專利名稱：高壓并聯(lián)電容器無涌流無過電壓投切裝置的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種高壓并聯(lián)電容器的無涌流無過電壓投切裝置。由此可以做到高壓電網(wǎng)的最佳動態(tài)無功補償。
背景技術：
目前，高壓并聯(lián)電容器投入時會產(chǎn)生涌流和過電壓，主要原因是斷路器合閘時電容器上電壓與電網(wǎng)電壓不相等出現(xiàn)涌流以及涌流的高頻成份會在電流互感器的二次側感應出很高的過電壓，使電流互感器發(fā)生閃絡和擊穿；在并聯(lián)電容器切除時會在電容器上產(chǎn)生過電壓，主要原因是斷路器會發(fā)生重燃。
實用新型內(nèi)容本實用新型要解決的技術問題是提供一種高壓并聯(lián)電容器無涌流無過電壓投切裝置。技術方案一種高壓并聯(lián)電容器無涌流無過電壓投切裝置，由開關變壓器及斷路器等構成，其特征在于高壓隔離開關(G2)、開關變壓器(TK)的高壓繞組、斷路器(K2)串聯(lián)構成一個串聯(lián)電路，高壓開關(G1)、斷路器(K1)串聯(lián)構成另一個串聯(lián)電路，兩串聯(lián)電路并聯(lián)后接高壓并聯(lián)電容器(C)，開關變壓器低壓繞組接可控硅(雙向可控硅或單向可控硅反并聯(lián))，可控硅的控制極接可編程序控制器。有益效果由于本實用新型采用特有的電路結構，在并聯(lián)電容器投入時可以做到電源電壓等于電容器上電壓。因此無涌流產(chǎn)生；在切除時可以做到電容器上電壓為零且電流很小，無過電壓產(chǎn)生。


附圖為本實用新型的電路原理圖。
具體實施方式
如圖所示，高壓隔離開關G2、開關變壓器TK的高壓繞組、斷路器K2串聯(lián)構成一個串聯(lián)電路；高壓隔離開關G1、斷路器K1串聯(lián)構成另一個串聯(lián)電路；兩串聯(lián)電路并聯(lián)后接高壓并聯(lián)電容器C；開關變壓器TK的低壓繞組接可控硅BCR；可控硅BCR的控制極接可編程序控制器PLC。
工作時，當要投入并聯(lián)電容器C時，首先合上斷路器K2(G1、G2已合)，然后啟動可編程序控制器PLC來控制可控硅BCR，使電容器C充電到電源電壓后，再使電容器C經(jīng)開關變壓器TK接入電源。這時再合上斷路器K1、斷開K2。電容器接入電網(wǎng)，因電容器電壓保持與電源電壓相等。故無涌流產(chǎn)生。
當要切除電容器C時，首先合上斷路器K2，然后啟動可編程序控制器PLC來控制可控硅BCR，使電容器C經(jīng)TK接入電源。這時斷開K1，再由可編程序控制器PLC來控制可控硅BCR使之在電容C上電壓為零時斷開可控硅BCR，之后斷開K2。因電容C上電壓為零伏且電流很小，故不會產(chǎn)生過電壓。
權利要求1.一種高壓并聯(lián)電容器無涌流無過電壓投切裝置，由開關變壓器及斷路器等構成，其特征在于高壓隔離開關(G2)、開關變壓器(TK)的高壓繞組、斷路器(K2)串聯(lián)構成一個串聯(lián)電路，高壓隔離開關(G1)、斷路器(K1)串聯(lián)構成另一個串聯(lián)電路，兩串聯(lián)電路并聯(lián)后接高壓并聯(lián)電容器(C)，開關變壓器的低壓繞組接可控硅(BCR)，可控硅的控制極接可編程序控制器(PLC)。
專利摘要本實用新型涉及一種高壓并聯(lián)電容器的無涌流無過電壓投切裝置，使得高壓并聯(lián)電容器在投入和切除時無涌流和無過電壓產(chǎn)生，使高壓電網(wǎng)的最佳動態(tài)無功補償?shù)靡詫崿F(xiàn)。技術方案由開關變壓器及斷路器等構成，具體特征在于高壓隔離開關(G2)、開關變壓器(TK)的高壓繞組、斷路器(K2)串聯(lián)構成一個串聯(lián)電路；高壓隔離開關(G1)、斷路器(K1)串聯(lián)構成另一個串聯(lián)電路；兩串聯(lián)電路并聯(lián)后接高壓并聯(lián)電容器(C)；開關變壓低壓繞組接可控硅，可控硅的控制極接可編程序控制器。
文檔編號H02J3/18GK2687925SQ20042000205
公開日2005年3月23日 申請日期2004年1月9日 優(yōu)先權日2004年1月9日
發(fā)明者潘政春 申請人:潘政春