集成電路封裝技術(shù)和小形狀因子或可穿戴裝置的配置的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開的實施例通常涉及集成電路的領(lǐng)域，且更具體地涉及集成電路(IC)封裝技術(shù)和小形狀因子可穿戴裝置的配置。
【背景技術(shù)】
[0002]具有集成電路(IC)部件諸如例如管芯和傳感器的可穿戴和小形狀因子裝置正在出現(xiàn)。然而，從在可穿戴或小形狀因子裝置中的這樣的IC部件移除熱依然是挑戰(zhàn)。此外，傳統(tǒng)封裝可能太大而不允許這樣的IC部件在小形狀因子裝置中被集成和電耦合在一起。
【附圖說明】
[0003]結(jié)合附圖通過下面的詳細描述將容易理解實施例。為了便于這個描述，相似的參考數(shù)字指明相似的結(jié)構(gòu)元件。實施例作為示例而不是作為限制在附圖的圖中示出。
[0004]圖1A-C示意性示出根據(jù)一些實施例的示例集成電路(IC)封裝組件的視圖。
[0005]圖2A-B示意性示出根據(jù)一些實施例的包括電源層或接地層的示例集成電路(IC)封裝組件的視圖。
[0006]圖3A-C示意性示出根據(jù)一些實施例的包括在側(cè)壁上的電氣路由特征的示例集成電路(IC)封裝組件的視圖。
[0007]圖4A-K示意性示出根據(jù)一些實施例的在制造的各種階段期間的示例集成電路(IC)封裝組件的視圖。
[0008]圖5示意性示出根據(jù)一些實施例的用于制造IC封裝組件的方法的流程圖。
[0009]圖6示意性示出根據(jù)一些實施例的用于制造IC封裝組件的另一方法的流程圖。
[0010]圖7-8示意性示出根據(jù)一些實施例的可合并如本文所述的集成電路(IC)封裝組件的不例制造物品。
[0011]圖9示意性示出根據(jù)一些實施例的包括如本文所述的IC封裝組件的計算裝置。
【具體實施方式】
[0012]本公開的實施例描述小形狀因子或可穿戴裝置的集成電路(IC)封裝技術(shù)和配置。在下面的描述中，將使用通常由本領(lǐng)域中的技術(shù)人員使用的術(shù)語來描述例證性實現(xiàn)的各種方面以將他們的工作的實質(zhì)傳達給本領(lǐng)域中的其他技術(shù)人員。然而，對本領(lǐng)域中的技術(shù)人員將明顯的是，本公開的實施例可在只有所述方面中的僅僅一些的情況下被實踐。為了解釋的目的，闡述了特定的數(shù)字、材料和配置，以便提供對例證性實現(xiàn)的透徹理解。然而，對本領(lǐng)域中的技術(shù)人員將明顯的是，本公開的實施例可在沒有特定細節(jié)的情況下被實踐。在其它實例中，公知的特征被省略或簡化以便不使例證性實現(xiàn)難理解。
[0013]在下面的詳細描述中，參考形成其一部分的附圖，其中相似的數(shù)字始終指明相似的部件，且其中作為例證示出本公開的主題可被實踐的實施例。應(yīng)理解，可利用其它實施例，且可做出結(jié)構(gòu)或邏輯改變而不偏離本公開的范圍。因此，下面的詳細描述不應(yīng)在限制性意義上被理解，且實施例的范圍由所附權(quán)利要求及其等效形式限定。
[0014]為了本公開的目的，短語“A和/或B”意指(A)、(B)或(A和B)。為了本公開的目的，短語“A、B 和 / 或 C” 意指(A)、(B)、(C)、(A 和 B)、(A 和 C)、(B 和 C)或(A、B 和 C)。該描述可使用基于透視的描述，例如頂部/底部、在……中/在……外、在……之上/在……之下等。這樣的描述僅僅用于便于討論且并不意在將本文描述的實施例的應(yīng)用限制到任何特定的取向。
[0015]該描述可使用短語“在一個實施例中”或“在各實施例中”，其可以均指相同或不同的實施例中的一個或多個。此外，如關(guān)于本公開的實施例使用的術(shù)語“包括”、“包含”、“具有”等是同義的。在本文可使用術(shù)語“與…耦合”連同其派生詞。“耦合”可意指下面的內(nèi)容中的一個或多個?！榜詈稀笨梢庵竷蓚€或更多元件直接物理或電接觸。然而，“耦合”也可意指兩個或更多元件間接地彼此接觸，但然而也仍然彼此協(xié)作或交互作用，并可意指一個或多個其它元件耦合或連接在被認為彼此耦合的元件之間。術(shù)語“直接耦合”可意指兩個或更多元件直接接觸。
[0016]在各種實施例中，短語“第一特征形成、沉積或以其它方式設(shè)置在第二特征上”可意指第一特征被形成、沉積或設(shè)置在第二特征之上，且第一特征的至少一部分可與第二特征的至少一部分直接接觸(例如直接物理和/或電接觸)或間接接觸(例如具有在第一和第二特征之間的一個或多個其它特征)。
[0017]如在本文使用的，術(shù)語“模塊”可以指的是下列項、是下列項的部分或包括下列項:專用集成電路(ASIC)、電子電路、芯片上系統(tǒng)(SoC)、處理器(共享、專用或組)和/或執(zhí)行一個或多個軟件或固件程序的存儲器(共享、專用或組)、組合邏輯電路和/或提供所述功能的其它適當部件。
[0018]圖1A-C示意性示出根據(jù)一些實施例的示例集成電路(IC)封裝組件100的視圖。圖1A示意性示出IC封裝組件100的頂視圖。圖1B示意性示出IC封裝組件100的透視圖。圖1C示意性示出IC封裝組件100的部分透明透視圖。在圖1C中透明地描繪襯底102和介質(zhì)層 102a、102b。
[0019]根據(jù)各種實施例，圖1A-C的IC封裝組件100可包括襯底102。在一些實施例中，襯底102可由半導(dǎo)體材料或玻璃組成。例如，在一些實施例中，襯底102可以是硅橋/插入機構(gòu)。在其它實施例中，襯底102可由與互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)制造技術(shù)兼容的其它適當?shù)牟牧辖M成以在襯底102上形成電路。
[0020]襯底102可具有第一側(cè)面SI和設(shè)置成與第一側(cè)面SI相對的第二側(cè)面S2，如可看到的。在一些實施例中，一個或多個穿過襯底的通孔(在下文中“TSV 104”)諸如例如穿過硅的通孔可穿過襯底102在第一側(cè)面SI和第二側(cè)面S2之間形成。TSV 104可包括填充有導(dǎo)電材料諸如例如銅的管道，并可根據(jù)任何適當?shù)墓に噥硇纬伞?br>[0021]在一些實施例中，一個或多個TSV 104可配置成路由與襯底102耦合的一個或多個管芯(例如在下文中“管芯110”)的電信號，或可配置成在兩個或更多管芯110之間路由電信號。例如，在一些實施例中，TSV 104可配置成路由輸入/輸出(I/O)和/或電源/接地信號。在一些實施例中，TSV 104中的一個或多個可以是配置成將熱量從襯底102路由掉的熱TSV。例如，熱TSV可在與熱TSV的縱長尺寸平行的方向上傳導(dǎo)熱。在一些實施例中，熱TSV可以不配置成路由電信號。在一些實施例中，可在襯底102中實現(xiàn)熱TSV和信號TSV的組合。
[0022]在一些實施例中，第一介質(zhì)層102a可在第一側(cè)面SI上形成，而第二介質(zhì)層102b可在襯底102的第二側(cè)面S2上形成。第一介質(zhì)層102a和第二介質(zhì)層102b中的每一個可包括在其中形成的電氣路由特征106以路由(例如管芯110的)電信號。在一些實施例中，電氣路由特征106可配置成在第一介質(zhì)層102a或第二介質(zhì)層102b的平面中(例如水平地)路由電信號。在一些實施例中，介質(zhì)層102a、102b可用作鈍化層。
[0023]在一些實施例中，電氣路由特征106可包括例如再分布線作為跡線。在其它實施例中，電氣路由特征106可包括溝槽和/或通孔。例如，在一些實施例中，介質(zhì)層102a、102b中的一個或兩個可代表堆疊在一起的多個介質(zhì)層。在這樣的實施例中，電氣路由特征106可包括配置成在第一介質(zhì)層102a或第二介質(zhì)層102b的平面中水平地路由電信號的溝槽和在堆疊的介質(zhì)層之間垂直地路由電信號的通孔。
[0024]在一些實施例中，電氣路由特征106耦合TSV 104中的兩個或更多TSV，如可在圖1A-C中描繪的示例中看到的。在一些實施例中，電氣路由特征106可耦合TSV 104中的一個或多個TSV與在介質(zhì)層102a、102b的終止外圍邊緣處的管芯110中的一個管芯，如可在圖1A-C中描繪的示例中看到的。電氣路由特征106可由導(dǎo)電材料諸如例如銅組成。在其它實施例中，電氣路由特征106可由其它適當?shù)牟牧辖M成。
[0025]在一些實施例中，介質(zhì)層102a、102b可由二氧化硅(Si02)或氮化硅(SiN)組成。在其它實施例中，介質(zhì)層102a、102b可由其它適當?shù)慕橘|(zhì)材料組成?？墒褂迷诠苄旧闲纬珊蠖藢拥倪m當技術(shù)諸如例如CMOS制造技術(shù)來形成介質(zhì)層102a、102b。襯底102可包括設(shè)置在襯底102的第一側(cè)面SI和第二側(cè)面S2之間的側(cè)壁SW，如可看到的。在一些實施例中，側(cè)壁SW可基本上與第一側(cè)面SI和第二側(cè)面S2垂直。側(cè)壁可限定襯底102的周邊(例如終止邊緣)。在一些實施例中，在附著管芯110之前，側(cè)壁SW可配置成接納在側(cè)壁SW的相應(yīng)表面上的管芯110的附著。例如，相應(yīng)的