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一種具有高頻性能改良中間件的usb連接器的制造方法

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一種具有高頻性能改良中間件的usb連接器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本實(shí)用新型涉及連接器技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種USB連接器。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著USB連接器發(fā)展到USB 3.1標(biāo)準(zhǔn),尤其是USB Type-C連接器的出現(xiàn),對(duì)高頻信號(hào)的質(zhì)量傳輸要求越來(lái)越高,在USB Type-C連接器中為了實(shí)現(xiàn)正反插的要求采用雙層的信號(hào)層結(jié)構(gòu)并在雙層信號(hào)層之間通過(guò)中間件來(lái)獲得良好的EMI/EMC效果,但這會(huì)給高頻性能帶來(lái)一定的影響。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]基于此,有必要針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種具有新型中間件的USB連接器,其高頻性能明顯改善。
[0004]本實(shí)用新型提供一種具有高頻性能改良中間件的USB連接器,其包括外殼、固定于所述外殼內(nèi)的絕緣本體、固定于所述絕緣本體且呈上下排分布的端子以及固定于所述上、下排端子之間的中間件,所述的端子包括多個(gè)差分信號(hào)對(duì)端子,所述的中間件在對(duì)應(yīng)于所述差分信號(hào)對(duì)端子位置設(shè)有具有阻抗調(diào)節(jié)能力的槽孔。
[0005]在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述的差分信號(hào)對(duì)端子包括與對(duì)方連接器端子電性接觸的接觸部、用于與印制電路板錫焊連接的焊接部以及連接所述接觸部和焊接部的結(jié)合部,所述中間件的槽孔位于對(duì)應(yīng)于所述接觸部的正對(duì)位置上。
[0006]在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述中間件的槽孔為前部寬、后部窄的梯形槽。
[0007]在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述中間件的槽孔為兩個(gè)連通的矩形槽,前部的矩形槽寬,后部的矩形槽窄。
[0008]在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述前部的矩形槽的寬度為后部的矩形槽的寬度的1.4倍。
[0009]在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述前部的矩形槽的長(zhǎng)度大于所述后部的矩形槽的長(zhǎng)度。
[0010]在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述的端子還包括電源或地通路端子,所述中間件在對(duì)應(yīng)所述電源或地通路端子的前部位置設(shè)有槽孔。
[0011 ]在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述中間件由金屬板材通過(guò)折彎形成,包括平板狀的前部和由前部的端緣通過(guò)直角折彎形成的后部,所述后部也設(shè)置有對(duì)應(yīng)于相應(yīng)所述差分信號(hào)對(duì)端子位置的槽孔。
[0012]在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述中間件的兩側(cè)設(shè)置有卡扣。
[0013]本實(shí)用新型的有益效果在于:本實(shí)用新型的USB連接器通過(guò)在其中間件上根據(jù)阻抗匹配原理設(shè)置預(yù)定排布的多個(gè)槽孔使得其差分信號(hào)對(duì)端子具有很好的阻抗匹配能力,從而明顯地提尚USB連接器的尚頻性能。
【附圖說(shuō)明】
[0014]圖I為本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例的的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0015]圖2為圖I中僅顯示端子和中間件的位置示意圖;
[0016]圖3為圖I中的中間件的結(jié)構(gòu)示意圖;
【具體實(shí)施方式】
[0017]為了便于理解本發(fā)明,下面將參照相關(guān)附圖對(duì)同軸連接器進(jìn)行更全面的描述。附圖中給出了同軸連接器的首選實(shí)施例。但是,同軸連接器可以以許多不同的形式來(lái)實(shí)現(xiàn),并不限于本文所描述的實(shí)施例。相反地,提供這些實(shí)施例的目的是使對(duì)同軸連接器的公開(kāi)內(nèi)容更加透徹全面。
[0018]除非另有定義,本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)與屬于本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在同軸連接器的說(shuō)明書中所使用的術(shù)語(yǔ)只是為了描述具體的實(shí)施例的目的,不是旨在于限制本發(fā)明。本文所使用的術(shù)語(yǔ)“及/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)的所列項(xiàng)目的任意的和所有的組合。
[0019]需要指出的是,本實(shí)用新型是在USB-IF公布的Universal Serial Bus Type-CCable and Connector Specif ication(Rev. 1.0)標(biāo)準(zhǔn)(以下簡(jiǎn)稱“標(biāo)準(zhǔn)”)為基礎(chǔ)進(jìn)行的改良結(jié)構(gòu),因此,標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容中有關(guān)連接器的內(nèi)容也被視為本文中的一部分。
[0020]如圖I所示的本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的具有高頻性能改良中間件的USB連接器00,該USB連接器00為完全按照標(biāo)準(zhǔn)的插座(或母座)接口,用于安裝于印制電路板中,與對(duì)方連接器(稱為插頭或公頭,圖中未示出)匹配進(jìn)行電連接。參照?qǐng)DI,并結(jié)合圖2、圖3所示,按照USB-IF公布的標(biāo)準(zhǔn)中有關(guān)插座的規(guī)定,該USB連接器00包括外殼、固定于所述外殼內(nèi)的絕緣本體、固定于所述絕緣本體且呈上下排分布的端子以及固定于所述上、下排端子之間的中間件,由標(biāo)準(zhǔn)可知,所述的端子包括多個(gè)差分信號(hào)對(duì)端子和電源或地通路端子(由于本實(shí)用新型是為改善差分信號(hào)對(duì)端子的高頻性能針對(duì)中間件作出的結(jié)構(gòu)改良,因此,在本文整篇不對(duì)與中間件改良創(chuàng)新點(diǎn)無(wú)關(guān)的部分進(jìn)行進(jìn)一步描述,如需了解具體參見(jiàn)標(biāo)準(zhǔn)的相關(guān)內(nèi)容即可),僅以差分對(duì)端子為例進(jìn)行舉例說(shuō)明。
[0021]如圖2,并參見(jiàn)圖3所示,差分信號(hào)對(duì)端子10包括與對(duì)方連接器端子電性接觸的接觸部11、用于與印制電路板錫焊連接的焊接部12以及連接所述接觸部11和焊接部12的結(jié)合部13,所述的中間件20是由金屬板材通過(guò)折彎形成,包括平板狀的前部21和由前部21的端緣通過(guò)直角折彎形成的后部22,所述的中間件20的兩側(cè)設(shè)置有卡扣23,用于固定于絕緣本體中,所述的中間件20還設(shè)置有結(jié)合孔24,用于進(jìn)一步增強(qiáng)中間件與絕緣本體的固定結(jié)合力,由圖3可知,所述中間件20根據(jù)阻抗匹配原理在對(duì)應(yīng)于所述差分信號(hào)對(duì)端子10位置設(shè)置有多個(gè)槽孔210,在本實(shí)施例中,所述的槽孔210由前部寬度較寬的矩形槽211和后部的寬度較窄的矩形槽212相互連通為一體形成,所述槽孔210設(shè)置于所述接觸部11的正對(duì)位置上(即上排端子的正下方或者下排端子的正上方位置),這樣,如果上排端子或下排端子的阻抗偏大時(shí),可以通過(guò)將槽孔210的尺寸因應(yīng)地變小來(lái)使阻抗值下拉到預(yù)定值,如果上排端子或下排端子的阻抗偏大時(shí),可以通過(guò)將槽孔210的尺寸因應(yīng)地變大來(lái)使阻抗值上拉到預(yù)定值,從而使差分信號(hào)對(duì)端子10獲得理想的阻抗匹配效果,實(shí)現(xiàn)USB連接器00的高頻性能優(yōu)化。
[0022]進(jìn)一步地,所述中間件的后部22在對(duì)應(yīng)于相應(yīng)所述差分信號(hào)對(duì)端子位置上設(shè)置槽孔210’,所述中間件的前部21的后半部分也在相應(yīng)位置設(shè)置槽孔210”都可以進(jìn)一步地增加阻抗調(diào)節(jié)的區(qū)間和提尚尚頻指標(biāo)進(jìn)一步優(yōu)化的可能性。
[0023]通過(guò)實(shí)驗(yàn)經(jīng)驗(yàn)獲知,為實(shí)現(xiàn)較佳的高頻性能改良效果,前部的矩形槽211的長(zhǎng)度應(yīng)該設(shè)置成大于所述后部的矩形槽212的長(zhǎng)度,另外,當(dāng)該前部的矩形槽211的寬度為后部的矩形槽212的寬度的1.4倍時(shí),阻抗匹配能達(dá)到最佳狀態(tài),值得說(shuō)明的是,所述的槽孔210在位于端子的接觸部11附近的調(diào)整變化對(duì)高頻性能的影響較大,改善較果最明顯。
[0024]另一方面,為實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)化及制造便利性,所述中間件也可以在對(duì)應(yīng)所述電源或地通路端子的前部位置設(shè)有槽孔210(參見(jiàn)圖2所示)。
[0025]綜上所述,本實(shí)用新型的USB連接器通過(guò)中間件上設(shè)置的多個(gè)槽孔的規(guī)格對(duì)差分信號(hào)對(duì)端子的阻抗進(jìn)行優(yōu)化調(diào)整,從而實(shí)現(xiàn)高頻性能改善的目的。
[0026]以上所述實(shí)施例的各技術(shù)特征可以進(jìn)行任意的組合,為使描述簡(jiǎn)潔,未對(duì)上述實(shí)施例中的各個(gè)技術(shù)特征所有可能的組合都進(jìn)行描述,然而,只要這些技術(shù)特征的組合不存在矛盾,都應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是本說(shuō)明書記載的范圍。
[0027]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式,其描述較為具體和詳細(xì),但并不能因此而理解為對(duì)發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是,對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō),在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下,還可以做出若干變形和改進(jìn),這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此,本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種具有高頻性能改良中間件的USB連接器,其特征在于,包括外殼、固定于所述外殼內(nèi)的絕緣本體、固定于所述絕緣本體且呈上下排分布的端子以及固定于所述上、下排端子之間的中間件,所述的端子包括多個(gè)差分信號(hào)對(duì)端子,所述的中間件在對(duì)應(yīng)于所述差分信號(hào)對(duì)端子位置設(shè)有具有阻抗調(diào)節(jié)能力的槽孔。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的具有高頻性能改良中間件的USB連接器,其特征在于,所述的差分信號(hào)對(duì)端子包括與對(duì)方連接器端子電性接觸的接觸部、用于與印制電路板錫焊連接的焊接部以及連接所述接觸部和焊接部的結(jié)合部,所述中間件的槽孔位于對(duì)應(yīng)于所述接觸部的正對(duì)位置上。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有高頻性能改良中間件的USB連接器,其特征在于,所述中間件的槽孔為前部寬、后部窄的梯形槽。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有高頻性能改良中間件的USB連接器,其特征在于,所述中間件的槽孔為兩個(gè)連通的矩形槽,前部的矩形槽寬,后部的矩形槽窄。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有高頻性能改良中間件的USB連接器,其特征在于,所述前部的矩形槽的寬度為后部的矩形槽的寬度的1.4倍。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有高頻性能改良中間件的USB連接器,其特征在于,所述前部的矩形槽的長(zhǎng)度大于所述后部的矩形槽的長(zhǎng)度。7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的具有高頻性能改良中間件的USB連接器,其特征在于,所述的端子還包括電源或地通路端子,所述中間件在對(duì)應(yīng)所述電源或地通路端子的前部位置設(shè)有槽孔。8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的具有高頻性能改良中間件的USB連接器,其特征在于,所述中間件由金屬板材通過(guò)折彎形成,包括平板狀的前部和由前部的端緣通過(guò)直角折彎形成的后部,所述后部也設(shè)置有對(duì)應(yīng)于相應(yīng)所述差分信號(hào)對(duì)端子位置的槽孔。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的具有高頻性能改良中間件的USB連接器,其特征在于,所述中間件的兩側(cè)設(shè)置有卡扣。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了具有高頻性能改良中間件的USB連接器,其包括外殼、固定于所述外殼內(nèi)的絕緣本體、固定于所述絕緣本體且呈上下排分布的端子以及固定于所述上、下排端子之間的中間件,所述的端子包括多個(gè)差分信號(hào)對(duì)端子,所述的中間件在對(duì)應(yīng)于所述差分信號(hào)對(duì)端子位置設(shè)有具有阻抗調(diào)節(jié)能力的槽孔。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)具有很好的阻抗匹配能力,從而明顯地提高USB連接器的高頻性能。
【IPC分類】H01R13/6476
【公開(kāi)號(hào)】CN205159669
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520989220
【發(fā)明人】畢偉, 姚淵
【申請(qǐng)人】電連技術(shù)股份有限公司
【公開(kāi)日】2016年4月13日
【申請(qǐng)日】2015年12月3日
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