一種識(shí)別芯片的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及一種芯片，特別是一種識(shí)別芯片。
【背景技術(shù)】
[0002] 發(fā)光二極管(Light Emitting Diode，LED)的生產(chǎn)、檢測(cè)流程中使用的自動(dòng)化機(jī)， 具體包括粘晶機(jī)(Die Bonder)、邦定機(jī)(Wire Bonder)及芯片檢測(cè)機(jī)(Chip Prober)等均需 要圖形識(shí)別(Pa11ern Recogni t ion)功能，以判別芯片的正確位置并引導(dǎo)機(jī)臺(tái)動(dòng)作。
[0003] LED芯片上的結(jié)構(gòu)以金屬電極最為明顯易判讀，因此在執(zhí)行影像識(shí)別時(shí)一向以金 屬電極的圖形為依據(jù)。芯片表面粗化(Surface Roughen)及圖案基板(Patterned Sapphire Substrate)等提高芯片亮度新技術(shù)的采用往往造成CCD影像灰階的變化導(dǎo)致金屬電極不易 區(qū)分。而且LED芯片的典型尺寸在0.22mm~0.35mm之間，LED芯片的電極結(jié)構(gòu)更小，要進(jìn)一步 快速區(qū)分N型和P型電極的難度更大，因此需要一個(gè)更好的方案識(shí)別LED芯片，區(qū)分芯片P、N 電極，并且適用于多種芯片。
[0004] 而且雖然芯片的廠家各有不同，但芯片尺寸規(guī)格基本一樣，往往需要檢測(cè)芯片的 各項(xiàng)電參、光參或者觀測(cè)內(nèi)部電路來(lái)區(qū)分品牌，鑒別起來(lái)比較麻煩。 【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005] 鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本實(shí)用新型的目的在于提供一種識(shí)別芯片及其制 作方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中不同芯片或者芯片電極難以識(shí)別的問(wèn)題。
[0006] 為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本實(shí)用新型提供一種識(shí)別芯片制作方法，包括 以下步驟：
[0007] 1)提供一外延結(jié)構(gòu)，于所述外延結(jié)構(gòu)上形成阻擋層，并于所述阻擋層刻蝕或腐蝕 形成N孔區(qū)域和P孔區(qū)域；
[0008] 2)制作N電極擴(kuò)散層，用于N孔區(qū)域的電性引出；
[0009] 3)生長(zhǎng)鈍化層，對(duì)所述鈍化層進(jìn)行刻蝕或腐蝕形成第一預(yù)留區(qū)域及第二預(yù)留區(qū) 域，所述第一預(yù)留區(qū)域?qū)?yīng)所述P孔區(qū)域；
[0010] 其中，所述第一預(yù)留區(qū)域及第二預(yù)留區(qū)域包含特定的標(biāo)識(shí)信息。
[0011] 優(yōu)選地，所述第一預(yù)留區(qū)域及第二預(yù)留區(qū)域深度為2000-15000μπι。
[0012] 優(yōu)選地，所述第一預(yù)留區(qū)域及第二預(yù)留區(qū)域包含字母、數(shù)字、圖形和符號(hào)其中的一 種或多種構(gòu)成的標(biāo)識(shí)信息。
[0013] 優(yōu)選地，在步驟3)之后，還包括下列步驟：在所述鈍化層上形成Ν型電極和Ρ型電 極，所述第一預(yù)留區(qū)域設(shè)置于所述Ρ電極區(qū)域，所述第二預(yù)留區(qū)域設(shè)置于所述Ν電極區(qū)域，用 于區(qū)別電極。
[0014] 優(yōu)選地，所述第一預(yù)留區(qū)域的深度為直至透明導(dǎo)電層或反光鏡層，所述第二預(yù)留 區(qū)域的深度為直至所述Ν電極擴(kuò)散層。
[0015] 優(yōu)選地，步驟3)包括步驟:3_1)于所述鈍化層表面涂覆光刻膠;3-2)對(duì)所述光刻膠 進(jìn)行圖形化處理;3-3)依據(jù)圖形化的光刻膠對(duì)所述鈍化層進(jìn)行刻蝕或腐蝕形成第一預(yù)留區(qū) 域及第二預(yù)留區(qū)域。
[0016]優(yōu)選地，所述外延結(jié)構(gòu)的制作方法包括以下步驟:1-1)提供一生長(zhǎng)襯底，在所述襯 底上形成發(fā)光外延層；1-2)于所述發(fā)光外延層上形成透明導(dǎo)電層，然后刻蝕出切割道區(qū)域 和N孔區(qū)域;1-3)于所述透明導(dǎo)電層上制作反射鏡層。
[0017] 優(yōu)選地，步驟1-2)中，所述N孔區(qū)域的深度為直至所述發(fā)光外延層的N型層。
[0018] 本實(shí)用新型還提供了 一種識(shí)別芯片，自下而上依次包含：生長(zhǎng)襯底；發(fā)光外延層， 形成于所述襯底上表面;透明導(dǎo)電層，形成于所述發(fā)光外延層上表面;反射鏡層，形成于所 述透明導(dǎo)電層上表面;阻擋層，形成于所述外延結(jié)構(gòu)上表面，所述阻擋層包含N孔區(qū)域和位 于P孔區(qū)域;N電極擴(kuò)散層，形成于所述阻擋層上表面，所述N電極擴(kuò)散層包含N孔區(qū)域;鈍化 層，形成于所述阻擋層上表面，所述鈍化層包含第一預(yù)留區(qū)域及第二預(yù)留區(qū)域，所述第一預(yù) 留區(qū)域?qū)?yīng)所述P電極區(qū)域；電極層，形成于所述鈍化層上表面。其中，所述第一預(yù)留區(qū)域、 第二預(yù)留區(qū)域包含特定的標(biāo)識(shí)信息。
[0019] 優(yōu)選地，所述第一預(yù)留區(qū)域及第二預(yù)留區(qū)域深度為2000-15000μπι。
[0020] 優(yōu)選地，所述第一預(yù)留區(qū)域及第二預(yù)留區(qū)域包含字母、數(shù)字、圖形和符號(hào)其中的一 種或多種構(gòu)成的標(biāo)識(shí)信息。
[0021] 優(yōu)選地，所述電極層包含Ρ型電極和Ν型電極，形成于所述鈍化層上表面，所述第一 預(yù)留區(qū)域設(shè)置于Ρ電極區(qū)域，所述第二預(yù)留區(qū)域設(shè)置于Ν電極區(qū)域，用于區(qū)別電極。所述第一 預(yù)留區(qū)域的深度為直至透明導(dǎo)電層或反光鏡層，所述第二預(yù)留區(qū)域的深度為直至所述Ν電 極擴(kuò)散層。
[0022] 如上所述，本實(shí)用新型的一種識(shí)別芯片及其制作方法，包含以下有益效果：
[0023] (1)于識(shí)別芯片的阻擋層、擴(kuò)散層或鈍化層中通過(guò)腐蝕、刻蝕或剝離的方式形成不 同的預(yù)留區(qū)域，可以將特定標(biāo)識(shí)信息承載于芯片中，從而實(shí)現(xiàn)識(shí)別功能。
[0024] (2)通過(guò)將預(yù)留區(qū)域的信息設(shè)置為產(chǎn)品信息或公司信息（例如，公司的L0G)，這樣 不僅可以讓使用者輕易識(shí)別芯片的不同類型和生產(chǎn)廠家等，而且可以增加產(chǎn)品品牌識(shí)別 度。
[0025] (3)通過(guò)將預(yù)留區(qū)域設(shè)置于不同電極區(qū)域的特定位置，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)芯片不同電極 的標(biāo)識(shí)，可以更直觀更有效的區(qū)分芯片的P電極和N電極，使之能適用于各種芯片，方便芯片 生產(chǎn)、檢測(cè)流程中進(jìn)行圖形識(shí)別，顯著提高芯片鑒別率和生產(chǎn)效率，降低廢品率和生產(chǎn)成 本。
[0026] (4)通過(guò)將預(yù)留區(qū)域的信息設(shè)置為防偽信息（例如產(chǎn)品編碼），由于該防偽信息承 載于芯片的內(nèi)部，使得造假者難以輕易仿制，可以實(shí)現(xiàn)芯片的防偽功能。
[0027] (5)制作N電極擴(kuò)散層，用于N孔區(qū)域的電性引出，增加電流在發(fā)光層的擴(kuò)散。
【附圖說(shuō)明】
[0028]圖1-13顯示為本實(shí)用新型識(shí)別芯片的制作方法中依據(jù)各步驟呈現(xiàn)的識(shí)別芯片結(jié) 構(gòu)示意圖。
[0029]圖14顯示為本實(shí)用新型的識(shí)別芯片的各層分布示意圖。
[0030] 元件標(biāo)號(hào)說(shuō)明

【具體實(shí)施方式】
[0032] 以下通過(guò)特定的具體實(shí)例說(shuō)明本實(shí)用新型的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說(shuō) 明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本實(shí)用新型的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本實(shí)用新型還可以通過(guò)另外 不同的【具體實(shí)施方式】加以實(shí)施或應(yīng)用，本說(shuō)明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng) 用，在沒(méi)有背離本實(shí)用新型的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。
[0033] 請(qǐng)參閱圖1至14。需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中所提供的圖示僅以示意方式說(shuō)明本實(shí) 用新型的基本構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本實(shí)用新型中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時(shí)的組 件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實(shí)際實(shí)施時(shí)各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變， 且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。
[0034] 實(shí)施例一
[0035] 如圖1-13所示，本實(shí)用新型提供一種LED識(shí)別芯片的制作方法，制作方法至少包括 以下步驟：
[0036] 如圖1所示，首先執(zhí)行步驟S1，提供一生長(zhǎng)襯底101，并于生長(zhǎng)襯底101的上表面形 成一發(fā)光外延層102。本實(shí)施例中，生長(zhǎng)襯底101可以為藍(lán)寶石(Al 2〇3)，發(fā)光外延層102包含 N-GaN發(fā)光外延層。接著執(zhí)行步驟S2。
[0037] 如圖1和圖2所示，在步驟S2中，于發(fā)光外延層102上表面形成透明導(dǎo)電層103。首 先，如圖1所示，在發(fā)光外延層102表面采用蒸鍍或?yàn)R射工藝形成一透明導(dǎo)電層103。然后，在 透明導(dǎo)電層103上形成一光刻膠層301，于光刻膠層301上分別定義出第一切割道區(qū)域2011 和第一 N孔區(qū)域2021，并通過(guò)顯影的方式去除光刻膠層301中的第一切割道區(qū)域2011和第一 N孔區(qū)域2021。本實(shí)施例中，N孔區(qū)域的個(gè)數(shù)不小于兩個(gè)，且至少一 N孔區(qū)域位于P電極區(qū)域。 [0038] 接著，過(guò)度腐蝕剩下的光刻膠層301至光刻膠層301內(nèi)的2μπι~5μπι處，采用ICP干法 刻蝕第一切割道區(qū)域2011和第一 N孔區(qū)域2021直至露出發(fā)光外延層102,并繼續(xù)向下刻蝕1μ m~2μπι。最后，如圖3所示，去除光刻膠層301獲得透明導(dǎo)電層103。本實(shí)施例中的透明導(dǎo)電層 103可以為ΙΤΟ層。接著執(zhí)行步驟S3。
[0039] 如圖4和圖5所示，在步驟S3中，于透明導(dǎo)電層103上表面形成反射鏡層104。具體來(lái) 說(shuō)，首先，勻膠、涂覆形成一光刻膠層302,如圖4所示，于光刻膠層302上定義出反射鏡層區(qū) 域，反射鏡層區(qū)域由除第二切割道區(qū)域2012和第二Ν孔區(qū)域2022以外的區(qū)域形成。然后，通 過(guò)顯影的方式去除反射鏡層區(qū)域的光刻膠，露出部分透明導(dǎo)電層103。接著，采用蒸鍍或?yàn)R 射工藝形成反射鏡層104,并通過(guò)金屬剝離的方式將第二切割道區(qū)域2012和第二Ν孔區(qū)域 2022的金屬剝離去除。最后，如圖5所示，獲得反射鏡層104,其中，第二切割道區(qū)域2012和 第二Ν孔區(qū)域2022分別露出部分透明導(dǎo)電層103和部分發(fā)光外延層102。本實(shí)施例中的反射 鏡層104為Ρ擴(kuò)散層的反射鏡層。接著執(zhí)行步驟S4。
[0040] 如圖6和圖7所示，在步驟S4中，于反射鏡層104上表面形成一阻擋層105。具體來(lái) 說(shuō)，首先于反射鏡層104上表面沉積阻擋層105,接著涂敷一光刻膠層303,如圖6所示，于光 刻膠層303上定義出第三Ν孔區(qū)域2023和第一 Ρ孔區(qū)域2031。然后，通過(guò)顯影的方式去除第三 Ν孔區(qū)域2023和第一 Ρ孔區(qū)域2031的光刻膠，露出部分阻擋層105。接著，通過(guò)腐蝕或刻蝕的 方式去除阻擋層中的第三Ν孔區(qū)域2023和第一Ρ孔區(qū)域2031，其中，第三Ν孔區(qū)域露出部分發(fā) 光外延層102,第一Ρ孔區(qū)域2031露出部分Ρ擴(kuò)散層的反射鏡層104。最后，如圖7所不，去除光 刻膠303,獲得阻擋層105。本實(shí)施例中，阻擋層105可以為Si0 2阻擋層。接著執(zhí)行步驟S3。
[0041] 如圖8和圖9所示，在步驟S5中，于阻擋層105上表面形成N電極擴(kuò)散層106。具體來(lái) 說(shuō)，首先，勻膠、涂覆形成一光刻膠層304,如圖8所示，于光刻膠層上定義出第三切割道區(qū)域 2013和第二P孔區(qū)域2032。接著，采用蒸鍍或?yàn)R射工藝形成N電極擴(kuò)散層106,并通過(guò)金屬剝 離的方式將第三切割道區(qū)域2013和第二P孔區(qū)域2032的金屬剝離去除。最后，如圖9所示，獲 得N電極擴(kuò)散層