技術(shù)編號：9732196
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。高品質(zhì)含硅膜的外延生長在外延層之間和不同的沉積工藝期間通常需要可重復(fù)配料(dose)的雜質(zhì)，這些含硅膜諸如用單層或亞單層雜質(zhì)摻雜的硅鍺(SiGe)、硅鍺碳(SiGeC)、碳化硅(SiC)或碳化鍺(GeC)膜。所述沉積工藝通常涉及在沉積各外延層之后和使用各雜質(zhì)劑量之后的長時間凈化，使得沉積工藝緩慢且不適合生產(chǎn)。因為腔室設(shè)計直接影響外延生長中的膜品質(zhì)，因此需要一種沉積設(shè)備，所述設(shè)備提供亞單層雜質(zhì)的快速配料能力和外延沉積與雜質(zhì)配料之間的快速凈化。發(fā)明內(nèi)容本文描述...
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