一種高功率半導(dǎo)體的內(nèi)包芯片材結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，尤其涉及內(nèi)層包芯內(nèi)電磁屏蔽薄膜片材結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]高功率半導(dǎo)體通常跟電源組件以及其他信號發(fā)射接收元器件進(jìn)行集成使用，在使用中未了避免高頻電波的干擾通常都需要對相互單元之間進(jìn)行屏蔽和信號隔離，使得其中各個(gè)單元的功能能夠獨(dú)立地正常地發(fā)揮作用。
[0003]電磁屏蔽材料是通過消減、攔截或者阻斷電磁輻射能量，而使其所限定在所規(guī)定的空間內(nèi)，阻止電磁波的傳播與擴(kuò)散的一類材料。
[0004]目前的半導(dǎo)體或者直接裸露組裝或者是單層材料外包，電磁感應(yīng)作用比較強(qiáng)，互相之間干擾比較大，影響了半導(dǎo)體元件的性能穩(wěn)定，會對其他元器件產(chǎn)生比較大的影響，從而導(dǎo)致整個(gè)電子設(shè)備的紊亂以及故障頻發(fā)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本實(shí)用新型針對以上問題提出了一種改換了半導(dǎo)體內(nèi)部基材的結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品，能夠避免電磁干擾的問題，帶來穩(wěn)定的電磁隔離效果，穩(wěn)定整體使用效果。
[0006]本實(shí)用新型所述涉及高功率半導(dǎo)體的內(nèi)包芯片材結(jié)構(gòu)，其特征在于，該內(nèi)包芯片材機(jī)構(gòu)包括襯底層、導(dǎo)電層、絕緣層，其中襯墊層是一體成型無接縫的PE材料層，而絕緣層是高分子含碳纖維材料，夾在中間的導(dǎo)電層是由多層導(dǎo)電材料層疊合而成，每層導(dǎo)電材料層都包含金屬內(nèi)嵌物以及高分子樹脂基材。
[0007]該導(dǎo)電材料層包含恰好包裹住金屬內(nèi)嵌物的高分子樹脂以及高分子樹脂內(nèi)的金屬內(nèi)嵌物，該金屬內(nèi)嵌物為相對而置的兩條梳齒狀金屬支條。
[0008]該金屬內(nèi)嵌物材料為鋁、銅或金材料。
[0009]本實(shí)用新型通過在半導(dǎo)體上使用包覆材料能夠屏蔽電磁輻射問題，而且通過改進(jìn)包覆材料的結(jié)構(gòu)，能夠帶來更加穩(wěn)定的電磁隔離效果，穩(wěn)定電路信號，帶來穩(wěn)定的電路、信號使用效果。
【附圖說明】
[0010]圖1是本實(shí)用新型高功率半導(dǎo)體的內(nèi)包芯片材結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0011]圖2是本實(shí)用新型高功率半導(dǎo)體的內(nèi)包芯片材結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)圖；
[0012]其中:10、襯底層;20、導(dǎo)電層;21、金屬內(nèi)嵌物;22、高分子樹脂;30、絕緣層。
【具體實(shí)施方式】
[0013]下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對本實(shí)用新型高功率半導(dǎo)體的內(nèi)包芯片材結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0014]請參考附圖:一種高功率半導(dǎo)體的內(nèi)包芯片材結(jié)構(gòu)，其特征在于，該內(nèi)包芯片材機(jī)構(gòu)包括襯底層10、導(dǎo)電層20、絕緣層30，其中襯墊層10是一體成型無接縫的PE材料層，而絕緣層30是高分子含碳纖維材料，夾在中間的導(dǎo)電層20是由多層導(dǎo)電材料層疊合而成，每層導(dǎo)電材料層都包含金屬內(nèi)嵌物21以及高分子樹脂22基材。
[0015]該導(dǎo)電材料層包含恰好包裹住金屬內(nèi)嵌物的高分子樹脂22以及高分子樹脂內(nèi)的金屬內(nèi)嵌物21，該金屬內(nèi)嵌物21為相對而置的兩條梳齒狀金屬支條。
[0016]該金屬內(nèi)嵌物材料為鋁、銅或金材料。
[0017]本實(shí)用新型通過在半導(dǎo)體上使用包覆材料能夠屏蔽電磁輻射問題，而且通過改進(jìn)包覆材料的結(jié)構(gòu)，能夠帶來更加穩(wěn)定的電磁隔離效果，穩(wěn)定電路信號，帶來穩(wěn)定的電路、信號使用效果。
[0018]以上所述，僅是本實(shí)用新型較佳實(shí)施例而已，并非對本實(shí)用新型作任何形式上的限制，雖然本實(shí)用新型以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本實(shí)用新型，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許變更或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本實(shí)用新型技術(shù)是指對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種高功率半導(dǎo)體的內(nèi)包芯片材結(jié)構(gòu)，其特征在于，該內(nèi)包芯片材機(jī)構(gòu)包括襯底層、導(dǎo)電層、絕緣層，其中襯墊層是一體成型無接縫的PE材料層，而絕緣層是高分子含碳纖維材料，夾在中間的導(dǎo)電層是由多層導(dǎo)電材料層疊合而成，每層導(dǎo)電材料層都包含金屬內(nèi)嵌物以及高分子樹脂基材。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述高功率半導(dǎo)體的內(nèi)包芯片材結(jié)構(gòu)，其特征在于，該導(dǎo)電材料層包含恰好包裹住金屬內(nèi)嵌物的高分子樹脂以及高分子樹脂內(nèi)的金屬內(nèi)嵌物，該金屬內(nèi)嵌物的形狀為相對而置的兩條梳齒狀金屬支條。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述高功率半導(dǎo)體的內(nèi)包芯片材結(jié)構(gòu)，其特征在于，該金屬內(nèi)嵌物材料為鋁、銅或金材料。
【專利摘要】一種高功率半導(dǎo)體的內(nèi)包芯片材結(jié)構(gòu)，其特征在于，該內(nèi)包芯片材機(jī)構(gòu)包括襯底層、導(dǎo)電層、絕緣層，其中襯墊層是一體成型無接縫的PE材料層，而絕緣層是高分子含碳纖維材料，夾在中間的導(dǎo)電層是由多層導(dǎo)電材料層疊合而成，每層導(dǎo)電材料層都包含金屬內(nèi)嵌物以及高分子樹脂基材。本實(shí)用新型通過在半導(dǎo)體上使用包覆材料能夠屏蔽電磁輻射問題，而且通過改進(jìn)包覆材料的結(jié)構(gòu)，能夠帶來更加穩(wěn)定的電磁隔離效果，穩(wěn)定電路信號，帶來穩(wěn)定的電路、信號使用效果。
【IPC分類】H01L23/552
【公開號】CN205140963
【申請?zhí)枴緾N201520687958
【發(fā)明人】李鋒華
【申請人】深圳市茂鈿科技有限公司
【公開日】2016年4月6日
【申請日】2015年9月2日