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三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)及相應(yīng)的方法與裝置的制造方法

文檔序號(hào):10471811閱讀:517來源:國知局
三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)及相應(yīng)的方法與裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種3D半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中的LC模塊的布局設(shè)計(jì)配置,其避免大的段差高度。此布局設(shè)計(jì)配置建立絕緣/導(dǎo)電層對(duì),其中鄰近的對(duì)在高度上的差異不超過兩個(gè)絕緣/導(dǎo)電層對(duì)的厚度。
【專利說明】
H維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)及相應(yīng)的方法與裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明通常是有關(guān)于半導(dǎo)體裝置,且特別是有關(guān)于H維內(nèi)存模塊的形成。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的密度增加,二維結(jié)構(gòu)不再能符合特定需求。因此,雖然制造 H 維存儲(chǔ)器的工藝有其特有的問題,但H維存儲(chǔ)器變成越來越已知及重要。一種建立H個(gè)維 度中的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的方法,涉及到形成配置在階梯式結(jié)構(gòu)的水平層中的存儲(chǔ)器元件,然后 通過連接此些層至一個(gè)具有配置在接觸開口中的垂直導(dǎo)電元件的控制層,來提供接達(dá)至此 些層的導(dǎo)電表面層級(jí)。階梯式結(jié)構(gòu)可通過事先安裝絕緣及導(dǎo)電材料的交替層而形成。接著, 連續(xù)的掩模/曝光/刻蝕步驟可利用在刻蝕步驟之間漸進(jìn)式地被剝蝕光刻膠而被執(zhí)行。執(zhí) 行單一地增加深度的刻蝕,建立階梯式結(jié)構(gòu)的多個(gè)步驟。當(dāng)刻蝕步驟的數(shù)目大時(shí),送個(gè)方法 形成在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的鄰近表面的層級(jí)之間的大的不連續(xù)性(discontinuity)。送些大的 不連續(xù)性可使關(guān)鍵尺寸被影響,因而降低一接觸圖案化覆蓋容限(margin)及產(chǎn)生一不必 要的蝕穿(etch-throu曲)的議題。
[0003] 因此,需要一種與現(xiàn)有技術(shù)不同的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及方法,使鄰近的導(dǎo)電表面層級(jí)之 間不會(huì)產(chǎn)生大的不連續(xù)性的多層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。對(duì)于層數(shù)越多層的工藝而言,其需求更迫切。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明通過提供一種包括多個(gè)LC模塊的H維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)來處理送些及其 他需求,送些模塊包括數(shù)個(gè)接觸墊及數(shù)個(gè)供接觸墊用的逐層開口部。此些LC模塊被配置在 多個(gè)層級(jí)(level)上,每個(gè)層級(jí)是由一個(gè)或多個(gè)對(duì)的導(dǎo)電材料及絕緣材料(OP層對(duì))交替 層所形成,其中在鄰近層級(jí)的表面之間的一高度差異不超過兩個(gè)OP層對(duì)的一厚度。
[0005] 于此所掲露的本發(fā)明的特定實(shí)施例包括8個(gè)或更少的LC模塊。本發(fā)明的其他例 子包括8個(gè)LC模塊W上。LC模塊可指定為奇數(shù)或偶數(shù),零編號(hào)的LC模塊指定成為偶數(shù)。
[0006] 依據(jù)一例子,在連續(xù)編號(hào)的LC模塊的表面之間的一高度差異為一個(gè)OP層對(duì)的一 厚度。
[0007] 依據(jù)一例子,零編號(hào)的LC模塊的表面是最高表面層級(jí),而最高編號(hào)的LC模塊的表 面是最低表面層級(jí)。在一個(gè)例子中,奇數(shù)表面或表面層級(jí)并列地被聚集,而偶數(shù)表面或表 面層級(jí)并列地被聚集,W能使具有最高的奇數(shù)的表面或表面層級(jí)鄰近具有最高的偶數(shù)的層 級(jí)。
[0008] 本發(fā)明的一實(shí)施樣態(tài)包括一種形成供一H維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器用的一集合的LC模塊 的方法。此方法的一個(gè)實(shí)施例包括提供一個(gè)半導(dǎo)體堆疊于一基板上,此堆疊包括一厚絕緣 層,其厚絕緣層上形成交替導(dǎo)電/絕緣材料層對(duì)(OP層對(duì))。在一個(gè)實(shí)施例中,此方法定義 多個(gè)刻蝕位置。在半導(dǎo)體堆疊上執(zhí)行一序列的刻蝕W建立多個(gè)不同的表面或表面層級(jí)(于 刻蝕位置),W使沒有鄰近的表面或表面層級(jí)在高度上差異了兩個(gè)OP層對(duì)的一厚度W上。
[0009] 在一個(gè)例子中,此方法適合于建立對(duì)應(yīng)于一些刻蝕位置(等于2的乘幕)的LC模 塊。此方法的實(shí)施例可建立任何偶數(shù)的刻蝕位置,或可建立任何奇數(shù)的刻蝕位置。
[0010] 雖然為了語法的流暢性與功能性的解釋,已經(jīng)或?qū)⒄f明此裝置及方法,但我們明 確地理解到權(quán)利要求(除非W其他方式表示)不應(yīng)當(dāng)被解釋為W任何方式受限于"手段" 或"步驟"限制的構(gòu)造,但在等效設(shè)計(jì)的司法原則之下,將是符合由權(quán)利要求所提供的意 思的完全范疇及定義的等效設(shè)計(jì)。
[0011] 于此所說明或參考的任何特征或特征的組合,包括在本發(fā)明的范疇之內(nèi),只要包 括在任何送種組合的特征并未與將從上下文、送個(gè)說明書與本領(lǐng)域技術(shù)人員的知識(shí)可清楚 理解到的相互不一致的話。此外,說明或參考的任何特征或特征的組合,可W從本發(fā)明的任 何實(shí)施例中明確排除在外。為了總結(jié)本發(fā)明的目的,說明或參考本發(fā)明的某些實(shí)施樣態(tài)、優(yōu) 點(diǎn)及嶄新的特征。當(dāng)然,我們應(yīng)理解到,在本發(fā)明的任何特定實(shí)施例中,不需要具體化所有 送種實(shí)施樣態(tài)、優(yōu)點(diǎn)或特征。本發(fā)明的額外優(yōu)點(diǎn)及實(shí)施樣態(tài),在W下詳細(xì)說明及隨后的權(quán)利 要求中是顯而易見的。
【附圖說明】
[0012] 圖1為由交替絕緣/導(dǎo)電層(OP層對(duì))所組成的一種現(xiàn)有技術(shù)的H維半導(dǎo)體存儲(chǔ) 裝置的一部分的剖面圖;
[0013] 圖2為顯示一在鄰近的OP層對(duì)的層級(jí)之間的大差異的圖1的現(xiàn)有技術(shù)結(jié)構(gòu)的一 部分的詳細(xì)視圖;
[0014] 圖2A為依據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的在處理W準(zhǔn)備接觸開口的形成之后的圖2的結(jié)構(gòu)的示意 圖;
[0015] 圖2B顯示在接觸開口的形成之后的圖2A的現(xiàn)有技術(shù)結(jié)構(gòu);
[0016] 圖2C為顯示接觸墊及供接觸墊用的逐層開口部的一 LC模塊的一詳細(xì)示意圖;
[0017] 圖3為八個(gè)OP層對(duì)的一未處理的半導(dǎo)體堆疊 W及一第一刻蝕步驟的詳載的剖面 圖;
[0018] 圖4顯示被應(yīng)用至圖3的結(jié)構(gòu)的第一刻蝕步驟的一結(jié)果,并包括一第二刻蝕步驟 的詳載;
[0019] 圖5為被應(yīng)用至圖4的結(jié)構(gòu)的第二刻蝕步驟的一結(jié)果呈現(xiàn),更進(jìn)一步指示一第H 刻蝕步驟;
[0020] 圖6為八個(gè)OP層對(duì)的一未處理的半導(dǎo)體堆疊 W及與圖3中所載明的不同的一第 一刻蝕步驟的詳載的剖面圖;
[0021] 圖7顯示被應(yīng)用至圖6的結(jié)構(gòu)的第一刻蝕步驟的一效果,并載明一第二刻蝕步 驟;
[0022] 圖8顯示第二刻蝕步驟的一結(jié)果并指示待被應(yīng)用至圖7結(jié)構(gòu)的一第H刻蝕步驟;
[0023] 圖9說明在應(yīng)用第H刻蝕步驟之后的圖8的結(jié)構(gòu)的一外觀,藉W說明在鄰近層級(jí) 之間的一最大差異為兩個(gè)OP層對(duì)的一厚度;
[0024] 圖10為說明用W形成具有八個(gè)OP層對(duì)的圖9的結(jié)構(gòu)的一掩模/曝光/刻蝕工藝 的一實(shí)施例的流程圖;
[00巧]圖11為說明用W形成具有一任意數(shù)的OP層對(duì)的H維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的一般的掩模/ 曝光/刻蝕工藝的一實(shí)施例的流程圖;
[0026] 圖IlA為顯示在圖11的實(shí)施例中的一步驟的細(xì)節(jié)的流程圖;
[0027] 圖12為依據(jù)第11及IlA圖的實(shí)施例的十個(gè)OP層對(duì)的一未處理的半導(dǎo)體堆疊 W 及一第一刻蝕步驟的詳載的剖面圖;
[0028] 圖13顯示第一刻蝕步驟的一結(jié)果并指示待被應(yīng)用至圖12的結(jié)構(gòu)的一第二刻蝕步 驟;
[0029] 圖14為第二刻蝕步驟的一結(jié)果W及關(guān)于待被應(yīng)用至圖13的結(jié)構(gòu)的一第H刻蝕步 驟的一規(guī)定的剖面圖;
[0030] 圖15為被應(yīng)用至圖14的結(jié)構(gòu)的第H刻蝕步驟的一效果的表現(xiàn),藉W顯示一特定 第四刻蝕步驟;
[0031] 圖16顯示將第四刻蝕步驟應(yīng)用至圖15的結(jié)構(gòu)的一結(jié)果,藉W顯示在鄰近層級(jí)之 間的最大的層級(jí)差異為兩個(gè)OP層級(jí)對(duì)的一厚度;
[0032] 圖17說明具有11個(gè)OP層對(duì)的一半導(dǎo)體堆疊并載明一第一刻蝕步驟;
[0033] 圖18顯示第一刻蝕步驟的結(jié)果并說明待被應(yīng)用至圖17的結(jié)構(gòu)的一第二刻蝕步 驟;
[0034] 圖19顯示對(duì)于圖17的結(jié)構(gòu)應(yīng)用前兩個(gè)刻蝕步驟的效果并載明一第H刻蝕步驟;
[0035] 圖20說明第H刻蝕步驟的結(jié)果并指示待被應(yīng)用至圖19的結(jié)構(gòu)的一第四刻蝕步 驟;及
[0036] 圖21顯示針對(duì)圖20的結(jié)構(gòu)執(zhí)行的第四刻蝕步驟的一最后結(jié)果,藉W說明在鄰近 層級(jí)之間的一最大差異為兩個(gè)OP層對(duì)的一厚度。
[0037] 【符號(hào)說明】
[003引 L(O)至 L (7);層級(jí)
[0039] CO(O)至 CO (7);接觸開口
[0040] P(0)、P(2)、P(3)、P(4);位置
[0041] ?。?)、邸似、邸(4)、邸做;刻蝕深度
[0042] LC (0)至 LC (7) ; LC 模塊
[004引 100 ;階梯式結(jié)構(gòu)
[0044] 102 ;基板
[004引 110;部分
[0046] 115 ;氧化物層/基底層/絕緣材料
[0047] 120、121 ;絕緣材料/絕緣層/氧化物層
[004引 122 ;上部邊界
[0049] 125 ;導(dǎo)電(多晶娃)層/導(dǎo)電材料
[0050] 130 =OP 層對(duì)
[0051] 135、145 ;軟性著陸墊
[0052] 140;寬度
[0053] 150 ;錐度
[0054] 151 ;錐狀表面
[00巧]155 ;刻蝕后關(guān)鍵尺寸巧CD) /寬度 [0056] 160 :堆疊
[0057] 165 ;氮化娃(SiN) /SiN 材料 /SiN 層
[0058] 166 ;停止層
[005引 167 ;間隙壁/間隙壁材料
[0060] 170; LC 氧化膜
[0061] 175;C0SiN 薄膜
[006引 180; CO氧化膜
[0063] 200、600 ;掩模
[0064] 205、215、225、305、315、325 ;開口部
[006引 210 ;第二掩模
[006引 220 ;第H掩模
[0067] 300、310、320 ;配置
[0068] 400、410、415、420、500、505、510、515、520、522、525、530 ;步驟
[0069] 605、615、625、635 ;虛線矩形
[0070] 610、620、630 ;掩模配置
【具體實(shí)施方式】
[0071] 本發(fā)明的例子現(xiàn)在將說明并顯示于附圖中,本發(fā)明的實(shí)例在某些實(shí)施例中是按照 一定比例被解釋,而在其他實(shí)施例中,對(duì)每個(gè)實(shí)例而言則否。在某些實(shí)施樣態(tài)中,在附圖及 說明中的類似或相同的參考標(biāo)號(hào)的使用表示相同,類似或相似的組件及/或元件,而依據(jù) 其他實(shí)施例,相同的使用則否。依據(jù)某些實(shí)施例,方向用語的使用,例如,頂端、底部、左、右、 向上、向下、在上面、在上方、在下面、在下方、后及前是照字面意義地被解釋,而在其他實(shí)施 例中,相同的使用則否。本發(fā)明可與傳統(tǒng)上使用于現(xiàn)有技術(shù)中的各種集成電路制造及其他 技術(shù)相關(guān)聯(lián)而被實(shí)行,且于此包括僅如此多的通常實(shí)行的工藝步驟,如必須提供本發(fā)明的 理解。本發(fā)明一般在半導(dǎo)體裝置及工藝的領(lǐng)域中具有適用性。然而,對(duì)于說明的目的而言, 下述的說明關(guān)于H維半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置及制造的相關(guān)方法。
[0072] 更特別是參見附圖,圖1 W剖面顯示一種現(xiàn)有技術(shù)的H維半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的一部 分,特別是,一種包括接觸墊及供接觸墊(LC模塊)用的逐層開口部的集合的結(jié)構(gòu)100。
[0073] 所顯示的結(jié)構(gòu)100的一部分110的細(xì)節(jié)顯示于圖2中,圖2中的一基板102由譬如 來自元素周期表的IVA族的材料的原子所組成。錯(cuò)及娃為典型的例子。可形成一基底層的 絕緣材料(例如,氧化物)115的一相當(dāng)厚的層,可被沉積在基板102上,W及導(dǎo)電材料125 及絕緣材料120的一種階梯式的交替層可形成于氧化物層115上。導(dǎo)電層125可由任何適 當(dāng)?shù)膶?dǎo)電材料(譬如多晶娃)所組成,導(dǎo)電材料于此可被稱為多晶娃;絕緣層120可由任何 適當(dāng)?shù)慕^緣材料所組成,譬如氧化物,例如,娃的氧化物,例如Si化、SiOC或SiOF。導(dǎo)電及絕 緣材料的交替層對(duì)于此可被稱為OP層對(duì)130。八個(gè)送種OP層對(duì)130顯示于圖2中,雖然層 對(duì)的數(shù)目可能大于或小于八,例如2、4、16、32,或者在某些實(shí)施例中更多。導(dǎo)電(多晶娃) 層125的厚度范圍可在大約15nm與大約30nm之間,一般大約是20nm ;絕緣(氧化物)層 120的厚度范圍可在大約20nm與大約50nm之間,其中典型的厚度為大約40nm。在工藝考 慮上,巧上絕緣層121與基底層115可比氧化物層120厚。
[0074] 圖1及圖2的結(jié)構(gòu)可通過遮蔽、涂敷光刻膠、刻蝕、回蝕光刻膠步驟,W及重復(fù)送些 步驟而建立,用W形成OP層對(duì)的不同的表面層級(jí)或一需要數(shù)目(例如,八)的表面,送可被 稱為接觸墊或軟性著陸墊135(因?yàn)樵贠P層對(duì)的上建立開口部的刻蝕步驟必須"著陸"在 接觸墊上,如下參考圖2A及圖2B所述)。在不造成混淆的情況下,OP層對(duì)的表面于此也可 W簡單地被稱為"層級(jí)(levels)"或"表面"。
[00巧]一 OP層對(duì)可包括一上層及下層,其中上層為一絕緣層,而下層為一種具有實(shí)質(zhì)上 沒有電性連接至任何其他導(dǎo)電層的導(dǎo)電層。稍后的制造步驟(W下參考圖2A及圖2B)可 形成垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu),用于建立與個(gè)別導(dǎo)電層的連接(也就是,連接至軟性著陸墊135),W作 為H維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的一部分。軟性著陸墊135 (除了一最低的軟性著陸墊145 W外)具有 一寬度140,其例如可具有大約150nm的一典型數(shù)值,實(shí)施例中,寬度140的范圍例如可從大 約100皿至大約250皿。
[0076] 為了便利性起見,刻蝕位置(其可對(duì)應(yīng)至軟性著陸墊)在圖2及后來的圖示中被 標(biāo)示為P(O)、P(I)、…、p(7)。于每個(gè)位置的刻蝕的深度決定關(guān)于各個(gè)軟性著陸墊的一層 級(jí)。層級(jí)在目前的例子(圖2)中被標(biāo)示為L(0)、L(1)、…,L(7),于此L(i)表示通過形成 第i層級(jí)的一刻蝕工藝而移除的OP層對(duì)的數(shù)目。
[0077] 如圖1及圖2所顯示的,此結(jié)構(gòu)100包括一位于層級(jí)L(O)的OP層對(duì)130的大的 (也就是,相當(dāng)高的)堆疊 160,也就是,設(shè)置于位置P (0)的最高層級(jí),其與配置于層級(jí)L (7) 的一特定軟性著陸墊145鄰接,也就是,位于階梯式的刻蝕位置P (7)的最低層級(jí)。層級(jí)L (0) 及L(7)的并列導(dǎo)致一最大的層級(jí)差異(也就是,高度差異),在目前例子中等于走個(gè)OP層 對(duì)的厚度。更一般而言,當(dāng)使用一些OP層對(duì)(N個(gè)OP層對(duì))時(shí),在L(O)與L(N-I)之間的 送個(gè)最大層級(jí)差異為(N-I) X (OP厚度)。
[0078] 高堆疊 160可關(guān)聯(lián)至一錐度150,錐度150具有范圍在大約0度(沒有錐度)至 大約1至3度之間的垂直的角度。圓錐角的數(shù)值的控制是困難的,且圓錐角的任何正值可 被視為是寄生的。一正圓錐角必然地產(chǎn)生了最低軟性著陸墊145的一后刻蝕關(guān)鍵刻蝕尺寸 巧CD) 155的減縮,ECD縮小了約表示為數(shù)量(N-I) X (圓錐角)X (OP厚度)。也就是,最低 軟性著陸墊145的寬度155可少于(例如,大幅地少于)其余軟性著陸墊135的寬度140。 縮小的寬度155必定增加了正確地置放一與最低軟性著陸墊145接觸的垂直連接結(jié)構(gòu)的困 難。未能達(dá)到送種配置可能會(huì)導(dǎo)致存儲(chǔ)器裝置的制造中的一缺陷。
[0079] -種刻蝕W建立階梯式結(jié)構(gòu)100的現(xiàn)有技術(shù)方法采用走個(gè)連續(xù)刻蝕步驟,因 為每組的OP層對(duì)130個(gè)別地被刻蝕。舉例而言,參考圖2,于此走個(gè)刻蝕的位置為編號(hào) P (0) -P (7),送種方法的一實(shí)施例可移除在位置P (7)中的一個(gè)OP層對(duì)130,光刻膠可被 回蝕,且一個(gè)OP層對(duì)130可在位置P(6)-P(7)中被移除。送些程序可通過移除在位置 P(5)-P(7)的一額外OP層對(duì)130而重復(fù)。最后,走個(gè)送種刻蝕步驟移除在位置P(7)中的走 個(gè)OP層對(duì)130,六個(gè)OP層對(duì)130在位置P (6)中被移除,等等,其中在位置P(I)中的單一 OP層對(duì)130于第走刻蝕步驟被移除。于此例子中,位于位置P(O)的層級(jí)并未被刻蝕。
[0080] 圖2A與圖2B顯示應(yīng)用至圖2的現(xiàn)有技術(shù)結(jié)構(gòu)W建立促進(jìn)與軟性著陸墊135的電 性連接的接觸開口的處理步驟的結(jié)果。如圖2A所示,工藝步驟可包括W譬如一層的氮化娃 (SiN) 165覆蓋圖2的結(jié)構(gòu)。SiN可作為軟性著陸墊的上表面上面的一停止層166的功能, 且可作為在軟性著陸墊的側(cè)面上的一間隙壁167的功能。接著,一氧化物層(可被稱為LC 氧化膜170)可被覆蓋在SiN層165上。對(duì)LC氧化膜170進(jìn)行一化學(xué)機(jī)械平坦化(CMP)步 驟可為沉積另一層的SiN作準(zhǔn)備,另一層于此被稱為接觸開口(CO)SiN薄膜175。更進(jìn)一步 的,氧化物層,例如CO氧化膜180,可被沉積在CO SiN薄膜175上,且此結(jié)果可通過CMP平 坦化而達(dá)成。
[00引]圖2B顯示圖2A的結(jié)構(gòu)中的接觸開口 C0(0)、C0(1)、…、C0(7)的形成的結(jié)果。此 形成可通過包括數(shù)個(gè)刻蝕步驟的光刻方法而達(dá)成,此些刻蝕步驟包括一個(gè)形成接觸開口的 一上部的第一刻蝕步驟??墒褂肅O SiN薄膜175作為一停止層的第一刻蝕步驟可形成數(shù) 個(gè)如圖2B所顯示的具有實(shí)質(zhì)上垂直的筆直側(cè)面的接觸開口。然后,一第二刻蝕步驟可移除 已經(jīng)通過第一刻蝕步驟而露出的CO SiN薄膜175,且一第H刻蝕步驟可移除在COSiN薄膜 175之下的LC氧化膜170的材料,第H刻蝕步驟終結(jié)在SiN停止層166上。一第四刻蝕步 驟可擊穿SiN停止層166及每個(gè)下層的氧化物層120, W建立供軟性著陸墊用的逐層接觸開 口。軟性著陸墊(也就是,接觸墊)與供軟性著陸墊用的接觸開口可被視為LC模塊LC(0)、 LC(I)、…、LC(7)。圖2B的結(jié)構(gòu)包括八個(gè)送種LC模塊。
[0082] 代表LC模塊LC (3)的細(xì)節(jié)顯示于圖2C中,圖2C顯示一 LC模塊(例如,LC做)包 括一由導(dǎo)電層125所組成的接觸墊,導(dǎo)電層125為OP層對(duì)130的一部分,OP層對(duì)130也包 括一絕緣層120。一般而言,絕緣層120的一上部邊界122于此可被稱為一 LC模塊的一表 面、層級(jí)或表面層級(jí)。SiN材料被顯示且被表示成SiN間隙壁材料167與SiN停止層166。 當(dāng)W導(dǎo)電材料填滿時(shí),接觸開口 CO(3)(也就是,一逐層開口部的一例子)提供一電性連接 至接觸墊(也就是,軟性著陸墊)。
[0083] 關(guān)于圖2B所顯示的例子,第四刻蝕步驟成功地到達(dá)導(dǎo)電層125 W形成LC模塊 LC(O)。于此例子中的相同的第四刻蝕步驟成功地建立LC模塊LC(I)、LC (2)、…、LC (6)。然 而,LC(7)的形成被高堆疊160的側(cè)壁上的SiN材料165的覆蓋(圖2)的錐狀表面151 (圖 2A)所阻礙。因此,第四刻蝕步驟可能(如圖2B所顯示的)無法到達(dá)對(duì)應(yīng)于LC(7)的導(dǎo)電 層125。在其他例子中,第四刻蝕步驟可能只建立一 LC(7)上的局部軟性著陸。在任一情況 下,W導(dǎo)電材料的后來填滿接觸開口 CO (0)-CO (7)可能無法建立與#7軟性著陸墊的電性連 接,送結(jié)果是可建構(gòu)一高電阻連接,或甚至一孔洞,藉W導(dǎo)致位于C0(7)的底部的一所謂的 盲孔。本發(fā)明的一個(gè)目的是說明一種消除前述困難的方法。
[0084] 回至圖2,所顯示的階梯式結(jié)構(gòu)可由不是走個(gè),而只有H個(gè)刻蝕步驟所構(gòu)成,如圖 3-圖5所顯示的。送些圖所顯示的H個(gè)步驟工藝W OP層對(duì)130的一未處理的堆疊開始,女口 圖3所示。位置P(0)-P(7)在此圖中被標(biāo)示,在執(zhí)行任何刻蝕步驟之前,每個(gè)位置與其的一 層級(jí)L(O)相關(guān)。一第一掩模/曝光/刻蝕程序通過使用一掩模200而針對(duì)圖3的結(jié)構(gòu)執(zhí) 行,掩模200的特征為;數(shù)個(gè)開口部205及一刻蝕深度邸(1),其中表示法邸(i)表示i個(gè) OP層級(jí)是待通過刻蝕程序而移除。第一程序(具有一刻蝕深度邸(1))從堆疊(例如,位置 P (1)、P (3)、P (5)、P (7))的交替的位置移除OP層對(duì)130的一個(gè)(也就是,最上面的)。此 種第一程序的結(jié)果顯示于圖4中。如所顯示的,位置P(1)、P(3)、P(5)及P(7)具有被移除 的一個(gè)OP層(W L(I)表示);剩下的位置不具有被移除的OP層(W L(O)表示)。
[0085] -第二掩模/曝光/刻蝕程序使用一個(gè)第二掩模210,第二掩模210具有覆蓋兩個(gè) 刻蝕位置及一刻蝕深度邸(2)的開口部215。送個(gè)程序從在位置P(2)-P(3)及P(6)-P(7) 中的OP層對(duì)的兩個(gè)層級(jí)移除材料。第二刻蝕的結(jié)果顯示于圖5中,其中位置P(1)及P巧) 被刻蝕至層級(jí)1(1),位置P (2)及P (6)被刻蝕至層級(jí)L (2),而位置P (3)及P (7)被刻蝕至 層級(jí)L (3)。位置P (O)及P (4)尚未被刻蝕。
[0086] 使用具有一開口部225及一刻蝕深度邸(4)的一第H掩模220的一最后的掩模/ 曝光/刻蝕步驟,從四個(gè)鄰接的位置P (4) -P (7))移除材料。
[0087] 剛才說明的H個(gè)刻蝕步驟導(dǎo)致一實(shí)質(zhì)上相同于如圖2所示的結(jié)構(gòu)。
[0088] 如剛才所說明的應(yīng)用至八個(gè)OP層對(duì)的H個(gè)步驟的程序,可W-直接方式類推至 供16個(gè)OP層對(duì)用的四個(gè)步驟程序。同樣地,舉例而言,對(duì)具有32、64及128個(gè)OP層對(duì)的 結(jié)構(gòu)而言,可能分別需要5、6及7個(gè)步驟。一般而言,當(dāng)N為2的乘幕時(shí),N個(gè)層級(jí)所需要 的刻蝕步驟的數(shù)目為Iogz(N)D
[0089] 雖然此程序可減少必須形成LC模塊的刻蝕步驟的數(shù)目,但它的使用并未減少在 鄰近的軟性著陸墊位置之間的大型的最大層級(jí)差異。也就是,送個(gè)程序并未解決上面所略 述的最大的層級(jí)差異問題。
[0090] 本發(fā)明說明采用一嶄新的布局配置及刻蝕程序的一種設(shè)計(jì),此設(shè)計(jì)導(dǎo)致一種具有 數(shù)個(gè)LC模塊的變化結(jié)構(gòu),LC模塊具有兩個(gè)OP層對(duì)的一最大的鄰近導(dǎo)電表面或?qū)蛹?jí)差異。 送個(gè)配置實(shí)質(zhì)上可消除ECD 155中的縮減(圖2)。因此,此配置可消除如上所述參考圖2B 中的C0(7)/LC(7)的刻蝕步驟的過早中止。變化結(jié)構(gòu)實(shí)質(zhì)上維持與圖1及圖2所顯示的結(jié) 構(gòu)相同的功能,同時(shí)提供超越現(xiàn)有技術(shù)結(jié)構(gòu)的一個(gè)或多個(gè)優(yōu)點(diǎn)。
[0091] 對(duì)八個(gè)軟性著陸墊的情況而言,依據(jù)本發(fā)明的刻蝕程序的一個(gè)例子的一個(gè)實(shí)施例 總結(jié)于圖10中的流程圖中。此實(shí)施例于步驟400,通過提供一個(gè)半導(dǎo)體堆疊開始,半導(dǎo)體堆 疊包括一基板、一基底層及如上所述所建構(gòu)的多個(gè)OP層對(duì)。軟性著陸墊的位置P (0)-P (7) 于步驟405被標(biāo)示。
[0092] 送種堆疊的一例子顯示于圖6中,其中標(biāo)示有對(duì)應(yīng)于待形成的軟性著陸墊的刻蝕 位置P (O)-P (7)。在開始刻蝕之前,零化(0))的一層級(jí)被表示在每個(gè)位置P (O)-P (7)中。
[0093] 于步驟410,執(zhí)行一第一掩模/曝光/刻蝕程序W移除位置P (4) -P (7)中的一個(gè)OP 層。依據(jù)具有一開口部305及一標(biāo)示的刻蝕深度邸(1)的一配置300(如圖6所示),掩模 /曝光/刻蝕步驟被設(shè)計(jì)成用于移除材料的一個(gè)OP層。此圖表示材料直接在開口部305之 下的區(qū)域中待被移除。在移除之后,此結(jié)構(gòu)如圖7所顯示,其中位置P(0)-P(3)已被刻蝕至 層級(jí)L (0)(也就是,未被刻蝕),且位置P (4) -P (7)已被刻蝕至層級(jí)L (1)(也就是,一個(gè)OP 層對(duì)已被移除)。
[0094] 于步驟415,執(zhí)行一第二掩模/曝光/刻蝕操作,依據(jù)一配置310 (圖7)移除兩個(gè) OP層,配置310表示依據(jù)具有一刻蝕深度邸(2)的開口部315的材料的移除。也就是,兩個(gè) OP層對(duì)從位置P(I)、P (3)、P (4)及P (6)待被移除。移除的結(jié)果顯示于圖8,其中位置P (2) 及P (0)尚未被刻蝕(層級(jí)為L (0)),位置P (5)及P (7)已被刻蝕至層級(jí)L (1),位置P (1)及 P (3)已被刻蝕至層級(jí)L (2),而位置P (4)及P (6)已被刻蝕至層級(jí)L (3)。
[0095] 可于步驟420執(zhí)行一最后的掩模/曝光/刻蝕程序,此程序依據(jù)包括具有一刻蝕 深度邸(4)的一開口部325的一配置320 (圖8)來移除四個(gè)OP層對(duì)。也就是,材料是從位 置P (2)-P (5)被移除。此移除產(chǎn)生圖9所顯示的結(jié)果,其中位置P (O)-P (7)被刻蝕至各個(gè) 層級(jí)L(O)、L (2)、1(4)、U6)、1(7)、L巧)、L (3)及L(I)。在任何兩個(gè)鄰近的位置之間的高 度差異,為一個(gè)OP層厚度或兩個(gè)OP層厚度。
[0096] 圖9的例子也證明在連續(xù)編號(hào)的層級(jí)(也就是,各個(gè)位置P(3)及P(4))中的U6) 及L(7))之間的層級(jí)差異等于1,對(duì)應(yīng)于一個(gè)OP層對(duì)的厚度。又,L(O)被注意到是最高(也 就是,最高)層級(jí)或表面,及最高編號(hào)的層級(jí)或表面,L(7)被注意到是最短(也就是,最低) 層級(jí)或表面。圖9中的奇數(shù)層級(jí)或表面并列地被聚集,偶數(shù)層級(jí)或表面也是如此。最高的 奇數(shù)層級(jí)或表面(也就是,1(7))及最高的偶數(shù)層級(jí)或表面(也就是,U6))并列被安置。 又,最低的奇數(shù)層級(jí)或表面(也就是,L(I))與零編號(hào)的層級(jí)或表面(也就是,L(O))被安置 成彼此相距最遠(yuǎn)。
[0097] 雖然剛剛提供的例子應(yīng)用至具有八個(gè)LC模塊的結(jié)構(gòu),但是于此所掲露的此方法 可被采用在具有無論多少個(gè)的OP層對(duì)的結(jié)構(gòu)上。
[0098] 可被使用W處理具有無論多少層對(duì)的一堆疊的方法的一個(gè)實(shí)施例的概要出現(xiàn)在 圖11的流程圖中。依據(jù)所顯示的實(shí)施例,于步驟500,提供包括一基板、一基底層及交替導(dǎo) 電/絕緣層(例如OP層對(duì))的一半導(dǎo)體堆疊。于步驟505,決定一些軟性著陸墊(表面或 層級(jí)),N,定義軟性著陸墊(表面或?qū)蛹?jí))位置,且計(jì)算出一些刻蝕步驟,M,于此
[0099] M = [10邑2 閑
[0100] 于其中[...]表示"大于或等于的最小整數(shù)"。于步驟510,可方便地將軟性著陸 墊位置表示為P(O)、P(I)、…、P (N-I)并將送些號(hào)碼安排為一表中的第一列。
[0101] 于步驟515,做出關(guān)于N是否為奇數(shù)或偶數(shù)的判定。當(dāng)N為偶數(shù)時(shí),刻蝕的深度整 數(shù)的一列表于步驟520中形成W下配置:
[010引 1、3、…、N-UN-2、…、4、2、0
[0103] 于此,注意N-I為奇數(shù)而N-2為偶數(shù)。刻蝕的深度整數(shù)表示于每個(gè)軟性著陸墊位 置P(0)、P(1)、…、P(N-I)待被執(zhí)行的刻蝕邸(.)的層級(jí)(W0P層對(duì)的數(shù)目測量)。方便 的是將層級(jí)號(hào)碼配置在表格形式中,其通過將它們插入作為于步驟510所建構(gòu)的表的第二 列。如所建構(gòu)的,此表列出第一列中的軟性著陸墊位置;第二列表示于每個(gè)位置待被執(zhí)行的 刻蝕的深度。
[0104] 當(dāng)N為奇數(shù)時(shí),整數(shù)的一列表于步驟522 W-類似的(但不同的)配置形成:
[010引 1、3、...,N-S'N-l、…、4、2、0
[0106] 于此,注意N-2為奇數(shù),而N-I為偶數(shù)。如前,當(dāng)軟性著陸墊的數(shù)目為奇數(shù)時(shí),刻蝕 的深度整數(shù)表示軟性著陸墊位置的層級(jí)。
[0107] 關(guān)于N= 10(偶數(shù))及N= 11(奇數(shù))的例子顯示于各個(gè)表1及2中,其中依據(jù) 步驟510,送些表中的第一列確認(rèn)一刻蝕位置(也就是,一軟性著陸墊位置),而送些表中的 第二列定義關(guān)于表示的位置的一層級(jí)(參照步驟520及522)。
[010引 表1
[0109]
陽110] 表2
[0111]
[0112]
[0113] 于步驟525,刻蝕的深度整數(shù)被表示為M位二進(jìn)制數(shù),其被插入作為刻蝕深度列 EDC )成為于步驟520或522開始的表。
[0114] 一 M位二進(jìn)制整數(shù)q,可從0至M-I取數(shù)值,對(duì)M = 5而言,譬如可W二進(jìn)制形式被 表示為b***ib。,其中每一個(gè)"b"數(shù)字不是0就是1。送種表現(xiàn)被解釋成如下意義
[0115] q = b〇 X 2°+bi X 2i+b2 X 22+. . . +b* X
[0116] 也就是,每個(gè)二進(jìn)制數(shù)與在q的二進(jìn)制表現(xiàn)中的2的乘幕(1、2、4、8、…)相關(guān)。 當(dāng)M = 5時(shí),b4為最顯著的二進(jìn)制數(shù);b。為最小顯著的二進(jìn)制數(shù)。舉例而言,如果q = 21, 則其二進(jìn)制表現(xiàn)為10011 (也就是,16+化1)。
[0117] 關(guān)于在表1中所表示的例子,N = 10,而M = 4。關(guān)于每個(gè)刻蝕的深度整數(shù)的二進(jìn) 制表現(xiàn),被表示在具有形成此表的最后四個(gè)列的刻蝕深度巧D)列的一欄中。最顯著的數(shù)字 被設(shè)置于第H列;最小顯著的數(shù)字被設(shè)置于此表的最后列。依據(jù)與每個(gè)刻蝕的深度整數(shù)的 表現(xiàn)的數(shù)字相關(guān)的2的乘幕,刻蝕深度列在此表的第一欄中貼上標(biāo)簽邸(8)、邸(4)、邸(2)、 邸(1)。
[0118] 同樣地,在表2例子中,N= 11而且,再者M(jìn) = 4。關(guān)于刻蝕的深度整數(shù)的二進(jìn)制 表現(xiàn)被加至此表用WW-種類似于在表1的構(gòu)造中所采用的方式建立四個(gè)刻蝕深度列。
[0119] 依據(jù)二進(jìn)制數(shù)的列,掩模/曝光/刻蝕程序接著于步驟530通過刻蝕而依序被執(zhí) 行。M個(gè)刻蝕步驟被執(zhí)行(在表1及表2中,M = 4),其中每個(gè)刻蝕步驟對(duì)應(yīng)于此表中的一 刻蝕深度列。于每個(gè)步驟待被刻蝕的位置W在每個(gè)刻蝕深度列中的一"1"表示??涛g的 深度是于每個(gè)步驟依據(jù)在OP厚度的單元中所測量的刻蝕深度列(也就是,2的乘幕)的標(biāo) 簽(1油el)而被執(zhí)行。
[0120] 依據(jù)一個(gè)例子,步驟530的細(xì)節(jié)被顯示為在圖IlA中的流程圖。于步驟532,此表 中的刻蝕深度列的其中一個(gè)被選擇,而于步驟534,于具有刻蝕深度列中的一"1"的位置 執(zhí)行一刻蝕到達(dá)一W刻蝕深度列的標(biāo)簽(也就是,2的乘幕)所表示的深度。如果于步驟 536,每一次檢查所有刻蝕深度列尚未被選擇,則于步驟538選擇一不同刻蝕深度列(也就 是,一刻蝕深度列尚未被選擇)。于步驟534,重復(fù)此工藝,直到刻蝕已被執(zhí)行對(duì)應(yīng)于所有刻 蝕深度列為止。
[0121] 使用N(例如,N = 10)的偶數(shù)值的一個(gè)例子顯示使用表1及圖12-圖16, W定義 刻蝕的順序的方法的一實(shí)施例。于此例子中,包括10個(gè)OP層對(duì)的半導(dǎo)體堆疊顯示于圖12 中。刻蝕位置P(〇)-P(9)被標(biāo)示。首先,刻蝕深度被注意到是1(0),對(duì)應(yīng)于沒有已被執(zhí)行的 刻蝕。
[0122] 在圖IlA的流程圖W后,于步驟532選擇在表1中標(biāo)示?。?)的刻蝕深度列,且依 據(jù)顯現(xiàn)在刻蝕深度列邸(1)中的每個(gè)"1"準(zhǔn)備一掩模600(圖12)。待被刻蝕的軟性著陸 墊位置W圖12中的虛線矩形605表示。于步驟534完成此刻蝕。第一刻蝕從位置P (5) -P巧) 移除一層的材料,如圖13所示。
[0123] 于步驟536,我們可注意到不是所有的刻蝕深度列都尚未被選擇,所W于步驟 538,通過選擇譬如標(biāo)示為邸(2)的刻蝕深度列繼續(xù)此工藝,ED (2)具有在位置P(I)、P (3)、 P(6)及P(S)中的一些刻蝕深度列。因此,于步驟534,建構(gòu)出一掩模配置610(圖13),且基 于虛線矩形615執(zhí)行深度2的刻蝕,藉W從位置P (1)、P (3)、P (6)及P (8)移除2個(gè)OP層 對(duì)。第二刻蝕的結(jié)果顯示于圖14中,圖14顯示位置P(O)、P(2)及P(4)尚未被刻蝕(也就 是,層級(jí)L (0)),位置P巧)、P (7)及P (9)已被刻蝕至層級(jí)L (1),位置P (1)及P (3)已被刻蝕 至層級(jí)L (2),W及位置P (6)及P (8)已被刻蝕至層級(jí)L (3)。
[0124] 通過使用表1中的標(biāo)示邸(4)的刻蝕深度列,W-種類似的方式繼續(xù),依據(jù)W圖14 中的虛線矩形625表示的掩模配置620執(zhí)行一第H刻蝕(也就是,一四個(gè)層級(jí)刻蝕)。第H 刻蝕步驟的結(jié)果顯示于圖15中。
[01巧]最后,依據(jù)包括一虛線矩形635的一掩模配置630,通過使用表1中的標(biāo)示邸(8) (也就是,刻蝕深度為8)的刻蝕深度列中的郝些執(zhí)行一第四刻蝕步驟。最后的刻蝕結(jié)果顯 示于圖16中。如前,沒有層級(jí)的高度與一鄰近層級(jí)的高度差異了 2個(gè)OP厚度W上。
[0126] 圖17-圖21顯示針對(duì)包括11個(gè)OP層對(duì)的一半導(dǎo)體堆疊所執(zhí)行的一序列的刻蝕 的結(jié)果,如于此參考表2所說明的。此實(shí)施例使用N(N=Il)的奇數(shù)值并遵循類似于上述 參考圖IlA及第12-16圖所說明的郝些的步驟。
[0127] 雖然剛剛提供的例子依一特定順序(也就是,依序執(zhí)行深度1、2、4、8的刻蝕)執(zhí) 行刻蝕,但刻蝕的順序并非是重要的,且可改變。于此所提供的例子也證明在連續(xù)編號(hào)的層 級(jí)(例如,表1及2中的層級(jí)列)之間的層級(jí)差異為一個(gè)OP層對(duì)的厚度。又,在所有情況 中,L(O)被注意到是最高(也就是,最高)層級(jí),及最高編號(hào)的層級(jí),L(N-I)被注意到是最 短(也就是,最低)層級(jí)。奇數(shù)層級(jí)并列地被聚集,偶數(shù)層級(jí)也是一樣。最高的奇數(shù)層級(jí)及 最高的偶數(shù)層級(jí)同樣地并列被安置。此外,最低的奇數(shù)層級(jí)(也就是,L(I))與零編號(hào)的層 級(jí)(也就是,L(O))被安置彼此相距最遠(yuǎn)。
[012引 由實(shí)施例所建立的方法實(shí)施例及造成的H維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的例子,證明了上 述所標(biāo)示的大型的最大的鄰近層級(jí)差異問題,可通過在既存的工藝中只做出較小的改變而 獲得解決。
[0129] 此方法的實(shí)施例有效地重新配置軟性著陸墊的位置,W及在H維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的較 高的層(未顯示)中的對(duì)應(yīng)的連接點(diǎn)。送個(gè)重新配置改善LC模塊的可靠度,而不會(huì)、或?qū)?質(zhì)上不會(huì)對(duì)其的功能具有不利的效果。也就是,對(duì)具有N LC模塊位置的結(jié)構(gòu)而言,ECD的 縮減被縮小了(N-D/2的系數(shù),從
[0130] (N-I) X (圓錐角)X (OP 厚度)
[0131] 至
[013引 2X (圓錐角)X (OP厚度)。
[0133] 所達(dá)成的相對(duì)改善隨著所采用的層數(shù)增加,送是因?yàn)樵卩徑能浶灾憠|層級(jí)之 間的高度的最大差異總是2X (OP厚度)。圖2中所標(biāo)示的ECD的縮小藉W實(shí)際上被消除, 如同接觸圖案覆蓋容限及不必要的蝕穿的議題的減少一樣。
[0134] 雖然于此的說明書表示某些說明的實(shí)施例,但我們應(yīng)理解到送些實(shí)施例已經(jīng)由舉 例而非限制地被提供。跟隨送個(gè)說明書的意義是用于讓配合本領(lǐng)域技術(shù)人員的知識(shí)來解 釋而建構(gòu)的實(shí)施例,用于覆蓋實(shí)施例的所有修改、變化、組合、互換、省略、代用、替代W及等 效設(shè)計(jì),達(dá)到并不相互排斥的程度,如可落在本發(fā)明的精神與范疇之內(nèi),并只受限于權(quán)利要 求。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu),其特征在于,包括: 多個(gè)LC模塊,該些模塊包括: 多個(gè)接觸墊;及 多個(gè)逐層開口部,使與該些接觸墊連接,其中: 該些LC模塊被配置在多個(gè)層級(jí)上,各該層級(jí)是由一個(gè)對(duì)或多個(gè)對(duì)的導(dǎo)電材料及絕緣 材料的交替層所形成,形成該些交替層的該些對(duì)為0P層對(duì),其中在鄰近層級(jí)的表面之間的 一高度差異不超過兩該個(gè)0P層對(duì)的一厚度。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu),其中該結(jié)構(gòu)包括8個(gè)或更少的該些LC模塊。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu),其中該結(jié)構(gòu)包括8個(gè)以上的該些LC模塊。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu),其中各該LC模塊指定為奇數(shù)或偶數(shù),以零標(biāo)示的該LC 模塊指定為偶數(shù)。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的結(jié)構(gòu),其中在連續(xù)編號(hào)的該些LC模塊的該些表面之間的一高 度差異為一個(gè)該0P層對(duì)的一厚度。6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的結(jié)構(gòu),其中: 零編號(hào)的該LC模塊的該表面為最高表面;及 最高編號(hào)的該LC模塊的該表面為最低表面。7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的結(jié)構(gòu),其中該些奇數(shù)的該些LC模塊并列地被聚集,而該些偶 數(shù)的該些LC模塊并列地被聚集,以能使具有最高的奇數(shù)的該LC模塊的該表面鄰近具有最 高的偶數(shù)的該LC模塊的該表面。8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的結(jié)構(gòu),其中最低奇數(shù)的該LC模塊與該零編號(hào)的該LC模塊被 定位成彼此相距最遠(yuǎn)。9. 一種形成供三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器用的多個(gè)LC模塊的方法,其特征在于,包括: 提供一個(gè)半導(dǎo)體堆疊形成于一基板上,該堆疊包括一基底層及交替排列的導(dǎo)電/絕緣 層,該些導(dǎo)電/絕緣層為0P層對(duì); 定義多個(gè)刻蝕位置; 在該半導(dǎo)體堆疊上進(jìn)行一序列的刻蝕,以暴露位于該些刻蝕位置的0P層對(duì)表面的表 面,使任何鄰近層級(jí)的表面之間的一高度差異都不超過兩該個(gè)0P層對(duì)的一厚度。10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其中定義該些刻蝕位置包括指定數(shù)個(gè)軟性著陸墊的 位置。11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其中定義該些刻蝕位置包括指定該些刻蝕位置的一 偶數(shù)序編。12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其中定義該些刻蝕位置包括指定該些刻蝕位置的一 數(shù)目序編,該數(shù)目為2的全部正數(shù)乘冪。13. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,還包括: 依據(jù)奇數(shù)及偶數(shù)的整數(shù)來編號(hào)導(dǎo)電的該些表面; 將奇數(shù)導(dǎo)電的該些表面分組在一起;及 將偶數(shù)導(dǎo)電的該些表面分組在一起。14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法,其中該執(zhí)行包括執(zhí)行一數(shù)目的刻蝕,該數(shù)目并非是 該多個(gè)刻蝕位置的尺寸的基數(shù)2的對(duì)數(shù)以上。15. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其中定義該些刻蝕位置包括指定該些刻蝕位置的一 奇數(shù)序編。16. -種包括絕緣材料及導(dǎo)電材料的交替對(duì)的層的裝置,其特征在于,以形成一三維半 導(dǎo)體存儲(chǔ)器陣列的多個(gè)LC模塊,其中: 該些交替對(duì)的層形成數(shù)個(gè)不同的表面;及 沒有任何兩個(gè)鄰近的表面在高度差異上的值會(huì)大于兩該個(gè)交替對(duì)的導(dǎo)電/絕緣層的 一厚度。17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的結(jié)構(gòu),其中該導(dǎo)電材料包括多晶硅。18. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的結(jié)構(gòu),其中該絕緣材料選自于Si02、SiOC、SiOF及其的組 合。19. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的結(jié)構(gòu),其中該些交替對(duì)的數(shù)目為2的正整數(shù)乘冪。20. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的結(jié)構(gòu),其中該些交替對(duì)的數(shù)目為偶數(shù)。
【文檔編號(hào)】H01L21/768GK105826317SQ201510001701
【公開日】2016年8月3日
【申請(qǐng)日】2015年1月5日
【發(fā)明人】楊金成
【申請(qǐng)人】旺宏電子股份有限公司
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