一種樣品等離子處理專用電極外置裝置的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種樣品等離子處理專用電極外置裝置，包括：真空艙體、陽極、連接裝置、絕緣柱和陰極。所述真空艙體采用石英玻璃，真空艙體為圓柱形，內(nèi)含樣品材料和處理氣體；所述陽極和陰極緊貼于真空艙體外表面，所述陽極和陰極的兩側(cè)端部，分別通過連接裝置連接在所述絕緣柱上，安裝在絕緣柱上的陽極和陰極組成一個和真空艙體同心的圓柱，使得電極更接近待處理的樣品材料。當(dāng)進(jìn)行等離子處理時，真空艙體內(nèi)部潔凈度很高，因此能夠?qū)σ笳婵张擉w高度潔凈的樣品材料進(jìn)行等離子處理，同時，那些對金屬有腐蝕性的樣品材料也不會對真空艙體、陽極和陰極造成腐蝕。
【專利說明】
一種樣品等離子處理專用電極外置裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及電極外置裝置，特別是涉及一種樣品等離子處理專用電極外置裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]等離子表面處理是一種新興的高科技表面處理方法，通過處理可以使材料表面實(shí)現(xiàn)親水、疏水等特殊功能，以便大幅度增強(qiáng)表面的粘合、焊接、涂鍍或者是防水防腐蝕等能力。這一處理手段目前被廣泛地應(yīng)用于電子、芯片、航空航天、兵器、汽車等領(lǐng)域，而且隨著科技的發(fā)展此技術(shù)的應(yīng)用也越來越廣泛。
[0003]現(xiàn)有通常的等離子表面處理技術(shù)是，在真空艙體內(nèi)，導(dǎo)入射頻或高頻電源，連接到并聯(lián)的、水平布置(或垂直)的一個或者數(shù)個電極板上。電極板之間有一定的間隙，可以在間隙處放入水平托盤，需要處理的樣品就放置在托盤上。進(jìn)行處理時，樣品放入托盤并把托盤置入艙體，用真空栗把艙體內(nèi)的真空度抽到0.1-0.6mbar左右，通入處理氣體并接通射頻電源。因?yàn)榻尤氲纳漕l電源一般電壓在1000V至1600V之間，艙體內(nèi)的電極板被接通射頻電源后會擊穿艙體內(nèi)通入的處理氣體，將氣體分子電離產(chǎn)生等離子，電極板和艙體之間存在電位差，等離子在電位差的作用下從電極板向艙體或者接地的陰極運(yùn)動，并轟擊放置在托盤上的樣品，從而使樣品得到處理。
[0004]但是這種常用的等離子處理設(shè)備結(jié)構(gòu)對于要求真空艙體極端潔凈或?qū)饘儆懈g性的樣品材料處理是非常困難的，主要存在的問題是:1、對金屬有腐蝕性的樣品材料，會對真空艙體和電極產(chǎn)生腐蝕;2、等離子會對電極濺射，從而產(chǎn)生一些污染物。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了解決以上問題，本實(shí)用新型采用的是石英玻璃材質(zhì)真空艙體(I)及電極外置技術(shù)，用于對艙室要求極端潔凈或?qū)饘儆懈g性樣品進(jìn)行等離子處理，以及用于處理氣體對金屬有腐蝕性的工藝。
[0006]為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是:一種樣品等離子處理專用電極外置裝置，包括:真空艙體、陽極、連接裝置、絕緣柱和陰極。
[0007]可選地，所述真空艙體采用石英玻璃，真空艙體為圓柱形，內(nèi)含樣品材料及處理氣體。
[0008]可選地，所述陽極和陰極緊貼于真空艙體外表面，所述陽極接射頻電源，陰極接地。
[0009]可選地，所述陽極和陰極為弧形電極，上面均布圓孔，圓孔直徑為3-20mm。
[0010]可選地，所述陽極和陰極的兩側(cè)端部，分別通過連接裝置連接在所述絕緣柱上，安裝在絕緣柱上的陽極和陰極組成一個和真空艙體同心的圓柱，使得電極更接近待處理的樣品材料。
[0011 ]可選地，所述連接裝置為螺栓。
[0012]可選地，所述絕緣柱采用聚四氟乙烯或陶瓷，絕緣柱高度為5-50mm。
[0013]本實(shí)用新型具體具體操作時，將樣品材料放進(jìn)真空艙體內(nèi)，啟動真空栗，當(dāng)真空艙體內(nèi)部真空至0.1-0.6mbar以達(dá)到等離子發(fā)生時所需要的真空度時，啟動處理氣體輸入，并維持真空度保持穩(wěn)定。啟動設(shè)定好了功率的射頻電源，這時與射頻電源連接的電極帶電，并電離處理氣體，產(chǎn)生等離子，等離子充滿整個真空艙體內(nèi)部，從而對樣品材料進(jìn)行等離子處理，處理完后，關(guān)閉電機(jī)和射頻電源，通入空氣以使真空艙體內(nèi)的真空與大氣連通，使真空艙體內(nèi)恢復(fù)常壓，打開艙門，將樣品材料拿出，完成處理。
[0014]本實(shí)用新型的有益效果是:當(dāng)進(jìn)行等離子處理時，真空艙體內(nèi)部潔凈度很高，因此能夠用于對真空艙體要求極端潔凈的樣品材料進(jìn)行等離子處理，同時，那些對金屬有腐蝕性的樣品材料及處理氣體也不會對真空艙體、陽極和陰極造成腐蝕;此布局方式同樣適用于其它真空設(shè)備，如真空鍍膜設(shè)備、真空干燥機(jī)、真空沉積設(shè)備、真空清洗機(jī)等;該裝置使用的零件均結(jié)構(gòu)簡單，易于實(shí)現(xiàn)，成本低。
【附圖說明】
[0015]圖1是本實(shí)用新型的樣品等離子處理專用電極外置裝置連接示意圖；
[0016]圖中:1、真空艙體，2、陽極，3、連接裝置，4、絕緣柱，5、陰極。
【具體實(shí)施方式】
[0017]下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。
[0018]如圖1所示，本實(shí)用新型的一種樣品等離子處理專用電極外置裝置，包括:真空艙體1、陽極2、連接裝置3、絕緣柱4和陰極5。
[0019]所述真空艙體I采用石英玻璃，真空艙體I為圓柱形，內(nèi)含樣品材料及處理氣體。
[0020]所述陽極2和陰極5緊貼于所述真空艙體I外表面，所述陽極接射頻電源，陰極接地。
[0021 ] 具體地，所述陽極2和陰極5為弧形電極，上面均布圓孔，圓孔直徑為3-20_。
[0022]所述陽極2和陰極5的兩側(cè)端部分別通過連接裝置3連接在絕緣柱4上，安裝在絕緣柱上的陽極2和陰極5組成一個和真空艙體I同心的圓柱，使得電極更接近待處理的樣品材料。
[0023]具體地，所述連接裝置3選用螺栓，但其他能夠?qū)㈥枠O2和陰極5連接在絕緣柱4上的裝置均可使用，在此對連接裝置不做限定。
[0024]所述絕緣柱4采用聚四氟乙烯或陶瓷，絕緣柱4高度為5-50mm。
[0025]本實(shí)用新型具體具體操作時，將樣品材料放進(jìn)真空艙體I內(nèi)，啟動真空栗，當(dāng)真空艙體I內(nèi)部真空至0.1-0.6mbar以達(dá)到等離子發(fā)生時所需要的真空度時，啟動處理氣體輸入，并維持真空度保持穩(wěn)定。啟動設(shè)定好了功率的射頻電源，這時與射頻電源連接的電極帶電，并電離處理氣體，產(chǎn)生等離子，等離子充滿整個真空艙體I內(nèi)部，從而對樣品材料進(jìn)行等離子處理，處理完后，關(guān)閉電機(jī)和射頻電源，通入空氣以使真空艙體I內(nèi)的真空與大氣連通，使真空艙體(I)內(nèi)恢復(fù)常壓，打開艙門，將樣品材料拿出，完成處理。
[0026]本實(shí)用新型的有益效果是:當(dāng)進(jìn)行等離子處理時，真空艙體內(nèi)部潔凈度很高，因此能夠用于對真空艙體要求極端潔凈的樣品材料進(jìn)行等離子處理，同時，那些對金屬有腐蝕性的樣品材料及處理氣體也不會對真空艙體、陽極和陰極造成腐蝕;此布局方式同樣適用于其它真空設(shè)備，如真空鍍膜設(shè)備、真空干燥機(jī)、真空沉積設(shè)備、真空清洗機(jī)等;該裝置使用的零件均結(jié)構(gòu)簡單，易于實(shí)現(xiàn)，成本低。
[0027]以上結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的實(shí)施方式進(jìn)行了詳細(xì)說明，但是本實(shí)用新型不限于上述實(shí)施方式，凡依據(jù)本實(shí)用新型申請專利范圍所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本實(shí)用新型的涵蓋范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種樣品等離子處理專用電極外置裝置，其特征是:包括:真空艙體(I)、陽極(2)、連接裝置(3)、絕緣柱(4)和陰極(5); 所述真空艙體(I)采用石英玻璃材質(zhì)，真空艙體(I)為圓柱形，內(nèi)含樣品材料及處理氣體;所述陽極(2)和陰極(5)緊貼于真空艙體(I)外表面，所述陽極(2)和陰極(5)的兩側(cè)末端相連后組成一個和真空艙體(I)同心的圓柱。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種樣品等離子處理專用電極外置裝置，其特征是，所述陽極(2)接射頻電源，所述陰極(5)接地。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種樣品等離子處理專用電極外置裝置，其特征是，所述陽極(2)和陰極(5)為弧形電極，上面均布圓孔，所述圓孔直徑為3-20_。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種樣品等離子處理專用電極外置裝置，其特征是，所述陽極(2)和陰極(5)的兩側(cè)端部，分別通過連接裝置(3)連接在所述絕緣柱(4)上。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種樣品等離子處理專用電極外置裝置，其特征是，所述連接裝置(3)為螺栓。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種樣品等離子處理專用電極外置裝置，所述絕緣柱(4)采用聚四氟乙烯或陶瓷，絕緣柱(4)高度為5-50mm。
【文檔編號】H01J37/32GK205582880SQ201620340323
【公開日】2016年9月14日
【申請日】2016年4月21日
【發(fā)明人】鄭亮
【申請人】鄭亮