接點(diǎn)。其中，所述整流電路還包括限流電阻，所述限流電阻連接所述第一單向可控硅的門(mén)極和整流電路的輸出端。[0008]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采用的另一個(gè)技術(shù)方案是提供一種整流器，包括三個(gè)如上所述的整流電路，所述三個(gè)整流電路的輸入端分別成為所述整流器的第一相輸入端、第二相輸入端和第三相輸入端，所述三個(gè)整流電路的輸出端電連接成為所述整流器的輸出端，所述三個(gè)整流電路的反饋端電連接成為所述整流器的反饋端。本實(shí)用新型的有益效果是區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的只采用普通二極管和單向可控硅構(gòu)成整流橋，運(yùn)行過(guò)程中有時(shí)會(huì)出現(xiàn)電壓不穩(wěn)定和電流過(guò)大導(dǎo)致元件發(fā)熱的缺點(diǎn)，本實(shí)用新型采用快恢復(fù)二極管與單向可控硅構(gòu)成整流橋，并在單向可控硅的陽(yáng)極與門(mén)極之間加入過(guò)零檢測(cè)單元，結(jié)合使用了半導(dǎo)體整流元件，比以往用普通二極管的整流方法在響應(yīng)速度上有了大大提高，也增強(qiáng)了整個(gè)電路的可靠性與穩(wěn)定性。過(guò)零檢測(cè)單元在整流電路中過(guò)流觸發(fā)，避免了大電流的開(kāi)關(guān)狀態(tài)，可降低電子元件的發(fā)熱程度。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的整流器電路結(jié)構(gòu)圖；圖2是本實(shí)用新型整流電路實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)圖；圖3是本實(shí)用新型整流器實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施方式
為詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所實(shí)現(xiàn)目的及效果，以下結(jié)合實(shí)施方式并配合附圖詳予說(shuō)明。請(qǐng)參閱圖2，本實(shí)用新型提供一種整流電路，包括快恢復(fù)二極管D1、第一單向可控硅Vl和過(guò)零檢測(cè)單元10，所述整流電路具有輸入端、輸出端和反饋端，所述快恢復(fù)二極管 Dl的負(fù)極連接所述第一單向可控硅Vl的陽(yáng)極A，兩者連接的公共接點(diǎn)接整流電路的輸入端，所述快恢復(fù)二極管Dl的正極接地，所述第一單向可控硅Vl的陰極K接整流電路的輸出端，整流電路的輸入端與輸出端之間還連接有第四電阻R4和電容Cl ；所述過(guò)零檢測(cè)單元10 連接所述整流電路的輸入端和所述第一單向可控硅Vl的門(mén)極G，所述過(guò)零檢測(cè)單元10還連接所述整流電路的反饋端。區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的只采用普通二極管和單向可控硅構(gòu)成整流橋，運(yùn)行過(guò)程中有時(shí)會(huì)出現(xiàn)電壓不穩(wěn)定和電流過(guò)大導(dǎo)致元件發(fā)熱的缺點(diǎn)，本實(shí)用新型采用快恢復(fù)二極管與單向可控硅構(gòu)成整流橋，并在單向可控硅的陽(yáng)極與門(mén)極之間加入過(guò)零檢測(cè)單元，結(jié)合使用了半導(dǎo)體整流元件，比以往用普通二極管的整流方法在響應(yīng)速度上有了大大提高，也增強(qiáng)了整個(gè)電路的可靠性與穩(wěn)定性。過(guò)零檢測(cè)單元在整流電路中過(guò)流觸發(fā)，避免了大電流的開(kāi)關(guān)狀態(tài)，可降低電子元件的發(fā)熱程度。在具體實(shí)施例中，過(guò)零檢測(cè)單元10包括光耦Ni、二極管D2、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、第二單向可控硅V2、第三單向可控硅V3 ；二極管D2負(fù)極接所述第一單向可控硅Vl的門(mén)極G，所述第一電阻R1、第二電阻R2和第三電阻R3串聯(lián)接在整流電路的輸入端與所述二極管D2的負(fù)極之間；第二單向可控硅V2陽(yáng)極接整流電路的輸入端，第二單向可控硅V2陰極接所述第三單向可控硅V3陽(yáng)極，第二單向可控硅V2門(mén)極接所述第一電阻 Rl與第二電阻R2的公共接點(diǎn)；所述第三單向可控硅V3陰極接第三電阻R3與二極管D2的公共接點(diǎn)，門(mén)極接所述第二電阻R2與第三電阻R3的公共接點(diǎn)；光耦m的第一腳和第二腳接整流電路的反饋端，光耦m的第三腳接第三電阻R3與二極管D2的公共接點(diǎn)，光耦m的第四腳接第二電阻R2與第三電阻R3的公共接點(diǎn)。在該過(guò)零檢測(cè)單元中使用光耦，光耦起到光電隔離的作用，并且能將輸入、輸出的信號(hào)隔離，使從光耦原邊輸入的反饋信號(hào)對(duì)整流電路的輸出電壓無(wú)影響，使整個(gè)電路抗干擾能力變強(qiáng)、工作穩(wěn)定。從整流電路輸入端的輸入電壓首先經(jīng)過(guò)分壓電阻對(duì)單向可控硅進(jìn)行控制，外部反饋信號(hào)輸入光耦進(jìn)行光電耦合改變分壓分布，最后通過(guò)改變控制角或?qū)ń牵淖冐?fù)載上脈沖直流電壓的平均值，最終實(shí)現(xiàn)可控整流。該設(shè)計(jì)方法同時(shí)也避免的大電流的開(kāi)關(guān)狀態(tài)，盡量降低電子元件的發(fā)熱程度。在一實(shí)施例中，整流電路還包括限流電阻R5，限流電阻R5連接所述第一單向可控硅Vl的門(mén)極G和整流電路的輸出端，當(dāng)電壓升到一定程度，接通旁路，可控硅就能很好的完成控制。參閱圖3，本實(shí)用新型提供一種可應(yīng)用于三相發(fā)電機(jī)組的整流器，該整流器包括三個(gè)整流電路1、2、3，三個(gè)整流電路的輸入端分別成為整流器的第一相輸入端SCR1、第二相輸入端SCR2和第三相輸入端SCR3，三個(gè)整流電路的輸出端電連接成為整流器的輸出端，所述三個(gè)整流電路的反饋端電連接成為所述整流器的反饋端。整流電路1、2、3的結(jié)構(gòu)與圖2中所示的整流電路結(jié)構(gòu)相同，圖2中快恢復(fù)二極管 Dl在三個(gè)整流電路中對(duì)應(yīng)的元件標(biāo)號(hào)為D11、D21和D31，圖2中第一單向可控硅Vl在三個(gè)整流電路中對(duì)應(yīng)的元件標(biāo)號(hào)為V11、V21和V31，圖2中第二單向可控硅V2在三個(gè)整流電路中對(duì)應(yīng)的元件標(biāo)號(hào)為V12、V22和V32，圖2中第三單向可控硅V3在三個(gè)整流電路中對(duì)應(yīng)的元件標(biāo)號(hào)為V13、V23和V33，圖2中第一電阻Rl在三個(gè)整流電路中對(duì)應(yīng)的元件標(biāo)號(hào)為Rl 1、 R21和R31，圖2中第二電阻R2在三個(gè)整流電路中對(duì)應(yīng)的元件標(biāo)號(hào)為R12、R22和R32，圖2 中第三電阻R3在三個(gè)整流電路中對(duì)應(yīng)的元件標(biāo)號(hào)為R13、R23和R33，圖2中第四電阻R4 在三個(gè)整流電路中對(duì)應(yīng)的元件標(biāo)號(hào)為R14、RM和R34，圖2中限流電阻R5在三個(gè)整流電路中對(duì)應(yīng)的元件標(biāo)號(hào)為R15、R25和R35，圖2中電容Cl在三個(gè)整流電路中對(duì)應(yīng)的元件標(biāo)號(hào)為 C1UC21和C31，圖2中光耦附在三個(gè)整流電路中對(duì)應(yīng)的元件標(biāo)號(hào)為附1、N21和N31，圖2 中二極管D2在三個(gè)整流電路中對(duì)應(yīng)的元件標(biāo)號(hào)為D12、D22和D32，此處對(duì)各個(gè)整流電路的具體結(jié)構(gòu)不再詳述，僅對(duì)整流電路之間的連接關(guān)系進(jìn)行進(jìn)一步描述。整流電路1中快恢復(fù)二極管Dll與第一單向可控硅Vll的公共接點(diǎn)連接整流器的第一相輸入端SCR1，整流電路2中快恢復(fù)二極管D21與第一單向可控硅V21的公共接點(diǎn)連接整流器的第二相輸入端SCR2，整流電路3中快恢復(fù)二極管D31與第一單向可控硅V31的公共接點(diǎn)連接整流器的第三相輸入端SCR3，這三相輸入端分別接外部三相發(fā)電機(jī)組的三相輸出端；整流電路1中的第一單向可控硅Vll的陰極、整流電路2中第一單向可控硅V21的陰極和整流電路3中的第一單向可控硅V31的陰極連接，其公共的接點(diǎn)接整流器的輸出端， 整流電路1中快恢復(fù)二極管Dll的正極、整流電路2中快恢復(fù)二極管D21的正極和整流電路3中快恢復(fù)二極管D31的正極均接地；整流電路1中光耦mi的第一腳連接整流電路2 中光耦N21的第二腳，光耦N21的第一腳連接整流電路3中光耦N31的第二腳，光耦附1的第二腳與光耦N31的第一腳成為整流器的反饋端連接外部的反饋信號(hào)。本實(shí)用新型的整流器采用了半導(dǎo)體整流元件，比以往用普通二極管的整流方法在響應(yīng)速度上有了大大提高，也增強(qiáng)了整個(gè)電路的可靠性與穩(wěn)定性。光電耦合將輸入、輸出信號(hào)隔離，使整個(gè)電路抗干擾能力變強(qiáng)、工作穩(wěn)定。這樣的設(shè)計(jì)方法同時(shí)也避免了大電流的開(kāi)關(guān)狀態(tài)，降低了電子元件的發(fā)熱程度。 以上所述僅為本實(shí)用新型的實(shí)施例，并非因此限制本實(shí)用新型的專(zhuān)利范圍，凡是利用本實(shí)用新型說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本實(shí)用新型的專(zhuān)利保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種整流電路，其特征在于，包括快恢復(fù)二極管、第一單向可控硅和過(guò)零檢測(cè)單元， 所述整流電路具有輸入端、輸出端和反饋端，所述快恢復(fù)二極管的負(fù)極連接所述第一單向可控硅的陽(yáng)極，兩者連接的公共接點(diǎn)接整流電路的輸入端，所述快恢復(fù)二極管的正極接地， 所述第一單向可控硅的陰極接整流電路的輸出端，所述過(guò)零檢測(cè)單元連接所述整流電路的輸入端和所述第一單向可控硅的門(mén)極，所述過(guò)零檢測(cè)單元還連接所述整流電路的反饋端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的整流電路，其特征在于所述過(guò)零檢測(cè)單元包括光耦、二極管、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第二單向可控硅、第三單向可控硅；所述二極管負(fù)極接所述第一單向可控硅的門(mén)極，所述第一電阻、第二電阻和第三電阻串聯(lián)接在整流電路的輸入端與所述二極管的負(fù)極之間；所述第二單向可控硅陽(yáng)極接整流電路的輸入端，第二單向可控硅陰極接所述第三單向可控硅陽(yáng)極，第二單向可控硅門(mén)極接所述第一電阻與第二電阻的公共接點(diǎn)；所述第三單向可控硅陰極接第三電阻與二極管的公共接點(diǎn)，門(mén)極接所述第二電阻與第三電阻的公共接點(diǎn)；所述光耦的第一腳和第二腳接整流電路的反饋端，光耦的第三腳接第三電阻與二極管的公共接點(diǎn)，光耦的第四腳接第二電阻與第三電阻的公共接點(diǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的整流電路，其特征在于所述整流電路還包括限流電阻，所述限流電阻連接所述第一單向可控硅的門(mén)極和整流電路的輸出端。
4.一種整流器，其特征在于，包括三個(gè)如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的整流電路，所述三個(gè)整流電路的輸入端分別成為所述整流器的第一相輸入端、第二相輸入端和第三相輸入端，所述三個(gè)整流電路的輸出端電連接成為所述整流器的輸出端，所述三個(gè)整流電路的反饋端電連接成為所述整流器的反饋端。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種整流電路及整流器，所述整流電路包括快恢復(fù)二極管、第一單向可控硅和過(guò)零檢測(cè)單元，所述整流電路具有輸入端、輸出端和反饋端，所述快恢復(fù)二極管的負(fù)極連接所述第一單向可控硅的陽(yáng)極，兩者連接的公共接點(diǎn)接整流電路的輸入端，所述快恢復(fù)二極管的正極接地，所述第一單向可控硅的陰極接整流電路的輸出端，所述過(guò)零檢測(cè)單元連接所述整流電路的輸入端和所述第一單向可控硅的門(mén)極，所述過(guò)零檢測(cè)單元還連接所述整流電路的反饋端。本實(shí)用新型結(jié)合使用了半導(dǎo)體整流元件，響應(yīng)速度大大提高，增強(qiáng)了電路的可靠性與穩(wěn)定性。過(guò)零檢測(cè)單元在整流電路中過(guò)流觸發(fā)，避免了大電流的開(kāi)關(guān)狀態(tài)，可降低電子元件的發(fā)熱程度。
文檔編號(hào)H02M7/12GK202059335SQ20112018884
公開(kāi)日2011年11月30日 申請(qǐng)日期2011年6月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月7日
發(fā)明者張金棟, 雷家揚(yáng) 申請(qǐng)人:寧德市泰格動(dòng)力機(jī)械有限公司