一種斷路器殼體以及帶有該殼體的斷路器的制造方法
【專利摘要】一種斷路器殼體以及帶有該殼體的斷路器，在接入端子容置區(qū)和滅弧室容置區(qū)之間設(shè)置至少兩個(gè)通氣通道，電弧經(jīng)過(guò)滅弧室后有電弧入口進(jìn)去多個(gè)通氣通道，降低重新燃弧的可能性以及降低電弧維持時(shí)間，從而可以從根本上防止斷路器發(fā)生背后擊穿現(xiàn)象，提高斷路器的分?jǐn)嗄芰褪褂玫陌踩浴?br>【專利說(shuō)明】
一種斷路器殼體以及帶有該殼體的斷路器
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及斷路器，更具體地說(shuō)，涉及一種斷路器殼體以及帶有該殼體的斷路器。
【背景技術(shù)】
[0002]低壓斷路器是低壓配電系統(tǒng)中應(yīng)用最為普遍的電器產(chǎn)品之一。為了獲得較高的電弧電壓，斷路器滅弧室的柵片排列緊密。這樣，電弧在進(jìn)入滅弧室時(shí)所受的阻力較大，在柵片入口處停滯的時(shí)間也較長(zhǎng)。近年來(lái)對(duì)低壓斷路器的研究表明，電弧在柵片入口處多次出現(xiàn)在柵片內(nèi)與柵片外，導(dǎo)致電弧電壓的反復(fù)跌落，這就是背后擊穿現(xiàn)象。它降低斷路器的開(kāi)斷性能，使燃弧時(shí)間增長(zhǎng)。
[0003]斷路器短路后，動(dòng)、靜觸頭之間產(chǎn)生的電弧由引弧件引導(dǎo)進(jìn)入滅弧室，如果滅弧室的滅弧性能不好，就會(huì)發(fā)生上述背部擊穿現(xiàn)象，造成重新燃弧，斷路器損壞。
[0004]目前，最普遍的做法就是增大滅弧柵片的厚度或/和增加整個(gè)滅弧室，雖然一定程度上能夠減少背部擊穿現(xiàn)象的發(fā)生，但同時(shí)會(huì)造成成本增加和體積增大的問(wèn)題。
[0005]另外，申請(qǐng)?zhí)枮?01210580406.2的中國(guó)發(fā)明專利公開(kāi)了一種可防止電弧反向噴出且?guī)芑〉赖臄嗦菲?，包括有底座、蓋、手柄、U型連桿、動(dòng)觸頭裝置、靜觸頭、電磁裝置和滅弧室，其中手柄轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)置在底座或蓋的圓柱上，動(dòng)觸頭裝置旋轉(zhuǎn)設(shè)置在底座或蓋的安裝柱上，電磁裝置和滅弧室都固定設(shè)置在底座上，手柄與動(dòng)觸頭裝置之間通過(guò)U型連桿實(shí)現(xiàn)聯(lián)動(dòng)配合，所述底座或\和蓋上設(shè)置有圓弧形隔離筋，圓弧形隔離筋圍著手柄在底座與蓋構(gòu)成的空間內(nèi)的一端運(yùn)行軌跡設(shè)置，所述圓弧形隔離筋上設(shè)置有一段供U型連桿活動(dòng)的缺口。
[0006]該技術(shù)方案所謂的阻止產(chǎn)品在分?jǐn)噙^(guò)程中電弧反向噴出，只是通過(guò)圓弧形隔離筋起到了抵擋電弧的作用，但不能從根本上防止背部擊穿現(xiàn)象的發(fā)生，所以斷路器仍舊存在安全隱患。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的第一目的在于提供一種斷路器殼體，可以有效防止斷路器發(fā)生背后擊穿現(xiàn)象，提高斷路器使用的安全性、分?jǐn)嗄芰σ约敖档腿蓟r(shí)間。
[0008]本發(fā)明的上述目的是通過(guò)以下技術(shù)方案得以實(shí)現(xiàn)的:
一種斷路器殼體，包括外殼本體，外殼本體內(nèi)形成有操作機(jī)構(gòu)容置區(qū)、接線組件容置區(qū)、滅弧室容置區(qū)、引弧件容置區(qū)，接線組件容置區(qū)包括分別位于滅弧室容置區(qū)兩側(cè)的接入端子容置區(qū)以及接出端子容置區(qū)，所述外殼本體與接入端子容置區(qū)與滅弧室容置區(qū)之間設(shè)有圍墻構(gòu)件，圍墻構(gòu)件圍設(shè)形成有至少兩個(gè)通氣通道，圍墻構(gòu)件設(shè)置有連通通氣通道與滅弧室容置區(qū)的電弧入口。
[0009]通過(guò)采用上述技術(shù)方案，在接入端子容置區(qū)和滅弧室容置區(qū)之間設(shè)置至少兩個(gè)通氣通道，電弧經(jīng)過(guò)滅弧室后有電弧入口進(jìn)去多個(gè)通氣通道，降低重新燃弧的可能性以及降低電弧維持時(shí)間，從而可以從根本上防止斷路器發(fā)生背后擊穿現(xiàn)象，提高斷路器的分?jǐn)嗄芰褪褂玫陌踩浴?br>[0010]優(yōu)選的，所述圍墻構(gòu)件朝向滅弧室容置區(qū)形成有若干防擊穿凸起，每?jī)蓚€(gè)相鄰防擊穿凸起之間均形成有滅弧柵片定位間隙。
[0011]通過(guò)采用上述技術(shù)方案，使得防擊穿凸起不單單起到簡(jiǎn)單的降低背后擊穿現(xiàn)象發(fā)生的可能性，同時(shí)還能起到對(duì)滅弧柵片進(jìn)行定位的作用，防止滅弧柵片竄位。
[0012]優(yōu)選的，所述外殼本體固定連接有相互配合構(gòu)成完整殼體且形狀、大小均相同的第一殼體和第二殼體，第一殼體的防擊穿凸起為主防擊穿凸起，第二殼體的防擊穿凸起為次防擊穿凸起，第一殼體和第二殼體固定后，主防擊穿凸起與次防擊穿凸起交錯(cuò)設(shè)置且二者之間形成實(shí)際滅弧柵片定位間隙。
[0013]通過(guò)采用上述技術(shù)方案，通常斷路器的外殼蓋體是由形狀、大小相同的兩個(gè)半殼體構(gòu)成的，主防擊穿凸起與次防擊穿凸起交錯(cuò)設(shè)置能夠形成最少的防擊穿凸起起到最大化的防擊穿效果，同時(shí)還能夠?qū)γ恳黄瑴缁牌M(jìn)行穩(wěn)固可靠的固定。
[0014]所述外殼本體還形成有若干滅弧柵片定位凸起。
[0015]通過(guò)采用上述技術(shù)方案，主防擊穿凸塊和滅弧柵片定位凸起分別對(duì)滅弧柵片不同的兩側(cè)進(jìn)行定位，多方向防止滅弧柵片竄位。
[0016]優(yōu)選的，所述主防擊穿凸起、次防擊穿凸起、滅弧柵片定位凸起的厚度與實(shí)際滅弧柵片定位間隙的高度相同。
[0017]通過(guò)采用上述技術(shù)方案，因?yàn)閷?duì)兩個(gè)滅弧柵片的間隙是有一定的規(guī)定，間隙太小起不到良好的滅弧效果，間隙太大則導(dǎo)致整個(gè)斷路器體積增大、成本增加，所以最好是設(shè)置符合國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的間隙范圍，然后設(shè)置等同厚度的各個(gè)防擊穿凸起，能夠在保證滅弧效果的前提下，也不會(huì)對(duì)整個(gè)斷路器的體積和成本有所影響。
[0018]本發(fā)明的第二目的在于提供一種斷路器，可以有效防止發(fā)生背后擊穿現(xiàn)象，提高使用的安全性。
[0019]本發(fā)明的上述目的是通過(guò)以下技術(shù)方案得以實(shí)現(xiàn)的:
一種斷路器，帶有本發(fā)明技術(shù)特征記載的斷路器殼體，外殼本體內(nèi)設(shè)置有操作機(jī)構(gòu)、觸頭組、滅弧室、引弧件以及隔板，觸頭組包括接入端子和接出端子，圍墻構(gòu)件圍設(shè)而成的至少兩個(gè)通氣通道，通氣通道。
[0020]通過(guò)采用上述技術(shù)方案，把本發(fā)明技術(shù)方案記載的斷路器殼體應(yīng)用到斷路器上，隔板起到了把電弧分格的作用，由傳統(tǒng)的殘余電弧從滅弧室出來(lái)后進(jìn)入一個(gè)區(qū)間的形式，更改為對(duì)殘余電弧進(jìn)行分流，避免殘余電弧重新燃弧，防止背部擊穿現(xiàn)象發(fā)生，提高使用的安全性。
[0021]優(yōu)選的，所述滅弧室包括若干滅弧柵片，滅弧柵片架設(shè)在防擊穿凸起上，且每?jī)蓚€(gè)相鄰滅弧柵片之間的間隙構(gòu)成電弧運(yùn)動(dòng)軌道。
[0022]通過(guò)采用上述技術(shù)方案，進(jìn)一步把電弧運(yùn)動(dòng)軌道分隔成了多個(gè)小的電弧運(yùn)動(dòng)軌道，把電弧分割成更短的短弧，加速滅弧時(shí)間，防止電弧重燃。
[0023]優(yōu)選的，所述外殼本體內(nèi)還設(shè)有隔板，其與若干滅弧柵片依次疊加排列的方向相平行。
[0024]通過(guò)采用上述技術(shù)方案，進(jìn)一步把電弧分割成短弧，加速滅弧時(shí)間，防止電弧重燃。
[0025]優(yōu)選的，所述引弧件包括依次一體連接的初始引弧段、過(guò)渡引弧段和電弧到達(dá)段，所述過(guò)渡弓I弧段一面朝向滅弧室，另一面抵觸連接有第一導(dǎo)磁片。
[0026]通過(guò)采用上述技術(shù)方案，有足夠的時(shí)間和距離使得第一導(dǎo)磁片對(duì)電弧進(jìn)行降低電磁場(chǎng)干擾的作用，有助于更好滅弧。
[0027]優(yōu)選的，所述接線組件還包括位于觸頭組一側(cè)的接出端子，接出端子與觸頭組之間設(shè)有雙金屬片，靠近觸頭組一側(cè)的金屬片的膨脹系數(shù)大于靠近接出端子一側(cè)的金屬片的膨脹系數(shù)。
[0028]通過(guò)采用上述技術(shù)方案，由于熱膨脹系數(shù)不同，當(dāng)溫度變化時(shí)，靠近觸頭組的金屬片的形變要大于靠近接出端子的金屬片的形變，從而雙金屬片的整體就會(huì)向靠近接出端子的金屬片一側(cè)彎曲，則這種復(fù)合材料的曲率發(fā)生變化從而產(chǎn)生形變。
[0029]綜上所述，本發(fā)明具有以下有益效果:
1.電弧通過(guò)引弧件的過(guò)渡引弧段的時(shí)候，就已經(jīng)有第一導(dǎo)磁片起到了降低電磁場(chǎng)干擾的作用；如果第一導(dǎo)磁片設(shè)置于初始引弧段的話，會(huì)導(dǎo)致第一導(dǎo)磁片無(wú)法有足夠的時(shí)間對(duì)電弧進(jìn)行作用，電弧就已經(jīng)進(jìn)入了過(guò)渡引弧段甚至是電弧到達(dá)段;而如果把第一導(dǎo)磁片設(shè)置于電弧到達(dá)段的話，會(huì)導(dǎo)致第一導(dǎo)磁片無(wú)法有足夠的距離和時(shí)間對(duì)其進(jìn)行作用，電弧已經(jīng)進(jìn)入了進(jìn)入滅弧室；而把第一導(dǎo)磁片設(shè)置于過(guò)渡引弧段，就能夠保證有足夠的時(shí)間和距離使得第一導(dǎo)磁片對(duì)電弧進(jìn)行降低電磁場(chǎng)干擾的作用，有助于更好滅?。?br> 2.主防擊穿凸起的作用，一方面是在電弧與滅弧室內(nèi)運(yùn)動(dòng)軌跡的末端端部，起到了把電弧分割成短弧的作用，另一方面還能夠起到固定滅弧柵片的作用，主防擊穿凸起、定位凸起和次防擊穿凸起共同對(duì)滅弧柵片進(jìn)行定位，因?yàn)槿N防擊穿凸起都是在蓋體上一體成型的，使滅弧柵片在蓋體上的定位穩(wěn)固可靠，不會(huì)發(fā)生位置偏移，完全保證電弧在滅弧室內(nèi)的運(yùn)行軌跡穩(wěn)定、滅弧性能穩(wěn)定；
3.主防擊穿凸起、定位凸起、次防擊穿凸起以及隔板的作用，把每?jī)蓚€(gè)相鄰滅弧柵片之間構(gòu)成的一個(gè)完整的電弧運(yùn)動(dòng)軌道分隔成了多個(gè)小的電弧運(yùn)動(dòng)軌道，進(jìn)一步把電弧分割成短弧，加速滅弧時(shí)間，防止電弧重燃；
4.隔板把殘余電弧的到達(dá)區(qū)間至少分隔成了兩個(gè)，對(duì)殘余電弧進(jìn)行分流，即在一個(gè)區(qū)間內(nèi)降低殘余電弧量，防止殘余電弧重燃，從而防止背部擊穿現(xiàn)象發(fā)生，提高斷路器的分段能力以及安全性能。
【附圖說(shuō)明】
[°03°]圖1是第一外殼的正視圖；
圖2是第一外殼的立體圖；
圖3是第二外殼的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖4是實(shí)施例4的正視圖；
圖5是圖4的A部放大圖；
圖6是圖4的B-B向剖視圖；
圖7是實(shí)施例4的立體圖一，用于顯示帶有實(shí)施例1的外殼本體的結(jié)構(gòu)；
圖8是實(shí)施例4的立體圖二，隱藏掉部分部件，用于更清晰地顯示滅弧柵片的安裝結(jié)構(gòu)；圖9為是實(shí)施例4的立體圖三，隱藏掉部分部件，用于更清晰地顯示隔板與外殼本體的安裝結(jié)構(gòu)； 圖10為隔板的正視圖。
[0031 ]圖中，al.第一外殼;a2.第二外殼；10.操作機(jī)構(gòu)容置區(qū)；11.接線組件容置區(qū)；12.滅弧室容置區(qū)；13.引弧件容置區(qū)；14.通氣通道;21.主防擊穿凸起;22.次防擊穿凸起;23.滅弧柵片定位凸起;31.主滅弧柵片定位間隙；32.次滅弧柵片定位間隙；34.實(shí)際滅弧柵片定位間隙；40.操作機(jī)構(gòu);411.接入端子;412接出端子;42.滅弧室;421滅弧柵片；43.引弧件;431.初始引弧段;432.過(guò)渡引弧段;433.電弧到達(dá)段;44.觸頭組;441.動(dòng)觸頭;442.靜觸頭;5.隔板;6.圍墻構(gòu)件;61.電弧入口； 7.絕緣隔離板;8.雙金屬片;9.第一導(dǎo)磁片;92.第二導(dǎo)磁片。
【具體實(shí)施方式】
[0032 ]下列參照?qǐng)D1 -1 O對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。
[0033]實(shí)施例1
如圖1-3所述，一種斷路器殼體，包括形狀、大小相同且構(gòu)成一個(gè)完整斷路器殼體的第一外殼al和第二外殼a2，二者均形成有操作機(jī)構(gòu)容置區(qū)10、接線組件容置區(qū)、滅弧室容置區(qū)
12、引弧件容置區(qū)13和圍墻構(gòu)件6，圍墻構(gòu)件6，第一外殼al的圍墻構(gòu)件6圍設(shè)形成有至少一個(gè)通氣通道14，第二外殼a2的圍墻構(gòu)件6圍設(shè)形成有至少一個(gè)通氣通道14，且兩者的圍墻構(gòu)件6均設(shè)置有連通通氣通道14與滅弧室容置區(qū)12的電弧入口 61。
[0034]如圖1、圖2所示，第一外殼al—體形成有若干主防擊穿凸起21，每?jī)蓚€(gè)相鄰主防擊穿凸起21之間形成有主滅弧柵片定位間隙31，主防擊穿凸起21靠近滅弧室容置區(qū)12且位于電弧運(yùn)行軌跡末端端部(此處需說(shuō)明的是，通常意義來(lái)講，電弧運(yùn)行軌跡是沿著引弧件43的引導(dǎo)方向進(jìn)入滅弧室42直至息弧的整個(gè)運(yùn)動(dòng)軌跡，本發(fā)明重點(diǎn)是指在每?jī)蓚€(gè)相鄰滅弧柵片421之間的間隙內(nèi)的運(yùn)行軌跡)；
如圖3所示，第二外殼a2形成有次防擊穿凸起22，每?jī)蓚€(gè)相鄰次防擊穿凸起22之間形成有與主滅弧柵片定位間隙31大小相同的次滅弧柵片定位間隙32，第一外殼al與第二外殼a2固定后，主防擊穿凸起21與次防擊穿凸起22交錯(cuò)設(shè)置且二者之間形成實(shí)際滅弧柵片定位間隙34;
如圖1-3所述，第一外殼al和第二外殼還均一體形成有若干滅弧柵片定位凸起23，其位于電弧運(yùn)行軌跡中間部位的一側(cè)，每?jī)蓚€(gè)相鄰滅弧柵片定位凸起23之間形成有副滅弧柵片定位間隙33，主滅弧柵片定位間隙31與副滅弧柵片定位間隙33相連通(即主滅弧柵片定位間隙31高度=次滅弧柵片定位間隙32高度=2*副滅弧柵片定位間隙33=2*實(shí)際滅弧柵片定位間隙34高度)。
[0035]主防擊穿凸起21、次防擊穿凸起22、滅弧柵片定位凸起23的厚度與實(shí)際滅弧柵片定位間隙34的高度相同。
[0036]實(shí)施例2
與實(shí)施例1不同的是，斷路器殼體并未被分割成兩部分，而是采用了 3D打印技術(shù)一體成型，即滅弧柵片定位凸起23和第二外殼a2是合為一體的。
[0037]實(shí)施例3
與實(shí)施例1不同的是，主防擊穿凸起21與次防擊穿凸起22平行設(shè)置，即主滅弧柵片定位間隙31高度=次滅弧柵片定位間隙32高度=副滅弧柵片定位間隙33=實(shí)際滅弧柵片定位間隙34高度。
[0038]實(shí)施例4
如圖4-10所示，一種斷路器，帶有實(shí)施例1記載的斷路器殼體，斷路器殼體內(nèi)的操作機(jī)構(gòu)容置區(qū)10設(shè)置有操作機(jī)構(gòu)40、接線組件容置區(qū)設(shè)置觸頭組44、滅弧室容置區(qū)12設(shè)置滅弧室42、引弧件容置區(qū)13設(shè)置有引弧件43。其中，觸頭組44包括動(dòng)觸頭441和靜觸頭442，靜觸頭422的內(nèi)側(cè)，即背離動(dòng)觸頭441接觸的一側(cè)，設(shè)有第二導(dǎo)磁片91，即在動(dòng)觸頭441和靜觸頭442剛剛接觸的時(shí)候，就降低電磁場(chǎng)干擾，初步防止大量電弧產(chǎn)生，從源頭上降低背后擊穿現(xiàn)象發(fā)生的可能性;滅弧室42包括若干按相同方向依次疊加排列的滅弧柵片421，滅弧柵片421架設(shè)在主防擊穿凸起21上，且每?jī)蓚€(gè)相鄰滅弧柵片421之間的間隙即為電弧運(yùn)動(dòng)軌道。
[0039]如圖4、圖5、圖6、圖7所不，滅弧柵片421固定有絕緣隔咼板7，絕緣隔咼板7與滅弧柵片421的疊加排列方向相平行。絕緣隔離板7主要是把在電弧運(yùn)動(dòng)軌道內(nèi)的電弧分割成更小的短弧，進(jìn)一步防止電弧重燃，加速在電弧運(yùn)動(dòng)軌道內(nèi)的滅弧速度。
[0040]引弧件43包括依次一體連接的初始引弧段431、過(guò)渡引弧段432和電弧到達(dá)段433，所述過(guò)渡弓I弧段432—面朝向滅弧室42，另一面抵觸連接有第一導(dǎo)磁片9。
[0041]所述外殼本體內(nèi)還設(shè)有接線組件，接線組件包括位于滅弧室42—側(cè)的接入端子411和位于觸頭組一側(cè)的接出端子412，接入端子411與滅弧室42之間設(shè)有隔板5，隔板5架設(shè)在第一外殼al所形成的圍墻構(gòu)件6和第二外殼a2所形成的圍墻構(gòu)件6之間，即隔板5與第一外殼al所形成的圍墻構(gòu)件6之間形成了至少一個(gè)通氣通道14，隔板5與第二外殼a2所形成的圍墻構(gòu)件6之間形成了至少一個(gè)通氣通道14，殘余電弧由滅弧室出來(lái)后被分流成了兩路。
[0042]實(shí)施例5
與實(shí)施例4不同的是，采用了實(shí)施例2的斷路器殼體。
[0043]實(shí)施例6
與實(shí)施例4不同的是，采用了實(shí)施例3的斷路器殼體。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種斷路器殼體，包括外殼本體，外殼本體內(nèi)形成有操作機(jī)構(gòu)容置區(qū)(10)、接線組件容置區(qū)、滅弧室容置區(qū)(12)、引弧件容置區(qū)(13)和觸頭組容置區(qū)，接線組件容置區(qū)包括分別位于滅弧室容置區(qū)(12)兩側(cè)的接入端子容置區(qū)(111)以及接出端子容置區(qū)(112)，其特征是:所述外殼本體與接入端子容置區(qū)(111)與滅弧室容置區(qū)(12)之間設(shè)有圍墻構(gòu)件(6)，圍墻構(gòu)件(6)圍設(shè)形成有至少兩個(gè)通氣通道(14)，圍墻構(gòu)件(6)設(shè)置有連通通氣通道(14)與滅弧室容置區(qū)(12)的電弧入口(61)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的斷路器殼體，其特征是:所述圍墻構(gòu)件(6)朝向滅弧室容置區(qū)(12)形成有若干防擊穿凸起(2)，每?jī)蓚€(gè)相鄰防擊穿凸起(2)之間均形成有滅弧柵片定位間隙(31)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的斷路器殼體，其特征是:所述外殼本體固定連接有相互配合構(gòu)成完整殼體且形狀、大小均相同的第一殼體(al)和第二殼體(a2)，第一殼體(al)的防擊穿凸起(2)為主防擊穿凸起(21)，第二殼體(a2)的防擊穿凸起(21)為次防擊穿凸起(22)，第一殼體(al)和第二殼體(a2)固定后，主防擊穿凸起(21)與次防擊穿凸起(22)交錯(cuò)設(shè)置且二者之間形成實(shí)際滅弧柵片定位間隙(32)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的斷路器殼體，其特征是:所述外殼本體還形成有若干滅弧柵片定位凸起(23)。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的斷路器殼體，其特征是:所述主防擊穿凸起(21)、次防擊穿凸起(22)、滅弧柵片定位凸起(23)的厚度與實(shí)際滅弧柵片定位間隙(34)的高度相同。6.一種斷路器，其特征是:帶有如權(quán)利要求1或2或3或4或5所述的斷路器殼體，外殼本體內(nèi)設(shè)置有操作機(jī)構(gòu)(40)、接線組件、滅弧室(42)、引弧件(43)、觸頭組(44)以及隔板5，接線組件包括接入端子(411)和接出端子(412)，圍墻構(gòu)件(6)圍設(shè)而成的至少兩個(gè)通氣通道(14)由隔板5隔開(kāi)。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的斷路器，其特征是:所述滅弧室(42)包括若干滅弧柵片(421)，滅弧柵片(421)架設(shè)在防擊穿凸起(21)上，且每?jī)蓚€(gè)相鄰滅弧柵片(421)之間的間隙構(gòu)成電弧運(yùn)動(dòng)軌道。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的斷路器，其特征是:所述外殼本體內(nèi)還設(shè)有隔板(5)，其與若干滅弧柵片(421)依次疊加排列的方向相平行。9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的斷路器，其特征是:所述引弧件(43)包括依次一體連接的初始引弧段(431)、過(guò)渡引弧段(432)和電弧到達(dá)段(433)，所述過(guò)渡引弧段(432)—面朝向滅弧室(42)，另一面抵觸連接有第一導(dǎo)磁片(9)。10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的斷路器，其特征是:所述接線組件還包括位于觸頭組(44)一側(cè)的接出端子(412)，接出端子(412)與觸頭組(44)之間設(shè)有雙金屬片(8)。
【文檔編號(hào)】H01H71/08GK105957776SQ201610563320
【公開(kāi)日】2016年9月21日
【申請(qǐng)日】2016年7月15日
【發(fā)明人】嚴(yán)劍峰, 鄧志彬
【申請(qǐng)人】歐迪森電氣有限公司