高速垂直通道三維與非門存儲(chǔ)器裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種存儲(chǔ)器裝置。該存儲(chǔ)器裝置具有導(dǎo)電層的多層堆疊。每個(gè)垂直排列位向的柱狀體包括串聯(lián)連接的存儲(chǔ)單元，存儲(chǔ)單元位于柱狀體與導(dǎo)電層的交叉點(diǎn)。串選擇線(SSLs)于導(dǎo)電層之上通過，柱狀體與串選擇線的每個(gè)交叉點(diǎn)分別定義出柱狀體的一個(gè)選擇柵極(select gate)。位線于串選線之上通過。柱狀體設(shè)置于一規(guī)則網(wǎng)格上，其中規(guī)則網(wǎng)格相對(duì)于位線被旋轉(zhuǎn)。網(wǎng)格可以具有正方形、矩形或菱形的存儲(chǔ)單元，且可以相對(duì)于位線通過tan(θ)＝±X/Y旋轉(zhuǎn)一角度θ，其中X和Y為互質(zhì)的整數(shù)。串選擇線可以被制成足夠?qū)挼囊韵嘟淮鎯?chǔ)單元一側(cè)的兩個(gè)柱狀體或存儲(chǔ)單元的所有柱狀體，或足夠?qū)挼囊韵嘟粌蓚€(gè)或更多非相鄰的存儲(chǔ)單元的柱狀體。
【專利說明】
高速垂直通道三維與非門存儲(chǔ)器裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明是有關(guān)于一種具有高密度的存儲(chǔ)器裝置，且特別是有關(guān)于一種配置多平面 存儲(chǔ)單元以提供一三維（3D)陣列的存儲(chǔ)器裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著集成電路中的裝置的臨界尺寸縮小至一般存儲(chǔ)單元技術(shù)的極限，設(shè)計(jì)者已在 尋求堆疊多平面存儲(chǔ)單元的技術(shù)，以達(dá)到更大的存儲(chǔ)電容并降低每位的成本。舉例來說， Lai 等人發(fā)表于"A Multi-Layer Stackable Thin-Film Transistor (TFT) NAND-Type Flash Memory，" IEEE Int' 1 Electron Devices Meeting，11-13 Dec. 2006、以及 Jung 等人發(fā) 表于"Three Dimensionally Stacked NAND Flash Memory Technology Using Stacking Single Crystal Si Layers on ILD and TAN0S Structure for Beyond 30nm Node，''IEEE InC 1 Electron Devices Meeting，11-13 Dec. 2006的技術(shù)內(nèi)容揭露薄膜晶體管技術(shù)應(yīng) 用于電荷捕捉存儲(chǔ)器技術(shù)。
[0003] 另一結(jié)構(gòu)描述于 Katsumata 等人發(fā)表于 "Pipe-shaped BiCS Flash Memory with 16 Stacked Layers and Multi-Level-Cell Operation for Ultra High Density Storage Devices，"2009 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers，2009 的 技術(shù)內(nèi)容，其中提供電荷捕捉存儲(chǔ)器技術(shù)中垂直與非門（NAND)單元。在Katsumata等人 的發(fā)表中所描述的結(jié)構(gòu)包括一垂直與非門柵極，利用娃 -氧-氮-氧-娃（S0N0S)電荷捕 捉技術(shù)，以于每一柵極/垂直通道介面產(chǎn)生一存儲(chǔ)位置（storage site)。此存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu) 是基于一行（column)半導(dǎo)體材料排列作為與非門柵極的垂直通道，具有一下選擇柵極與 一上選擇柵極，下選擇柵極靠近于基板，上選擇柵極位于頂部。多個(gè)水平字線利用平面字 線層與多行半導(dǎo)體材料相交而形成，并在每一層中形成所謂的柵極環(huán)繞式存儲(chǔ)單元（gate all-around cell)〇
[0004] 圖1繪示一行管狀BiCS快閃單元水平剖面圖，在一字線層級(jí)（level)的水平剖 面圖，存儲(chǔ)單元例如是Katsumata等人所述的存儲(chǔ)單元。其結(jié)構(gòu)包括一具有半導(dǎo)體材料中 心核心（center core) 110的柱狀體15,柱狀體15垂直延伸通過字線層的堆疊。中心核心 110可以具有通過中央的接縫（seam) 111，接縫111由沉積技術(shù)產(chǎn)生。一介電電荷捕捉結(jié)構(gòu) 圍繞中心核心110,介電電荷捕捉結(jié)構(gòu)例如包括一第一氧化硅層112、一氮化硅層113以及 一第二氧化硅層114 (稱為0N0層），或另一種多層介電電荷捕捉結(jié)構(gòu)。一柵極環(huán)繞式字線 115與柱狀體15相交。每一層中的柱狀體15的平截頭體（frustum)與柵極環(huán)繞式字線在 此層中結(jié)合，以形成一存儲(chǔ)單元。
[0005] 圖2繪示一三維半導(dǎo)體元件的透視圖。其包括字線導(dǎo)電層11的多層堆疊，每個(gè)導(dǎo) 電層平行于基板10 ;多個(gè)柱狀體15,排列位向正交于基板，每個(gè)柱狀體包括多個(gè)串聯(lián)連接 的存儲(chǔ)單元，存儲(chǔ)單元位于柱狀體與導(dǎo)電層的交叉點(diǎn)；以及多個(gè)串選擇線12,排列位向平 行于基板并位于導(dǎo)電層11之上，每個(gè)串選擇線相交柱狀體的一個(gè)分別的列。柱狀體與串選 擇線的每個(gè)交叉點(diǎn)分別定義出柱狀體的一個(gè)選擇柵極。其結(jié)構(gòu)亦包含多個(gè)平行的位線導(dǎo)體 20,配置成一層且平行于基板并位于串選擇線之上。每個(gè)位線導(dǎo)體迭置于柱狀體的一個(gè)分 別的行、且每個(gè)柱狀體位于一個(gè)位線導(dǎo)體下方。柱狀體15可以被建構(gòu)成如圖1所繪示的結(jié) 構(gòu)。
[0006] 圖3是根據(jù)圖2所繪示的部分結(jié)構(gòu)的上視圖。由此兩圖可以看到于整個(gè)結(jié)構(gòu) 中，字線導(dǎo)電層11僅相交一些柱狀體；字線導(dǎo)電層11定義出一個(gè)存儲(chǔ)單元區(qū)塊（block of memory cells)。因此，要從特定記憶單元區(qū)塊中讀取數(shù)據(jù)（data)，控制電路要先致能 (activates) -個(gè)字線導(dǎo)電層11，以選擇一特定存儲(chǔ)單元區(qū)塊以及多層堆疊結(jié)構(gòu)中的一特 定階層，并進(jìn)一步致能一串選擇線12選擇一特定列。同時(shí)致能一較低的選擇柵極（未繪 示）。接著一列存儲(chǔ)單元通過位線20被平行（in parallel)讀取至一頁面緩沖器（page buffer)(未繪示）（此處所用的「致能（Activate)」是指施加一特定偏壓以影響（to give effect to)被連接的存儲(chǔ)單元或開關(guān)的效應(yīng)。偏壓可以高或低，視存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)而定。） 依據(jù)產(chǎn)品的規(guī)格和設(shè)計(jì)，頁面緩沖區(qū)可以保存兩列或更多列的數(shù)據(jù)，在這種情況下一個(gè)完 整的頁面讀取操作可以包括后續(xù)兩個(gè)或更多串選擇線12的致能。
[0007] 當(dāng)三維堆疊存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)如預(yù)期地大幅增加存儲(chǔ)密度（memory density)同時(shí)也衍 生了許多工藝上的挑戰(zhàn)，因?yàn)樾枰涛g非常深的孔以穿過許多層。這些深孔的寬度必須加 寬，且每一深孔中心至中心的橫向距離必須增加，以符合工藝規(guī)格（process windows)。當(dāng) 制造過程改善，電容可以增加，不僅通過增加堆疊中字線平面的數(shù)量，也通過減少柱狀體間 的距離。圖4繪示等比例縮小的結(jié)構(gòu)的上視圖，其中區(qū)塊中位線導(dǎo)體20和串選擇線12的 數(shù)量已經(jīng)增加。這不僅降低成本，同時(shí)也可達(dá)到增加數(shù)據(jù)讀/寫速率（read/write data rate)的目的。因?yàn)?，較多數(shù)量的位線導(dǎo)體20代表平行操作（parallel operation)的增 加。但另一方面，串行選擇線12數(shù)量的增加代表更多存儲(chǔ)單元會(huì)遭受到由字線選擇所引起 的Vpass干擾（Vpass disturb)。存儲(chǔ)單元電容（unit cell capacitance)也隨著串選擇 線12的數(shù)量增加而增加，因而導(dǎo)致功率消耗增加且減緩元件操作。
[0008] 通過增加堆疊結(jié)構(gòu)中的字線導(dǎo)電層11的數(shù)量以增加位線密度（bit density)，除 了層數(shù)量增加所衍生可預(yù)期的工藝挑戰(zhàn)之外，還有其缺點(diǎn)。于圖2中可以看到一個(gè)具有階梯 狀結(jié)構(gòu)（stepped contact structure)連接至字線導(dǎo)電層11的典型排列方式。為了形成觸 點(diǎn)（contacts)22,藉以將導(dǎo)電層11連接至上方的金屬互連件（metal interconnects)24， 必須制作穿過此結(jié)構(gòu)的深溝道（deep trench)。這些觸點(diǎn)22也象征性地由圖4的上視圖所 繪示。在典型設(shè)計(jì)中，一區(qū)塊中柱狀體15的列的數(shù)量至少會(huì)和觸點(diǎn)22以及記憶層（字線 導(dǎo)電層11)的數(shù)量一樣多。例如，請(qǐng)參見Komori，Y.，et. al.發(fā)表于"Disturbless flash memory due to high boost efficiency on BiCS structure and optimal memory film stack for ultra high density storage device, " Electron Devices Meeting，2008， IEDM 2008，IEEE International，vol.，no.，pp.l-4，15-17(Dec.2008)at 2 的技術(shù)內(nèi)容，上 述期刊內(nèi)容通過引用的方式并入于本說明書的內(nèi)容中。由于存儲(chǔ)層的增加也促使串選擇線 12的數(shù)目增加，因而也會(huì)導(dǎo)致功率消耗增加并減緩元件操作。
[0009] 因此，有需要?jiǎng)?chuàng)造出一種可靠的解決方案，在增加三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的位線密度同 時(shí)降低其所引發(fā)的負(fù)面沖擊，以得到較佳的芯片合格率、更緊密、效能更強(qiáng)大的電路、元件 或系統(tǒng)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010] 大致上描述，本發(fā)明的技術(shù)提供一種存儲(chǔ)器裝置，具有排列位向平行于一基板的 多個(gè)導(dǎo)電層構(gòu)成的多層堆疊。每個(gè)排列位向正交于基板的柱狀體包括串聯(lián)連接的存儲(chǔ)單 元，存儲(chǔ)單元位于柱狀體與導(dǎo)電層的交叉點(diǎn)。串選擇線配置于導(dǎo)電層之上，柱狀體與串選擇 線的每個(gè)交叉點(diǎn)分別定義出柱狀體的一個(gè)選擇柵極。位線配置于串選擇線之上。柱狀體設(shè) 置于一規(guī)則網(wǎng)格上，其中規(guī)則網(wǎng)格相對(duì)于位線導(dǎo)體被旋轉(zhuǎn)。網(wǎng)格可以具有正方形、矩形或菱 形的存儲(chǔ)單元，且可以相對(duì)于位線通過tan(0) = ±χ/γ旋轉(zhuǎn)一角度Θ，其中X和Y為互質(zhì) 的整數(shù)。串選擇線可以被制成足夠?qū)挼囊韵嘟淮鎯?chǔ)單元一側(cè)的兩個(gè)柱狀體或存儲(chǔ)單元的所 有柱狀體，或足夠?qū)挼囊韵嘟粌蓚€(gè)或更多非相鄰的存儲(chǔ)單元的柱狀體。此旋轉(zhuǎn)容許較高密 度的位線，因此可因?yàn)槠叫胁僮鞯脑黾佣玫捷^高的數(shù)據(jù)速率。同時(shí)也可以使用較少數(shù)量 的串選擇線，通過降低存儲(chǔ)單元電容，來降低讀干擾和功率消耗，進(jìn)而改善數(shù)據(jù)速率。
[0011] 本發(fā)明的上述摘要提供以提供對(duì)本發(fā)明一些方面的基本理解。上述摘要并非用以 標(biāo)示關(guān)鍵或必要元件，也非用以描繪本發(fā)明的輪廓。其目的僅是以簡化的方式展現(xiàn)本發(fā)明 的概念，以作為后述的詳細(xì)實(shí)施方式的序幕。本發(fā)明的特定實(shí)施例將詳述于權(quán)利要求、說明 書以及附圖。
【附圖說明】
[0012] 本發(fā)明將參照所附附圖對(duì)具體實(shí)施例進(jìn)行描述，其中：
[0013] 圖1繪示一行管狀BiCS快閃單元的水平剖面圖。
[0014] 圖2繪示一三維半導(dǎo)體元件的透視圖。
[0015] 圖3是根據(jù)圖2所繪示的部分結(jié)構(gòu)的上視圖。
[0016] 圖4是根據(jù)圖2所繪示的部分結(jié)構(gòu)的上視圖，尺寸等比例縮小以容許更多位線和 串選擇線。
[0017] 圖5是例示位于如圖2和圖4所繪示的傳統(tǒng)三維結(jié)構(gòu)中的柱狀體陣列的上視圖。
[0018] 圖6是根據(jù)本發(fā)明的一方面所繪示的三維結(jié)構(gòu)中的柱狀體陣列的上視圖。
[0019] 圖7繪示圖5的結(jié)構(gòu)，具有相對(duì)于位線導(dǎo)體的數(shù)個(gè)不同的旋轉(zhuǎn)角度。
[0020] 圖8繪示一結(jié)構(gòu)，其中網(wǎng)格已經(jīng)被旋轉(zhuǎn)一特定角度。
[0021] 圖9繪示圖8的結(jié)構(gòu)的另一視圖，顯示位線導(dǎo)體和一 SSL。
[0022] 圖10繪示柱狀體的一規(guī)則網(wǎng)格，其中存儲(chǔ)單元為矩形。
[0023] 圖11繪示被旋轉(zhuǎn)一角度Θ的圖1〇的網(wǎng)格。
[0024] 圖12繪示柱狀體的一規(guī)則網(wǎng)格，其中存儲(chǔ)單元為菱形。
[0025] 圖13繪示被旋轉(zhuǎn)一角度Θ的圖12的網(wǎng)格。
[0026] 【符號(hào)說明】
[0027] 10 :基材
[0028] 11:導(dǎo)電層
[0029] 12、512、612(612-1、612-2)、912、1012 :串選擇線
[0030] 15、515、615、715、915、1015 :柱狀體
[0031] 20、520、620(620-1、620-2)、722、724、726、728、730、732、920、1020、BL :位線導(dǎo)體
[0032] 22 :觸點(diǎn)
[0033] 24 :金屬互連件
[0034] 110:中心核心
[0035] 111 :接縫
[0036] 1112 :第一氧化硅層
[0037] 113:氮化硅層
[0038] 114:第二氧化硅層
[0039] 115:柵極環(huán)繞式字線
[0040] A、B、C、D:柱狀體
[0041] d:柱狀體間的距離
[0042] dl :存儲(chǔ)單元的短邊長長度
[0043] d2 :存儲(chǔ)單元的長邊長長度
[0044] p :位線導(dǎo)體的間距
[0045] X、Y:橫向空間維度
[0046] Ζ :垂直空間維度
[0047] ABCD :存儲(chǔ)單元
[0048] Θ :銳角
【具體實(shí)施方式】
[0049] 以下說明內(nèi)容可提供任何該技術(shù)領(lǐng)域中普通技術(shù)人員具以使用、制作本發(fā)明。該 說明內(nèi)容僅針對(duì)特定運(yùn)用與需求背景提供。技術(shù)領(lǐng)域中普通技術(shù)人員可對(duì)被揭露的實(shí)施例 進(jìn)行修飾，且此處所揭露的一般原則將可適用于其他實(shí)施例與應(yīng)用，而不會(huì)脫離本發(fā)明的 精神范圍。因此，實(shí)施例的提出，僅用以例示本發(fā)明的技術(shù)特征，并非用以限定本發(fā)明的權(quán) 利要求。
[0050] 圖5是例示位于如圖2和圖4所繪示的傳統(tǒng)三維結(jié)構(gòu)中的柱狀體陣列的上視 圖。圖5中的每個(gè)圓點(diǎn)（dot)代表相對(duì)應(yīng)的柱狀體515的橫向位置。本文所使用的「橫向 (lateral)」空間維度是指平行于基板的結(jié)構(gòu)空間維度（例如于圖1、圖2、圖3和圖4中X 軸和Y軸所標(biāo)示的空間維度）。其結(jié)構(gòu)包括圖2所繪示的其他所有元件，但為了清楚地說 明，圖5中大部分的元件已經(jīng)被忽略。特別是，圖5所繪示的結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電層11的多層堆 疊，每一層排列位向平行于基板。多個(gè)串選擇線512 (其中一條標(biāo)示于圖5中）排列位向平 行于基板且位于導(dǎo)電層之上，串選擇線為矩形且具有其長空間維度排列位向在如圖5所繪 示的Y空間維度。本文所用的層其被稱為在其他層「之上（above)」或「之下（below)」，可 以在不同實(shí)施例中通過一或更多中間層（interventing layers)而與其他層分開。相同的 解釋也適用于層被描述位于另一層「迭置（superposing)」、「下方（underlying)」或「覆蓋 (over)」。
[0051] 每個(gè)串選擇線相交柱狀體515中的一分別不同的子集（a respective distinct subset)，且柱狀體與串選擇線的每個(gè)交叉點(diǎn)分別定義出柱狀體515的一個(gè)選擇柵極。于圖 5中在X空間維度延伸的多個(gè)平行位線導(dǎo)體520 (其中一條標(biāo)示于圖5中）配置成一層且平 行于基板并位于串選擇線之上，每個(gè)位線導(dǎo)體迭置于柱狀體515的一個(gè)分別的行。此外，每 個(gè)柱狀體515位于一個(gè)位線導(dǎo)體之下。每個(gè)柱狀體515排列位向正交于基板（垂直地，如 圖2所繪示的Z空間維度），且包括多個(gè)串聯(lián)連接的存儲(chǔ)單元，存儲(chǔ)單元位于柱狀體與導(dǎo)電 層的交叉點(diǎn)。在一實(shí)施例中，一行柱狀體的橫向剖面如圖1所繪示。
[0052] 于圖5的設(shè)置中，可以看到位于柱狀體陣列中的柱狀體515排列成具有X軸和Y 軸兩個(gè)橫向空間維度的規(guī)則網(wǎng)格。X空間維度平行于位線導(dǎo)體且Y空間維度正交于位線導(dǎo) 體。本文所用的「規(guī)則網(wǎng)格（regular grid)」、「規(guī)則陣列（regular array)」是指可以被區(qū) 分成相鄰存儲(chǔ)單元的網(wǎng)格（陣列），其中全體存儲(chǔ)單元可填滿此一網(wǎng)格，且其所有皆具有相 同的形狀和尺寸。于圖5中存儲(chǔ)單元為正方形且繪示一范例正方形ABCD。同時(shí)，在特定實(shí) 施例中，網(wǎng)格本身可以包括多個(gè)柱狀體和網(wǎng)格邊界，此處所使用的術(shù)語「網(wǎng)格」，不需要任何 規(guī)則。
[0053] 本文所用的位于規(guī)則網(wǎng)格的「存儲(chǔ)單元（unit cell)」中被定義為平行四邊形，平 行四邊形的四個(gè)頂點(diǎn)位于網(wǎng)格的四個(gè)柱狀體上。例如，于圖5中的存儲(chǔ)單元的平行四邊形 由柱狀體A、B、C以及D四個(gè)柱狀體所定義。本文所使用的定義方式，存儲(chǔ)單元是從柱狀體 A開始定義，接著選擇網(wǎng)格中最靠近柱狀體A的柱狀體作為柱狀體B，接著選擇網(wǎng)格中與柱 狀體A和柱狀體B非共線且為最靠近柱狀體A的柱狀體作為柱狀體C，并選擇位于平行四 邊形中第四個(gè)頂點(diǎn)的柱狀體作為柱狀體D。除非另有說明，本文所用的柱狀體之間的「距 離（distance)」是指柱狀體間歐幾里德中心至中心的距離（Euclidean center-to-center distance)。此外，本文所用的兩柱狀體之間「于一特定空間維度的距離（the distance in a particular dimension)」，是指在此特定空間維度中兩柱狀體的坐標(biāo)差異并忽略其他空 間維度的坐標(biāo)。例如，于圖5中，柱狀體A和柱狀體B之間的距離為d，d也是柱狀體C和 柱狀體D之間的距離。柱狀體B和柱狀體C之間的「距離（distance)」為d V 2,但柱狀 體B和柱狀體C在Y空間維度之間的「距離（distance)」為d。另外，本文所用的「最靠近 (nearest)」一給定柱狀體的柱狀體，是指具有離該給定柱狀體最短距離的柱狀體。假如有 一個(gè)以上具有離此給定柱狀體相同最短距離的柱狀體，則其任何一個(gè)皆符合離此給定柱狀 體「最靠近（nearest)的」的條件。
[0054] 于圖5所繪示的網(wǎng)格中，存儲(chǔ)單元為正方形。本文所用的術(shù)語「正方形（square)」 是術(shù)語「矩形（rectangle)」的一特殊情況，在此正方形是四個(gè)邊都具有相同長度的矩形。 同樣地，「正方形（square)」也是「菱形（rhombus)」的一特殊情況，在此正方形是四個(gè)角度 皆為直角的菱形。此外，正方形、矩形以及菱形都是術(shù)語「平形四邊形（parallelogram)」的 特殊情況。矩形是四個(gè)角度都為直角的平形四邊形；菱形是四個(gè)邊都具有相同長度的平形 四邊形，以及正方形是四個(gè)角度都為直角且四個(gè)邊都具有相同長度的平形四邊形。因此，圖 5中的正方形ABDC可以同時(shí)被稱為菱形、正方形以及平形四邊形。
[0055] 圖6是根據(jù)本發(fā)明的一方面所繪示的三維結(jié)構(gòu)中的柱狀體陣列的上視圖。如同圖 5,圖5中的每個(gè)圓點(diǎn)（dot)代表相對(duì)應(yīng)的柱狀體615的橫向位置。其結(jié)構(gòu)包括圖2中的所 有其他元件，但為了清楚地說明，圖6中大部分的元件已經(jīng)被忽略。兩個(gè)串選擇線612-1和 612-2 (統(tǒng)稱612)以及兩個(gè)位線導(dǎo)體620-1和620-2 (統(tǒng)稱為620)被繪示。雖然圖6繪示 的部分網(wǎng)格的邊界符合旋轉(zhuǎn)版本的圖5中出現(xiàn)的部分網(wǎng)格的邊界，理應(yīng)理解的是這兩個(gè)網(wǎng) 格可以包括如所繪示的更多的柱狀體。于圖6中，例如，網(wǎng)格通常包括額外的柱狀體繼續(xù)讓 附圖完整，矩形區(qū)域具有對(duì)準(zhǔn)且正交于位線的邊界。
[0056] 如同圖5的結(jié)構(gòu)，圖6中每個(gè)串選擇線612相交柱狀體615的一分別不同的子集， 并通過這些交叉點(diǎn)定義出多個(gè)選擇柵極。同樣地，每個(gè)位線導(dǎo)體620迭置于柱狀體615的 一個(gè)分別的行，且每個(gè)柱狀體615位于位線導(dǎo)體620 -個(gè)之下。于圖6的結(jié)構(gòu)中，然而，柱 狀體的網(wǎng)格相對(duì)于位線導(dǎo)體620順時(shí)針旋轉(zhuǎn)角度Θ =45°。其提供兩個(gè)優(yōu)點(diǎn)，首先，位線 導(dǎo)體620在一較小的間距上，p = dsin(45° )。這容許較高密度的位線而不需要減少網(wǎng) 格中任何相鄰的柱狀體間的距離d。再者，可以減少串選擇線612的數(shù)量，因?yàn)槊總€(gè)串選擇 線612的寬度已經(jīng)被制的足夠?qū)挘ㄆ叫形痪€導(dǎo)體620的空間維度）以相交兩列柱狀體。換 句話說，在存儲(chǔ)單元的相同側(cè)上，每個(gè)串選擇線612的寬度足夠?qū)挼囊韵嘟淮鎯?chǔ)單元的至 少兩個(gè)柱狀體。例如，于圖6中，串選擇線612-1相交存儲(chǔ)單元ABDC的柱狀體A和柱狀體 C (串選擇線612-1也相交柱狀體D)。且盡管相交兩列柱狀體，一個(gè)串選擇線612和一個(gè)位 線導(dǎo)體620的每個(gè)交叉點(diǎn)于網(wǎng)格中仍可單獨(dú)辨別單一個(gè)柱狀體。也就是說，致能一個(gè)字線 導(dǎo)電層11和一條串行選擇線612仍可以在位線620中唯一地選擇出單一個(gè)存儲(chǔ)單元。因 此，圖6的旋轉(zhuǎn)網(wǎng)格實(shí)現(xiàn)較高密度的位線導(dǎo)體620,因此由于平行操作增加和較低的串選擇 線的數(shù)量造成較高的數(shù)據(jù)速率，從而減少讀干擾，降低功率消耗以及通過降低存儲(chǔ)單元電 容進(jìn)一步改善數(shù)據(jù)速率。
[0057] 于圖6結(jié)構(gòu)中的網(wǎng)格相對(duì)于位線導(dǎo)體620旋轉(zhuǎn)一角度Θ = 45°。其他旋轉(zhuǎn)角度 可以使用于不同實(shí)施例中；然而，并非所有角度都運(yùn)行良好。為方便起見，圖7繪示圖5的 結(jié)構(gòu)，具有相對(duì)于位線導(dǎo)體的數(shù)個(gè)不同的旋轉(zhuǎn)角度。圖7繪示旋轉(zhuǎn)的位線導(dǎo)體于一未旋轉(zhuǎn) 的網(wǎng)格上，代替繪示未旋轉(zhuǎn)的位線導(dǎo)體于一旋轉(zhuǎn)的網(wǎng)格上。理應(yīng)理解的是這兩個(gè)表現(xiàn)的類 型描述相同結(jié)構(gòu)，因?yàn)槠浣Y(jié)果為相對(duì)于位線導(dǎo)體的網(wǎng)格的旋轉(zhuǎn)角度。
[0058] 五個(gè)旋轉(zhuǎn)角度繪示于圖7。對(duì)于位線導(dǎo)體722,旋轉(zhuǎn)角度為Θ =45°，其與圖6所 繪示相同。對(duì)于位線導(dǎo)體724,旋轉(zhuǎn)角度為Θ =arctan(2/3)，其大約為33.7°。對(duì)于位線 導(dǎo)體726,旋轉(zhuǎn)角度為Θ =arctan (1/2)，其大約為26.6°。對(duì)于位線導(dǎo)體728,旋轉(zhuǎn)角度為 Θ =arctan(2/5)，其大約為21.8°。對(duì)于位線導(dǎo)體730,旋轉(zhuǎn)角度為Θ =arctan(l/3)， 其大約為18. 4°。可以看到，對(duì)于圖7的正方形單元網(wǎng)格，可行的旋轉(zhuǎn)角度至少為兩個(gè)小整 數(shù)之比的反正切函數(shù)（arctangents)。不符合這些標(biāo)準(zhǔn)的角度可能無法運(yùn)行良好。例如，對(duì) 于位線導(dǎo)體732,旋轉(zhuǎn)角度相對(duì)于網(wǎng)格為Θ = arctan (27/48)，其大約為29. 4°。位線在此 角度可能會(huì)錯(cuò)失工藝規(guī)格，因?yàn)槠渫ㄟ^處太接近于不欲與其相交的柱狀體。
[0059] 實(shí)際上制造時(shí)，網(wǎng)格的旋轉(zhuǎn)角度相對(duì)于位線導(dǎo)體非常接近通過圖7的方法所選擇 的角度是重要的。這是因?yàn)槲痪€導(dǎo)體于典型元件中非常長，一路延伸跨越字線導(dǎo)體。如果 制造的角度偏差設(shè)計(jì)的角度太多，則位線導(dǎo)體可能會(huì)錯(cuò)開相對(duì)應(yīng)支柱的工藝規(guī)格，此支柱 應(yīng)迭置于位線導(dǎo)體的遠(yuǎn)程。本文所用的如果其符合角度在可接受的制造公差內(nèi)，則網(wǎng)格的 旋轉(zhuǎn)角度稱為「實(shí)質(zhì)上（substantially)」符合兩個(gè)小整數(shù)之比的反正切函數(shù)。
[0060] 圖8繪示一結(jié)構(gòu)，其中網(wǎng)格已經(jīng)被旋轉(zhuǎn)一角度Θ = arctan(3/4)，其大約為 36.9°。柱狀體于此網(wǎng)格中正交于位線且在橫向空間維度間的距離可以被幾何計(jì)算且等于 0. 2d。因此位線可以由一間距p = 0. 2d隔開，造成可以被平行讀取的數(shù)據(jù)位數(shù)量增加五倍。 圖9繪示如圖8的相同網(wǎng)格的一部分，顯示密集間隔的位線導(dǎo)體920。此外，單一個(gè)串選擇 線912顯示覆蓋多列柱狀體915。使用單一個(gè)串選擇線912是可能的，因?yàn)橛捎谛D(zhuǎn)角度， 先前已經(jīng)沿著單一個(gè)位線導(dǎo)體排列的多個(gè)柱狀體現(xiàn)在對(duì)應(yīng)至多個(gè)不同的位線導(dǎo)體。其結(jié)果 是，一個(gè)串選擇線912和一個(gè)位線導(dǎo)體920的交叉點(diǎn)仍可單獨(dú)辨別單一個(gè)柱狀體915。使用 圖9的網(wǎng)格，帶寬（bandwidth)增加五倍，且功率消耗和應(yīng)力每個(gè)降低五倍。此外，每個(gè)區(qū) 域需要隔開的串選擇線的數(shù)量大幅減少也表示需要的譯碼器（decoders)少得多，因而降 低成本。
[0061] 圖9亦繪示規(guī)則網(wǎng)格中的數(shù)個(gè)存儲(chǔ)單元?？梢钥吹饺鐖D6的網(wǎng)格，串選擇線912 具有足夠大的一短空間維度（平行于位線導(dǎo)體920)以相交一個(gè)存儲(chǔ)單元932 -側(cè)的兩個(gè) 柱狀體A和B。事實(shí)上，串選擇線912的短空間維度足夠大的以相交存儲(chǔ)單元932的所有四 個(gè)柱狀體。更進(jìn)一步地，串選擇線912的短空間維度足夠大的以相交不同且非相鄰的存儲(chǔ) 單元932的柱狀體，例如于存儲(chǔ)單元932的一柱狀體和存儲(chǔ)單元934的一柱狀體。
[0062] 于圖6、圖7、圖8以及圖9的實(shí)施例中，柱狀體的規(guī)則網(wǎng)格所有皆具有正方形形狀 的存儲(chǔ)單元。也就是說，所有存儲(chǔ)單元為平行四邊形，其中平行四邊形的一個(gè)角是直角，且 所有四個(gè)邊皆具有相同長度d。具有其他矩形形狀（非正方形）的網(wǎng)格也可以利用本發(fā)明 的優(yōu)點(diǎn)。圖10繪示柱狀體1015的一規(guī)則網(wǎng)格，其中存儲(chǔ)單元為短邊和長邊分別具有長度 為dl和d2的矩形。單一個(gè)位線導(dǎo)體1020和單一個(gè)串選擇線1012繪示于圖中。圖11繪 示柱狀體被旋轉(zhuǎn)一角度Θ的相同的網(wǎng)格，造成位線導(dǎo)體的間距p比dl和d2狹窄，且一較 寬的串選擇線（未繪示）比串選擇線1012相交更多柱狀體。
[0063] 同樣地，圖12柱狀體1215的一規(guī)則網(wǎng)格，其中存儲(chǔ)單元為菱形1210。菱形是一個(gè) 平形四邊形，其中四個(gè)邊都具有相同長度但沒有一對(duì)相鄰的邊形成直角。其也可以被稱為 非正方形的菱形。圖12繪示具有「正常（normal)」排列位向的網(wǎng)格，其中一線繪制跨越相 對(duì)柱狀體間的存儲(chǔ)單元不是平行就是正交于位線導(dǎo)體。于圖中位線導(dǎo)體具有一間距P。圖 13繪示柱狀體被旋轉(zhuǎn)一角度Θ的相同的網(wǎng)格，造成更狹窄的位線導(dǎo)體間距p，且一較寬的 串選擇線1312比串選擇線1012相交更多柱狀體。存儲(chǔ)單元1310繪示于圖13具有頂點(diǎn)標(biāo) 記ABDC，如上述所定義?？梢钥吹?，由于顯示的旋轉(zhuǎn)角度，所有Μ以及涵皆 不平行也不正交于位線導(dǎo)體。另外，特別感興趣的是具有菱形形狀存儲(chǔ)單元的網(wǎng)格，其中一 對(duì)相鄰的邊形成一角度60°，如圖12和圖13所繪示。此存儲(chǔ)單元在存儲(chǔ)單元的一側(cè)上的 每對(duì)柱狀體間具有相同的距離d，且在存儲(chǔ)單元的一對(duì)相對(duì)的柱狀體間具有相同的距離d。 例如，于存儲(chǔ)單元1310中，所有?:、. 「73、?以及瓦 7皆具有相同長度d。此存儲(chǔ) 單元的面積為（V 3/2) Xd2,對(duì)于一特定距離d可以被顯示為最小值。
[0064] 在一般情況下，本發(fā)明的實(shí)施例包括柱狀體的網(wǎng)格相對(duì)于位線導(dǎo)體旋轉(zhuǎn)一角度 Θ，以使得網(wǎng)格的橫向空間維度既不平行也不正交于位線導(dǎo)體。優(yōu)選地，于網(wǎng)格的存儲(chǔ)單元 ABDC中，如上述所定義，所有瓦7以及I石皆不平行也不正交于位線導(dǎo)體。
[0065] 如上所述，規(guī)則網(wǎng)格的旋轉(zhuǎn)窄化了位線導(dǎo)體的間距，也寬化了串選擇線。然而，理 想的是應(yīng)避免旋轉(zhuǎn)角度造成間距變窄的程度超過原來的1/10。這是因?yàn)闈M足最小化柱狀體 至柱狀體距離的設(shè)計(jì)準(zhǔn)則，可能不能滿足規(guī)定位線之間距需具有最小距離的設(shè)計(jì)準(zhǔn)則。此 外，位線之間距若變窄超過原來的1/10,可能無法達(dá)到所需的工藝規(guī)格，以使預(yù)期需要迭置 于柱狀體上的位線對(duì)準(zhǔn)柱狀體，或者是使預(yù)期需要錯(cuò)開柱狀體的位線錯(cuò)開柱狀體。對(duì)于如 圖7中具有正方形存儲(chǔ)單元的網(wǎng)格（存儲(chǔ)單元的所有邊皆具有相同長度且存儲(chǔ)單元一對(duì)相 鄰的邊形成一直角），其表示旋轉(zhuǎn)角度Θ相對(duì)于位線導(dǎo)體應(yīng)該是tan(0) = ±χ/γ，其中X 和Υ為互質(zhì)的整數(shù)。換句話說，對(duì)于如上述所定義的存儲(chǔ)單元ABDC，不論21或：|己任一個(gè)皆 與位線導(dǎo)體有一角度Θ，其中tan( Θ ) = Χ/Υ，且X和Υ為個(gè)位數(shù)互質(zhì)數(shù)的整數(shù)。
[0066] 表1列出所有個(gè)位數(shù)互質(zhì)數(shù)的整數(shù)對(duì)（X，Y)，其對(duì)應(yīng)的旋轉(zhuǎn)角度和其所得的位線 導(dǎo)體間距：
[0067] 表 1
[0068]
[0069]

[0070] 因此優(yōu)選地，對(duì)于具有正方形存儲(chǔ)單元的網(wǎng)格，其旋轉(zhuǎn)角度Θ相對(duì)于位線導(dǎo)體應(yīng) 該是tan( Θ ) = ±X/Y，其中（X，Y)對(duì)包括于表1。
[0071] 本文所用的一給定值（given value)是「響應(yīng)（responsive)」一個(gè)先前值 (predecessor value)，如果此先前值影響給定值。如果有中間工藝元件（intervening processing element)、步驟或時(shí)段，給定值仍可以「響應(yīng)」先前值。如果中間工藝元件或步 驟與一個(gè)以上的值結(jié)合，則中間工藝元件或步驟的輸出信號(hào)被認(rèn)為是「響應(yīng)」每個(gè)輸入值。 如果給定值等于先前值，這僅是一個(gè)退化的情況（degenerate case)，其中給定值仍然被認(rèn) 為「響應(yīng)」先前值。給定值對(duì)另一值的「依賴程度（dependency)」也可作類似的定義。
[0072] 本文所用的某一信息項(xiàng)目（an item of information)的「辨別 (identification)」并不一定需要此信息項(xiàng)目的直接說明（direct specification)。信息 可以通過間接的一或多層（one or more layers of indirection)簡單地參照一實(shí)體信息 (actual information)進(jìn)而在某一個(gè)領(lǐng)域中被「辨別」，或者通過辨別一或多個(gè)不同的信息 項(xiàng)目而被辨別。其中這些不同的信息項(xiàng)目整體加總起來足以確定實(shí)體的信息項(xiàng)目。此外， 本文所用的術(shù)語「指出（indicate)」意思是等于「辨別（identify)」。
[0073] 本文揭露了獨(dú)立的技術(shù)特征或二個(gè)或多個(gè)該些獨(dú)立技術(shù)特征的組合。在某個(gè)程度 上，該技術(shù)領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以基于本說明書的整體說明，按照一般知識(shí)來實(shí)施該些獨(dú) 立的技術(shù)特征與技術(shù)特征的組合。無論該些獨(dú)立的技術(shù)特征與技術(shù)特征的組合是否解決了 本文所述的問題，且不會(huì)限制本發(fā)明的權(quán)利要求。本案所揭露的實(shí)施例可以包含該些獨(dú)立 的技術(shù)特征與技術(shù)特征的組合。基于前述理由，本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中普通技術(shù)人員，在不 脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更改與修飾。
[0074] 本發(fā)明前述的優(yōu)選實(shí)施例已經(jīng)被提供用于解釋和描述的目的。其并非意指窮盡的 或限定本發(fā)明公開至精確的形式。明顯地，對(duì)于本領(lǐng)域從業(yè)人員是顯而易見的，當(dāng)可作許多 修飾與更改。例如，盡管在本文的實(shí)施例中是使用垂直通道的電荷存儲(chǔ)的存儲(chǔ)單元來進(jìn)行 描述，柱狀體與其他型態(tài)的存儲(chǔ)單元仍可以利用本發(fā)明的各方面技術(shù)特征，而不必實(shí)現(xiàn)本 文所述的所有優(yōu)點(diǎn)。特別是，但不限于，各種變化類型、建議或本文有關(guān)技術(shù)背景的段落中 任何和所有通過引用并入方式被納入本說明書的內(nèi)容，都被納入本發(fā)明說明書的實(shí)施例之 中。另外，各種變化類形、建議或本文有關(guān)技術(shù)背景的段落中任何和所有通過引用并入方式 被納入本說明書的內(nèi)容，也都被認(rèn)為已被本案的其他實(shí)施例所教示。本文所描述的實(shí)施例 僅是被選擇來對(duì)本發(fā)明的原理和其實(shí)際應(yīng)用作最好的解釋，進(jìn)而使本領(lǐng)域中普通技術(shù)人員 能夠理解本發(fā)明的各種實(shí)施例和各種適合于達(dá)到預(yù)期特定用途的修改與修飾。因此，本發(fā) 明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種存儲(chǔ)器裝置，其特征在于，位于一基板上，包括： 一多層堆疊，具有多個(gè)導(dǎo)電層，各該導(dǎo)電層排列位向（oriented)平行于該基板； 多個(gè)柱狀體，排列位向正交于該基板，各該柱狀體包括多個(gè)串聯(lián)連接的存儲(chǔ)單元 (memory cell),該些存儲(chǔ)單元位于該些柱狀體與該些導(dǎo)電層的多個(gè)交叉點(diǎn)； 多個(gè)串選擇線，排列位向平行于該基板且位于該些導(dǎo)電層之上，各該串選擇線相交于 該些柱狀體的一分別不同的子集（subset),該些柱狀體與該些串選擇線具有多個(gè)交叉點(diǎn)， 各該柱狀體與各該串選擇線的各該交叉點(diǎn)分別定義出各該柱狀體的一個(gè)選擇柵極；W及 多個(gè)彼此平行的位線導(dǎo)體，配置成一層且平行于該基板并位于該些串選擇線之上，各 該位線導(dǎo)體迭置于該些柱狀體的另一分別不同的子集，各該柱狀體位于該些位線導(dǎo)體之一 之下； 其中該些柱狀體配置于一規(guī)則網(wǎng)格（regular grid)上，該規(guī)則網(wǎng)格具有互相垂直的兩 個(gè)橫向的空間維度，且該兩個(gè)空間維度不平行于也不正交于該些位線導(dǎo)體。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中各該存儲(chǔ)單元包括一垂直通道結(jié)構(gòu)、一電 荷存儲(chǔ)層W及一絕緣層。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中在該規(guī)則網(wǎng)格中，該些柱狀體中的每一對(duì) 該柱狀體在平行該些位線導(dǎo)體的一空間維度上并未彼此對(duì)準(zhǔn)，且在正交于該些位線導(dǎo)體的 一橫向空間維度上彼此分離并具有至少大于d/10的距離，其中d為該些柱狀體間的最小歐 基里德距離巧Uclidean distance)。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中該規(guī)則網(wǎng)格具有一存儲(chǔ)單元（unit cell), 該存儲(chǔ)單元由位于一平行四邊形的四個(gè)頂點(diǎn)的該些柱狀體的四個(gè)柱狀體A、柱狀體B、柱狀 體C W及柱狀體D構(gòu)成， 該柱狀體B于該規(guī)則網(wǎng)格中為最靠近該柱狀體A的一個(gè)，且 該柱狀體C于該規(guī)則網(wǎng)格中與該柱狀體A和該柱狀體B非共線（non-collinear)且為 最靠近該柱狀體A的另一個(gè)，其中 該規(guī)則網(wǎng)格相對(duì)于該些位線導(dǎo)體旋轉(zhuǎn)，W使得所有、：^、原"W及孟5既不平 行于也不正交于該些位線導(dǎo)體，其中杰K 石、態(tài)5化及良為該存儲(chǔ)單元的四個(gè)邊，Ii 連接該柱狀體A和該柱狀體B、連接該柱狀體A和該柱狀體C、玄尸連接該柱狀體B和該 柱狀體C、W及帝5連接該柱狀體A和該柱狀體D。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中該規(guī)則網(wǎng)格為多個(gè)正方形構(gòu)成的一網(wǎng)格。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)器裝置，其中該規(guī)則網(wǎng)格相對(duì)于該些位線導(dǎo)體通過 tan(0) = ±X/Y旋轉(zhuǎn)一角度0，其中X和Y為互質(zhì)的整數(shù)。7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)器裝置，其中狂，Y)選自由（1，2)、（1，3)、（1，5)、（1，6)、 (1，7)、（1，8)、（1，9)、（2,3)、（2,5)、（2,7)、（2,9)、（3,4)、（3,5)、（3,7)、（3,8)、（4,5)、（4， 7)、（4,9)、巧，6)、巧，7)、巧，8)化及（6, 7)所組成的群組。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中該規(guī)則網(wǎng)格具有一存儲(chǔ)單元，該存儲(chǔ)單元 由位于一平行四邊形的四個(gè)頂點(diǎn)的該些柱狀體的四個(gè)柱狀體A、柱狀體B、柱狀體C W及柱 狀體D構(gòu)成， 該柱狀體B于該規(guī)則網(wǎng)格中為最靠近柱狀體A的一個(gè)，且 該柱狀體C于該規(guī)則網(wǎng)格中與該柱狀體A和該柱狀體B非共線且為最靠近該柱狀體A 的另一個(gè)，且其中該存儲(chǔ)單元的所有四個(gè)邊皆具有相同的長度。9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)器裝置，其中： 3亥和1療為該存儲(chǔ)單元的該四個(gè)邊的兩個(gè)，ii連接該柱狀體A和該柱狀體B、連 接該柱狀體A和該柱狀體C，H或與該些位線導(dǎo)體有一角度0，且其中 tan ( 0 )= X/Y，其中X和Y為個(gè)位數(shù)互質(zhì)的整數(shù)。10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中該規(guī)則網(wǎng)格具有一存儲(chǔ)單元，該存儲(chǔ)單元 由位于一平行四邊形的四個(gè)頂點(diǎn)的該些柱狀體的四個(gè)柱狀體A、柱狀體B、柱狀體C W及柱 狀體D構(gòu)成， 該柱狀體B于該規(guī)則網(wǎng)格中為最靠近該柱狀體A的一個(gè)，且 該柱狀體C于該規(guī)則網(wǎng)格中與該柱狀體A和該柱狀體B非共線且為最靠近該柱狀體A 的另一個(gè)，其中 該些串選擇線包括多個(gè)矩形，該些矩形具有一長空間維度排列位向正交于該些位線導(dǎo) 體，其中 該些串選擇線與該些位線導(dǎo)體具有多個(gè)交叉點(diǎn)，各該串選擇線與各該位線導(dǎo)體的各該 交叉點(diǎn)單獨(dú)辨別該些柱狀體的單一個(gè)，且其中 該些串選擇線的特定一個(gè)具有一短空間維度并相交于該些存儲(chǔ)單元的特定一個(gè)中的 至少該柱狀體A和該柱狀體B。11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲(chǔ)器裝置，其中該些串選擇線的該特定一個(gè)相交于該些 存儲(chǔ)單元的該特定一個(gè)中的所有四個(gè)該些柱狀體。12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲(chǔ)器裝置，其中該些串選擇線的該特定一個(gè)相交于該些 存儲(chǔ)單元的該特定一個(gè)中的至少該些柱狀體的不同且非相鄰的二個(gè)。13. -種于一基板上的存儲(chǔ)器裝置，其特征在于，包括： 一多層堆疊，具有多個(gè)導(dǎo)電層，各該導(dǎo)電層排列位向平行于該基板； 多個(gè)柱狀體，排列位向正交于該基板，各該柱狀體包括多個(gè)串聯(lián)連接的存儲(chǔ)單元，該些 存儲(chǔ)單元位于該些柱狀體與該些導(dǎo)電層的多個(gè)交叉點(diǎn)； 多個(gè)串選擇線，排列位向平行于該基板且位于該些導(dǎo)電層之上，各該串選擇線相交于 該些柱狀體的一分別不同的子集，該些柱狀體與該些串選擇線具有多個(gè)交叉點(diǎn)，各該柱狀 體與各該串選擇線的各該交叉點(diǎn)分別定義出各該柱狀體的一個(gè)選擇柵極；W及 多個(gè)彼此平行的位線導(dǎo)體，配置成一層且平行于該基板并位于該些串選擇線之上，各 該位線導(dǎo)體迭置于該些柱狀體的另一分別不同的子集，各該柱狀體位于該些位線導(dǎo)體之一 之下，且該些串選擇線與該些位線導(dǎo)體具有多個(gè)交叉點(diǎn)，各該串選擇線與各該位線導(dǎo)體的 各該交叉點(diǎn)單獨(dú)辨別該些柱狀體的單一個(gè)， 其中該些柱狀體配置于一規(guī)則網(wǎng)格上，該規(guī)則網(wǎng)格具有兩個(gè)橫向的空間維度和一存儲(chǔ) 單元，該存儲(chǔ)單元由位于一平行四邊形的四個(gè)頂點(diǎn)的該些柱狀體的四個(gè)柱狀體A、柱狀體 B、柱狀體C W及柱狀體D構(gòu)成， 該柱狀體B于該規(guī)則網(wǎng)格中為最靠近柱狀體A的一個(gè)，柱狀體C于該規(guī)則網(wǎng)格中與該 柱狀體A和該柱狀體B非共線且為最靠近該柱狀體A的另一個(gè)，且其中 該些串選擇線的特定一個(gè)具有一短空間維度并相交于該些存儲(chǔ)單元的特定一個(gè)中的 至少該柱狀體A和該柱狀體B。14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的存儲(chǔ)器裝置，其中各該存儲(chǔ)單元包括一垂直通道結(jié)構(gòu)、一 電荷存儲(chǔ)層W及一絕緣層。15. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的存儲(chǔ)器裝置，其中該規(guī)則網(wǎng)格的該些空間維度不平行于也 不正交于該些位線導(dǎo)體。16. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的存儲(chǔ)器裝置，其中在該規(guī)則網(wǎng)格中，該些柱狀體中的每一 對(duì)該柱狀體在平行該些位線導(dǎo)體的一空間維度上并未彼此對(duì)準(zhǔn)，且在正交于該些位線導(dǎo)體 的一橫向空間維度上彼此分離并具有至少大于d/10的距離，其中d為該些柱狀體間的最小 歐基里得距離。17. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的存儲(chǔ)器裝置，其中該規(guī)則網(wǎng)格的該兩個(gè)空間維度互相垂 直。18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲(chǔ)器裝置，其中該規(guī)則網(wǎng)格為多個(gè)正方形構(gòu)成的一網(wǎng) 格，且其中 該規(guī)則網(wǎng)格相對(duì)于該些位線導(dǎo)體通過tan(0) = ±X/Y旋轉(zhuǎn)一角度0，其中X和Y為 互質(zhì)的整數(shù)。19. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的存儲(chǔ)器裝置，其中該存儲(chǔ)單元的所有四個(gè)邊皆具有相同的 長度。20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的存儲(chǔ)器裝置，其中該存儲(chǔ)單元的任一對(duì)相鄰的邊形成非直 角。21. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的存儲(chǔ)器裝置，其中該存儲(chǔ)單元的一對(duì)相鄰的邊形成一角度 60。。22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的存儲(chǔ)器裝置，其中該規(guī)則網(wǎng)格相對(duì)于該些位線導(dǎo)體旋 轉(zhuǎn)，W使得所有瓦W及既不平行于也不正交于該些位線導(dǎo)體，其中 完I、范K瓦^ W及盈！為該存儲(chǔ)單元的該四個(gè)邊，；惡連接該柱狀體A和該柱狀體B、 五連接該柱狀體A和該柱狀體C、妄穿連接該柱狀體B和該柱狀體C、W及連接該柱狀 體A和該柱狀體D。23. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的存儲(chǔ)器裝置，其中： 該存儲(chǔ)單元的一對(duì)相鄰的邊形成直角，且 才^或與該些位線導(dǎo)體有一角度0，和:if為該存儲(chǔ)單元的該四個(gè)邊的兩個(gè)， 3玄連接該柱狀體A和該柱狀體B、:；!己連接該柱狀體A和該柱狀體C，其中其中X和Y為互質(zhì)的整數(shù)。24. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的存儲(chǔ)器裝置，其中該些串選擇線的該特定一個(gè)相交于該些 存儲(chǔ)單元的該特定一個(gè)中的所有四個(gè)該些柱狀體。25. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的存儲(chǔ)器裝置，其中該些串選擇線的該特定一個(gè)相交于該些 存儲(chǔ)單元的該特定一個(gè)中的至少該些柱狀體的不同且非相鄰的二個(gè)。
【文檔編號(hào)】G11C16/06GK105990361SQ201510063076
【公開日】2016年10月5日
【申請(qǐng)日】2015年2月6日
【發(fā)明人】陳士弘
【申請(qǐng)人】旺宏電子股份有限公司