頂部發(fā)光裝置和有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法
【專利摘要】公開了一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置和頂部發(fā)光裝置。有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置包括第一襯底、設(shè)置在第一襯底上的第一電極、與第一電極相對的第二電極、設(shè)置在第一電極和第二電極之間的有機(jī)發(fā)光層、以及設(shè)置在第一襯底的后表面上并與顯示區(qū)域重疊的至少一個光檢測構(gòu)件，第一襯底包括具有多個像素的顯示區(qū)域和在顯示區(qū)域的周邊中的非顯示區(qū)域。
【專利說明】頂部發(fā)光裝置和有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求在韓國知識產(chǎn)權(quán)局于2015年2月9日提交的第10-2015-0019251號韓國專利申請以及于2015年2月9日提交的第10-2015-0019247號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)及權(quán)益，韓國專利申請的內(nèi)容通過弓I用整體并入本文中。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本公開的實(shí)施方式涉及頂部發(fā)光裝置和有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，更具體地涉及主要將光發(fā)射至其前表面的頂部發(fā)光裝置和頂部發(fā)射型有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0004]發(fā)光裝置是提供光的裝置并用于照明或顯示領(lǐng)域中。例如，有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置可以包括多個有機(jī)發(fā)光裝置，并且可以控制從相應(yīng)的有機(jī)發(fā)光裝置發(fā)射的光量以顯示圖像。有機(jī)發(fā)光裝置的發(fā)光層通過其兩個表面發(fā)光，并且如果在一個方向中觀看屏幕，裝置可以具有反射電極或反射層以在屏幕顯示方向中反射從其發(fā)射的光。
[0005]有機(jī)發(fā)光裝置設(shè)置在襯底前面并且在朝向襯底的方向中發(fā)射光的情況通常稱為“底部發(fā)射”，而在與朝向襯底的方向相反的前向中發(fā)射光的情況通常稱為“頂部發(fā)射”。底部發(fā)射型有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置可以使用有機(jī)發(fā)光裝置的頂部電極作為反射電極，以將光發(fā)射至其后表面。另一方面，頂部發(fā)射型有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置可以在有機(jī)發(fā)光裝置的下部電極中包括反射電極或反射層。
[0006]此外，有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中的退化度可以根據(jù)每個像素中積累了多少電流而變化。如果已經(jīng)檢測到退化使得可以補(bǔ)償提供至相應(yīng)像素的電流，那么可以阻止因?yàn)橥嘶鴮?dǎo)致的圖像質(zhì)量退化。為此，應(yīng)當(dāng)確定發(fā)射的光的亮度。
[0007]對于底部發(fā)射型顯示設(shè)備，由于側(cè)向泄漏的光可能從顯示面板的內(nèi)部反射并且可能通過顯示面板側(cè)向傳播，所以當(dāng)顯示面板的側(cè)表面上設(shè)置有光傳感器時可以檢測從像素發(fā)出的光。基于此，可以估計像素發(fā)光強(qiáng)度。但是，對于頂部發(fā)射型顯示設(shè)備，因?yàn)橥该麟姌O或半透明電極被用作頂部電極，所以側(cè)向傳播的光的強(qiáng)度可能較低。因此，即使光傳感器安裝在顯示面板的側(cè)表面上，其也可能不能精確地檢測和估計從像素發(fā)出的光強(qiáng)度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本公開的實(shí)施方式可以提供可容易地檢測從像素發(fā)出的光的亮度的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置。
[0009]本公開的實(shí)施方式還可以提供可容易地檢測發(fā)射的光的亮度的頂部發(fā)光裝置。
[0010]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施方式，提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其包括:第一襯底，包括具有多個像素的顯示區(qū)域和在顯示區(qū)域的周邊中的非顯示區(qū)域;第一電極，設(shè)置在第一襯底上;第二電極，與第一電極相對;有機(jī)發(fā)光層，設(shè)置在第一電極和第二電極之間；以及至少一個光檢測構(gòu)件，設(shè)置在第一襯底的后表面上并與顯示區(qū)域重疊。
[0011]光檢測構(gòu)件可以包括光傳感器和光收集構(gòu)件，光收集構(gòu)件將從第一襯底接收的光傳輸?shù)焦鈧鞲衅鳌?br>[0012]光收集構(gòu)件可以包括光收集體和設(shè)置在光收集體中的光調(diào)制結(jié)構(gòu)。
[0013]光傳感器可以設(shè)置成與光收集體的一側(cè)相鄰。
[0014]光調(diào)制結(jié)構(gòu)可以包括與多個像素對應(yīng)的多個棱鏡圖案。
[0015]棱鏡圖案可以沿與其對應(yīng)的每列像素或每行像素以一一對應(yīng)的方式設(shè)置。
[0016]光調(diào)制結(jié)構(gòu)可以具有單個連續(xù)的傾斜表面。
[0017]傾斜表面的傾斜角可以隨著與光傳感器的距離的減小而減小。
[0018]光調(diào)制結(jié)構(gòu)可以包括具有不同傾斜角的交替的第一表面和第二表面。
[0019]第一表面和第二表面的重復(fù)單元的寬度可以與對應(yīng)于重復(fù)單元的像素的節(jié)距相同。
[0020]光收集體的頂表面可以是光輸入表面，光收集體的與光傳感器相鄰的側(cè)表面可以是光輸出表面，以及光收集構(gòu)件還可以包括設(shè)置在光收集體的除了光輸入表面和光輸出表面之外的那些表面上的反射構(gòu)件。
[0021]光傳感器可以設(shè)置在與光收集體的一側(cè)相鄰的后表面上。
[0022]光調(diào)制結(jié)構(gòu)可以包括第一光路徑改變結(jié)構(gòu)和第二光路徑改變結(jié)構(gòu)，第一光路徑改變結(jié)構(gòu)將光路徑改變至水平方向，第二光路徑改變結(jié)構(gòu)將光路徑改變至垂直方向。
[0023]多個光檢測構(gòu)件可以設(shè)置成彼此間隔開。
[0024]顯示區(qū)域可以包括中心部分和圍繞中心部分的周邊部分，以及光檢測構(gòu)件可以設(shè)置在顯示區(qū)域的周邊部分中。
[0025]周邊部分可以包括退化預(yù)期區(qū)域，并且光檢測構(gòu)件可以至少部分地與退化預(yù)期區(qū)域重疊。
[0026]顯示區(qū)域還可以包括與退化預(yù)期區(qū)域相鄰的比較區(qū)域，光收集構(gòu)件可以與退化預(yù)期區(qū)域重疊，以及光傳感器可以與比較區(qū)域重疊。
[0027]有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置還可以包括設(shè)置在第一襯底的后表面上的散熱構(gòu)件。
[0028]散熱構(gòu)件可以包括孔，以及光檢測構(gòu)件可以插入孔中并且設(shè)置成與第一襯底的后表面相鄰。
[0029]有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置還可以包括設(shè)置在第一襯底和光檢測構(gòu)件之間的粘合構(gòu)件。
[0030]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一實(shí)施方式，提供了一種頂部發(fā)光裝置，其包括:底部裝置單元;頂部裝置單元，與底部裝置單元相對;發(fā)光裝置單元，插置在底部裝置單元和頂部裝置單元之間；以及至少一個光檢測構(gòu)件，設(shè)置在底部裝置單元的后方中并且與頂部裝置單元的光傳輸區(qū)域重疊。
[0031]光檢測構(gòu)件可以包括光傳感器和光收集構(gòu)件，光收集構(gòu)件將從底部裝置單元接收的光傳輸?shù)焦鈧鞲衅鳌?br>[0032]光收集構(gòu)件可以包括光收集體和設(shè)置在光收集體中的光調(diào)制結(jié)構(gòu)。
[0033]多個光檢測構(gòu)件可以設(shè)置成彼此間隔開。
[0034]光檢測構(gòu)件可以至少部分地與發(fā)光裝置單元中的退化預(yù)期區(qū)域重疊。
[0035]頂部發(fā)光裝置還可以包括設(shè)置在第一襯底的后表面上的并且包括孔的散熱構(gòu)件，其中，光檢測構(gòu)件插入孔中并且設(shè)置成與第一襯底的后表面相鄰。
[0036]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一實(shí)施方式，提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其包括:包括具有多個像素的顯示區(qū)域和在顯示區(qū)域的周邊中的非顯示區(qū)域的第一襯底；以及至少一個光檢測構(gòu)件，設(shè)置在第一襯底的后表面上并與顯示區(qū)域重疊。光檢測構(gòu)件包括光傳感器和將從第一襯底接收的光傳輸?shù)焦鈧鞲衅鞯墓馐占瘶?gòu)件，以及光收集構(gòu)件包括光收集體和設(shè)置在光收集體中的光調(diào)制結(jié)構(gòu)。
[0037]有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置還可以包括設(shè)置在第一襯底上的第一電極、與第一電極相對的第二電極、以及設(shè)置在第一電極和第二電極之間的有機(jī)發(fā)光層。
【附圖說明】
[0038]圖1是根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的頂部發(fā)光裝置的示意圖。
[0039]圖2是根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的平面圖。
[0040]圖3是根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的后視圖。
[0041]圖4是根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的平面圖。
[0042]圖5是根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的后視圖。
[0043]圖6是根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的示意剖視圖。
[0044]圖7是根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)的剖視圖。
[0045]圖8是根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的光檢測構(gòu)件的平面圖。
[0046]圖9是根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的光檢測構(gòu)件的剖視圖。
[0047]圖10是根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的光檢測構(gòu)件的剖視圖。
[0048]圖11是根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的光檢測構(gòu)件的剖視圖。
[0049]圖12是根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的光檢測構(gòu)件的剖視圖。
[0050]圖13是根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的光檢測構(gòu)件的剖視圖。
[0051]圖14是根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的光檢測構(gòu)件的剖視圖。
[0052]圖15是根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的光檢測構(gòu)件的剖視圖。
[0053]圖16是根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的光檢測構(gòu)件的剖視圖。
[0054]圖17是根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的后視圖。
[0055]圖18是根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的剖視圖。
[0056]圖19是根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的剖視圖。
[0057]圖20是根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0058]通過參考示例性實(shí)施方式的以下詳細(xì)描述和附圖，可以更容易地理解本公開的實(shí)施方式的特征和實(shí)現(xiàn)本公開的方法。但是，本公開的實(shí)施方式可以被體現(xiàn)為許多不同的形式，并且不應(yīng)被理解為限于本文中闡述的實(shí)施方式。
[0059]應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為在另一元件或?qū)印吧稀睍r，它可以直接地在另一元件或?qū)由?，或者可以存在介入元件或?qū)印Ｔ谡麄€說明書中，相同的參考標(biāo)號可以表示相同的元件。
[0060]在說明書中，發(fā)光裝置是指提供光的裝置，并且例如可以包括使用光顯示圖像的發(fā)光裝置或顯示設(shè)備，諸如有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置、無機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置、等離子體顯示裝置等。
[0061 ]以下，將參考附圖來描述本公開的示例性實(shí)施方式。
[0062]圖1是根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的頂部發(fā)光裝置的示意圖。參照圖1，頂部發(fā)光裝置10包括底部裝置單元11、發(fā)光裝置單元12、頂部裝置單元13、和光檢測構(gòu)件300。
[0063]在說明書中，術(shù)語“單側(cè)發(fā)光”是指主要至裝置的兩個表面中的一個表面的光發(fā)射。此外，術(shù)語“頂部發(fā)射”是指主要至前表面和后表面中的前表面的光發(fā)射。這里，主要至前表面的光發(fā)射是指發(fā)射至前表面的光量大于發(fā)射至后表面的光量，并且例如對應(yīng)于總發(fā)光量的70%或大于70%或90%或大于90%被發(fā)射至前表面的情況。
[0064]發(fā)光裝置單元12可以包括至少一個發(fā)光裝置12a。發(fā)光裝置12a例如可以是有機(jī)發(fā)光裝置，但是本公開不限于此。
[0065]對于頂部發(fā)射，單側(cè)發(fā)光裝置可以用作發(fā)光裝置12a。單側(cè)發(fā)光裝置的情況包括:雖然裝置可以將光發(fā)射至兩個表面但是通過適當(dāng)?shù)匕ü鈱W(xué)構(gòu)件而將光發(fā)射至單個表面的裝置、以及自身將光發(fā)射至單個表面的裝置。例如，頂部發(fā)射型有機(jī)發(fā)光裝置可以將光發(fā)射至其兩個表面，但是通過調(diào)整電極特性和透射率、反射率等主要將光發(fā)射至其前表面。因此，頂部發(fā)射型有機(jī)發(fā)光裝置可以解釋為與單側(cè)發(fā)光裝置對應(yīng)。
[0066]根據(jù)實(shí)施方式，底部裝置單元11設(shè)置在發(fā)光裝置單元12的后面，并且頂部裝置單元13設(shè)置在發(fā)光裝置單元12的前面。為了保護(hù)，發(fā)光裝置單元12被插置于底部裝置單元11和頂部裝置單元13之間。
[0067]根據(jù)實(shí)施方式，光傳輸路徑Ila通過底部裝置單元11將光提供至光檢測構(gòu)件300，底部裝置單元11沒有處于光的主發(fā)射方向中。如果發(fā)光裝置12a的光發(fā)射方向是雙側(cè)的或者是后向的，底部裝置單元11可以包括反射構(gòu)件。
[0068]根據(jù)實(shí)施方式，底部裝置單元11包括用于驅(qū)動發(fā)光裝置12a、電極、絕緣層等的布線。
[0069]因?yàn)轫敳垦b置單元13設(shè)置在光LI的初次發(fā)射方向中，頂部裝置單元13包括能夠至少部分地傳輸光的區(qū)域，例如顯示區(qū)域。頂部裝置單元13可以包括顏色過濾器以實(shí)現(xiàn)特定的顏色，但是實(shí)施方式不限于此。此外，根據(jù)實(shí)施方式，頂部裝置單元13包括修改從頂部裝置單元13發(fā)射的光LI的光特性的光調(diào)制構(gòu)件，例如棱鏡膜、漫射膜、微透鏡膜等。
[0070]根據(jù)實(shí)施方式，至少一個光檢測構(gòu)件300設(shè)置在底部裝置單元11的后方。光檢測構(gòu)件300直接地接收從發(fā)光裝置單元12通過底部裝置單元11傳播的泄漏的光L2，并且從光中獲取發(fā)光亮度值。光檢測構(gòu)件300與頂部裝置單元13的傳輸光LI的區(qū)域重疊。
[0071]以下，將參考作為頂部發(fā)光裝置的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置進(jìn)行更詳細(xì)的描述。
[0072]圖2是根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的平面圖。
[0073]參照圖2，有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置500可以分成顯示區(qū)域PA和圍繞顯示區(qū)域PA的非顯示區(qū)域NPA。
[0074]根據(jù)實(shí)施方式，顯示區(qū)域PA包括多個像素PX。相應(yīng)像素PX布置成矩陣形式。相應(yīng)像素PX被分配以顯示特定顏色。例如，多個像素PX可以包括顯示紅色的R像素、顯示綠色的G像素和顯示藍(lán)色的B像素。R像素、G像素和B像素被交替布置以顯示各種顏色。
[0075]顯示區(qū)域PA可以具有矩形形狀，但是不限于此。顯示區(qū)域PA可以具有正方形形狀、圓形形狀、橢圓形狀等。
[0076]根據(jù)實(shí)施方式，非顯示區(qū)域NPA位于顯示區(qū)域PA的周邊。非顯示區(qū)域NPA不顯示圖像，并且諸如黑色矩陣的光屏蔽構(gòu)件設(shè)置在非顯示區(qū)域NPA中。非顯示區(qū)域NPA形成有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置500的遮光部分。驅(qū)動像素PX的各種驅(qū)動裝置可以設(shè)置在非顯示區(qū)域NPA中。像素PX也可以設(shè)置在非顯示區(qū)域NPA內(nèi)，但是在該情況下，設(shè)置在非顯示區(qū)域NPA內(nèi)的那些像素PX是外部不可見的虛設(shè)像素。
[0077]圖3是根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的后視圖。
[0078]參照圖3，至少一個光檢測構(gòu)件300設(shè)置在有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置500的后方。當(dāng)設(shè)置有多個光檢測構(gòu)件300時，相應(yīng)的光檢測構(gòu)件300彼此間隔開?？商娲?，兩個或更多個光檢測構(gòu)件300可以彼此相鄰以形成單個光檢測構(gòu)件組，并且多個光檢測構(gòu)件組彼此間隔開。根據(jù)實(shí)施方式，光檢測構(gòu)件300設(shè)置在與顯示區(qū)域PA重疊的區(qū)域中。
[0079]根據(jù)實(shí)施方式，每個光檢測構(gòu)件300與多個像素PX重疊。例如，光檢測構(gòu)件300在一個方向中延伸，并且可以在長度(I)方向中與兩個或更多個像素PX重疊。光檢測構(gòu)件300可以在寬度(w)方向中與一個像素PX或兩個或更多個像素PX重疊。當(dāng)光檢測構(gòu)件300與寬度(w)方向中的兩個或更多個像素PX重疊時，在寬度(w)方向中重疊的像素PX的數(shù)量可以少于在長度(I)方向中重疊的像素PX的數(shù)量。圖3示出光檢測構(gòu)件300的長度(I)方向?qū)?yīng)于像素PX的列方向的情況。但是，可替代地，光檢測構(gòu)件300的長度(I)方向可以對應(yīng)于像素PX的行方向。此外，光檢測構(gòu)件300的長度(I)方向可以是與像素PX的列方向和像素PX的行方向斜交的方向。
[0080]根據(jù)實(shí)施方式，相應(yīng)光檢測構(gòu)件300均勻地、廣泛地遍布在顯示區(qū)域PA之上。例如，如圖3所示，光檢測構(gòu)件300設(shè)置在顯示區(qū)域PA的四個角，即左上部分、右上部分、左下部分和右下部分附近，以及中心部分中。
[0081]根據(jù)實(shí)施方式，相對于設(shè)置在顯示區(qū)域PA的中心部分中的光檢測構(gòu)件300，設(shè)置在左上部分和右下部分中的光檢測構(gòu)件300關(guān)于彼此對稱。相對于設(shè)置在顯示區(qū)域PA的中心部分中的光檢測構(gòu)件300，設(shè)置在右上部分和左下部分中的光檢測構(gòu)件300關(guān)于彼此對稱。通過該方式，當(dāng)光檢測構(gòu)件300均勻地遍布整個顯示區(qū)域PA之上時，可以使用通過光檢測構(gòu)件300獲取的亮度信息來容易地估計總體顯示區(qū)域PA的亮度值。
[0082]可替代地，光檢測構(gòu)件300可以選擇性地設(shè)置在具有高退化可能性的像素PX區(qū)域中，并且可用于確定相應(yīng)像素PX區(qū)域中的退化度。將參考圖4和圖5進(jìn)行更詳細(xì)的描述。
[0083]圖4是根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的平面圖。
[0084]圖5是根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的后視圖。在圖4和圖5的示例性實(shí)施方式中，與之前的圖2和圖3的示例性實(shí)施方式中相同的部件使用相同的附圖標(biāo)記來指示，并且省略或簡化重復(fù)說明。
[0085]參照圖4和圖5，根據(jù)示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置501包括顯示區(qū)域PA和圍繞顯示區(qū)域PA的非顯示區(qū)域NPA。根據(jù)示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置501的顯示區(qū)域PA包括中心部分和圍繞中心部分的周邊部分。在一個方向中的中心部分的寬度可以等于或大于在寬度方向中與中心部分相鄰的周邊部分的寬度。如果在與顯示區(qū)域PA的一側(cè)平行的方向中顯示區(qū)域PA被分成三個相等部分，例如一個周邊部分、中心部分和另一周邊部分，那么中心部分的寬度和周邊部分之一的寬度彼此相等。
[0086]根據(jù)實(shí)施方式，顯示區(qū)域PA的周邊部分包括退化預(yù)期區(qū)域，例如，殘像預(yù)期區(qū)域AIR。殘像預(yù)期區(qū)域AIR是具有高退化(例如產(chǎn)生殘像)可能性的區(qū)域。
[0087]例如，從廣播系統(tǒng)接收的視頻圖像可包括位于屏幕的右上部分中的廣播者圖標(biāo)。示例性廣播者圖標(biāo)“SDC"顯示在圖4的AIR中。即使在視頻圖像變化時，廣播者圖標(biāo)也在相應(yīng)位置中保持相同圖像。因此，當(dāng)在長時間內(nèi)在相應(yīng)位置中的像素PX顯示用于相同圖像的相同亮度和顏色時，像素PX退化的可能性高，并且可能發(fā)生殘像現(xiàn)象。實(shí)際殘像發(fā)生的位置可以根據(jù)所顯示的圖像而變化。具有頻繁發(fā)生殘像的高可能性的區(qū)域可以設(shè)置為殘像預(yù)期區(qū)域 AIR ο
[0088]在示例性實(shí)施方式中，殘像預(yù)期區(qū)域AIR設(shè)置在顯示區(qū)域PA的周邊部分的邊緣處。例如，殘像預(yù)期區(qū)域AIR可以設(shè)置在顯示區(qū)域PA的右上部分中。可替代地，殘像預(yù)期區(qū)域AIR也可以設(shè)置在顯示區(qū)域PA的左上部分、左下部分和/或右下部分中。
[0089]殘像預(yù)期區(qū)域AIR可以提供為多個，并且在該情況下，多個相應(yīng)殘像預(yù)期區(qū)域可以彼此間隔開。
[0090]根據(jù)實(shí)施方式，殘像預(yù)期區(qū)域AIR包括多個像素PX。例如，殘像預(yù)期區(qū)域AIR在一個方向中延伸并且在長度(I)方向中包括兩個或更多個像素PX。殘像預(yù)期區(qū)域AIR可以在寬度(w)方向中包括一個像素PX或兩個或更多個像素PX。當(dāng)殘像預(yù)期區(qū)域AIR在寬度(w)方向中包括兩個或更多個像素PX時，在寬度(w)方向中包括的像素PX的數(shù)量可以少于在長度(I)方向中所包括的像素PX的數(shù)量。圖4和圖5示出殘像預(yù)期區(qū)域AIR的長度(I)方向?qū)?yīng)于像素PX的列方向的情況。但是，可替代地，殘像預(yù)期區(qū)域AIR的長度(I)方向可以對應(yīng)于像素PX的行方向。此外，殘像預(yù)期區(qū)域AIR的長度(I)方向可以是與像素PX的列方向和像素PX的行方向斜交的方向。
[0091]根據(jù)實(shí)施方式，光檢測構(gòu)件300與顯示區(qū)域PA重疊。光檢測構(gòu)件300設(shè)置在顯示區(qū)域PA的周邊部分中。而且，光檢測構(gòu)件300可以與殘像預(yù)期區(qū)域AIR至少部分地重疊。當(dāng)殘像預(yù)期區(qū)域AIR提供為多個時，光檢測構(gòu)件300也可以被提供為多個，并且多個光檢測構(gòu)件300可以與相應(yīng)殘像預(yù)期區(qū)域AIR至少部分地重疊。光檢測構(gòu)件300可以具有與殘像預(yù)期區(qū)域AIR的形狀類似的形狀，例如，在一個方向中延伸的形狀。
[0092]根據(jù)實(shí)施方式，與殘像預(yù)期區(qū)域AIR重疊的光檢測構(gòu)件300可以直接地接收來自殘像預(yù)期區(qū)域AIR的漏光。通過該方式確定的亮度信息可以用于確定相應(yīng)區(qū)域中的退化度。
[0093]詳細(xì)地，當(dāng)通過將數(shù)據(jù)信號施加到殘像預(yù)期區(qū)域AIR來發(fā)射光時，光檢測構(gòu)件300接收從殘像預(yù)期區(qū)域AIR泄漏的光。光檢測構(gòu)件300將相應(yīng)亮度信息提供至控制器?？刂破骺梢允褂脧墓鈾z測構(gòu)件300接收的亮度信息來估計從相應(yīng)區(qū)域?qū)嶋H發(fā)射的亮度。估計實(shí)際發(fā)射亮度值的一個方法包括從存儲器中存儲的查找表讀取估計亮度值。但是，本公開的實(shí)施方式不限于此，并且可以通過本領(lǐng)域中公知的各種方法來估計實(shí)際亮度值。此外，可以僅使用提供的亮度信息來確認(rèn)退化是否發(fā)生，而不估計實(shí)際亮度值。
[0094]根據(jù)實(shí)施方式，被提供至控制器的亮度值或估計亮度值與輸入數(shù)據(jù)信號進(jìn)行比較，并且可以確定亮度值是否是適當(dāng)?shù)牧炼戎?。如果亮度值小于?shù)據(jù)信號，則可以產(chǎn)生補(bǔ)償信號，并且如果從殘像預(yù)期區(qū)域AIR發(fā)射光，則施加通過將補(bǔ)償信號添加至數(shù)據(jù)信號而形成的校正數(shù)據(jù)信號，使得殘像預(yù)期區(qū)域AIR的亮度可以被補(bǔ)償?shù)竭m當(dāng)?shù)燃墶?br>[0095]根據(jù)實(shí)施方式，可以在有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置500上顯示圖像的情況下連續(xù)地執(zhí)行亮度值的測量和補(bǔ)償信號的生成，并且也可以周期地執(zhí)行。此外，如果預(yù)期引起殘像的圖像被接收到，則可以執(zhí)行亮度值的測量和補(bǔ)償信號的生成。可替代地，可以在打開或關(guān)閉有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置501之后立即執(zhí)行亮度值的測量和補(bǔ)償信號的生成。
[0096]在上文中，在圖2和圖3的實(shí)施方式中示出有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，但是顯然該有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置可以由圖4和圖5的實(shí)施例替代。
[0097]參照圖6，描述在圖2中示出的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置500的截面結(jié)構(gòu)。圖6是根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的示意剖視圖。
[0098]參照圖6，第一襯底100和第二襯底200彼此相對，并且有機(jī)發(fā)光裝置OLED設(shè)置在第一襯底100和第二襯底200之間的顯示區(qū)域PA中。第一襯底100可以是薄膜晶體管襯底，并且第二襯底200可以是密封襯底。有機(jī)發(fā)光裝置OLED被分開且被設(shè)置在相應(yīng)像素中。在非顯示區(qū)域NPA中，密封材料250插置于第一襯底100和第二襯底200之間。密封材料250可以耦接第一襯底100和第二襯底200，同時保護(hù)內(nèi)部的有機(jī)發(fā)光裝置0LED。光檢測構(gòu)件300可以附接于第一襯底100的后表面。
[0099]可替代地，與圖6中示出的示例性實(shí)施方式不同，可以使用由絕緣材料形成的密封層，而代替第二襯底200。在該情況下，可以省略密封材料250，并且密封層可以直接地形成在第一襯底100上且耦接至第一襯底100。
[0100]以下，將更詳細(xì)地解釋有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置500的像素結(jié)構(gòu)。
[0101]圖7是根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)的剖視圖。
[0102]參照圖7，有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置500包括第一襯底100、設(shè)置在第一襯底100上的有機(jī)發(fā)光裝置、和設(shè)置在有機(jī)發(fā)光裝置之上的第二襯底200。有機(jī)發(fā)光裝置包括第一電極110、與第一電極110相對的第二電極120、以及插置于第一電極110和第二電極120之間的有機(jī)發(fā)光層130。第一電荷轉(zhuǎn)移區(qū)域140設(shè)置在第一電極110和有機(jī)發(fā)光層130之間。此外，第二電荷轉(zhuǎn)移區(qū)域150設(shè)置在有機(jī)發(fā)光層130和第二電極120之間。
[0103]其間插置有機(jī)發(fā)光層130的、相對的第一電極110和第二電極120中的一個可以是陽電極，而另一個可以是陰電極。此外，第一電荷轉(zhuǎn)移區(qū)域140和第二電荷轉(zhuǎn)移區(qū)域150中的一個可以轉(zhuǎn)移空穴，而另一個可以轉(zhuǎn)移電子。
[0104]圖7的示例性實(shí)施方式示出第一電極110是陽電極且第二電極120是陰電極的情況。因此，與陽電極相鄰的第一電荷轉(zhuǎn)移區(qū)域140是空穴轉(zhuǎn)移區(qū)域，以及與陰電極相鄰的第二電荷轉(zhuǎn)移區(qū)域150是電子轉(zhuǎn)移區(qū)域。
[0105]根據(jù)實(shí)施方式，第一襯底100包括絕緣襯底。絕緣襯底可以由諸如玻璃、石英、聚合物樹脂等的材料形成。聚合物樹脂的實(shí)施例包括:聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PA)、多芳基化合物(PAR)、聚醚酰亞胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙基化物、聚酰亞胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三醋酸纖維素(CAT或TAC)、醋酸丙酸纖維素(CAP)或它們的組合。在某些示例性實(shí)施方式中，絕緣襯底是由諸如聚酰亞胺(PI)的柔性材料形成的柔性襯底。
[0106]此外，根據(jù)實(shí)施方式，第一襯底100包括在絕緣襯底上設(shè)置的其他結(jié)構(gòu)。其他結(jié)構(gòu)的實(shí)施例包括用于驅(qū)動有機(jī)發(fā)光裝置、電極、絕緣層等的布線。在某些示例性實(shí)施方式中，第一襯底100包括在絕緣襯底上設(shè)置的多個薄膜晶體管。多個薄膜晶體管的漏電極與第一電極110電連接。薄膜晶體管包括由非晶硅、多晶硅、單晶硅等形成的有源區(qū)域。在另一示例性實(shí)施方式中，薄膜晶體管包括由氧化物半導(dǎo)體形成的有源區(qū)域。
[0107]根據(jù)實(shí)施方式，第一電極110設(shè)置在第一襯底100上。第一電極110設(shè)置在有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置500的每個像素中。與第二電極120相比，第一電極110包含具有相對高的功函數(shù)的導(dǎo)電材料。例如，第一電極110可以包括銦錫氧化物(I TO )、銦鋅氧化物(I ZO )、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)等。除導(dǎo)電材料之外，第一電極110還可以包含反射材料，諸如銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)或它們的組合。因此，第一電極110可以具有由導(dǎo)電材料和反射材料形成的單層結(jié)構(gòu)或者其中導(dǎo)電材料和反射材料堆疊的多層結(jié)構(gòu)。在多層結(jié)構(gòu)的情況下，與第一電荷轉(zhuǎn)移區(qū)域140相鄰的頂層可以由具有高功函數(shù)的導(dǎo)電材料形成。例如，第一電極110可以具有ITO/Mg、ITO/MgF、IT0/Ag、或IT0/Ag/IT0的多層結(jié)構(gòu)，但是不限于此。
[0108]根據(jù)實(shí)施方式，像素限定層160設(shè)置在第一襯底100上。像素限定層160沿像素的邊界布置成晶格形式，并且將相應(yīng)像素物理地分開。像素限定層160可以至少部分地暴露第一電極110。例如，像素限定層160可以設(shè)置成與第一電極110的邊緣部分重疊。像素限定層160限定像素劃分，以及有機(jī)發(fā)光層130設(shè)置在由像素限定層160限定的每個空間中。此外，間隔部可以設(shè)置在像素限定層160上。在該情況下，間隔部的端部可以與第二襯底200相鄰或者可以接觸第二襯底200。
[0109]根據(jù)實(shí)施方式，第一電荷轉(zhuǎn)移區(qū)域140設(shè)置在第一電極110上。第一電荷轉(zhuǎn)移區(qū)域140可以具有由單一材料形成的單層結(jié)構(gòu)，可以由多種不同材料形成，或者可以具有包括由多種不同材料形成的多個層的多層結(jié)構(gòu)。此外，第一電荷轉(zhuǎn)移區(qū)域140還可以包括緩沖層和第一電荷阻擋層。雖然圖7示出第一電荷轉(zhuǎn)移區(qū)域140包括第一電荷注入層141和第一電荷運(yùn)送層142的情況，但是第一電荷注入層141和第一電荷運(yùn)送層142中的一個可以被省略或者這些層可被配置為單層。
[0110]根據(jù)實(shí)施方式，第一電荷注入層141設(shè)置在第一電極110上，并且增加將空穴從第一電極110注入有機(jī)發(fā)光層130中的效率。具體地，第一電荷注入層141降低能量位皇以允許更有效地注入空穴。
[0111]根據(jù)實(shí)施方式，第一電荷注入層141包含諸如銅酞菁(CuPc)的酞菁化合物、m-MTDATA(4,4'，4”_三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺)、TDATA(4，4’，4”_三(二苯基氨基)三苯胺)、2_TNATA(4，4’，4”_三[N_2_萘基(苯基)-氨基]-三苯基-胺)、Pani/DBSA(聚苯胺/十二烷基苯磺酸)、PEDOT/PSS(聚(3，4-乙烯二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸酯)、?六1?/^5六(聚苯胺/樟腦磺酸)、或者PANI/PSS(聚苯胺/聚磺苯乙烯)。
[0112]根據(jù)實(shí)施方式，第一電荷運(yùn)送層142設(shè)置在第一電荷注入層141上，并且將注入到第一電荷注入層141中的空穴傳送至有機(jī)發(fā)光層130。當(dāng)?shù)谝浑姾蛇\(yùn)送層142的最高占據(jù)分子軌道(HOMO)的能級大體小于第一電極110的材料的功函數(shù)并且大體高于有機(jī)發(fā)光層130的最高占據(jù)分子軌道(HOMO)的能級時，空穴轉(zhuǎn)移效率可以優(yōu)化。第一電荷運(yùn)送層142例如可以包含:NPD(4，4’_雙[N-(l-萘基)-N-苯基-氨基]二苯基)、TPD(N，N’_二苯基-N，N’_雙[3-甲基苯基]聯(lián)苯-4，4’_二胺)、s-TAD(2，2’，7，7’-四-(叱1二苯基氨基)_9，9’-螺二芴)、m-MTDATA(4，4 ’，4” -三(N_3_甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺)等，但是不限于此。
[0113]根據(jù)實(shí)施方式，除了上述提到的材料之外，第一電荷轉(zhuǎn)移區(qū)域140還包括電荷產(chǎn)生材料以改進(jìn)導(dǎo)電性。電荷產(chǎn)生材料可以均勻地或非均勻地分散在第一電荷轉(zhuǎn)移區(qū)域140內(nèi)。電荷產(chǎn)生材料例如可以是P-摻雜劑。P-摻雜劑可以是醌衍生物、金屬氧化物、或具有氰基的化合物中的一種，但是不限于此。P-摻雜劑的非限制性實(shí)施例包括諸如四氰基苯醌二甲烷(TCNQ)和2，3，5,6-四氟-四氰基-1,4-苯醌二甲烷(F4-TCNQ)的醌衍生物;諸如氧化鎢和氧化鉬的金屬氧化物等。
[0114]此外，根據(jù)實(shí)施方式，第一電荷轉(zhuǎn)移區(qū)域140包括緩沖層和第一電荷阻擋層中的至少一個。緩沖層補(bǔ)償作為從有機(jī)發(fā)光層130發(fā)射的光的波長函數(shù)的光的諧振距離，因此可以增加光發(fā)射效率。緩沖層可以包括與第一電荷轉(zhuǎn)移區(qū)域140中所包括的材料相同的材料。第一電荷阻擋層可以阻止電荷從第二電荷轉(zhuǎn)移區(qū)域150注入到第一電荷轉(zhuǎn)移區(qū)域140中。
[0115]根據(jù)實(shí)施方式，有機(jī)發(fā)光層130設(shè)置在第一電荷轉(zhuǎn)移區(qū)域140上。有機(jī)發(fā)光層130的材料沒有特別限定，只要其是發(fā)光材料即可，并且有機(jī)發(fā)光層130例如可以由發(fā)射紅光、綠光和藍(lán)光的材料形成。有機(jī)發(fā)光層130可以包含焚光物質(zhì)或磷光物質(zhì)。
[0116]在示例性實(shí)施方式中，有機(jī)發(fā)光層130包括主體和摻雜劑。
[0117]主體的實(shí)施例包括:4193(三-(8-羥基喹啉)鋁(111))丄8?(4，4’-^-二咔唑-聯(lián)苯)、PVK(聚(N-乙烯基咔唑))、ADN(9，10-雙(2-萘基)蒽)、TCTA(4，4’，4”_三(N咔唑)三苯胺)、了?8丨(1，3，5-三0-苯基苯并咪唑-2-基)苯)、了8八0~(2-(叔丁基)-9，10-雙(20-萘基)蒽)、DSA(二苯乙烯基亞芳基)、CDBP(4，4’_雙(9-咔唑基)-2，2’_二甲基-聯(lián)苯)、MADN(2-甲基-9,10-雙(蔡-2-基)蒽)等。
[0118]作為摻雜劑，可以使用本領(lǐng)域公知的熒光摻雜劑和磷光摻雜劑。摻雜劑的類型可以根據(jù)有機(jī)發(fā)光層130的發(fā)光顏色而變化。
[0119]紅色摻雜劑可以是熒光物質(zhì)，包括例如:PBD(Eu(DBM)3(Phen)(2-聯(lián)苯-4-基-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4_噁二唑(三(二苯甲酰甲烷)單(I，10-鄰二氮菲)銪(111))或二萘嵌苯?？商娲?，紅色摻雜劑可選自包括以下的磷光物質(zhì):金屬絡(luò)合物，例如PIQIHacac)(雙(1-苯基異喹啉)乙酰丙酮銥)、PQIr(acac)(雙(1-苯基喹啉)乙酰丙酮銥)、PQIr (三(1-苯基喹啉)銥)和PtOEP(八乙基卟啉鉑)、或有機(jī)金屬絡(luò)合物。
[0120]綠色摻雜劑可以是例如包括Alq3(三-(8-羥基喹啉)鋁(III))的熒光物質(zhì)?？商娲兀G色摻雜劑可以為磷光物質(zhì)，例如，11(??7)3(面式三(2-苯基吡啶)銥)、&(??7)2(acac)(雙(2-苯基吡啶)(乙酰丙酮)銥(III))、Ir(mpyp)3(2-苯基-4-甲基-吡啶銥)等。
[0121]藍(lán)色摻雜劑可以是熒光物質(zhì)，包括螺-DPVBi(螺-4’，-雙(2，2’_二苯基乙烯基)_1，Γ-聯(lián)苯)、螺-6P(螺-六苯基)、DSB(二苯乙烯基苯)、DSA(二苯乙烯基亞芳基)、PFO(聚芴)基聚合物和PPV(聚P-苯撐乙烯)基聚合物?？商娲?，藍(lán)色摻雜劑可以是磷光物質(zhì)，例如，F(xiàn)2Irpic(雙(4，6_二氟苯基)吡啶-N，C2’)銥吡啶甲酸酯)、(F2ppy)2Ir(tmd)(雙[2(4，6_二氟苯基)吡啶州，02’)銥2，2，6，6-四甲基庚烷-3，5-二酮)、1^(^??2)3(三[1-(4，6-二氟苯基)P比挫特-N，C2’]銥)等。
[0122]根據(jù)實(shí)施方式，第二電荷轉(zhuǎn)移區(qū)域150設(shè)置在有機(jī)發(fā)光層130上。第二電荷轉(zhuǎn)移區(qū)域150可以具有由單一材料形成的或由多種不同材料形成的單層結(jié)構(gòu)，或者可以具有包括由多種不同材料形成的多個層的多層結(jié)構(gòu)。另外，第二電荷轉(zhuǎn)移區(qū)域150還可以包括第二電荷阻擋層。雖然圖7示出第二電荷轉(zhuǎn)移區(qū)域150包括第二電荷注入層151和第二電荷運(yùn)送層152的情況，但是第二電荷注入層151和第二電荷運(yùn)送層152中的一個可以被省略或者這些層可配置為單層。
[0123]根據(jù)實(shí)施方式，第二電荷運(yùn)送層152設(shè)置在有機(jī)發(fā)光層130上，并且運(yùn)送從第二電荷注入層151注入到有機(jī)發(fā)光層130中的空穴。
[0124]第二電荷運(yùn)送層152可以包括Alq3(三-(8-羥基喹啉)鋁(III))、ITBi(l，3，5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯)、BCP(2，9-二甲基-4，7-二苯基-l，10-鄰二氮菲)、Bphen(4，7-二苯基-l，10-鄰二氮菲)、TAZ(3-(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-l，2，4-三唑)、NTAZ (4-(萘-1 -基)-3，5-二苯基-4H-1,2,4-三唑)、tBu-PK) (2~( 4-聯(lián)苯基)-5-( 4-叔丁基-苯基)-1，3，4_噁二唑)、BAlq(雙(2-甲基-8-羥基喹啉-NI ,08)-( I，1’_聯(lián)苯-4-羥基)鋁)、Bebq2(雙(10-羥基苯并[h]羥基喹啉)鈹)、ADN(9，10_ 二 (2-萘基)蒽)和它們的組合，但是不限于此。
[0125]根據(jù)實(shí)施方式，第二電荷注入層151設(shè)置在第二電荷運(yùn)送層152上，并且可增加電子從第二電極120注入到有機(jī)發(fā)光層130中的效率。
[0126]第二電荷注入層151可以是諸如1^?、1^0(喹啉鋰)、1^20、8&0、恥(:1工8?或￥13的鑭金屬，諸如RbCl或RbI的金屬鹵化物等，但是不限于此。第二電荷注入層151還可以由所述材料和絕緣有機(jī)金屬鹽的混合物形成。有機(jī)金屬鹽應(yīng)該具有約4eV或更大的能帶間隙。具體地，有機(jī)金屬鹽可以包含:例如金屬醋酸鹽、金屬苯甲酸鹽、金屬乙酰乙酸鹽、金屬乙酰丙酮化物或金屬硬脂酸鹽。
[0127]此外，根據(jù)實(shí)施方式，第二電荷轉(zhuǎn)移區(qū)域150包括第二電荷阻擋層。第二電荷阻擋層可以包括:例如BCP(2，9-二甲基-4,7-二苯基-1，10-鄰二氮菲)和8?1^11(4，7-二苯基-1，10-鄰二氮菲)的至少一個，但是不限于此。
[0128]根據(jù)實(shí)施方式，第二電極120設(shè)置在第二電荷轉(zhuǎn)移區(qū)域150上。第二電極120是以使得像素不分開的方式而形成的頂部電極或公共電極。與第一電極110相比，第二電極120包含具有相對低的功函數(shù)的導(dǎo)電材料。
[0129]例如，第二電極120可以包含1^工3、1^卩/^3、1^卩/^1、厶1、]\^^8、？伙？(1、祖^11、制、Ir、Cr、BaF、Ba或其化合物或混合物，例如Ag和Mg的混合物等。根據(jù)實(shí)施方式，第二電極120被提供為薄膜，并且在第二電極120上堆疊有諸如銦錫氧化物(ΙΤ0)、銦鋅氧化物(ΙΖ0)、氧化鋅(ZnO)、銦錫鋅氧化物等的透明金屬氧化物。
[0130]根據(jù)實(shí)施方式，第二襯底200設(shè)置在第二電極120上。第二襯底200包括絕緣襯底。第二襯底200可以由與第一襯底100相同的材料形成。在某些示例性實(shí)施方式中，黑色矩陣、顏色過濾器等設(shè)置在第二襯底200上。
[0131]根據(jù)實(shí)施方式，在第一襯底100和第二襯底200上形成的有機(jī)發(fā)光裝置彼此間隔開。介于第二襯底200和第二電極120之間的空間SPC可以是空的，或者可以通過由有機(jī)材料等形成的填充劑填充。
[0132]當(dāng)?shù)谝浑妷菏┘佑诘谝浑姌O110并且小于第一電壓的第二電壓被施加于第二電極120時，電流在從第一電極110到第二電極120的方向中流動，由此有機(jī)發(fā)光層130發(fā)光。具體地，空穴從第一電極110被注入到第一電荷注入層141中，并且經(jīng)由第一電荷運(yùn)送層142被運(yùn)送到有機(jī)發(fā)光層130。此外，電子從第二電極120注入到第二電荷注入層151中，并且經(jīng)由第二電荷運(yùn)送層152被運(yùn)送到有機(jī)發(fā)光層130。當(dāng)在有機(jī)發(fā)光層130中空穴和電子相遇以彼此結(jié)合時，有機(jī)發(fā)光層130的發(fā)光材料被通過結(jié)合產(chǎn)生的能量激活。當(dāng)發(fā)光材料從激發(fā)態(tài)回到基態(tài)時，光被發(fā)射。發(fā)光量可以根據(jù)流經(jīng)有機(jī)發(fā)光層130的電流量而變化。
[0133]此外，從有機(jī)發(fā)光層130發(fā)射的光的傳播方向被隨機(jī)地分布。根本上，光可以朝向第一襯底100朝后發(fā)射，朝向第二襯底200朝前發(fā)射，側(cè)向發(fā)射等。
[0134]朝后引導(dǎo)的光(為底部發(fā)射型)可以從第一電極110被反射并且朝前傳播。在某些情況下，光的一部分可以穿過第一電極110并且可以進(jìn)入第一襯底100。
[0135]朝前引導(dǎo)的光(為頂部發(fā)射型)可以穿過第二電極120。第二電極120的導(dǎo)電材料具有低功函數(shù)，并且自身可以不傳輸光，但是如果導(dǎo)電材料是薄膜，則充分的入射光可以穿過導(dǎo)電材料。光的不穿過第二電極120的一部分被反射。
[0136]光的另一部分側(cè)向傳播通過像素限定層160。光的另一部分從像素限定層160被反射以被朝前引導(dǎo)，并且可以穿過第二電極120，如上所述。光的另一部分從像素限定層160被反射以被朝后引導(dǎo)，并且光的另一部分被折射到像素限定層160中。
[0137]從像素限定層160在向后方向中被反射的一部分光或者進(jìn)入像素限定層160內(nèi)部的光可以通過像素限定層160的其上沒有形成第一電極110的下部分而發(fā)射到第一襯底100。通過該方式發(fā)射至第一襯底100的光是不用于顯示圖像的泄漏光。該泄漏光可以進(jìn)入設(shè)置在第一襯底100的后表面上的光檢測構(gòu)件300，并且可用于確定光發(fā)射亮度或像素退化的程度。
[0138]此外，在從像素限定層160的朝后方向中反射的其他部分的光或者進(jìn)入像素限定層160內(nèi)部的光可以沿有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置500的側(cè)表面連續(xù)地傳播。該光可以從頂部電極和底部電極、布線等反射，并且可以側(cè)向傳播相當(dāng)大的距離。但是，與底部發(fā)射型裝置相比，對于頂部發(fā)射型有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置500，其沿側(cè)表面的傳播距離可能更小。對于底部發(fā)射型，因?yàn)榉瓷潆姌O可以設(shè)置在裝置的前面，并且因?yàn)榧词沟谝浑姌O是透明電極、其他布線也可以設(shè)置在朝后方向，所以因反射而導(dǎo)致的側(cè)向傳播距離可以相當(dāng)大。另一方面，對于頂部發(fā)射型，因?yàn)槲挥谇安恐械牡诙姌O120是透明電極，所以被反射的光量減小，并且因此通過側(cè)表面?zhèn)鬏數(shù)墓饬繙p小。因此，對于底部發(fā)射型，大量的光被傳輸?shù)接袡C(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的非顯示區(qū)域，但是對于頂部發(fā)射型，被傳輸?shù)接袡C(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的非顯示區(qū)域的光量是微不足道的。因?yàn)樵搮^(qū)別，光檢測構(gòu)件300的適當(dāng)配置在頂部發(fā)光裝置和底部發(fā)光裝置之間是不同的。如在示例性實(shí)施方式中，當(dāng)光檢測構(gòu)件300設(shè)置在顯示區(qū)域PA內(nèi)時，因?yàn)楣鈾z測構(gòu)件300可以直接地接收泄漏光，所以即使在頂部發(fā)光裝置中也能夠啟動有效的光檢測，而不會損失泄漏光。
[0139]以下，更詳細(xì)地描述光檢測構(gòu)件。
[0140]圖8是根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的光檢測構(gòu)件的平面圖。圖9是根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的光檢測構(gòu)件的剖視圖。
[0141]參照圖8和圖9，光檢測構(gòu)件300包括光傳感器310和光收集構(gòu)件320。
[0142]根據(jù)實(shí)施方式，光傳感器310設(shè)置在光收集構(gòu)件320的一側(cè)處。光傳感器310接收通過光收集構(gòu)件320收集的泄漏光L2，并且測量泄露光L2的亮度。光傳感器310可以包括光電二極管、光電晶體管等，但是不限于此。本領(lǐng)域中公知的各種裝置可以用作檢測光的傳感器。
[0143]根據(jù)實(shí)施方式，光收集構(gòu)件320包括光收集體321。光收集體321包括光輸入表面LSl和光輸出表面LS2。光輸入表面LSl和光輸出表面LS2相對于彼此設(shè)置成預(yù)定角度，例如直角。如果光收集構(gòu)件320具有矩形形狀，則光輸入表面LSl是光收集體321的頂表面并且光輸出表面LS2是光收集體321的側(cè)表面。
[0144]根據(jù)實(shí)施方式，光收集構(gòu)件320還包括反射構(gòu)件323。反射構(gòu)件323設(shè)置在除了光收集體321的光輸入表面LSl和光輸出表面LS2之外的表面上。反射構(gòu)件323可以被涂覆為反射層，可以被附接成反射片的形式，或者可以提供成反射粘合帶的形式?？梢允÷苑瓷錁?gòu)件323。
[0145]根據(jù)實(shí)施方式，光收集體321的內(nèi)部可以是空的或者可以使用其他材料填充。例如，光收集體321的內(nèi)部可以是真空或可以使用空氣或其他氣體填充。
[0146]根據(jù)實(shí)施方式，諸如折射圖案或反射圖案的光調(diào)制結(jié)構(gòu)322設(shè)置在光收集體321中。例如，棱鏡圖案可以設(shè)置在光收集體321中作為光調(diào)制結(jié)構(gòu)322。棱鏡圖案的傾斜表面相對于光收集體321的光輸入表面LSl傾斜。傾斜角例如可以是45°，但是本公開的實(shí)施方式不限于此。棱鏡圖案可以由與光收集體321相同的材料形成，或者由不同的材料形成。棱鏡圖案可以由透明材料形成。
[0147]根據(jù)實(shí)施方式，除了光調(diào)制結(jié)構(gòu)322之外，光收集體321的內(nèi)部具有與光收集體321和光調(diào)制結(jié)構(gòu)322的折射率不同的折射率。例如，除了光調(diào)制結(jié)構(gòu)322之外，光收集體321的內(nèi)部可以是具有小于光收集體321本身和光調(diào)制結(jié)構(gòu)322的折射率的低折射介質(zhì)。
[0148]因?yàn)楣庹{(diào)制結(jié)構(gòu)322的至少一個表面接觸低折射介質(zhì)，根據(jù)Snell定律在表面上發(fā)生光透射、反射或折射。當(dāng)光調(diào)制結(jié)構(gòu)322的棱鏡圖案的傾斜表面被調(diào)節(jié)以將垂直入射到其上的光全部反射時，入射到光收集體321的入射表面上的泄漏光L2從棱鏡圖案的傾斜表面全部反射，使得光傳播路徑變化為相對于泄漏光L2的入射方向大體垂直的方向。因此，光可以被傳輸?shù)教幱诠馐占瘶?gòu)件320的一側(cè)上的光傳感器310。
[0149]根據(jù)實(shí)施方式，光調(diào)制結(jié)構(gòu)322的棱鏡圖案沿著與其對應(yīng)的每列或每排像素以一一對應(yīng)的方式設(shè)置。通過將光調(diào)制結(jié)構(gòu)322的棱鏡圖案設(shè)置成這種圖案，從相應(yīng)像素泄漏的光可以被傳輸?shù)焦鈧鞲衅?10。
[0150]此外，根據(jù)實(shí)施方式，從一個光調(diào)制結(jié)構(gòu)322全部反射的光可以被入射到相鄰的光調(diào)制結(jié)構(gòu)322上。此后，當(dāng)光傳播路徑因?yàn)镾nel I定律而改變時，光可以進(jìn)入光收集體321的底表面，并且如果反射構(gòu)件323設(shè)置在光收集體321的底表面上，光可以從反射構(gòu)件323反射到光傳感器310。[0151 ]根據(jù)本公開的修改實(shí)施方式，光收集體321的內(nèi)部被填充與形成光收集體321的材料相同的材料。在該情況下，光收集體321內(nèi)部的光調(diào)制結(jié)構(gòu)322的折射率可以被調(diào)節(jié)，以實(shí)現(xiàn)與上述那些類似的光收集效果。
[0152]圖10是根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的光檢測構(gòu)件的剖視圖。
[0153]參照圖10，根據(jù)示例性實(shí)施方式的光檢測構(gòu)件301與圖9的實(shí)施方式的區(qū)別在于，光收集構(gòu)件320_1的光調(diào)制結(jié)構(gòu)322j具有單個連續(xù)傾斜表面，而與像素劃分無關(guān)。傾斜表面可以反射或全部反射垂直入射的光L2。傾斜角(Θ)可以是銳角。理論上，當(dāng)傾斜角(Θ)是45°時，垂直入射的泄漏光L2的傳播方向改變成水平方向，使得光被傳輸?shù)焦鈧鞲衅?10。但是，本公開的實(shí)施方式不限于此，并且對于其他傾斜角(Θ)，被傳輸?shù)焦鈧鞲衅?10的光量可以通過水平地傾斜光L2的傳播方向而增加。而且，即使反射光L2被再次引導(dǎo)朝向光收集體321的光輸入表面LSl，由于相對于光輸入表面LSl的法線的入射角已經(jīng)增加，所以全部反射的可能性增加。因此，可以朝向光傳感器310引導(dǎo)泄漏光L2。
[0154]此外，根據(jù)實(shí)施方式，當(dāng)從遠(yuǎn)離光傳感器310設(shè)置的像素反射的光傳播到光傳感器310時，光沒有再次通過光調(diào)制結(jié)構(gòu)322_1。因此，與圖9的實(shí)施方式不同，沒有必要形成透明材料的光調(diào)制結(jié)構(gòu)。而且，反射構(gòu)件可以設(shè)置在傾斜表面上。
[0155]圖11是根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的光檢測構(gòu)件的剖視圖。
[0156]參照圖11，根據(jù)示例性實(shí)施方式的光檢測構(gòu)件302與圖10的實(shí)施方式在光收集構(gòu)件320_2的光調(diào)制結(jié)構(gòu)322_2與像素劃分無關(guān)地具有單個連續(xù)傾斜表面這一點(diǎn)上大體相同，但是與圖10的實(shí)施方式不同的是，隨著到光傳感器310的距離的減少，傾斜表面的傾斜角減小。根據(jù)實(shí)施方式，光調(diào)制結(jié)構(gòu)322_2的傾斜表面是凹的曲線表面。
[0157]圖12是根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的光檢測構(gòu)件的剖視圖。
[0158]參照圖12，根據(jù)示例性實(shí)施方式的光檢測構(gòu)件303與圖10的實(shí)施方式在光收集構(gòu)件320_3的光調(diào)制結(jié)構(gòu)322_3具有單個連續(xù)傾斜表面這一點(diǎn)上大體相同，但是與圖10的實(shí)施方式不同的是，傾斜表面包括交替地設(shè)置的具有不同傾斜角的第一表面322_3a和第二表面322_3bo
[0159]根據(jù)實(shí)施方式，第一表面322_3a的傾斜角被優(yōu)化成將垂直入射的泄漏光L2的傳播方向改變?yōu)樗椒较颉＠?，第一表?22_3a的傾斜角是45°。
[0160]第二表面322_3b的傾斜角可以設(shè)置在不阻擋光L2從相鄰的第一表面322_3a水平傳播的范圍內(nèi)。例如，第二表面322_3b的傾斜角可以在約0°至約10°的范圍內(nèi)。如果第二表面322_3b的傾斜角是0°，第二表面322_3b在嚴(yán)格意義上是水平面。
[0161]根據(jù)實(shí)施方式，第一表面322_3a和第二表面322_3b的重復(fù)單元的寬度與對應(yīng)于該重復(fù)單元的像素的節(jié)距相同。第二表面322_3b可以與有機(jī)發(fā)光裝置的第一電極110重疊，并且第一表面322_3a可以與像素限定層160重疊。但是，本公開的實(shí)施方式不限于此。第二表面322_3b和第一表面322_3a的相對位置可以相反，或者可以分別與第一電極110和像素限定層160部分地重疊。
[0162]圖10的實(shí)施方式示出:當(dāng)傾斜表面的傾斜角接近45°時，光被有效地收集。但是，當(dāng)傾斜表面的傾斜角接近45°時，光調(diào)制結(jié)構(gòu)的厚度接近于光調(diào)制結(jié)構(gòu)的長度。但是，根據(jù)圖12的實(shí)施方式，如果第一表面322_3a具有45°或接近45°的傾斜角并且被設(shè)置在接收大量泄漏光L2的區(qū)域中，而第二表面322_3b具有0°或接近0°的傾斜角并且被設(shè)置在不接收泄漏光L2的區(qū)域中，那么光檢測構(gòu)件303可以有效地收集光并且光調(diào)制結(jié)構(gòu)322_3的厚度可以減小。
[0163]圖13是根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的光檢測構(gòu)件的剖視圖。
[0164]參照圖13，根據(jù)示例性實(shí)施方式的光檢測構(gòu)件304與圖9的實(shí)施方式的不同在于，存在具有使用光散射構(gòu)件的光調(diào)制結(jié)構(gòu)322_4的光收集構(gòu)件320_4。光散射構(gòu)件散射垂直入射光L2，從而改變光傳播路徑。改變后的光L2的傳播路徑可以直接引導(dǎo)至光傳感器310，或者可以從光收集體321的內(nèi)部反射或全部反射以由此傳播到光傳感器310。
[0165]根據(jù)實(shí)施方式，光散射構(gòu)件包括光散射顆粒。光散射顆粒可以是有機(jī)珠?；驘o機(jī)珠粒。光散射顆粒由具有與光收集體321的內(nèi)部部分的折射率不同的折射率的材料形成。光散射構(gòu)件設(shè)置為與光收集體321的后部相鄰。
[0166]圖14是根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的光檢測構(gòu)件的剖視圖。
[0167]參照圖14，根據(jù)示例性實(shí)施方式的光檢測構(gòu)件305與圖9的實(shí)施方式的不同在于，光傳感器310設(shè)置在光收集構(gòu)件320_5的后方。也就是說，例如，光收集構(gòu)件320_5和光傳感器310順序地設(shè)置在第一襯底100的后表面上。光傳感器310可以設(shè)置在與光收集構(gòu)件320_5的一側(cè)相鄰的后表面上。
[0168]根據(jù)實(shí)施方式，在光收集體321的內(nèi)部存在光調(diào)制結(jié)構(gòu)322_5，光調(diào)制結(jié)構(gòu)322_5包括第一光路徑改變結(jié)構(gòu)322_5a和第二光路徑改變結(jié)構(gòu)322_5b，第一光路徑改變結(jié)構(gòu)322_5a例如是圖9的棱鏡圖案并且將光路徑改變至水平方向，第二光路徑改變結(jié)構(gòu)322_5b將光路徑改變至垂直方向。第一光路徑改變結(jié)構(gòu)322_5a朝著光收集體321的一側(cè)反射泄漏光L2，如在圖9的實(shí)施方式中那樣。第二光路徑改變結(jié)構(gòu)322_5b設(shè)置在光收集體321的內(nèi)部中，并且朝著光收集體321的底表面來改變反射光L2的傳播方向。光L2的傳播方向被改變以引導(dǎo)至光收集構(gòu)件320_5后方的光傳感器310，光傳感器310可以測量亮度。
[0169]在示例性實(shí)施方式中，光收集體321的光輸入表面LSl是頂表面，并且光收集體321的光輸出表面LS2是底表面的一部分。因此，如果光收集構(gòu)件320_5還包括反射構(gòu)件323_1，反射構(gòu)件323_1可以設(shè)置在光收集體321的所有側(cè)表面以及底表面中除了光輸出表面LS2的那些部分上。
[0170]圖15是根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的光檢測構(gòu)件的剖視圖。
[0171]參照圖15，根據(jù)示例性實(shí)施方式的光檢測構(gòu)件306與圖9的實(shí)施方式的不同在于，在光收集體321的內(nèi)部存在光調(diào)制結(jié)構(gòu)322_6，光調(diào)制結(jié)構(gòu)322_6還包括光路徑改變結(jié)構(gòu)322_6a和光聚集結(jié)構(gòu)322_6b，光路徑改變結(jié)構(gòu)322_6a諸如是圖9的棱鏡圖案并且將光路徑改變至水平方向。如同圖9的實(shí)施方式，光路徑改變結(jié)構(gòu)322_6a朝著光收集體321的一側(cè)反射泄漏光L2。光聚集結(jié)構(gòu)322_6b設(shè)置在光傳感器310和光路徑改變結(jié)構(gòu)322_6a之間。光聚集結(jié)構(gòu)322_6b可以將從光路徑改變結(jié)構(gòu)322_6a接收的光L2朝向一點(diǎn)聚集，由此將光提供給光傳感器310。通過該方式，聚集光改進(jìn)了光收集并且減小了光傳感器310的有源區(qū)域的面積。
[0172]光聚集結(jié)構(gòu)322_6b可以是微透鏡、柱狀透鏡、凹透鏡、凸透鏡等。
[0173]圖16是根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的光檢測構(gòu)件的剖視圖。
[0174]根據(jù)圖16的實(shí)施方式，光檢測構(gòu)件307的光傳感器311具有兩個或更多個光接收表面。
[0175]參照圖16，光檢測構(gòu)件307的光收集構(gòu)件320通過諸如圖4的殘像預(yù)期區(qū)域AIR的檢測對象重疊。此外，光傳感器311設(shè)置成與光收集構(gòu)件320的一側(cè)相鄰，并且通過比較區(qū)域NIR(正常圖像區(qū)域)被重疊。
[0176]根據(jù)實(shí)施方式，通過與圖4的實(shí)施方式相同的方式，由光收集構(gòu)件320將從殘像預(yù)期區(qū)域AIR接收的泄漏光L21傳輸?shù)焦鈧鞲衅?11。但是，從比較區(qū)域NIR接收的泄漏光L22不經(jīng)過光收集構(gòu)件320，并且被直接提供給光傳感器311。光傳感器311具有兩個或更多個光接收表面，并且因此可以檢測兩種類型的泄漏光L21和L22。
[0177]根據(jù)實(shí)施方式，比較區(qū)域NIR包括用于確定殘像預(yù)期區(qū)域AIR中的退化程度的參考像素。當(dāng)從參考像素和殘像預(yù)期區(qū)域AIR中的像素順序地發(fā)射光時，可以更準(zhǔn)確地比較和分析退化程度。
[0178]例如，首先，數(shù)據(jù)信號施加于比較區(qū)域NIR的參考像素，并且光被發(fā)射和被檢測。然后，數(shù)據(jù)信號施加于殘像預(yù)期區(qū)域AIR中的像素，并且光被發(fā)射和被檢測。此后，對在比較區(qū)域NIR和殘像預(yù)期區(qū)域AIR中檢測到的相對光強(qiáng)進(jìn)行比較，以分析殘像預(yù)期區(qū)域AIR的退化程度，從而產(chǎn)生補(bǔ)償信號。
[0179]圖17是根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的后視圖。
[0180]參照圖17，根據(jù)示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置502與圖3的實(shí)施方式的不同在于，存在多個設(shè)置成覆蓋顯示區(qū)域PA整體的光檢測構(gòu)件308。
[0181 ]根據(jù)實(shí)施方式，光檢測構(gòu)件308的相鄰光收集構(gòu)件320_8彼此沒有間隔開。光傳感器310設(shè)置在光收集構(gòu)件320_8的一側(cè)中。光傳感器310設(shè)置在非顯示區(qū)域NPA中。而且，光傳感器310從第一襯底100的一側(cè)向外突出。
[0182]在實(shí)施方式中，光收集構(gòu)件320_8設(shè)置在第一襯底100的整個顯示區(qū)域PA之上，以測量從所有像素區(qū)域泄漏的光。
[0183]圖18是根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的剖視圖。
[0184]參照圖18，根據(jù)示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置503包括設(shè)置在第一襯底100的后表面上的散熱構(gòu)件400。散熱構(gòu)件400可以將從有機(jī)發(fā)光裝置(OLED)或驅(qū)動芯片產(chǎn)生的熱發(fā)射到外部環(huán)境。
[0185]根據(jù)實(shí)施方式，散熱構(gòu)件400包含高熱導(dǎo)材料。例如，散熱構(gòu)件400可包含諸如鋁、銅、銀等的金屬或者諸如石墨、石墨烯等的材料。
[0186]根據(jù)實(shí)施方式，散熱構(gòu)件400可以是散熱面板、散熱片、散熱膜、散熱層等。此外，散熱構(gòu)件400可以包括若干堆疊的散熱材料片。
[0187]根據(jù)實(shí)施方式，散熱構(gòu)件400粘附至第一襯底100的后表面。散熱構(gòu)件400附接于第一襯底100的后表面。散熱構(gòu)件400可以覆蓋第一襯底100的后表面的整體或者可以設(shè)置在后表面的發(fā)射光的部分中。
[0188]根據(jù)實(shí)施方式，如果散熱構(gòu)件400與光檢測構(gòu)件300重疊，散熱構(gòu)件400則包括允許光檢測構(gòu)件300插入其中的孔400h。光檢測構(gòu)件300可以插入散熱構(gòu)件400的孔400h中，并且可以粘附至第一襯底100的后表面。
[0189]圖19是根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的剖視圖。
[0190]根據(jù)圖19的實(shí)施方式，有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置504的光檢測構(gòu)件300通過粘合構(gòu)件420附接至第一襯底100的后表面。在示例性實(shí)施方式中，為了使得發(fā)射至第一襯底100的后表面的泄漏光可以經(jīng)過粘合構(gòu)件420到達(dá)光檢測構(gòu)件300，粘合構(gòu)件420由透明材料形成。粘合構(gòu)件420可以包含粘合材料或粘接材料，并且可以提供為粘合層、雙側(cè)粘合帶等。
[0191]圖19示出粘合構(gòu)件420的厚度與散熱構(gòu)件400的厚度相同并且光檢測構(gòu)件300進(jìn)一步從散熱構(gòu)件400突出至后面的情況;但是，實(shí)施方式不限于此，并且在構(gòu)件的后方向中的厚度和相對位置可以進(jìn)行各種修改。
[0192]圖20是根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的剖視圖。
[0193]參照圖20，根據(jù)示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置505與圖18的實(shí)施方式的不同在于，散熱構(gòu)件401包括凹槽401r以使得光檢測構(gòu)件300可以插入凹槽401r中。通過第一襯底100的后表面和散熱構(gòu)件401來包圍光檢測構(gòu)件300。
[0194]根據(jù)修改的實(shí)施方式，通過粘合構(gòu)件將光檢測構(gòu)件附接至第一襯底的后表面，如在圖19的實(shí)施方式中那樣。
[0195]如上所述，即使對于頂部發(fā)射型有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，根據(jù)本公開示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的光檢測構(gòu)件也可以直接地接收泄漏光，以有效地檢測光，而不會損失泄漏光。
[0196]雖然上面示出和描述了示例性實(shí)施方式，但是顯而易見的是，在不脫離如所附權(quán)利要求所限定的本公開的實(shí)施方式的精神和范圍的情況下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以進(jìn)行變形和改變。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，包括: 第一襯底，包括具有多個像素的顯示區(qū)域和所述顯示區(qū)域的周邊中的非顯示區(qū)域； 第一電極，設(shè)置在所述第一襯底上； 第二電極，與所述第一電極相對； 有機(jī)發(fā)光層，設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極之間；以及 至少一個光檢測構(gòu)件，設(shè)置在所述第一襯底的后表面上并與所述顯示區(qū)域重疊， 其中，所述光檢測構(gòu)件包括光傳感器和光收集構(gòu)件，所述光收集構(gòu)件將從所述第一襯底接收的光傳輸?shù)剿龉鈧鞲衅鳌?.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述光收集構(gòu)件包括光收集體和光調(diào)制結(jié)構(gòu)，所述光調(diào)制結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述光收集體中。3.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述光傳感器設(shè)置成與所述光收集體的一側(cè)相鄰。4.如權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述光調(diào)制結(jié)構(gòu)包括與所述多個像素對應(yīng)的多個棱鏡圖案。5.如權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述棱鏡圖案沿與其對應(yīng)的每列像素或每行像素以一一對應(yīng)的方式設(shè)置。6.如權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述光調(diào)制結(jié)構(gòu)具有單個連續(xù)的傾斜表面。7.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述傾斜表面的傾斜角隨著與所述光傳感器的距離的減小而減小。8.如權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述光調(diào)制結(jié)構(gòu)包括具有不同傾斜角的交替的第一表面和第二表面。9.如權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述第一表面和所述第二表面的重復(fù)單元的寬度與對應(yīng)于所述重復(fù)單元的像素的節(jié)距相同。10.如權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述光收集體的頂表面是光輸入表面， 所述光收集體的與所述光傳感器相鄰的側(cè)表面是光輸出表面，以及 所述光收集構(gòu)件還包括反射構(gòu)件，所述反射構(gòu)件設(shè)置在所述光收集體的、除了所述光輸入表面和所述光輸出表面之外的那些表面上。11.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述光傳感器設(shè)置在與所述光收集體的一側(cè)相鄰的后表面上。12.如權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述光調(diào)制結(jié)構(gòu)包括第一光路徑改變結(jié)構(gòu)和第二光路徑改變結(jié)構(gòu)，所述第一光路徑改變結(jié)構(gòu)將光路徑改變至水平方向，所述第二光路徑改變結(jié)構(gòu)將光路徑改變至垂直方向。13.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，還包括彼此間隔開的多個光檢測構(gòu)件。14.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述顯示區(qū)域包括中心部分和圍繞所述中心部分的周邊部分，以及 所述光檢測構(gòu)件設(shè)置在所述顯示區(qū)域的所述周邊部分中。15.如權(quán)利要求14所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述周邊部分包括退化預(yù)期區(qū)域，以及所述光檢測構(gòu)件至少部分地與所述退化預(yù)期區(qū)域重疊。16.如權(quán)利要求15所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述顯示區(qū)域還包括與所述退化預(yù)期區(qū)域相鄰的比較區(qū)域， 所述光收集構(gòu)件與所述退化預(yù)期區(qū)域重疊，以及 所述光傳感器與所述比較區(qū)域重疊。17.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，還包括設(shè)置在所述第一襯底的所述后表面上的散熱構(gòu)件。18.如權(quán)利要求17所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述散熱構(gòu)件包括孔，以及 所述光檢測構(gòu)件插入所述孔中并且設(shè)置成與所述第一襯底的所述后表面相鄰。19.如權(quán)利要求18所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，還包括設(shè)置在所述第一襯底和所述光檢測構(gòu)件之間的粘合構(gòu)件。20.—種頂部發(fā)光裝置，包括: 底部裝置單元； 頂部裝置單元，與所述底部裝置單元相對； 發(fā)光裝置單元，插置在所述底部裝置單元和所述頂部裝置單元之間；以及 至少一個光檢測構(gòu)件，設(shè)置在所述底部裝置單元的后方中并且與所述頂部裝置單元的光傳輸區(qū)域重疊， 其中，所述光檢測構(gòu)件包括光傳感器和光收集構(gòu)件，所述光收集構(gòu)件將從所述底部裝置單元接收的光傳輸?shù)剿龉鈧鞲衅鳌?1.如權(quán)利要求20所述的頂部發(fā)光裝置，其中，所述光收集構(gòu)件包括光收集體和設(shè)置在所述光收集體中的光調(diào)制結(jié)構(gòu)。22.如權(quán)利要求20所述的頂部發(fā)光裝置，還包括多個光檢測構(gòu)件，所述多個光檢測構(gòu)件被提供為彼此間隔開的多個光檢測構(gòu)件。23.如權(quán)利要求20所述的頂部發(fā)光裝置，其中，所述光檢測構(gòu)件至少部分地與所述發(fā)光裝置單元中的退化預(yù)期區(qū)域重疊。24.如權(quán)利要求20所述的頂部發(fā)光裝置，還包括散熱構(gòu)件，所述散熱構(gòu)件設(shè)置在所述第一襯底的所述后表面上并且包括孔， 其中，所述光檢測構(gòu)件插入所述孔中并且設(shè)置成與所述第一襯底的所述后表面相鄰。
【文檔編號】H01L27/32GK105870150SQ201610079869
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年2月4日
【發(fā)明人】金熙京, 鄭胤謨, 金炳箕, 申榮俊, 樸秀蘭, 申光燮
【申請人】三星顯示有限公司