一種組合芯片的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及內(nèi)存的運行頻率，尤其涉及一種組合芯片。
【背景技術(shù)】
[0002]pop產(chǎn)品作為目前DRAM市場最先進(jìn)的產(chǎn)品，其結(jié)構(gòu)，技術(shù)領(lǐng)先行業(yè)其他產(chǎn)品很多，PL 24G LPDDR3 QDP F216以目前先進(jìn)的DBG生產(chǎn)工藝為基礎(chǔ)，組合4個低功率芯片，最大限度提升內(nèi)存運行頻率，由于PL 24G LPDDR3 QDP F216使用的芯片厚度很薄，所以產(chǎn)品在生產(chǎn)過程中作業(yè)性沒有產(chǎn)線量產(chǎn)產(chǎn)品好，DBG工藝還存在很多需要改善的地方，同時由于產(chǎn)品結(jié)構(gòu)過于復(fù)雜，后期信賴性方面可能存在很多問題。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]所述針對現(xiàn)有內(nèi)存運行頻率低，本實用新型提供一種組合芯片，本實用新型采用以下技術(shù)方案:一種組合芯片，包括:第2層芯片1、第2層粘合膠2、第1層芯片3、第1層粘合膠
4、基板5、錫球6、環(huán)氧樹脂膜塑料包覆層7、金線8，所述基板5上鑲嵌有錫球6，所述第2層芯片1與第1層芯片3之間用第2層粘合膠2絕緣固定，所述第1層芯片3與基板5之間用第1層粘合膠4絕緣固定，所述第1層芯片3與基板5之間用金線8連接，所述第2層芯片1與基板5之間用金線連接，所述第2層芯片1，第2層粘合膠2，第1層芯片3，第1層粘合膠4，基板5封裝于環(huán)氧樹脂膜塑料包覆層7內(nèi)。
[0004]本實用新型的有益效果:PL 24G LPDDR3 QDP F216以目前先進(jìn)的DBG生產(chǎn)工藝為基礎(chǔ)，組合4個低功率芯片，最大限度提升內(nèi)存運行頻率。
【附圖說明】
[0005]圖1為本實用新型一種組合芯片的主視圖；
[0006]圖中標(biāo)號說明，1、第2層芯片;2、第2層粘合膠;3、第1層芯片;4、第1層粘合膠;5、基板;6、錫球;7、環(huán)氧樹脂膜塑料包覆層;8、金線。
【具體實施方式】
[0007]由圖1所述可知，本實用新型一種組合芯片，包括:第2層芯片1、第2層粘合膠2、第1層芯片3、第1層粘合膠4、基板5、錫球6、環(huán)氧樹脂膜塑料包覆層7、金線8，所述基板5上鑲嵌有錫球6，所述第2層芯片1與第1層芯片3之間用第2層粘合膠2絕緣固定，所述第1層芯片3與基板5之間用第1層粘合膠4絕緣固定，所述第1層芯片3與基板5之間用金線8連接，所述第2層芯片1與基板5之間用金線連接，所述第2層芯片1，第2層粘合膠2，第1層芯片3，第1層粘合膠4，基板5封裝于環(huán)氧樹脂膜塑料包覆層7內(nèi)。
[0008]上述實施例僅例示性說明本專利申請的原理及其功效，而非用于限制本專利申請。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本專利申請的精神及范疇下，對上述實施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者在未脫離本專利申請所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本專利請的權(quán)利要求所涵蓋。
【主權(quán)項】
1.一種組合芯片，包括第2層芯片(1)、第2層粘合膠(2)、第1層芯片(3)、第1層粘合膠(4)、基板(5)、錫球(6)、環(huán)氧樹脂膜塑料包覆層(7)、金線(8)，其特征在于:所述基板(5)上鑲嵌有錫球(6)，所述第2層芯片(1)與第1層芯片(3)之間用第2層粘合膠(2)絕緣固定，所述第1層芯片(3)與基板(5)之間用第1層粘合膠(4)絕緣固定，所述第1層芯片(3)與基板(5)之間用金線(8)連接，所述第2層芯片(1)與基板(5)之間用金線連接，所述第2層芯片(1)，第2層粘合膠(2)，第1層芯片(3)，第1層粘合膠(4)，基板(5)封裝于環(huán)氧樹脂膜塑料包覆層(7)內(nèi)。
【專利摘要】本實用新型提供一種組合芯片，包括第2層芯片、第2層粘合膠、第1層芯片、第1層粘合膠、基板、錫球、環(huán)氧樹脂膜塑料包覆層、金線，其特征在于：所述基板上鑲嵌有錫球，所述第2層芯片與第1層芯片之間用第2層粘合膠絕緣固定，所述第1層芯片與基板之間用第1層粘合膠絕緣固定，所述第1層芯片與基板之間用金線連接，所述第2層芯片與基板之間用金線連接，所述第2層芯片，第2層粘合膠，第1層芯片，第1層粘合膠，基板封裝于環(huán)氧樹脂膜塑料包覆層內(nèi)。
【IPC分類】H01L25/065
【公開號】CN205140964
【申請?zhí)枴緾N201520976290
【發(fā)明人】張偉
【申請人】海太半導(dǎo)體（無錫）有限公司
【公開日】2016年4月6日
【申請日】2015年12月1日