一種場發(fā)射顯示器陰極散熱結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及真空電子領域，具體涉及一種場發(fā)射顯示器陰極散熱結(jié)構(gòu)。
【背景技術】
[0002]石墨烯是由單層碳原子堆積成的準二維碳質(zhì)納米材料，由于其獨特的材料特性，石墨稀已經(jīng)成為各國學者的研宄熱點。隨著2010年Kostya Novoselov和Ander Geim因為對石墨烯的研宄而獲得諾貝爾物理學獎，對石墨烯材料特性、制備技術和器件應用的研宄掀起了新的高潮。由于石墨烯具有非常好的電學性能、機械性能和化學特性，已被廣泛應用于各種電子器件的研宄。石墨烯可以具有單原子層厚度，所以它的長徑比非常高(厚度與面積的比值)，進而具有非常優(yōu)秀的場發(fā)射能力。另外，因為石墨烯的邊沿非常豐富，理論上石墨稀的場發(fā)射能力可能超過碳納米管。
[0003]石墨烯的化學成分主要是單一的碳(C)元素，碳元素是非金屬元素，但石墨烯卻有金屬材料的導電、導熱性能，并且還有特殊的熱性能，化學穩(wěn)定性，能涂敷在固體表面的等一些良好的工藝性能，因此，在電子、照明、通信、航空及國防軍工等許多領域都有廣泛的應用前景。石墨散熱片通過在減輕器件重量的情況下提供更優(yōu)異的導熱散熱性能，能有效的解決電子設備的熱設計難題，廣泛的應用場效應晶體管、集成電路、平板顯示器、印刷電路板、發(fā)光二極管等電子產(chǎn)品。
[0004]中國發(fā)明專利CN201310411202公開了碳納米管場發(fā)射陰極結(jié)構(gòu)，此結(jié)構(gòu)解決了陰極散熱問題，此外，發(fā)明專利US201414509209解決了類似問題。但是，沒有解決碳納米管靜電屏蔽問題。碳納米管靜電屏蔽的主要原因是，垂直排列的碳納米管陣列密度高，特別是尖端陣列密度高造成的。解決這一問題的關鍵是降低碳納米管尖端陣列密度。發(fā)明專利US2004095050公開了一種降低碳納米管靜電屏蔽的方法，采用激光燒蝕，使同一平面的碳納米管尖端削成鋸齒形，解決了靜電屏蔽的影響，但激光燒蝕難度大，成品率低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種場發(fā)射顯示器陰極散熱結(jié)構(gòu)，用散熱性能更好的石墨烯層替代常規(guī)的金屬結(jié)構(gòu)。
[0006]一種場發(fā)射顯示器陰極散熱結(jié)構(gòu)，包括碳納米管和襯底，其特征在于:所述石墨烯為階梯層狀排列。
[0007]所述平面襯底上表面粘附階梯狀平面石墨烯層，碳納米管生長在石墨烯上表面。
[0008]襯底一般選用Si或SiC材料，在此材料表面生長石墨烯層，是本領域通用技術。在石墨烯層采用CVD法生長碳納米管也是本領用通用技術。
[0009]本發(fā)明有益效果:采用這一結(jié)構(gòu)使碳納米管尖端陣列成階梯狀分布，降低了平面內(nèi)的陣列密度，從而有效的降低了靜電屏蔽的影響。
[0010]階梯狀石墨烯結(jié)構(gòu)增加了石墨烯的表面積，與平面式石墨烯結(jié)構(gòu)相比，提高了散熱表面積，相應的提高了陰極結(jié)構(gòu)散熱效率。
【附圖說明】
[0011]圖1為本發(fā)明結(jié)構(gòu)圖。
【具體實施方式】
[0012]如圖1所示:將制備好的多層階梯狀石墨烯2粘附在襯底3上，粘結(jié)劑采用導熱性能良好的導熱膠。采用CVD方法在石墨烯2表層生長碳納米管I。碳納米管1、石墨烯2和襯底3組成了場發(fā)射顯示器陰極散熱結(jié)構(gòu)。
【主權(quán)項】
1.一種場發(fā)射顯示器陰極散熱結(jié)構(gòu)，包括碳納米管(I)和襯底(3)，其特征在于:石墨烯(2)為階梯層狀排列。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種場發(fā)射顯示器陰極散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于:平面襯底(3)上表面粘附階梯狀平面石墨烯(2)層，碳納米管(I)生長在石墨烯(2)上表面。
【專利摘要】本實用新型涉及真空電子領域，具體涉及一種場發(fā)射顯示器陰極散熱結(jié)構(gòu)。所述石墨烯為階梯層狀排列，平面襯底上表面粘附階梯狀平面石墨烯層，碳納米管生長在石墨烯上表面。本實用新型有益效果：采用這一結(jié)構(gòu)使碳納米管尖端陣列成階梯狀分布，降低了平面內(nèi)的陣列密度，從而有效的降低了靜電屏蔽的影響。
【IPC分類】H01J29/02
【公開號】CN204706533
【申請?zhí)枴緾N201520291176
【發(fā)明人】喬憲武, 吳昊
【申請人】中國計量學院
【公開日】2015年10月14日
【申請日】2015年4月30日