一種太陽能電池及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種太陽能電池及其制作方法，包括：提供一基底；在基底一表面形成第一保護層；在基底背離第一保護層的表面制作硼擴散層；去除第一保護層和硼硅玻璃后，在硼擴散層背離基底一側(cè)形成第二保護層；在基底背離硼擴散層的表面制作磷擴散層；去除第二保護層、磷硅玻璃和邊緣pn結(jié)后，在磷擴散層背離基底一側(cè)形成第一鈍化層，在硼擴散層背離基底一側(cè)形成第二鈍化層；在第二鈍化層上形成多個開孔；在第一鈍化層背離基底一側(cè)形成正面電極，且在第二鈍化層背離基底一側(cè)形成背面電極并燒結(jié)后，得到太陽能電池。在基底的一表面制作硼擴散層，將硼擴散層作為太陽能電池的背電場，在基底背離正面電極一側(cè)形成高濃度摻雜區(qū)域，提高了背電場的效果。
【專利說明】
一種太陽能電池及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，更為具體的說，涉及一種太陽能電池及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]常規(guī)的化石燃料日益消耗殆盡，在現(xiàn)有的可持續(xù)能源中，太陽能無疑是一種清潔、普遍和潛力高的替代能源。太陽能電池，也稱光伏電池，是一種將太陽的光能直接轉(zhuǎn)化為電能的半導體器件。由于它是綠色環(huán)保產(chǎn)品，不會引起環(huán)境污染，而且太陽能是可再生資源，所以在當今能源短缺的情形下，太陽能電池是一種有廣闊發(fā)展前途的新型能源，并受到了廣泛的關(guān)注。
[0003]背電場作為太陽能電池的主要結(jié)構(gòu)之一，其作用是在太陽能電池背面形成P/P+的高低結(jié)結(jié)構(gòu)，阻止P區(qū)光生電子到其背面的復合，降低其背表面復合速率?，F(xiàn)有的太陽能電池主要采用絲網(wǎng)印刷鋁漿并燒結(jié)的方式在太陽能電池的背面形成鋁背場。但是，由于鋁在硅中的溶解度較低，很難得到一個較高的鋁背場摻雜濃度，因而形成的背電場效果受到制約，影響太陽能電池的性能。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本發(fā)明提供了一種太陽能電池及其制作方法，通過對基底一表面制作硼擴散層以作為背電場，以在基底背離正面電極一側(cè)形成高濃度摻雜區(qū)域，進而提高了背電場的效果，提高了太陽能電池的性能。
[0005]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下:
[0006]—種太陽能電池的制作方法，包括:
[0007]提供一基底；
[0008]在所述基底一表面形成第一保護層；
[0009]在所述基底背離所述第一保護層的表面制作硼擴散層；
[0010]去除所述第一保護層和硼硅玻璃后，在所述硼擴散層背離所述基底一側(cè)形成第二保護層；
[0011 ]在所述基底背離所述硼擴散層的表面制作磷擴散層；
[0012]去除所述第二保護層、磷硅玻璃和邊緣pn結(jié)后，在所述磷擴散層背離所述基底一側(cè)形成第一鈍化層，以及，在所述硼擴散層背離所述基底一側(cè)形成第二鈍化層；
[0013]在所述第二鈍化層上形成多個開孔；
[0014]在所述第一鈍化層背離所述基底一側(cè)形成正面電極，且在所述第二鈍化層背離所述基底一側(cè)形成背面電極并燒結(jié)后，得到所述太陽能電池。
[0015]優(yōu)選的，在提供所述基底后、且在形成所述第一保護層前，還包括:
[0016]對所述基底進行表面拋光。
[0017]優(yōu)選的，在形成所述第二保護層后、且在制作所述磷擴散層前，還包括:
[0018]將述基底背離所述硼擴散層的表面制作為絨面。
[0019]優(yōu)選的，在所述基底背離所述第一保護層的表面制作硼擴散層為:
[0020]在擴散爐管中對所述基底背離所述第一保護層的表面制作硼擴散層，其中，擴散工藝參數(shù)為:
[0021]所述擴散爐管中的溫度范圍為850°C?1100°C，包括端點值；
[0022]擴散時長范圍為45min?120min，包括端點值；
[0023]對所述擴散爐管通入的氧氣和氮氣的流量比氧氣流量:氮氣流量的范圍為1:20?1:5，包括端點值。
[0024]優(yōu)選的，在所述基底背離所述硼擴散層的表面制作磷擴散層為:
[0025]采用液態(tài)三氯氧磷擴散工藝對所述基底背離所述硼擴散層的表面制作磷擴散層，其中，擴散工藝參數(shù)為:
[0026]擴散溫度范圍為800°C?900°C，包括端點值；
[0027]擴散時長范圍為30min?120min，包括端點值。
[0028]優(yōu)選的，所述第一保護層和/或第二保護層為第一氮化硅層；
[0029]以及，所述第一保護層和第二保護層的厚度范圍為25nm?55nm，包括端點值。
[0030]優(yōu)選的，所述第一鈍化層和/或第二鈍化層為第二氮化硅層；
[0031 ]以及，所述第二氮化娃層的厚度范圍為80nm?120nm，包括端點值。
[0032]優(yōu)選的，所述第二鈍化層為氧化鋁/氮化硅疊層；
[0033]以及，所述氧化鋁層/氮化硅層疊層的厚度范圍為70nm?90nm，包括端點值，且所述氧化鋁/氮化硅疊層中氧化鋁層的厚度范圍為5nm?30nm，包括端點值，所述氧化鋁/氮化娃疊層中氮化娃層的厚度范圍為40nm?85nm，包括端點值。
[0034]優(yōu)選的，所述多個開孔的總面積占所述第二鈍化層的面積的3%?8%，包括端點值。
[0035]相應的，本發(fā)明還提供了一種太陽能電池，所述太陽能電池采用上述的太陽能電池的制作方法制作而成。
[0036]相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供的技術(shù)方案至少具有以下優(yōu)點:
[0037]本發(fā)明提供了一種太陽能電池及其制作方法，包括:提供一基底;在所述基底一表面形成第一保護層;在所述基底背離所述第一保護層的表面制作硼擴散層;去除所述第一保護層和硼硅玻璃后，在所述硼擴散層背離所述基底一側(cè)形成第二保護層;在所述基底背離所述硼擴散層的表面制作磷擴散層;去除所述第二保護層、磷硅玻璃和邊緣pn結(jié)后，在所述磷擴散層背離所述基底一側(cè)形成第一鈍化層，以及，在所述硼擴散層背離所述基底一側(cè)形成第二鈍化層;在所述第二鈍化層上形成多個開孔;在所述第一鈍化層背離所述基底一側(cè)形成正面電極，且在所述第二鈍化層背離所述基底一側(cè)形成背面電極并燒結(jié)后，得到所述太陽能電池。
[0038]由上述內(nèi)容可知，本發(fā)明提供的技術(shù)方案，在基底的一表面制作硼擴散層，進而將硼擴散層作為太陽能電池的背電場，以在基底背離正面電極一側(cè)形成高濃度摻雜區(qū)域，進而提高了背電場的效果，提高了太陽能電池的性能。
【附圖說明】
[0039]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。
[0040]圖1為本申請實施例提供的一種太陽能電池的制作方法的流程圖；
[0041 ]圖2a至圖2h為圖1示制作方法對應的結(jié)構(gòu)流程圖；
[0042]圖3為本申請實施例提供的一種基底制域后的結(jié)構(gòu)不意圖。
【具體實施方式】
[0043]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0044]正如【背景技術(shù)】所述，由于鋁在硅中的溶解度較低，很難得到一個較高的鋁背場摻雜濃度，因而形成的背電場效果受到制約，影響太陽能電池的性能。
[0045]基于此，本申請實施例提供了一種太陽能電池及其制作方法，通過對基底一表面制作硼擴散層以作為背電場，以在基底背離正面電極一側(cè)形成高濃度摻雜區(qū)域，進而提高了背電場的效果，提高了太陽能電池的性能。為實現(xiàn)上述目的，本申請實施例提供的技術(shù)方案如下，具體結(jié)合圖1至圖3所示，對本申請實施例提供的技術(shù)方案進行詳細的描述。
[0046]參考圖1所示，為本申請實施例提供的一種太陽能電池的制作方法的流程圖，其中，太陽能電池的制作方法包括:
[0047]S1、提供一基底；
[0048]S2、在所述基底一表面形成第一保護層；
[0049]S3、在所述基底背離所述第一保護層的表面制作硼擴散層；
[0050]S4、去除所述第一保護層和硼硅玻璃后，在所述硼擴散層背離所述基底一側(cè)形成第二保護層；
[0051]S5、在所述基底背離所述硼擴散層的表面制作磷擴散層；
[0052]S6、去除所述第二保護層、磷硅玻璃和邊緣pn結(jié)后，在所述磷擴散層背離所述基底一側(cè)形成第一鈍化層，以及，在所述硼擴散層背離所述基底一側(cè)形成第二鈍化層；
[0053]S7、在所述第二鈍化層上形成多個開孔；
[0054]S8、在所述第一鈍化層背離所述基底一側(cè)形成正面電極，且在所述第二鈍化層背離所述基底一側(cè)形成背面電極并燒結(jié)后，得到所述太陽能電池。
[0055]由上述內(nèi)容可知，本申請實施例提供的技術(shù)方案，在基底的一表面制作硼擴散層，進而將硼擴散層作為太陽能電池的背電場，以在基底背離正面電極一側(cè)形成高濃度摻雜區(qū)域，進而提高了背電場的效果，提高了太陽能電池的性能。
[0056]具體的，結(jié)合圖2a至圖2h所示，對本申請實施例提供的技術(shù)方案進行更詳細的描述，圖2a至圖2h為圖1示制作方法對應的結(jié)構(gòu)流程圖。其中，參考圖2a所示，首先提供一基底10;本申請實施例提供的基底為硅片，其可以為P型基底。
[0057]參考圖2b所示，在獲取基底10后，對基底10的一表面形成一第一保護層21;其中，第一保護層的材質(zhì)可以為氮化硅，其作用相當于掩膜，用于在后續(xù)對基底另一表面制作硼擴散層時，保護與第一保護層接觸的基底的表面不受影響。
[0058]進一步的，在提供所述基底后、且在形成所述第一保護層前，本申請實施例提供的制作方法還包括:對所述基底進行表面拋光。即，可以采用堿性拋光液(NaOH拋光液)對基底進行拋光，由于本申請實施例提供的制作方法在制作硼擴散層前對基底表面進行拋光，進而保證了硼擴散過程的均勻性高，提高硼擴散層的質(zhì)量。
[0059]參考圖2c所示，制作完畢第一保護層21后，需要在基底10背離第一保護層21的表面制作硼擴散層30;其中，在所述基底背離所述第一保護層的表面制作硼擴散層為:
[0060]在擴散爐管中對所述基底背離所述第一保護層的表面制作硼擴散層，其中，擴散工藝參數(shù)為:
[0061]所述擴散爐管中的溫度范圍為850°C?1100°C，包括端點值；
[0062]擴散時長范圍為45min?120min，包括端點值；
[0063]對所述擴散爐管通入的氧氣和氮氣的流量比氧氣流量:氮氣流量的范圍為1:20?1:5，包括端點值。
[0064]需要說明的是，對于上述硼擴散工藝中，其擴散爐管中的溫度可以為860°C、900°C、1000<€等任意數(shù)值，擴散時長可以為50111；[11、70111；[11、90111；[11、100111；[11、110111；[11等任意數(shù)值，以及，氧氣和氮氣的流量比可以為1:15、1:10、1:8、1:6等任意數(shù)值，對此本申請不做具體限制，需要根據(jù)實際應用進行具體選取。其中，本申請實施例提供的硼擴散層的擴散方阻為20歐姆?80歐姆，包括端點值。
[0065]參考圖2d所示，制作完畢硼擴散層30后，后續(xù)需要在基底10背離硼擴散層30的表面制作磷擴散層，且為了避免制作磷擴散層時對硼擴散層30的影響，需要將硼擴散層30進行保護；即，去除第一保護層21和硼硅玻璃后，在硼擴散層背離基底10—側(cè)形成第二保護層22;其中，第二保護層的材質(zhì)可以為氮化硅，其作用相當于掩膜，用于在后續(xù)對基底一表面制作磷擴散層時，保護與第二保護層接觸的硼擴散層不受影響。
[0066]需要說明的是，本申請實施例提供的技術(shù)方案，首先在基底上制作硼擴散層，而后制作磷擴散層，避免出現(xiàn)由于磷擴散需要溫度比硼擴散需要溫度低而出現(xiàn)硼磷交叉影響的情況，保證了各自的摻雜質(zhì)量高。進一步的，在制作第二保護層前，本申請實施例提供的制作方法可以采用酸溶液清洗基底以去除第一保護層，且同時去除硼硅玻璃，提高太陽能電池的質(zhì)量;其中，酸溶液可以為氫氟酸溶液。
[0067]另外，本申請實施例提供的所述第一保護層和/或第二保護層為第一氮化硅層；
[0068]以及，所述第一保護層和第二保護層的厚度范圍為25nm?55nm，包括端點值。由于現(xiàn)有技術(shù)中在太陽能電池的制作過程中需要制作氮化硅膜作為減反膜，因此，將本申請實施例提供的第一保護層和第二保護層均制作為第一氮化硅層，不需要新增設備。此外，本申請實施例在制作第一保護層和第二保護層時，其厚度的選取需要滿足清洗腐蝕及擴散時的掩膜作用，其厚度需要適中，避免出現(xiàn)過厚而造成去除時困難的情況，其厚度可以為30nm、40nm、50nm等任意數(shù)值，對此本申請實施不做具體限制，需要根據(jù)實際需要進行具體選取。
[0069]參考圖2e所示，在制作完畢第二保護層22后，開始制作磷擴散層40，S卩，在基底10背離硼擴散層30的表面制作磷擴散層40;其中，在所述基底背離所述硼擴散層的表面制作磷擴散層為:
[0070]采用液態(tài)三氯氧磷擴散工藝對所述基底背離所述硼擴散層的表面制作磷擴散層，其中，擴散工藝參數(shù)為:
[0071 ]擴散溫度范圍為800°C?900°C，包括端點值；
[0072]擴散時長范圍為30min?120min，包括端點值。
[0073]需要說明的是，對于上述磷擴散工藝中，擴散溫度可以為820°C、850 °C、880 °C等任意數(shù)值，以及，擴散時長可以為40min、80min、10min等任意數(shù)值，對此本申請實施不做具體限制，需要根據(jù)實際需要進行具體選取。其中，磷擴散層的擴散方阻為50歐姆?110歐姆，包括端點值。
[0074]參考圖2f所示，制作完畢磷擴散層40后，將要去除第二保護層22和磷硅玻璃，而后制作第一鈍化層51和第二鈍化層52; S卩，去除第二保護層22、磷硅玻璃和邊緣pn結(jié)后，在磷擴散層40背離基底10—側(cè)形成第一鈍化層51，以及，在硼擴散層30背離基底10—側(cè)形成第二鈍化層52。其中，本申請實施例提供的制作方法可以采用酸溶液去除第二保護層，且同時去除磷硅玻璃，保證太陽能電池的質(zhì)量高;進一步的，可以采用等離子或激光刻蝕等刻蝕工藝，去除基底邊緣的pn結(jié)，進一步提高太陽能電池的質(zhì)量。
[0075]其中，本申請實施例提供的所述第一鈍化層和/或第二鈍化層可以為第二氮化硅層；
[0076]以及，所述第二氮化娃層的厚度范圍為80nm?120nm，包括端點值;其中，第二氮化娃層的厚度可以為90nm、100nm、I 1nm等任意數(shù)值，對此本申請實施不做具體限制，需要根據(jù)實際需要進行具體選取。
[0077]另外，本申請實施例提供的所述第二鈍化層為氧化鋁/氮化硅疊層;其中，氧化鋁層位于氮化硅層和硼擴散層之間；
[0078]以及，所述氧化鋁層/氮化硅層疊層的厚度范圍為70nm?90nm，包括端點值，且所述氧化鋁/氮化硅疊層中氧化鋁層的厚度范圍為5nm?30nm，包括端點值，所述氧化鋁/氮化硅疊層中氮化硅層的厚度范圍為40nm?85nm，包括端點值;其中，氧化鋁層/氮化硅層疊層的厚度可以為80nm、85nm等任意數(shù)值，且氧化招層的厚度可以為10nm、20nm等任意數(shù)值，以及，氮化娃層的厚度可以為45]11]1、55111]1、60111]1、80111]1等任意數(shù)值，對此本申請實施不做具體限制，需要根據(jù)實際需要進行具體選取。
[0079]參考圖2g所示，在制作完畢第一鈍化層51和第二鈍化層52后，需要在第二鈍化層52上制作多個開孔53，以在后續(xù)最終得到硼背場點接觸結(jié)構(gòu)的太陽能電池。其中，在第二鈍化層上制作開孔可以通過激光或化學漿料腐蝕的方式進行制作，本申請實施例提供的所述多個開孔的總面積占所述第二鈍化層的面積的3%?8%，包括端點值，具體所有開孔的占用面積可以根據(jù)實際應用進行選取，對此本申請實施例不做具體限制。
[0080]參考圖2h所示，在第二鈍化層52上制作多個開孔53后，需要在所述第一鈍化層51背離所述基底10—側(cè)形成正面電極61，且在所述第二鈍化層52背離所述基底10—側(cè)形成背面電極62并燒結(jié)后，得到所述太陽能電池。其中，可以采用絲網(wǎng)印刷工藝且采用銀漿制作正面電極，正面電極即包括有主柵線和副柵線的電極，且主柵線和副柵線均為銀線，其主柵線數(shù)量可以為2?5根，對此本申請實施不做具體限制，需要根據(jù)實際需要進行具體選取。另夕卜，背面電極可以采用絲網(wǎng)印刷工藝且采用鋁漿制作，背面電極即為塊狀電極。
[0081]進一步的，為了降低反射率，且提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)化效率，在之前制作工藝中對基底進行表面拋光時，本申請實施例提供的太陽能電池的磷擴散層一側(cè)還可以制作為絨面。其中，在形成所述第二保護層后、且在制作所述磷擴散層前，還包括:
[0082]將所述基底背離所述硼擴散層的表面制作為絨面，其中，本申請實施例通過制絨工藝對基底背離硼擴散層的表面制作為絨面，本申請實施例對于制絨工藝不做具體限制。
[0083]具體參考圖3所不，為本申請實施例提供的一種基底制域后的結(jié)構(gòu)不意圖，其中，圖3為在形成所述第二保護層22后、且在制作所述磷擴散層前的制絨結(jié)構(gòu)示意圖，其中，基底10背離硼擴散層30—側(cè)制作有絨面70。
[0084]相應的，本申請實施例還提供了一種太陽能電池，所述太陽能電池采用上述任意一實施例提供的的太陽能電池的制作方法制作而成。
[0085]本申請實施例提供了一種太陽能電池及其制作方法，包括:提供一基底;在所述基底一表面形成第一保護層;在所述基底背離所述第一保護層的表面制作硼擴散層;去除所述第一保護層和硼硅玻璃后，在所述硼擴散層背離所述基底一側(cè)形成第二保護層;在所述基底背離所述硼擴散層的表面制作磷擴散層;去除所述第二保護層、磷硅玻璃和邊緣pn結(jié)后，在所述磷擴散層背離所述基底一側(cè)形成第一鈍化層，以及，在所述硼擴散層背離所述基底一側(cè)形成第二鈍化層;在所述第二鈍化層上形成多個開孔;在所述第一鈍化層背離所述基底一側(cè)形成正面電極，且在所述第二鈍化層背離所述基底一側(cè)形成背面電極并燒結(jié)后，得到所述太陽能電池。
[0086]由上述內(nèi)容可知，本申請實施例提供的技術(shù)方案，在基底的一表面制作硼擴散層，進而將硼擴散層作為太陽能電池的背電場，以在基底背離正面電極一側(cè)形成高濃度摻雜區(qū)域，進而提高了背電場的效果，提高了太陽能電池的性能。
[0087]對所公開的實施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。
【主權(quán)項】
1.一種太陽能電池的制作方法，其特征在于，包括: 提供一基底； 在所述基底一表面形成第一保護層； 在所述基底背離所述第一保護層的表面制作硼擴散層； 去除所述第一保護層和硼硅玻璃后，在所述硼擴散層背離所述基底一側(cè)形成第二保護層； 在所述基底背離所述硼擴散層的表面制作磷擴散層； 去除所述第二保護層、磷硅玻璃和邊緣pn結(jié)后，在所述磷擴散層背離所述基底一側(cè)形成第一鈍化層，以及，在所述硼擴散層背離所述基底一側(cè)形成第二鈍化層； 在所述第二鈍化層上形成多個開孔； 在所述第一鈍化層背離所述基底一側(cè)形成正面電極，且在所述第二鈍化層背離所述基底一側(cè)形成背面電極并燒結(jié)后，得到所述太陽能電池。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，在提供所述基底后、且在形成所述第一保護層前，還包括: 對所述基底進行表面拋光。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，在形成所述第二保護層后、且在制作所述磷擴散層前，還包括: 將述基底背離所述硼擴散層的表面制作為絨面。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，在所述基底背離所述第一保護層的表面制作硼擴散層為: 在擴散爐管中對所述基底背離所述第一保護層的表面制作硼擴散層，其中，擴散工藝參數(shù)為: 所述擴散爐管中的溫度范圍為8500C?11000C，包括端點值； 擴散時長范圍為45min?120min，包括端點值； 對所述擴散爐管通入的氧氣和氮氣的流量比氧氣流量:氮氣流量的范圍為1:20?1:5，包括端點值。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，在所述基底背離所述硼擴散層的表面制作磷擴散層為: 采用液態(tài)三氯氧磷擴散工藝對所述基底背離所述硼擴散層的表面制作磷擴散層，其中，擴散工藝參數(shù)為: 擴散溫度范圍為800 0C?900 0C，包括端點值； 擴散時長范圍為30min?120min，包括端點值。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述第一保護層和/或第二保護層為第一氮化硅層； 以及，所述第一保護層和第二保護層的厚度范圍為25nm?55nm，包括端點值。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述第一鈍化層和/或第二鈍化層為第二氮化硅層； 以及，所述第二氮化娃層的厚度范圍為80nm?120nm，包括端點值。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述第二鈍化層為氧化鋁/氮化硅疊層； 以及，所述氧化鋁層/氮化硅層疊層的厚度范圍為70nm?90nm，包括端點值，且所述氧化鋁/氮化硅疊層中氧化鋁層的厚度范圍為5nm?30nm，包括端點值，所述氧化鋁/氮化硅疊層中氮化娃層的厚度范圍為40nm?85nm，包括端點值。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述多個開孔的總面積占所述第二鈍化層的面積的3%?8%，包括端點值。10.—種太陽能電池，其特征在于，所述太陽能電池采用權(quán)利要求1?9任意一項所述的太陽能電池的制作方法制作而成。
【文檔編號】H01L31/18GK105914255SQ201610242864
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年4月19日
【發(fā)明人】陸俊宇, 連維飛, 吳晨陽, 魏青竹, 倪志春
【申請人】中利騰暉光伏科技有限公司