光電子部件及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及依據(jù)專利權(quán)利要求1的制造光電子部件的方法以及涉及依據(jù)專利權(quán)利要求11的光電子部件。
[0002]本專利申請要求德國專利申請DE 10 2013 202 910.1的優(yōu)先權(quán)，本申請的公開內(nèi)容通過參考而被包括于此。
【背景技術(shù)】
[0003]在現(xiàn)有技術(shù)中，光電子部件包括實現(xiàn)若干功能性的外殼。這些功能性包含提供用于光電子部件的光電子半導(dǎo)體芯片的電連接、提供適合的安裝界面一一例如用于依據(jù)SMT技術(shù)的表面安裝、以及機(jī)械連接光電子部件的各個部分。而且，可以集成保護(hù)性的ESD 二極管以用于保護(hù)光電子部件的光電子半導(dǎo)體芯片免遭由靜電放電產(chǎn)生的損害，以及集成用于注入和分開光、用于形成束或者用于轉(zhuǎn)換波長的器件。由于要被實現(xiàn)的這許多的功能性，所以常規(guī)的光電子部件的外殼構(gòu)成大量的消費因素。
[0004]DE 10 2009 036 621 Al公開了制造光電子部件的方法，其中光電子半導(dǎo)體芯片被布置在載體的上表面處。光電子半導(dǎo)體芯片被封裝在模制體中，該模制體覆蓋光電子半導(dǎo)體芯片的所有橫向表面。光電子半導(dǎo)體芯片的頂表面和底表面優(yōu)選地保持不被占用。在去除載體之后，光電子半導(dǎo)體芯片可以被單體化。在每個半導(dǎo)體芯片的頂表面和/或底表面處，可以提供接觸點。模制體可以例如由基于環(huán)氧樹脂的模制材料組成。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目標(biāo)是提供制造光電子部件的方法。該目標(biāo)通過具有權(quán)利要求1的特征的方法來解決。本發(fā)明的進(jìn)一步目標(biāo)是提供光電子部件。該目標(biāo)通過具有權(quán)利要求11的特征的光電子部件來解決。在從屬權(quán)利要求中指示潛在和優(yōu)選的實施例。
[0006]制造光電子部件的方法包括以下步驟:提供具有第一表面的光電子半導(dǎo)體芯片；在第一表面上沉積犧牲層；形成模制體，光電子半導(dǎo)體芯片被至少部分嵌入到該模制體中；以及去除犧牲層。有利地，該方法允許制造具有模制體的光電子部件，該模制體包括鄰近于在模制體中嵌入的光電子半導(dǎo)體芯片的凹陷。在不要求先前精確放置半導(dǎo)體芯片或另一個部分的情況下，將所述凹陷與光電子半導(dǎo)體芯片精確對準(zhǔn)。模制體的凹陷于是可以有利地被用于以高的精確度相對于光電子半導(dǎo)體芯片來安置光電子部件的進(jìn)一步部分。有利地，該方法不涉及復(fù)雜的光刻工藝步驟。
[0007]在該方法的實施例中，在去除犧牲層之前執(zhí)行進(jìn)一步步驟，用于部分去除模制體以便致使?fàn)奚鼘涌山咏?。結(jié)果，在將光電子半導(dǎo)體芯片嵌入到模制體中時犧牲層有利地不必保持不被占用，而是可以被模制體覆蓋。在部分去除模制體時，光電子半導(dǎo)體芯片有利地被犧牲層保護(hù)，因而防止對光電子半導(dǎo)體芯片的損害。
[0008]在該方法的實施例中，光電子半導(dǎo)體芯片的第一表面被提供用于電磁福射的通道。有利地，光電子部件的模制體中的凹陷于是被布置成鄰近于光電子半導(dǎo)體芯片的所述束通道表面。這允許使用模制體中的凹陷來用于光電子部件的部分相對于光電子半導(dǎo)體芯片的所述束通道表面的自對準(zhǔn)布置。
[0009]在該方法的實施例中，將具有布置在其上的接觸引腳犧牲層的導(dǎo)電接觸引腳與光電子半導(dǎo)體芯片一起嵌入在模制體中。隨后，接觸引腳犧牲層與犧牲層一起被去除。有利地，嵌入在模制體中的接觸引腳于是可以被用于將電連接引導(dǎo)穿過模制體。
[0010]在該方法的實施例中，所述方法包括以下進(jìn)一步步驟:在光電子半導(dǎo)體芯片的第一表面處布置的電接觸與接觸引腳之間建立導(dǎo)電連接。有利地，接觸引腳于是引導(dǎo)導(dǎo)電連接穿過模制體到光電子半導(dǎo)體芯片的電接觸，因而允許在模制體的另一側(cè)處電接觸光電子半導(dǎo)體芯片。
[0011]在該方法的實施例中，所述方法包括在模制體的上表面處布置光學(xué)透鏡的進(jìn)一步步驟。有利地，在模制體中形成的鄰近光電子半導(dǎo)體芯片的凹陷允許光學(xué)透鏡關(guān)于光電子半導(dǎo)體芯片的精確自對準(zhǔn)定向。為了對準(zhǔn)光學(xué)透鏡，具有高精確度的光學(xué)透鏡的耗時和昂貴的放置因此不是所需的。
[0012]在該方法的實施例中，光電子半導(dǎo)體芯片被嵌入在模制體中，使得光電子半導(dǎo)體芯片的第二表面與模制體的底表面處于齊平。有利地，光電子半導(dǎo)體芯片的第二表面于是在光電子半導(dǎo)體芯片的模制體的底表面處是可接近的。這允許在模制體的底表面處電接觸光電子部件的光電子半導(dǎo)體芯片。
[0013]在該方法的實施例中，在形成模制體之前，執(zhí)行將光電子半導(dǎo)體芯片布置在載體上的步驟，其中光電子半導(dǎo)體芯片的第二表面被布置成面向載體的上表面。有利地，該方法步驟保證光電子半導(dǎo)體芯片的第二表面在隨后形成的模制體的底表面處保持可接近的。
[0014]在該方法的實施例中，在犧牲層的沉積與模制體的形成之間將光電子半導(dǎo)體芯片與晶片分離。有利地，然后在光電子半導(dǎo)體芯片的晶片上執(zhí)行犧牲層的沉積，因而允許以便宜方式同時向多個光電子半導(dǎo)體芯片供應(yīng)犧牲層。
[0015]在該方法的實施例中，將多個光電子半導(dǎo)體芯片共同地嵌入到模制體中。之后，模制體被劃分以便獲得多個光電子部件。有利地，該方法因此允許在共享的方法步驟中并行制造多個光電子部件。有利地，這導(dǎo)致針對每個光電子部件的制造成本的劇烈減少。
[0016]光電子部件包括具有第一表面的光電子半導(dǎo)體芯片。光電子半導(dǎo)體芯片被嵌入到具有上表面的模制體中。光電子半導(dǎo)體芯片的第一表面在模制體的上表面處是可接近的。模制體的上表面關(guān)于光電子半導(dǎo)體芯片的第一表面是升高的。有利地，模制體的升高的上表面形成圍繞被嵌入到光電子部件的模制體中的光電子半導(dǎo)體芯片的第一表面的調(diào)整區(qū)域，在該調(diào)整區(qū)域處可以以高精確度以自對準(zhǔn)的方式來相對于光電子半導(dǎo)體芯片定向光電子部件的進(jìn)一步部分。
[0017]在光電子部件的實施例中，光電子半導(dǎo)體芯片的第一表面被提供用于電磁輻射的通道。有利地，通過升高超過光電子半導(dǎo)體芯片的第一表面的模制體部分形成的調(diào)整區(qū)域因此被布置成在光電子半導(dǎo)體芯片的輻射通道區(qū)域之上，這允許在光電子半導(dǎo)體芯片的輻射通道區(qū)域之上的光電子部件部分的精確和自對準(zhǔn)定向。
[0018]在光電子部件的實施例中，光學(xué)透鏡被布置在模制體的上表面上。有利地，可以以自對準(zhǔn)和精確的方式在通過模制體的升高的部分形成的調(diào)整區(qū)域處相對于光電子半導(dǎo)體芯片定向透鏡，這可以導(dǎo)致光電子部件的高質(zhì)量的光學(xué)屬性。
[0019]在光電子部件的實施例中，光學(xué)透鏡鄰接與模制體整體地形成的調(diào)整結(jié)構(gòu)。有利地，光電子部件具有由少量的單個部分組成的簡單設(shè)計，并且因此可以以便宜的方式被制造。
[0020]在光電子部件的實施例中，將導(dǎo)電接觸引腳嵌入在模制體中。接觸引腳在模制體的上表面處是可接近的。在光電子半導(dǎo)體芯片的第一表面處布置的電接觸在本上下文中以導(dǎo)電的方式被連接到接觸引腳。有利地，光電子部件的光電子半導(dǎo)體芯片于是可以在與模制體的上表面相對的模制體的底表面處被電接觸。由此經(jīng)由接觸引腳和接觸引腳與光電子半導(dǎo)體芯片的第一表面處的電接觸之間的導(dǎo)電連接來引導(dǎo)電連接。
[0021 ] 在光電子部件的實施例中，光電子半導(dǎo)體芯片的第二表面在模制體的底表面處是可接近的，并且與模制體的底表面處于齊平。有利地，光電子部件的光電子半導(dǎo)體芯片的第二電接觸于是可以在模制體的底表面處的光電子半導(dǎo)體芯片的第二表面處被電接觸。這允許在執(zhí)行了表面安裝技術(shù)(SMT )之后例如借助于回流焊接而電接觸光電子部件。
[0022]在光電子部件的實施例中，金屬化部被布置成在光電子半導(dǎo)體芯片的第二表面處。有利地，金屬化部可以用來借助于焊接方法電接觸光電子半導(dǎo)體芯片。
【附圖說明】
[0023]本發(fā)明的以上描