改善了散熱性及輕量化的2段式電容器用沉積膜的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及增大發(fā)熱特性及自愈性的2段式電容器用沉積膜。
【背景技術(shù)】
[0002] 就非圖案沉積膜而言，通常對沉積阻抗進(jìn)行沉積并使用，但當(dāng)在薄膜電介質(zhì)中存 在WeakPoint時，瞬間發(fā)生PN極間短路，沉積的金屬被炭化并消失，把恢復(fù)絕緣并繼續(xù)保 持電容器功能的功能稱為自愈（SelfHealing)。自愈的部分非常小，具有容量幾乎不減小 的優(yōu)點(diǎn)，但如果在WeakPoint未自愈，那么在PN極間，絕緣力下降，存在發(fā)生耐壓不良的缺 點(diǎn)。圖1是說明自愈現(xiàn)象（SelfHealing)的概念的圖。圖la的白色部分被炭化，是帶有 非傳導(dǎo)性的部分，如果在相向的部分被炭化，則在該區(qū)域?qū)崿F(xiàn)自愈（與周邊絕緣），成為非 活動區(qū)域。
[0003] 如果非圖案沉積膜的電容器未自愈，則發(fā)生耐壓不良，為了解決發(fā)生第二次災(zāi)害 的問題，內(nèi)置了如下安全裝置。如果薄膜電容器在發(fā)生自愈現(xiàn)象時未自愈，那么絕緣力下 降，在PN極間短路，薄膜熔融，在內(nèi)部發(fā)生氣體壓力，壓力熔絲（安全裝置）斷開，防止第二 次災(zāi)害。該方法雖然性能優(yōu)秀，但需要內(nèi)置壓力熔絲所需的空間，存在尺寸增大、單價上升 的缺點(diǎn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004](要解決的技術(shù)問題）
[0005] 就沉積膜而言，如果沉積阻抗低，則在WeakPoint發(fā)生自愈現(xiàn)象時，需要更多能 量，大能量在自愈時對電容器損害大，發(fā)生反復(fù)現(xiàn)象時，存在發(fā)生耐壓不良的缺點(diǎn)，但如果 沉積阻抗低，則具有沉積金屬不被氧化的優(yōu)點(diǎn)。相反，如果沉積阻抗高，則自愈性優(yōu)秀，在 WeakPoint自愈時，對電容器損害弱，具有電容器耐久性壽命延長的優(yōu)點(diǎn)，但在處置高沉積 阻抗的沉積膜時，當(dāng)暴露于外部潮氣或長時間保管時，沉積阻抗被氧化，存在電容器耐久性 低下的問題。本發(fā)明旨在提供一種2段式電容器用沉積膜及電容器，以多段式實(shí)現(xiàn)，具有作 為當(dāng)阻抗高時（厚度薄時）優(yōu)秀的自愈性和阻抗低時的發(fā)熱量減小及氧化現(xiàn)象減少的優(yōu) 點(diǎn)。
[0006] 本發(fā)明旨在提供一種2段式電容器用沉積膜及電容器，不使用圖案薄膜，而是在 使自愈性優(yōu)秀的同時，能夠減小電容器的溫度上升，能夠減小與自愈性增加成反比的因沉 積膜處置時沉積阻抗被氧化導(dǎo)致的電容器耐久性下降。
[0007] 本發(fā)明把著眼點(diǎn)置于全部解決如下問題而開發(fā)的，S卩，以往的圖案薄膜電容器 (PatternFilmCapacitor)存在器材費(fèi)及尺寸需要再增加4~10%的缺點(diǎn)，以及以往的非 圖案薄膜電容器（NonPatternFilmCapacitor)如果不自愈（SelfHealing)，則發(fā)生耐壓 不良，為了防止第二次災(zāi)害而內(nèi)置安全裝置，因而器材費(fèi)上升及尺寸增大的問題。
[0008](解決問題的手段）
[0009] 一種2段式電容器用沉積膜，在沉積有金屬且2片1組相向地重疊構(gòu)成的電容器 用沉積膜中，
[0010] 上部沉積膜1〇〇與下部沉積膜200以薄膜的中心線為基準(zhǔn)，以對稱的形狀相向地 擺放；
[0011] 上部沉積膜100的第1運(yùn)轉(zhuǎn)區(qū)域30和與所述上部沉積膜100在寬度方向上相向 地位于下部的下部沉積膜200的第1運(yùn)轉(zhuǎn)區(qū)域30相互不重疊地形成，形成有未重疊區(qū)域B， 在所述上部沉積膜100的第1運(yùn)轉(zhuǎn)區(qū)域30末端30a的下部，擺放有下部沉積膜200的第2 運(yùn)轉(zhuǎn)區(qū)域40;
[0012] "噴鍍金屬接觸部10的寬度（W3) +第1運(yùn)轉(zhuǎn)區(qū)域30的寬度（W1) "為全體寬度（W) 的0. 3~0. 49倍；
[0013] 未重疊區(qū)域B的寬度滿足
[0014] 未重疊區(qū)域⑶+ 2 = (0· 01~0· 2)X全體寬度（W)。
[0015](發(fā)明效果）
[0016] 根據(jù)本發(fā)明，提供一種多段式電容器用沉積膜及電容器，以2段式實(shí)現(xiàn)沉積膜，選 擇性地具有作為當(dāng)阻抗高時（厚度薄時）優(yōu)秀的自愈性和阻抗低時的發(fā)熱量減小及氧化現(xiàn) 象減少的優(yōu)點(diǎn)。
[0017] 根據(jù)本發(fā)明，提供一種多段式電容器用沉積膜及電容器，不使用圖案薄膜，而是借 助于較薄結(jié)構(gòu)的第2運(yùn)轉(zhuǎn)區(qū)域（40,沉積阻抗高，自愈良好，耐壓特性提高）而使自愈性優(yōu) 秀，同時，借助于相對較厚的作為阻抗的第1運(yùn)轉(zhuǎn)區(qū)域（30,沉積阻抗低，電容器發(fā)熱量減 少）而能夠減小電容器的溫度上升，能夠減小與自愈性增加成反比的因沉積膜處置時沉積 部被氧化導(dǎo)致的電容器耐久性下降。
[0018] 根據(jù)本發(fā)明，提供一種多段式電容器用沉積膜及電容器，全部解決如下問題，即， 以往的圖案薄膜電容器存在器材費(fèi)及尺寸需要再增加4~10%的缺點(diǎn)，以及以往的非圖案 薄膜電容器如果不自愈，則發(fā)生耐壓不良，為了防止第二次災(zāi)害而內(nèi)置安全裝置，因而器材 費(fèi)上升及尺寸增大的問題。
[0019] 以往技術(shù)在為了增加自愈性而提高金屬沉積阻抗時，當(dāng)暴露于外部潮氣或長時間 保管時，金屬沉積阻抗被氧化，存在阻抗值上升的問題，而就本技術(shù)而言，在金屬沉積時，沉 積金屬充分粘合于塑料薄膜，改善了以往在潮氣下及長時間保管時被氧化的現(xiàn)象。
【附圖說明】
[0020] 圖1是自愈現(xiàn)象概念說明圖。
[0021 ] 圖2 (a,b)是以往技術(shù)的沉積膜構(gòu)成圖。
[0022] 圖3a是本發(fā)明第1實(shí)施例的2段式電容器用沉積膜理想狀態(tài)剖面圖。
[0023] 圖3b是本發(fā)明第1實(shí)施例的2段式電容器用沉積膜實(shí)際狀態(tài)剖面圖。
[0024] 圖4是以往的圖案薄膜剖面圖。
[0025] 符號說明
[0026] 1:電介質(zhì) la: -側(cè)端
[0027]lb:另一側(cè)端 10:噴鍍金屬接觸部
[0028] 20:邊緣部 30:第1運(yùn)轉(zhuǎn)區(qū)域
[0029] 30a:末端 40:第2運(yùn)轉(zhuǎn)區(qū)域
[0030] 100:上部沉積膜200:下部沉積膜
[0031]A:運(yùn)轉(zhuǎn)區(qū)域 B:未重疊區(qū)域
[0032]t:沉積厚度 W:全體寬度
【具體實(shí)施方式】
[0033] 下面參照附圖，對本發(fā)明一個實(shí)施例的多段式電容器用沉積膜及電容器進(jìn)行詳細(xì) 說明。圖2是以往技術(shù)的沉積膜構(gòu)成圖，圖3是本發(fā)明第1實(shí)施例的多段式電容器用沉積膜 剖面圖。在本發(fā)明中，噴鍍金屬接觸部作為慣用語，與Heavy Edge Area或下降部分通用。
[0034] 如圖1至圖3所示，本發(fā)明一個實(shí)施例的多段式電容器用沉積膜涉及沉積有金屬 且2片1組相向地重疊構(gòu)成的電容器用沉積膜。在電介質(zhì)1的寬度方向一側(cè)端la，通過金 屬沉積而形成有與電容器的噴鍍金屬（熔絲金屬部，即，介于匯流條與電介質(zhì)的側(cè)面之間 的恪絲金屬部，metalizedcontact)通電的噴鍍金屬接觸部10,在所述電介質(zhì)1的寬度方 向另一側(cè)端1b，形成有未沉積金屬的邊緣部20。在噴鍍金屬接觸部10與邊緣部20之間沉 積金屬，形成有運(yùn)轉(zhuǎn)區(qū)域A。運(yùn)轉(zhuǎn)區(qū)域A沉積成從所述噴鍍金屬接觸部10越向邊緣部20， 沉積厚度越逐漸變薄的多段形狀。
[0035] 如圖1至圖3所示，本發(fā)明一個實(shí)施例的2段式電容器用沉積膜，在電介質(zhì)1的寬 度方向一側(cè)端la，通過金屬沉積而形成有與電容器的噴鍍金屬通電的噴鍍金屬接觸部10 ; 在所述電介質(zhì)1的寬度方向另一側(cè)端lb，形成有未沉積金屬的邊緣部20,在所述噴鍍金屬 接觸部10與邊緣部20之間沉積金屬，形成有運(yùn)轉(zhuǎn)區(qū)域A;而且，運(yùn)轉(zhuǎn)區(qū)域A由第1運(yùn)轉(zhuǎn)區(qū) 域和第2運(yùn)轉(zhuǎn)區(qū)域40構(gòu)成，所述第1運(yùn)轉(zhuǎn)區(qū)域30位于電介質(zhì)1的寬度方向一側(cè)，鄰接所述 噴鍍金屬接觸部10,所述第2運(yùn)轉(zhuǎn)區(qū)域40位于電介質(zhì)1的寬度方向另一側(cè)，鄰接所述邊緣 部20 ;第2運(yùn)轉(zhuǎn)區(qū)域40的沉積厚度t2比所述第1運(yùn)轉(zhuǎn)區(qū)域30的沉積厚度tl薄。
[0036] 在本發(fā)明實(shí)施例的2段式電容器用沉積膜中，沉積金屬是在鋁、鋅或鋁與鋅合金、 鋁與鋅與銅合金、或者鋁與鋅與銀合金中選擇的一種。另外，所述噴鍍金屬接觸部10的沉 積金屬是在鋁、鋅、鋁與鋅合金、鋁與鋅與銅合金、鋁與鋅與銀合金中選擇的一種，第1運(yùn)轉(zhuǎn) 區(qū)域30及第2運(yùn)轉(zhuǎn)區(qū)域40的沉積金屬是在鋁、鋁與鋅合金、鋁與鋅與銀合金中選擇的一 種。
[0037] 如圖3(a，b)所示，在本發(fā)明第1實(shí)施例的2段式電容器用沉積膜中，上部沉積膜 100與下部沉積膜200以對稱的形狀，以薄膜的中心線為基準(zhǔn)相向地擺放，上部沉積膜100 的第1運(yùn)轉(zhuǎn)區(qū)域30和與所述上部沉積膜100在寬度方向上相向地位于下部的下部沉積膜 200的第1運(yùn)轉(zhuǎn)區(qū)域30相互不重疊地形成，形成有未重疊區(qū)域B，在所述上部沉積膜100的 第1運(yùn)轉(zhuǎn)區(qū)域30末端30a的下部，擺放有下部沉積膜200的第2運(yùn)轉(zhuǎn)區(qū)域40。優(yōu)選"噴鍍 金屬接觸部10的寬度（W3) +第1運(yùn)轉(zhuǎn)區(qū)域30的寬度（W1) "超過10mm，"噴鍍金屬接觸部 10的寬度（