理液Si工ッ子E、日本化成（株）審。 造）對(duì)薄化后的娃基板1'進(jìn)行旋轉(zhuǎn)蝕刻而除去。
[0128] (工序8)最后采用氣化氨水溶液將露出的第1娃氧化膜2蝕刻而除去，使娃活性 層3露出。其結(jié)果，如圖3中所示，在娃活性層3的外周部分發(fā)現(xiàn)了剝離、鼓起。 陽(yáng)129][試驗(yàn)例7]
[0130] 試驗(yàn)例1中，變更為W下的條件而進(jìn)行了貼合工序（工序4)W后的處理。 陽(yáng)131](工序4)邊將SOI基板和藍(lán)寶石基板5加熱到100°C，變使其接觸、貼合。
[0132] 接下來(lái)，將提高SOI基板與支持基板的結(jié)合力的結(jié)合熱處理（工序5)和將上述貼 合基板的娃基板1研削而薄化的研削薄化處理（工序6)的組合反復(fù)進(jìn)行2次。
[0133] (工序5(1))對(duì)貼合基板實(shí)施了 150°C、24小時(shí)的結(jié)合熱處理。其結(jié)果，貼合基板 的外觀無(wú)剝離等的異常、良好。
[0134] (工序6(1))將貼合基板中的娃基板1研削加工直至厚度成為150ym。其結(jié)果， 外觀良好。
[0135] 沒(méi)有進(jìn)行貼合基板的外周的修剪加工。 陽(yáng)136](工序5(2))對(duì)貼合基板實(shí)施了 175°C、24小時(shí)的結(jié)合熱處理。其結(jié)果，貼合基板 的外觀無(wú)剝離等異常、良好。 陽(yáng)137](工序6(2))對(duì)貼合基板中的娃基板1研削加工直至厚度成為50ym。其結(jié)果，在 貼合基板的外周部分發(fā)現(xiàn)了來(lái)自接合部的娃基板1的剝離。 陽(yáng)13引（工序7)使用電子工業(yè)用混合酸（鏡面化處理液Si工ッ子E、日本化成（株）審。 造）對(duì)薄化后的娃基板1'進(jìn)行旋轉(zhuǎn)蝕刻而除去。
[0139] (工序8)最后采用氣化氨水溶液將露出的第1娃氧化膜2蝕刻而除去，使娃活性 層3露出。其結(jié)果，在娃活性層3的外周部分發(fā)現(xiàn)了剝離。推定是因?yàn)椋貉邢骷庸r(shí)成為掛 絳研削輪的狀態(tài)，剝離娃基板1的應(yīng)力發(fā)揮作用。
[0140] [試驗(yàn)例8] 陽(yáng)141] 試驗(yàn)例7中，使工序5(2)的結(jié)合熱處理溫度為200°C，作為第2次的研削加工處 理（工序6 (2))，對(duì)貼合基板中的娃基板1研削加工直至厚度成為80ym，結(jié)果貼合基板的 外觀無(wú)剝離等異常、良好。接下來(lái)，作為工序7、8,與試驗(yàn)例7同樣地，進(jìn)行蝕刻而使娃活性 層3露出。其結(jié)果，娃活性層3的外觀良好。最后，對(duì)娃活性層3研磨直至成為厚280nm而 薄膜化，得到了SOI結(jié)構(gòu)的混合基板。 陽(yáng)1創(chuàng)[試驗(yàn)例9] 陽(yáng)143] 試驗(yàn)例1中，變更為W下的條件進(jìn)行了貼合工序（工序4)W后的處理。
[0144] (工序4)邊將SOI基板與藍(lán)寶石基板5加熱到120°C，邊使其接觸、貼合。
[0145] 接下來(lái)，將提高SOI基板與支持基板的結(jié)合力的結(jié)合熱處理（工序5)和將上述貼 合基板的娃基板1研削而薄化的研削薄化處理（工序6)的組合反復(fù)進(jìn)行2次。 陽(yáng)146](工序5(1))對(duì)貼合基板實(shí)施了 150°C、24小時(shí)的結(jié)合熱處理。其結(jié)果，貼合基板 的外觀無(wú)剝離等異常、良好。 陽(yáng)147](工序6(1))對(duì)貼合基板中的娃基板1研削加工直至厚度成為150ym。其結(jié)果， 外觀良好。
[0148] 沒(méi)有進(jìn)行貼合基板的外周的修剪加工。
[0149] (工序5(2))對(duì)貼合基板實(shí)施了 200°C、24小時(shí)的結(jié)合熱處理。其結(jié)果，貼合基板 的外觀無(wú)剝離等異常、良好。
[0150] (工序6 (2))對(duì)貼合基板中的娃基板1研削加工直至厚度成為80ym。其結(jié)果，貝占 合基板的外觀良好。
[0151] (工序7)使用電子工業(yè)用混合酸（鏡面化處理液Si工ッ子E、日本化成（株）制 造）對(duì)薄化后的娃基板1'旋轉(zhuǎn)蝕刻而除去。 陽(yáng)152](工序8)最后使用氣化氨水溶液對(duì)露出的第1娃氧化膜2蝕刻而除去，使娃活性 層3露出。其結(jié)果，娃活性層3的外觀良好。 陽(yáng)15引接下來(lái)，將娃活性層3研磨直至成為厚280nm而薄膜化，得到了SOI結(jié)構(gòu)的混合基 板。
[0154] [試驗(yàn)例 10]
[0155] 試驗(yàn)例1中，變更為W下的條件進(jìn)行了貼合工序（工序4)W后的處理。 陽(yáng)156](工序4)邊將SOI基板與藍(lán)寶石基板5加熱到150°C，邊使其接觸、貼合。 陽(yáng)157] 接下來(lái)，將提高SOI基板與支持基板的結(jié)合力的結(jié)合熱處理（工序5)和將上述貼 合基板的娃基板1研削而薄化的研削薄化處理（工序6)的組合反復(fù)進(jìn)行2次。
[0158] (工序5(1))對(duì)貼合基板實(shí)施了 175°C、24小時(shí)的結(jié)合熱處理。其結(jié)果，貼合基板 的外觀無(wú)剝離等異常、良好。
[0159] (工序6(1))對(duì)貼合基板中的娃基板1研削加工直至厚度成為120ym。其結(jié)果， 在貼合基板的外周部分發(fā)現(xiàn)了來(lái)自接合部的娃基板1的剝離。
[0160] 沒(méi)有進(jìn)行貼合基板的外周的修剪加工。 陽(yáng)161](工序5(2))對(duì)貼合基板實(shí)施了 200°C、24小時(shí)的結(jié)合熱處理。其結(jié)果，貼合基板 的外觀無(wú)剝離等異常、良好。 陽(yáng)162](工序6(2))對(duì)貼合基板中的娃基板1研削加工直至厚度成為80ym。其結(jié)果，在 貼合基板的外周部分發(fā)現(xiàn)了來(lái)自接合部的娃基板1的剝離。 陽(yáng)163](工序7)使用電子工業(yè)用混合酸（鏡面化處理液Si工ッ子E、日本化成（株）審。 造）對(duì)薄化后的娃基板1'旋轉(zhuǎn)蝕刻而除去。
[0164](工序8)最后使用氣化氨水溶液將露出的第1娃氧化膜2蝕刻除去，使娃活性層 3露出。其結(jié)果，在娃活性層3的外周部分發(fā)現(xiàn)了剝離。推定是因?yàn)椋貉邢骷庸r(shí)成為掛絳 研削輪的狀態(tài)，剝離娃基板1的應(yīng)力發(fā)揮作用。 陽(yáng)1化][試驗(yàn)例11] 陽(yáng)166] 試驗(yàn)例10中，變更為W下的條件進(jìn)行了工序6(1)W后的處理。
[0167] (工序6(1))對(duì)貼合基板中的娃基板1研削加工直至厚度成為150ym。其結(jié)果， 外觀良好。
[0168] 沒(méi)有進(jìn)行貼合基板的外周的修剪加工。 陽(yáng)169](工序5(2))對(duì)貼合基板實(shí)施了 200°C、24小時(shí)的結(jié)合熱處理。其結(jié)果，貼合基板 的外觀無(wú)剝離等異常、良好。 陽(yáng)170](工序6(2))對(duì)貼合基板中的娃基板1研削加工直至厚度成為60ym。其結(jié)果，貝占 合基板的外觀良好。 陽(yáng)171](工序7)使用電子工業(yè)用混合酸（鏡面化處理液Si工ッ子E、日本化成（株）審。 造）對(duì)薄化后的娃基板1'旋轉(zhuǎn)蝕刻而除去。 陽(yáng)172](工序8)最后使用氣化氨水溶液將露出的第1娃氧化膜2蝕刻除去，使娃活性層 3露出。其結(jié)果，娃活性層3的外觀良好。 陽(yáng)173] 接下來(lái)，將娃活性層3研磨直至成為厚280nm而薄膜化，得到了SOI結(jié)構(gòu)的混合基 板。
[0174] [試驗(yàn)例 12]
[0175] 試驗(yàn)例10中，變更為W下的條件而進(jìn)行了工序6(1)W后的處理。 陽(yáng)176](工序6(1))對(duì)貼合基板中的娃基板1研削加工直至厚度成為200ym。其結(jié)果， 外觀良好。 陽(yáng)177] 沒(méi)有進(jìn)行貼合基板的外周的修剪加工。
[0178](工序5(2))對(duì)貼合基板實(shí)施了 200°C、24小時(shí)的結(jié)合熱處理。其結(jié)果，貼合基板 的外觀無(wú)剝離等異常、良好。
[01巧](工序6 (2))對(duì)貼合基板中的娃基板1研削加工直至厚度成為75ym。其結(jié)果，貝占 合基板的外觀良好。
[0180](工序7)使用電子工業(yè)用混合酸（鏡面化處理液Si工ッ子E、日本化成（株）制 造）對(duì)薄化后的娃基板r旋轉(zhuǎn)蝕刻而除去。 陽(yáng)181](工序8)最后使用氣化氨水溶液將露出的第1娃氧化膜2蝕刻除去，使娃活性層 3露出。其結(jié)果，娃活性層3的外觀良好。 陽(yáng)1間接下來(lái)，將娃活性層3研磨直至成為厚280皿而薄膜化，得到了SOI結(jié)構(gòu)的混合基 板。 陽(yáng)183][試驗(yàn)例1引
[0184] 試驗(yàn)例1中，變更為W下的條件進(jìn)行了貼合工序（工序4)W后的處理。 陽(yáng)1化](工序4)邊將SOI基板和藍(lán)寶石基板5加熱到175°C，邊使其接觸、貼合。 陽(yáng)186] 接下來(lái)，將提高SOI基板與支持基板的結(jié)合力的結(jié)合熱處理（工序5)和將上述貼 合基板的娃基板1研削而薄化的研削薄化處理（工序6)的組合反復(fù)進(jìn)行2次。 陽(yáng)187](工序5(1))對(duì)貼合基板實(shí)施了 175°C、24小時(shí)的結(jié)合熱處理。其結(jié)果，貼合基板 的外觀無(wú)剝離等異常、良好。
[0188](工序6(1))對(duì)貼合基板中的娃基板1研削加工直至厚度成為150ym。其結(jié)果， 外觀良好。 陽(yáng)189] 沒(méi)有進(jìn)行貼合基板的外周的修剪加工。 陽(yáng)190](工序5(2))對(duì)貼合基板實(shí)施了 200°C、24小時(shí)的結(jié)合熱處理。其結(jié)果，貼合基板 的外觀無(wú)剝離等異常、良好。 陽(yáng)191](工序6 (2))對(duì)貼合基板中的娃基板1研削加工直至厚度成為50ym。其結(jié)果，有 貼合基板的外觀良好的情形和在外周部分發(fā)現(xiàn)來(lái)自接合部的娃基板1的剝離的情形。
[0192](工序7)使用電子工業(yè)用混合酸（鏡面化處理液Si工ッ子E、日本化成（株）制 造）對(duì)薄化后的娃基板1'旋轉(zhuǎn)蝕刻而除去。 陽(yáng)193](工序8)最后使用氣化氨水溶液將露出的第1娃氧化膜2蝕刻除去，使娃活性層 3露出。其結(jié)果，對(duì)于研削加工后的貼合基板的外觀良好的產(chǎn)物，娃活性層3的外觀良好。 另一方面，對(duì)于在研削加工后的貼合基板的外周發(fā)現(xiàn)了剝離的產(chǎn)物，在娃活性層3的外周 部分發(fā)現(xiàn)了剝離。在外周部分發(fā)現(xiàn)剝離的情形下，推定是因?yàn)椋貉邢骷庸r(shí)成為掛絳研削輪 的狀態(tài)，剝離娃基板1的應(yīng)力發(fā)揮作用。
[0194] 對(duì)于娃活性層3良好的產(chǎn)物，將娃活性層3研磨直至成為厚280nm而薄膜化，得到 了SOI結(jié)構(gòu)的混合基板。 陽(yáng)195] 由該試驗(yàn)例13的結(jié)果，直至50ym的薄化（研削時(shí)外周的鼓起的部分掛絳而引起 剝離的可能性高）難W說(shuō)穩(wěn)定，可W比50ym厚地殘留。優(yōu)選為60ymW上。 陽(yáng)196][試驗(yàn)例14] 陽(yáng)197] 試驗(yàn)例13中，作為第2次的研削加工處理（工序6 (2))