體，凈化氣體可用于清潔流體線路210、218、260、264、處理腔室204或氣體輸送系統(tǒng)200的其他部件。示例性的清潔氣體可包括氫氣(H2)、氯氣(Cl2)、氯化氫(HC1)或三氟化氮(NF3)或三氟化氯(C1F3)。在一個實例中，凈化氣體可以約30slm至約50slm的流量流動。
[0054]本公開內(nèi)容的益處在于將快速壓力控制閥提供至減壓EPI腔室，所述EPI腔室除其他元件外還可包括設(shè)置于腔室側(cè)面的氣體注射閥和用于快速溫度控制的燈加熱元件。EPI腔室可具有與外延沉積氣體/前驅(qū)物歧管分離的用于雜質(zhì)源注射的專用歧管。EPI腔室允許沉積與雜質(zhì)劑量之間的快速源氣體輪換。用于雜質(zhì)和EPI沉積歧管兩者的最終閥可接近或正好位于鄰近基板側(cè)面的注射位置處。具體地說，雜質(zhì)歧管的最終閥為用于在基板表面上的亞單層覆蓋的短脈沖劑量的快速閥。在多個實施方式中，EPI腔室可提供高載體凈化流(例如30slm-50slm)，用于EPI沉積與雜質(zhì)劑量之間的快速凈化?？焖贉囟瓤刂坪驮磺皇仪鍧嵦峁┛芍貜?fù)配料能力和在雜質(zhì)配料期間提供不同于EPI沉積溫度的溫度分布。在一些實施方式中，可以雙倍稀釋提供雜質(zhì)源。在雜質(zhì)源可與沉積源反應(yīng)的情況下，可提供氣體互斥耳關(guān)鎖(gas exclus1n interlock)。
[0055]盡管以上針對本公開內(nèi)容的實施方式，但在不脫離本公開內(nèi)容的基本范圍的情況下，可設(shè)計本公開內(nèi)容的其他和進(jìn)一步的實施方式，且本公開內(nèi)容的范圍由以下要求保護(hù)的范圍確定。
【主權(quán)項】
1.一種用于處理半導(dǎo)體基板的設(shè)備，所述設(shè)備包括: 處理腔室，所述處理腔室包括: 基板支撐件，所述基板支撐件設(shè)置于所述處理腔室內(nèi)，用于支撐基板； 下拱形結(jié)構(gòu)，所述下拱形結(jié)構(gòu)相對地設(shè)置于所述基板支撐件下方； 上拱形結(jié)構(gòu)，所述上拱形結(jié)構(gòu)相對地設(shè)置于所述基板支撐件上方，所述上拱形結(jié)構(gòu)與所述下拱形結(jié)構(gòu)相對;和 多個氣體注射器，所述多個氣體注射器設(shè)置于所述處理腔室的側(cè)壁內(nèi)，其中所述多個氣體注射器對應(yīng)于所述基板的直徑實質(zhì)上呈線性布置，并且所述多個氣體注射器使一種或更多種化學(xué)物質(zhì)以層流方式流動跨越所述基板的上表面;和 氣體輸送系統(tǒng)，所述氣體輸送系統(tǒng)經(jīng)由所述多個氣體注射器耦接至所述處理腔室，所述氣體輸送系統(tǒng)包括: 氣體導(dǎo)管，所述氣體導(dǎo)管將一種或更多種化學(xué)物質(zhì)經(jīng)由第一流體線路提供至所述多個氣體注射器； 摻雜劑源，所述摻雜劑源將一種或更多種摻雜劑經(jīng)由第二流體線路提供至所述多個氣體注射器;和 快速切換閥，所述快速切換閥設(shè)置于所述第二流體線路與所述處理腔室之間，其中所述快速切換閥在所述處理腔室與排放裝置之間切換所述一種或更多種摻雜劑的流動。2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述快速切換閥在約0.05秒至約20秒的脈沖重復(fù)率下提供短脈沖劑量的所述一種或更多種摻雜劑。3.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述快速切換閥以小于50ms的時間在所述處理腔室與所述排放裝置之間切換所述一種或更多種摻雜劑的流動。4.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括: 切換閥，所述切換閥設(shè)置于所述第一流體線路與所述處理腔室之間，所述切換閥在所述處理腔室與所述排放裝置之間切換所述一種或更多種化學(xué)物質(zhì)的流動。5.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括: 凈化氣體源，所述凈化氣體源耦接至所述第一流體線路和所述第二流體線路。6.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括: 第一凈化氣體源，所述第一凈化氣體源耦接至所述第一流體線路;和 第二凈化氣體源，所述第二凈化氣體源耦接至所述第二流體線路。7.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述摻雜劑源將稀釋氣體經(jīng)由所述第二流體線路提供至所述多個氣體注射器。8.一種用于處理基板的處理腔室，所述處理腔室包括: 可旋轉(zhuǎn)基板支撐件，所述可旋轉(zhuǎn)基板支撐件設(shè)置于所述處理腔室內(nèi)，用于支撐基板； 下拱形結(jié)構(gòu)，所述下拱形結(jié)構(gòu)相對地設(shè)置于所述基板支撐件下方； 上拱形結(jié)構(gòu)，所述上拱形結(jié)構(gòu)相對地設(shè)置于所述基板支撐件上方，所述上拱形結(jié)構(gòu)與所述下拱形結(jié)構(gòu)相對； 環(huán)形主體，所述環(huán)形主體設(shè)置于所述上拱形結(jié)構(gòu)與所述下拱形結(jié)構(gòu)之間，其中所述上拱形結(jié)構(gòu)、所述環(huán)形主體和所述下拱形結(jié)構(gòu)大體界定所述基板處理腔室的內(nèi)部容積，其中所述環(huán)形主體具有多個氣體注射器，所述多個氣體注射器被布置成位于至少一個線性群中，所述至少一個線性群具有大致對應(yīng)于所述基板的直徑的寬度，并且所述多個氣體注射器使一種或更多種化學(xué)物質(zhì)以層流方式流動跨越所述基板的上表面;和 氣體輸送系統(tǒng)，所述氣體輸送系統(tǒng)經(jīng)由所述多個氣體注射器耦接至所述處理腔室，所述氣體輸送系統(tǒng)包括: 第一氣體導(dǎo)管，所述第一氣體導(dǎo)管將第一組化學(xué)物質(zhì)經(jīng)由第一流體線路提供至所述多個氣體注射器； 第一摻雜劑源，所述第一摻雜劑源將第一摻雜劑經(jīng)由第二流體線路提供至所述多個氣體注射器;和 快速切換閥，所述快速切換閥設(shè)置于所述第二流體線路與所述處理腔室之間，其中所述快速切換閥在所述處理腔室與排放裝置之間切換所述第一摻雜劑的流動。9.如權(quán)利要求8所述的處理腔室，其中所述快速切換閥在約0.05秒至約20秒的脈沖重復(fù)率下提供短脈沖劑量的所述第一摻雜劑。10.如權(quán)利要求8所述的處理腔室，其中所述快速切換閥以小于50ms的時間在所述處理腔室與所述排放裝置之間切換所述第一摻雜劑的流動。11.如權(quán)利要8所述的處理腔室，進(jìn)一步包括: 第二氣體導(dǎo)管，所述第二氣體導(dǎo)管將第二組化學(xué)物質(zhì)經(jīng)由第三流體線路提供至所述多個氣體注射器;和 第二摻雜劑源，所述第二摻雜劑源將第二摻雜劑經(jīng)由第四流體線路提供至所述多個氣體注射器。12.如權(quán)利要求8所述的處理腔室，進(jìn)一步包括: 第一凈化氣體源，所述第一凈化氣體源耦接至所述第一流體線路;和 第二凈化氣體源，所述第二凈化氣體源耦接至所述第二流體線路。13.如權(quán)利要求8所述的處理腔室，其中所述第一摻雜劑源將稀釋氣體經(jīng)由所述第二流體線路提供至所述多個氣體注射器。14.一種用于處理半導(dǎo)體基板的設(shè)備，所述設(shè)備包括: 處理腔室，所述處理腔室包括: 基板支撐件，所述基板支撐件具有用于支撐基板的基板接收表面； 下拱形結(jié)構(gòu)，所述下拱形結(jié)構(gòu)相對地設(shè)置于所述基板支撐件下方，所述下拱形結(jié)構(gòu)包括: 桿部分； 周邊凸緣;和 底部，所述底部徑向延伸以連接所述桿部分和所述周邊凸緣，其中所述底部相對于所述基板支撐件的所述基板接收表面成約8°至約16°的角度； 上拱形結(jié)構(gòu)，所述上拱形結(jié)構(gòu)相對地設(shè)置于所述基板支撐件上方，所述上拱形結(jié)構(gòu)與所述下拱形結(jié)構(gòu)相對，所述上拱形結(jié)構(gòu)包括: 中央窗部分;和 周邊凸緣，所述周邊凸緣用于支撐所述中央窗部分，所述周邊凸緣圍繞所述中央窗部分的圓周嚙合所述中央窗部分，其中所述中央窗部分相對于所述基板支撐件的所述基板接收表面形成約8°至約16°的角度;和 燈陣列，所述燈陣列設(shè)置成鄰近于所述下拱形結(jié)構(gòu)并位于所述下拱形結(jié)構(gòu)下面;和氣體輸送系統(tǒng)，所述氣體輸送系統(tǒng)經(jīng)由所述多個氣體注射器耦接至所述處理腔室，所述氣體輸送系統(tǒng)包括: 氣體導(dǎo)管，所述氣體導(dǎo)管將一種或更多種化學(xué)物質(zhì)經(jīng)由第一流體線路提供至所述多個氣體注射器； 摻雜劑源，所述摻雜劑源將一種或更多種摻雜劑經(jīng)由第二流體線路提供至所述多個氣體注射器;和 快速切換閥，所述快速切換閥設(shè)置于所述第二流體線路與所述處理腔室之間，其中所述快速切換閥在所述處理腔室與排放裝置之間切換所述一種或更多種摻雜劑的流動。15.如權(quán)利要求14所述的設(shè)備，其中所述快速切換閥在約0.05秒至約20秒的脈沖重復(fù)率下提供短脈沖劑量的所述一種或更多種摻雜劑。
【專利摘要】本公開內(nèi)容的實施方式涉及用于處理半導(dǎo)體基板的設(shè)備。所述設(shè)備包括處理腔室，所述處理腔室具有用于支撐基板的基板支撐件、下拱形結(jié)構(gòu)和與所述下拱形結(jié)構(gòu)相對的上拱形結(jié)構(gòu)、設(shè)置于所述處理腔室的側(cè)壁內(nèi)的多個氣體注射器。所述設(shè)備包括氣體輸送系統(tǒng)，所述氣體輸送系統(tǒng)經(jīng)由所述多個氣體注射器耦接至處理腔室，所述氣體輸送系統(tǒng)包括：氣體導(dǎo)管，所述氣體導(dǎo)管將一種或更多種化學(xué)物質(zhì)經(jīng)由第一流體線路提供至所述多個氣體注射器；摻雜劑源，所述摻雜劑源將一種或更多種摻雜劑經(jīng)由第二流體線路提供至所述多個氣體注射器；和快速切換閥，所述快速切換閥設(shè)置于第二流體線路與處理腔室之間，其中所述快速切換閥在處理腔室與排放裝置之間切換所述一種或更多種摻雜劑的流動。
【IPC分類】H01L21/02, H01L21/683
【公開號】CN105493229
【申請?zhí)枴緾N201480045552
【發(fā)明人】埃羅爾·安東尼奧·C·桑切斯, 斯瓦米納坦·斯里尼瓦桑
【申請人】應(yīng)用材料公司
【公開日】2016年4月13日
【申請日】2014年7月28日
【公告號】US20150047566, WO2015026491A1