一種用于金屬蒸發(fā)的晶圓夾具的制作方法
【專利摘要】本實用新型提出了一種用于金屬蒸發(fā)的晶圓夾具，能夠避免現(xiàn)有夾具接觸部分無法蒸鍍金屬對后續(xù)工藝帶來不利的影響。該晶圓夾具包括環(huán)形基座和端蓋，環(huán)形基座的內圈向內延展的區(qū)域用于承托晶圓，端蓋與環(huán)形基座適配扣合；所述環(huán)形基座的內圈向內延展的區(qū)域為向環(huán)形基座中心延展的若干個齒，齒的內圈到基座中心的距離小于晶圓的半徑，齒的外圈到基座中心的距離大于或等于晶圓的半徑。采用本實用新型，晶圓的外邊緣區(qū)域能夠形成金屬層，從而消除了臺階差，避免了膜層梯度造成的邊緣縫隙，從而防止了磨料對晶圓表面的污染，進而提升了產(chǎn)品良率，降低了后續(xù)工藝難度。
【專利說明】
一種用于金屬蒸發(fā)的晶圓夾具
技術領域
[0001]本實用新型涉及一種用于金屬蒸發(fā)的晶圓夾具。
【背景技術】
[0002]晶圓在進行金屬蒸發(fā)工藝時需要由相應的夾具安裝固定，如圖1、2所示，晶圓夾具，包括環(huán)形基座和端蓋，環(huán)形基座的內圈向內延展的區(qū)域(環(huán)形臺階面)用于承托晶圓，端蓋與環(huán)形基座適配扣合。
[0003]現(xiàn)有基座的的結構是在內圈主體基礎上向內延伸出的5mm環(huán)狀承載圈用于支撐晶圓。這樣在固定晶圓時，晶圓邊緣一圈5mm左右范圍被上述環(huán)形臺階面上遮擋;蒸鍍過程中，被遮擋部分不能蒸鍍上金屬，對后續(xù)工藝帶來不利的影響。
[0004]首先，不能完整的對晶圓進行電子束金屬蒸鍍(物理過程)，影響外觀；
[0005]其次，在接下來電鍍工藝(電化學過程)中，邊緣由于沒有金屬覆蓋，導致電鍍不能沉積(電鍍需在導電介質膜上進行)；
[0006]第三，后工藝減薄時，由于膜層梯度差(邊緣沒有金屬覆蓋)，會導致研磨溶液等進入晶圓內部，污染晶圓；此外，由于邊緣受力不均衡會導致在研磨過程中邊緣彎曲甚至裂片，嚴重影響了產(chǎn)品良率；
[0007]第四，研磨后，晶圓與支撐載體較難分離，且有較多殘膠。
【實用新型內容】
[0008]為了避免現(xiàn)有夾具接觸部分無法蒸鍍金屬對后續(xù)工藝帶來不利的影響，本實用新型提出了一種新的晶圓夾具。
[0009]本實用新型的解決方案如下:
[0010]—種用于金屬蒸發(fā)的晶圓夾具，包括環(huán)形基座和端蓋，環(huán)形基座的內圈向內延展的區(qū)域用于承托晶圓，端蓋與環(huán)形基座適配扣合;本實用新型將環(huán)形基座的內圈向內延展的區(qū)域改為向環(huán)形基座中心延展的若干個齒，齒的內圈到基座中心的距離小于晶圓的半徑，齒的外圈到基座中心的距離大于或等于晶圓的半徑(即晶圓僅與這些齒接觸得到承托)。
[0011]在以上方案的基礎上，本實用新型還進一步作了如下優(yōu)化:
[0012]在未裝配晶圓時所述端蓋的邊緣壓接在所述齒的外圈上。也可以適當增大端蓋的尺寸，采用端蓋與環(huán)形基座的上端面接觸的形式適配扣合。
[0013]齒的上表面低于所述環(huán)形基座的上表面(支撐載體指向晶圓的方向定義為由上而下)。
[0014]共設置有三個齒，位于內圈三等分處。這樣以最少的齒與晶圓接觸并保證承托的穩(wěn)定性。
[0015]齒在垂直晶圓方向的厚度小于環(huán)形基座內圈主體的厚度。例如，可以將若干個齒設置于基座內圈主體垂直方向上的中部區(qū)域。
[0016]齒的上表面在同一平面。
[0017]每個齒沿基座中心方向的長度不超過3_。
[0018]與晶圓裝配后，每個齒在晶圓上投影的形狀為正方形、長方形、三角形、梯形、弧形、半環(huán)形或者以上形狀的任意組合。
[0019]本實用新型的技術效果如下:
[0020]1、由若干個小齒安置晶圓，能保證晶圓表面絕大部分蒸鍍金屬，確保電鍍時電鍍層金屬均勻覆蓋晶圓表面；
[0021]2、晶圓的外邊緣區(qū)域能夠形成金屬層，從而消除了臺階差，避免了膜層梯度造成的邊緣縫隙，從而防止了磨料對晶圓表面的污染，進而提升了產(chǎn)品良率，降低了后續(xù)工藝難度；
[0022]3、可以避免磨料破壞研磨時用到的支撐載體，使晶圓和支撐載體能很好的分離，并且大量減少殘膠。
【附圖說明】
[0023 ]圖1為傳統(tǒng)晶圓夾具與晶圓安裝配合的示意圖。
[0024]圖2為圖1的細部示意圖。
[0025]圖3為本實用新型晶圓夾具的不意圖。
[0026]圖4為圖3的細部示意圖。
[0027]圖5為外邊緣區(qū)域具有金屬環(huán)帶的晶圓產(chǎn)品示意圖。
[0028]圖6為背面減薄工藝時晶圓產(chǎn)品的示意圖。
[0029]附圖標號說明:
[0030]1-環(huán)形基座；2-晶圓；3-端蓋；
[0031 ]101-環(huán)形臺階面;102-小齒；103-環(huán)形基座的內圈主體。
[0032]4-隔離區(qū)；5-金屬區(qū);6-晶圓;7-金屬環(huán)帶;8-支撐載體。
【具體實施方式】
[0033]如圖3、4所示，在環(huán)形基座的內圈三等分位置保留三個3mm X 3mm大小的小齒，以這三個小齒對晶圓進行承載固定。
[0034]內圈主體內徑略大于晶圓外徑，保持適當?shù)拈g隙，使得晶圓的外邊緣區(qū)域能夠形成金屬層(如圖所示5mm的金屬環(huán)帶，該金屬環(huán)帶和位于晶圓中部的芯片功能區(qū)的金屬由電子束蒸發(fā)一次沉積生成)。晶圓在作業(yè)電鍍工藝時，在該區(qū)域再電鍍上一層金屬，使得晶圓邊緣不存在臺階差(如圖6所示)，阻擋磨料污染晶圓表面，提升產(chǎn)品良率，也使得晶圓邊緣和保護膠帶可以更好的粘貼。
【主權項】
1.一種用于金屬蒸發(fā)的晶圓夾具，包括環(huán)形基座和端蓋，環(huán)形基座的內圈向內延展的區(qū)域用于承托晶圓，端蓋與環(huán)形基座適配扣合;其特征在于:所述環(huán)形基座的內圈向內延展的區(qū)域為向環(huán)形基座中心延展的若干個齒，齒的內圈到基座中心的距離小于晶圓的半徑，齒的外圈到基座中心的距離大于或等于晶圓的半徑。2.根據(jù)權利要求1所述的用于金屬蒸發(fā)的晶圓夾具，其特征在于:在未裝配晶圓時所述端蓋的邊緣壓接在所述齒的外圈上。3.根據(jù)權利要求1所述的用于金屬蒸發(fā)的晶圓夾具，其特征在于:所述齒的上表面低于所述環(huán)形基座的上表面。4.根據(jù)權利要求1所述的用于金屬蒸發(fā)的晶圓夾具，其特征在于:共設置有三個齒，位于內圈三等分處。5.根據(jù)權利要求1所述的用于金屬蒸發(fā)的晶圓夾具，其特征在于:所述齒在垂直晶圓方向的厚度小于環(huán)形基座內圈主體的厚度。6.根據(jù)權利要求3所述的用于金屬蒸發(fā)的晶圓夾具，其特征在于:所述齒的上表面在同一平面。7.根據(jù)權利要求3所述的用于金屬蒸發(fā)的晶圓夾具，其特征在于:每個齒沿基座中心方向的長度不超過3mm。8.根據(jù)權利要求3所述的用于金屬蒸發(fā)的晶圓夾具，其特征在于:與晶圓裝配后，每個齒在晶圓上投影的形狀為正方形、長方形、三角形、梯形、弧形、半環(huán)形或者以上形狀的任意組合。
【文檔編號】H01L21/687GK205452257SQ201521132704
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2015年12月30日
【發(fā)明人】白龍剛, 王大偉
【申請人】西安立芯光電科技有限公司