一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，高刷新頻率、高解析度(Pixel Per Inch，PPI)、陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路(Gate Driver On Array，GOA)等技術(shù)層出不窮。這些技術(shù)對(duì)薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)性能，特別是有源層的迀移率要求越來越高。
[0003]氧化物有源層具有較高的迀移率，氧化物TFT的載流子迀移率高達(dá)10cm2/Vs，是非晶硅TFT的10倍左右，因此氧化物TFT是目前顯示技術(shù)領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)。但是，在源極和漏極刻蝕過程中，氧化物有源層容易被刻蝕液侵蝕而損壞，現(xiàn)有技術(shù)為了解決這一問題，通常在氧化物TFT中設(shè)置刻蝕阻擋層結(jié)構(gòu)。
[0004]具體地，如圖1所示，首先，在襯底基板10上沉積一層金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝制作柵極11，在柵極11上制作柵極絕緣層12，在柵極絕緣層12上通過構(gòu)圖工藝制作氧化物有源層13，氧化物有源層13的材料為銦鎵鋅氧化物(IGZO)，在氧化物有源層13上通過構(gòu)圖工藝制作刻蝕阻擋層14，在刻蝕阻擋層14上通過構(gòu)圖工藝制作源極15和漏極16，源極15通過貫穿刻蝕阻擋層14的過孔與氧化物有源層13連接，漏極16通過貫穿刻蝕阻擋層14的過孔與氧化物有源層13連接。其中，上面描述的構(gòu)圖工藝包括光刻膠的涂覆、曝光、顯影，刻蝕以及去除光刻膠的部分或全部過程。
[0005]綜上所述，現(xiàn)有技術(shù)刻蝕阻擋層雖然能夠阻擋刻蝕液對(duì)氧化物有源層的侵蝕，但需要增加一道掩膜板，工藝復(fù)雜；同時(shí)貫穿刻蝕阻擋層過孔的設(shè)置增大了 TFT的面積，使得TFT很難做小，由于TFT所占的面積較大，降低了像素的開口率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置，用以減少一道掩膜板，節(jié)省產(chǎn)能，提高像素的開口率。
[0007]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管，包括襯底基板，位于所述襯底基板上的柵極、柵極絕緣層、有源層以及源極和漏極；
[0008]所述源極包括與所述有源層接觸的第一源極，位于所述第一源極上的第二源極；
[0009]所述漏極包括與所述有源層接觸的第一漏極，位于所述第一漏極上的第二漏極；
[0010]其中，所述第一源極和所述第一漏極的材料為導(dǎo)電聚合物；所述第二源極和所述第二漏極的材料為金屬。
[0011]由本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的薄膜晶體管，包括襯底基板，位于襯底基板上的柵極、柵極絕緣層、有源層以及源極和漏極；源極包括與有源層接觸的第一源極，位于第一源極上的第二源極；漏極包括與有源層接觸的第一漏極，位于第一漏極上的第二漏極；其中，第一源極和第一漏極的材料為導(dǎo)電聚合物；第二源極和第二漏極的材料為金屬。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例中的薄膜晶體管不需要設(shè)置刻蝕阻擋層，能夠減少一道掩膜板，節(jié)省產(chǎn)能；由于本發(fā)明實(shí)施例中的第一源極和第一漏極的材料為導(dǎo)電聚合物，與現(xiàn)有技術(shù)相比，不需要設(shè)置過孔，能夠提高像素的開口率。
[0012]較佳地，所述導(dǎo)電聚合物為聚乙炔，或?yàn)榫坂绶?，或?yàn)榫圻量?，或?yàn)榫郾桨贰?br>[0013]較佳地，所述金屬為銅、鉬、鋁、釹的單層金屬，或?yàn)橛摄~、鉬、鋁、釹組成的復(fù)合金屬O
[0014]較佳地，還包括位于所述第二源極和所述第二漏極上的鈍化層。
[0015]較佳地，所述鈍化層的材料為氧化硅層，或?yàn)榈鑼?，或?yàn)檠趸韬偷璧膹?fù)入[3
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[0016]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板，所述陣列基板包括上述的薄膜晶體管。
[0017]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述的陣列基板。
[0018]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種薄膜晶體管的制作方法，包括在襯底基板上制作柵極、柵極絕緣層、有源層以及源極和漏極的方法，其中，所述源極包括與所述有源層接觸的第一源極，位于所述第一源極上的第二源極；所述漏極包括與所述有源層接觸的第一漏極，位于所述第一漏極上的第二漏極；
[0019]所述制作源極和漏極的方法包括:
[0020]在所述有源層上依次沉積導(dǎo)電聚合物層和金屬層；
[0021]對(duì)所述金屬層采用構(gòu)圖工藝形成所述第二源極和所述第二漏極，對(duì)所述導(dǎo)電聚合物層采用構(gòu)圖工藝形成所述第一源極和所述第一漏極。
[0022]較佳地，所述對(duì)所述金屬層采用構(gòu)圖工藝形成第二源極和第二漏極，對(duì)所述導(dǎo)電聚合物層采用構(gòu)圖工藝形成第一源極和第一漏極，具體包括:
[0023]在所述金屬層上涂覆光刻膠，并對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光、顯影，保留需要形成第一源極、第一漏極、第二源極和第二漏極位置處的光刻膠；
[0024]通過第一次刻蝕去除暴露出的金屬層；
[0025]通過第二次刻蝕去除暴露出的導(dǎo)電聚合物層，所述第一次刻蝕為濕法刻蝕，所述第二次刻蝕為干法刻蝕；
[0026]去除剩余的光刻膠，形成第一源極、第一漏極、第二源極和第二漏極。
[0027]較佳地，所述方法還包括在形成有第一源極、第一漏極、第二源極和第二漏極的襯底基板上通過構(gòu)圖工藝制作鈍化層。
【附圖說明】
[0028]圖1為現(xiàn)有技術(shù)薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管制作源極和漏極的方法流程圖；
[0032]圖5-圖8分別為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種薄膜晶體管在制作過程中的不同階段的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖9-圖11分別為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種薄膜晶體管在制作過程中的不同階段的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖12為本發(fā)明實(shí)施例二提供的另一薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0035]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置，用以減少一道掩膜板，節(jié)省產(chǎn)能，提高像素的開口率。
[0036]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0037]下面結(jié)合附圖詳細(xì)介紹本發(fā)明具體實(shí)施例提供的薄膜晶體管及其制作方法。
[0038]如圖2所示，本發(fā)明具體實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管，包括襯底基板10，位于襯底基板10上的柵極11、柵極絕緣層12、有源層13以及源極24和漏極25，源極24包括與有源層13接觸的第一源極241，位于第一源極241上的第二源極242 ;漏極25包括與有源層13接觸的第一漏極251，位于第一漏極251上的第二漏極252 ;其中，第一源極241和第一漏極251的材料為導(dǎo)電聚合物；第二源極242和第二漏極252的材料為金屬。
[0039]優(yōu)選地，本發(fā)明具體實(shí)施例中的第一源極241和第一漏極251為聚乙炔，或?yàn)榫坂绶?，或?yàn)榫圻量?，或?yàn)榫郾桨贰１景l(fā)明具體實(shí)施例并不對(duì)第一源極241和第一漏極251的具體材料做限定，在具體實(shí)施過程中，還可以是其它種類的導(dǎo)電聚合物，只要能夠?qū)罄m(xù)刻蝕金屬時(shí)的刻蝕液起到阻擋作用的導(dǎo)電聚合物都可以。
[0040]優(yōu)選地，本發(fā)明具體實(shí)施例中的第二源極242和第二漏極252為銅(Cu)、鉬(Mo)、鋁(Al)、釹(Nd)的單層金屬，或?yàn)橛蒀u、Mo、Al、Nd組成的復(fù)合金屬。本發(fā)明具體實(shí)施例并不對(duì)第二源極242和第二漏極252的具體材料做限定，在具體實(shí)施過程中，還可以是其它種類的單層金屬或復(fù)合金屬，優(yōu)選地，第二源極242和第二漏極252的材料與柵極11的材料相同。
[0041]在實(shí)際生產(chǎn)過程中，當(dāng)本發(fā)明具體實(shí)施例中的第二源極242和第二漏極252的材料為銅時(shí)，本發(fā)明具體實(shí)施例中的第一源極241和第一漏極251能夠防止銅擴(kuò)散到有源層13中。
[0042]如圖3所示，本發(fā)明具體實(shí)施例中的薄膜晶體管還包括位于第二源極242和第二漏極252上的鈍化層31。鈍化層31的設(shè)置能夠?qū)τ性磳?3、第二源極242和第二漏極252起到保護(hù)作用。本發(fā)明具體實(shí)施例在鈍化層31中設(shè)置有貫穿該鈍化層31的過孔32，過孔32的設(shè)置能夠使得后續(xù)制作的像素電極與第二漏極252接觸，以便給像素電極輸入信號(hào)。
[0043]優(yōu)選地，本發(fā)明具體實(shí)施例中的鈍化層31的材料為氧化硅(Si02)層，或?yàn)榈?SiN)層，或?yàn)镾i02和SiN組成的復(fù)合層，本發(fā)明具體實(shí)施例并不對(duì)鈍化層31的材料做具體限定。
[0044]本發(fā)明具體實(shí)施例還提供了一種陣列基板，該陣列基板包括本發(fā)明具體實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管，由于本發(fā)明具體實(shí)施例提供的薄膜晶體管與現(xiàn)有技術(shù)相比，不需要設(shè)置刻蝕阻擋層，能夠節(jié)省產(chǎn)能，提高像素的開口率，因此，本發(fā)明具體實(shí)施例提供的陣列基板也能夠節(jié)省廣能，提尚像素的開口率。
[0045]本發(fā)明具體實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括本發(fā)明具體實(shí)施例提供的陣列基板，該顯示裝置可以為液晶面板、液晶顯示器、液晶電視、有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting D1de，OLED)面板、OLED顯示器、OLED電視或電子紙等顯示裝置。
[0046]如圖4所示，本發(fā)明具體實(shí)施例還提供了一種薄膜晶體管的制作方法，包括在襯底基板上制作柵極、柵極絕緣層、有源層以及源極和漏極的方法，所述源極包括與所述有源層接觸的第一源極，位于所述第一源極上的第二源極；所述漏極包括與所述有源層接觸的第一漏極，位于所述第一漏極上的第二漏極；
[0047]所述制作源極和漏極的方法包括:
[0048]S401、在所述有源層上依次沉積導(dǎo)電聚合物層和金屬層；
[0049]S402、對(duì)所述金屬層采用構(gòu)圖工藝形成第二源極和第二漏極，對(duì)所述導(dǎo)電聚合