專利名稱：用于光電子部件的殼體、光電子部件以及用于制造光電子部件的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種用于光電子部件的殼體、一種光電子部件以及一種用于制造光電子部件的方法。
出版物WO02/08 47 49 A2描述了一種引線框架和一種殼體，以及由此構成的輻射發(fā)射的部件。在此，在殼體基體中，以輻射出射窗的形式構造凹槽，其中輻射出射窗的側壁形成反射器。
本發(fā)明的任務是說明一種用于光電子部件的殼體，該殼體可以特別多樣地使用。此外，本發(fā)明的任務是說明一種具有這種殼體的光電子部件以及一種用于制造這種光電子部件的方法。
該任務通過一種根據(jù)權利要求1所述的殼體、一種根據(jù)權利要求10所述的光電子部件以及一種根據(jù)權利要求12所述的用于制造光電子部件的方法來解決。本發(fā)明的一些有利的擴展方案是從屬權利要求的主題。
說明了一種用于光電子部件的殼體。優(yōu)選地，涉及一種用于可表面安裝的光電子部件的殼體。
在殼體的至少一種實施形式中，該殼體具有帶芯片安裝面的支承體。即，在支承體上設置有一個面，例如至少一個輻射發(fā)射或者輻射接收的半導體芯片可安裝到該面上。
支承體例如可以具有基體，該基體包含電絕緣的材料。接著，將包含導電材料的結構化的印制導線施加到支承體的基體的表面的至少一部分上。芯片安裝面優(yōu)選通過支承體的表面的至少一部分來提供。芯片安裝面例如可以由印制導線的一部分構成。通過印制導線可以電接觸施加到支承體上的芯片。
此外，殼體優(yōu)選具有光學元件。優(yōu)選地，光學元件與支承體分開制造并且機械地固定到支承體上。支承體與光學元件之間的分離平面優(yōu)選設置在芯片安裝面的平面中。
優(yōu)選地，光學元件至少部分地包圍芯片安裝面。對此，光學元件具有例如側壁，這些側壁至少部分地包圍芯片安裝面。
根據(jù)至少一種實施形式，說明了一種用于光電子部件的殼體，該殼體具有帶有芯片安裝面的支承體和光學元件，其中支承體與光學元件之間的分離平面設置在芯片安裝面的平面中。
在此，殼體利用這樣的思想，即通過支承體與光學元件的分離的構造得到許多用于光電子部件的新設計可能性。因此，例如在相同的支承體中，可根據(jù)使用者的要求通過選擇確定的光學元件來匹配輻射特性。因為支承體和光學元件優(yōu)選分開制造，所以在選擇材料系時還提供了更多可能性，其中分別構成支承體和光學元件。
光學元件優(yōu)選這樣地設置在芯片安裝面之后，使得施加到芯片安裝面上的輻射發(fā)射的部件的輻射至少部分碰到光學元件的至少部分區(qū)域。
根據(jù)殼體的至少一種實施形式，光學元件的至少一部分適于至少部分反射至少確定波長范圍的電磁輻射。如果光學元件的側壁至少部分包圍芯片安裝面，則設置在芯片安裝面后的光學元件的內壁、即例如側壁的內側可以適于反射可預給定的波長范圍的電磁輻射。光學元件的輻射特性例如可以通過光學元件的內壁的形狀以及光學元件所包含的材料來確定。因此，光學元件例如為反射器。
因此在至少一種實施形式中，光學元件為非成像的光學聚焦器，其中光學元件的光輸入口為聚焦器的實際的光輸出口。光輸入口優(yōu)選設置在芯片安裝面后。也就是說，光學聚焦器朝著芯片安裝面逐漸變細。因此，光學聚焦器的橫截面朝著芯片安裝面減小。以這樣的方式，光學元件可以適于減小由固定到芯片安裝面上的輻射發(fā)射的部件所發(fā)射的光束在穿過光學元件時的發(fā)散。
根據(jù)至少一種實施形式，光學元件至少部分按照復合式拋物面聚焦器(Compound Parabolic Concentrator，CPC)、復合式橢圓聚焦器(CompoundElliptic Concentrator，CEC)、復合式雙曲線聚焦器(CompoundHyperbolic Concentrator，CHC)或者TIR(Total Internal Reflection全內反射)光學系統(tǒng)來構成。也就是說，例如設置在芯片安裝區(qū)域后的光學元件的反射地構造的內壁至少部分按照CPC、CEC、CHC或者TIR來構成。此外，還可能的是，光學元件通過至少這些光學元件的至少兩個的組合來構成。
根據(jù)至少一種實施形式，光學元件具有內壁，這些內壁使光學元件的光輸入口與光輸出口相連并且在此基本上平直地伸展。在此例如光學元件的內壁構成截頂棱錐或者截頂圓錐。優(yōu)選地，內壁也反射地構造。
在至少一種實施形式中，光學元件為介電聚焦器。因此，至少其側壁由具有合適折射率的介電材料構成，使得通過光輸入口入射的輻射通過在側壁或者內壁的界面上的全反射而向包圍的介質反射。
此外，可能的是，光學元件為自由形狀光學系統(tǒng)(Freiformoptik)。即，設置在芯片安裝面后的例如光學元件的內壁的形狀，與部件的所希望的輻射特征相匹配。在此，內壁的形狀例如可以通過仿真計算(例如光線跟蹤(Ray-Tracing)方法)很精確地確定。由于支承體與光學元件的分開制造，因此可特別簡單地制造計算所得的光學系統(tǒng)。
此外，可能的是，光學元件為透鏡、透鏡系統(tǒng)或者其它光折射的光學系統(tǒng)。即，光學元件的至少一部分適于折射通過光學元件的輻射。
在至少一種實施形式中，至少一個附加的光學元件設置在光學元件的光輸出口后，該附加的光學元件適于將從光輸出口射出的電磁輻射彎曲、折射或者波長變換。特別優(yōu)選地，附加光學元件完成了這些任務中的至少兩個。
按照至少一種實施形式，附加的光學元件具有光輸出面，光輸出面例如可以球面或者非球面地成拱形。例如，光輸出面向外凸成拱形。由此，例如可以實現(xiàn)減小由光學元件的光輸出口出射的電磁輻射的發(fā)散。
優(yōu)選地，附加的光學元件的光輸出面按照非球面透鏡的方式成拱形。即，光輸出口為用于折射出射光束的光學面，該光學面既不是球形也不是平面的。特別優(yōu)選地，這樣構造的光學元件可以具有多個形狀參數(shù)，由此例如可考慮固定到芯片安裝面上的輻射發(fā)射的半導體芯片的輻射輸出耦合面的大小。與此相反，球形透鏡對于點狀的光源是最佳的，并且在非點狀光源的情況下，例如在減小出射光束的發(fā)散方面會具有明顯更差的特征。
在殼體的至少一種實施形式中，光學元件包含反射材料。優(yōu)選地，反射材料適于反射例如由安裝在芯片安裝面上的輻射發(fā)射部件所產(chǎn)生的電磁輻射。為此，光學元件例如可以包含塑料，合適的色素顏料被引入該塑料中，該色素顏料反射由芯片發(fā)射的輻射。此外，還可能的是，光學元件由陶瓷材料構成。但，光學元件也可以以金屬鑄造方法由反射材料制造。
此外，光學元件的基體例如可以由不反射的材料構成，并且光學元件的設置在芯片安裝面后的內壁設置有反射的涂層。在此，該涂層可以包含以下材料中的至少一種氧化鋁、鋁、硅、二氧化硅、氮化硅。反射的涂層可以借助涂布方法例如脈沖化學氣相外延(PICVD)以限定的厚度施加到光學元件的內壁上。在此，涂層并非一定要覆蓋內壁的整個面。
此外，可能的是，光學元件例如在其光輸出口附近非反射地構造。以這樣的方式，可以防止例如由安裝到芯片安裝面上的半導體芯片所發(fā)射的特別發(fā)散的輻射入射進光學元件中。
有利地，反射層或者多個反射層的厚度和組合可與待安裝進殼體內的光電子部件相匹配。在此，例如可能的是，涂層是顏色最優(yōu)化的并且特別良好地反射確定的波長的光。
特別有利的是光學元件和支承體的分開制造，因為該涂層不必采取預防措施防止電絕緣或者導電的材料覆蓋支承體上的芯片安裝面或者印制導線，例如在一體式殼體的情況那樣。
根據(jù)殼體的至少一種實施形式，光學元件包含適于促成光學元件與例如至少部分包圍安裝到芯片安裝面上的芯片的填料之間的粘合的材料。該材料可以作為薄的層施加到光學元件的、設置在芯片安裝面后的內壁上。如果填料包含例如硅樹脂，則包含二氧化硅的涂層特別良好地適于提高填料在光學元件上的粘合。例如，硅酸鹽層借助火焰裂解(Flammenpyrolyse)施加到光學元件的內壁上。
對應用于光電子部件的殼體的至少一種實施形式，可能的是，光學元件包含發(fā)光轉換材料。該發(fā)光轉換材料適于對例如由安裝到芯片安裝面上的半導體芯片所發(fā)射的電磁輻射的至少一部分進行波長轉換。為此，發(fā)光轉換材料包含至少一種熒光材料微粒。特別好地適合的是例如無機熒光材料如稀土、摻雜石榴石，或者有機熒光材料如苝(Perylen)熒光材料。例如在出版物WO98/12 757中闡明了其它合適的熒光材料，該出版物關于熒光材料的內容通過引用結合于此。
借助發(fā)光轉換材料，可以通過主輻射的很大程度上的完全轉換，或者通過有目的的部分轉換以及主輻射與轉換過的輻射的混合產(chǎn)生CIE色彩圖表上的所希望的色度坐標的可見光、特別是白光。
發(fā)光轉換材料例如可以作為薄層施加到光學元件的內壁上。在此，發(fā)光轉換層有利地包含發(fā)光轉換材料混合矩陣(Matrixgemisch)。該矩陣包含例如熱固性的聚合物或者硅樹脂。發(fā)光轉換材料可以以基本上均勻的濃度例如施加到光學元件的內壁上。但是也可能的是，提高在光學元件的限定區(qū)域內的發(fā)光轉換材料的濃度并且減小在光學元件的其它區(qū)域內的濃度。此外可能的是，光學元件具有不包含發(fā)光轉換材料的區(qū)域。通過受限定地調節(jié)例如在光學元件的內壁上的發(fā)光轉換材料的濃度，實現(xiàn)電磁輻射的所限定的轉換。
在殼體的至少一種實施形式中，光學元件包含特別耐熱的材料如LCP(Liquid Crystal Polymer液晶聚合物)、PEEK(Polyetheretherketon聚醚醚酮)或者PPA(Polyphthalamid聚鄰苯二酰胺)。
在此，光學元件例如可以通過壓鑄方法或者注塑方法來形成。為了形成反射的光學系統(tǒng)，如上所描述的那樣，例如可以用反射材料來涂布光學元件的、設置在芯片安裝面后的內壁。
在用于光電子部件的殼體的至少一種實施形式中，光學元件借助至少一個壓配合件與支承體機械相連。對此，在支承體中例如設置有至少一個凹槽，銷釘插入該凹槽中，該銷釘具有比該凹槽稍微大一些的伸展，使得通過將銷釘壓入凹槽中使該銷釘與支承體機械上穩(wěn)定地相連。因此，該銷釘可以以相同的方式壓入光學元件內的凹槽中。然而，也可能的是，銷釘為光學元件的完整的組成部分。即，銷釘例如與光學元件一起例如以注塑方法、壓鑄方法或者金屬鑄造方法被制造。此外，可能的是，銷釘是支承體的完整的組成部分，并且僅僅光學元件具有銷釘可配合到其中的凹槽。特別優(yōu)選地，光學元件借助至少兩個壓配合件與支承體機械相連。即，光學元件具有例如兩個固定銷，借助它們，光學元件可以機械地固定在支承體上并且可以相對于芯片進行調節(jié)。
凹槽例如可以是鉆孔。然而，也可能的是，凹槽已在支承體和/或光學元件的制造時例如通過相應的模具借助所提及的方法中的一種(如注塑或者壓鑄)來產(chǎn)生。
支承體可以包含例如以下材料中的至少一種LCP、PEEK、PPA、陶瓷如Al2O3或者AlN。作為兩件式構造的優(yōu)點的是，可以與光學元件的材料無關地選擇支承體材料。以這樣的方式，鑒于對支承體的要求可以使支承體材料最優(yōu)化。
此外，還說明了一種具有上述殼體的光電子部件。
根據(jù)光電子部件的至少一種實施形式，部件具有至少一個發(fā)光二極管芯片，其中發(fā)光二極管芯片中所產(chǎn)生的電磁輻射的大部分通過輻射輸出耦合面在主輻射方向上出射。特別優(yōu)選地，電磁輻射僅通過輻射輸出耦合面出射。
優(yōu)選地，發(fā)光二極管芯片包含外延生長的層堆。層堆例如為外延生長的層的序列。優(yōu)選地，層堆包括至少一個有源區(qū)，該有源區(qū)適于產(chǎn)生電磁輻射。因此，輻射輸出耦合面優(yōu)選通過芯片的主面構成，該主面與層堆的層平行或者基本上平行地延伸。
對此，有源區(qū)例如可以具有pn結、雙異質結構、單量子阱結構或者特別優(yōu)選為多量子阱結構(MQW)。
在本申請的范圍中，術語量子阱結構包括任意結構，在這種結構中載流子通過限制(“confinement”)經(jīng)歷其能量狀態(tài)的量子化。特別是，術語量子阱結構不包括對量子化的維數(shù)的說明。因此，它可能包括量子槽、量子線和量子點以及這些結構的任意組合。
層堆特別優(yōu)選地為外延生長的層的序列，在結束外延生長之后生長襯底從這些層剝離。特別優(yōu)選地，將支承體施加到層堆的背離原始生長襯底的表面上。在生長襯底從外延生長的層序列剝離的情況下所制造的組件經(jīng)常也用薄膜層組件的上位概念來表示。
例如在1993年10月18日I.Schnitzer等人所著的Appl.Phys.Lett.63(16)，2174-2176頁中描述了薄膜層組件的基本原理，其關于薄膜層組件的基本原理的公開內容通過引用結合于此。
薄膜發(fā)光二極管芯片很好地近似為朗伯(Lambert)表面輻射器并且因此例如特別良好地適于應用在聚光燈中。
特別有利的是，薄膜層組件的支承體與生長襯底相比可以相對自由地選擇。因此，與可供使用的生長襯底相比，支承體在有些特征如導電性或者穩(wěn)定性方面更適于該組件，其中生長襯底為了制造高品質的外延生長的層序列而受到嚴格的限制。因此，為了得到高品質的外延層，外延沉積的材料例如必須與生長襯底晶格匹配。
優(yōu)選地，施加在層堆上的支承體的特色在于與層堆匹配的熱膨脹系數(shù)。例如，支承體可以包含如鍺、砷化鎵、氮化鎵、碳化硅和其它材料如藍寶石、鉬或者金屬。
此外，支承體的特色優(yōu)選地在于特別良好的熱傳導性，使得在有源區(qū)中產(chǎn)生電磁輻射時所形成的熱可至少部分通過支承體向周圍環(huán)境排出。
根據(jù)發(fā)光二極管芯片的至少一種優(yōu)選的擴展方案，反射層設置在所施加的支承體與層堆之間。反射層例如可以包含布拉格反射器或者含金屬的反射層。例如包含金、金-鍺、銀、鋁或者鉑的含金屬的反射器相對于布拉格反射器的特色例如在于反射率的較小的方向相關性。用含金屬的反射器也可以達到比布拉格反射器更高的反射率。
優(yōu)選地，將發(fā)光二極管芯片施加到支承體的芯片安裝面上。例如，發(fā)光二極管芯片可以焊接或者耐熱地粘合到芯片安裝面上。
在光電子部件的至少一種實施形式中，光學元件具有光輸入口，通過該光輸入口，發(fā)光二極管芯片中所產(chǎn)生的電磁輻射的大部分入射進光學系統(tǒng)中。在此，光輸入口優(yōu)選在主輻射方向上設置在發(fā)光二極管芯片的輻射輸出耦合面之后。在此，例如發(fā)光二極管芯片的主輻射方向基本上垂直于輻射輸出耦合面伸展。
優(yōu)選地，光輸入口具有最大兩倍于、優(yōu)選最大1.5倍于、特別優(yōu)選最大1.25倍于發(fā)光二極管芯片的輻射輸出耦合面的面。反射的光學系統(tǒng)的這種小的光輸入口例如允許顯著地使發(fā)光二極管裝置小型化。在此，兩件式殼體結構允許很靠近芯片地設置光學系統(tǒng)。這首先在與發(fā)光二極管芯片的連接中以薄膜結構類型導致光電子部件的效率提升，因為在入射到光學元件中之前，沒有或者幾乎沒有輻射例如作為散射輻射而損耗。
此外，這種小的光輸入口特別良好地適于借助光學元件減小其中由發(fā)光二極管芯片發(fā)射的電磁輻射的立體角，因為在半導體芯片的輻射輸出耦合面附近，所發(fā)射的輻射的輻射錐體的橫截面特別小。因此特別有利的是，部件應適于將盡可能高的輻射強度投射到盡可能小的面上。
在此，幾何光學系統(tǒng)中的一個重要的守恒量是光學擴展量(Etendue)，即輻射密度。輻射密度是由光源的面積與光源輻射到其中的立體角的乘積。光學擴展量的守恒此外導致不能將散射的輻射源、例如半導體發(fā)光二極管的光會聚，即不再可以偏轉到具有更小的伸展的面上，因此，輻射束以盡可能小的橫截面射入光學元件中是有利的。
此外，還說明了一種用于制造光電子部件的方法。
根據(jù)該方法的至少一種實施形式，在第一方法步驟中將半導體芯片固定在支承體上。該支承體例如為如上所描述的支承體，用于電接觸芯片的印制導線設置在例如支承體的表面上。半導體芯片優(yōu)選為薄膜結構類型的發(fā)光二極管芯片。
在以下方法步驟中，半導體芯片電連接到支承體上。這例如可以借助芯片接合(Diebonding)或者線接合來實現(xiàn)。
在另一個方法步驟中，光學元件固定在支承體上。優(yōu)選地，光學元件為上面所描述的光學元件中的一種。特別優(yōu)選地，光學元件借助至少一個壓配合件機械地與支承體相連。然而，光學元件也可以借助粘合或焊接固定在支承體上。光學元件與支承體之間的分離面優(yōu)選在芯片安裝面的平面中，即芯片所安裝到其上的支承體的面。
在所描述的方法中，重要的是，在安裝光學元件之前實現(xiàn)電接觸。與支承體和光學元件一體式構造的部件相反，接觸例如可以借助線接合特別簡單地實現(xiàn)，因為對例如線接合噴嘴存在足夠的位置。隨后，可特別靠近芯片并由此靠近芯片的輻射輸出耦合面地引入光學元件，因為不必為芯片安裝留出額外的位置。以這樣的方式，可制造具有最佳光學擴展量的發(fā)光二極管芯片。也就是說，在將芯片安裝和接觸之后才將例如反射器施加到支承體上。
在以下的方法步驟中，發(fā)光二極管芯片例如還可以被包含例如環(huán)氧材料和/或硅樹脂材料的填料至少部分包圍。在此，填料優(yōu)選也潤濕支承體和光學元件的內壁的至少部分。以這樣的方式，可以附加地提高光學元件與支承體之間的機械的保持。
以下，參照實施例和所附附圖更詳細地闡述在此所描述的用于光電子部件的殼體以及該光電子部件。


圖1示出了在此所描述的光電子部件的第一實施例的示意性截面圖。
圖2示出了在此所描述的光電子部件的第二實施例的示意性截面圖。
圖3示出了在此所描述的光電子部件的第三實施例的示意性截面圖。
在這些實施例和附圖中，相同或者作用相同的組成部分分別標有相同的參考標記。所示的組成部分以及組成部分彼此間的大小比例不應視作符合比例的。更準確地說，為了更好的理解夸大地表示了一些細節(jié)。
圖1示出了在此所描述的光電子組件的示意性截面圖。
發(fā)光二極管芯片1在此施加到支承體7的芯片安裝面3上。在該實施例中，外部電端子部分5a與熱端子部分6電連接，該熱端子部分固定在支承體7上。發(fā)光二極管芯片1例如焊接到熱端子部分6上并且通過熱端子部分6與外部電端子部分5a電連接。
熱端子部分6優(yōu)選這樣地成形，使得可按照鉚釘?shù)姆绞脚c支承體7相連。必要時，端子部分6的單個條或者支柱的成型也足夠，以便在端子部分6與支承體7之間形成足夠堅固的擠壓連接。替換地，端子部分6與支承體7之間的連接例如可以通過釬接、焊接或者粘接來提供。
熱端子部分6起導熱元件的作用，并且將工作時芯片1中所產(chǎn)生的熱向支承體7的背離芯片的側引走。熱端子部分6可以在支承體7的背離芯片1的側上例如與起散熱器作用的冷卻體(未示出)形成熱接觸。在該實施例中，支承體7例如可以實施為引線框架(Leadframe)。
通過線接合線4，芯片1還與外部電端子部分5b電連接。
光學元件2施加在支承體7上。如在說明書的共同部分所實施的那樣，光學元件2可以借助壓配合件、釬焊、粘合或者其它連接技術與支承體7相連。在此，支承體7與光學元件2之間的分離面15在芯片安裝面3的平面中。
如上面描述的那樣，光學元件例如為反射光學系統(tǒng)。對此，光學元件的內壁14例如按照CPC光學系統(tǒng)的方式來形成。例如，由發(fā)光二極管芯片發(fā)出的電磁輻射可以借助反射和/或全反射反射到內壁14上。
此外，芯片1還可以至少部分被填料8包圍。填料一方面使支承體7與光學元件2之間的機械連接穩(wěn)定，而另一方面提供了發(fā)光二極管芯片1的機械保護。
發(fā)光轉換材料9可以引入填料8中，該發(fā)光轉換材料適于對由發(fā)光二極管芯片1發(fā)出的電磁輻射至少部分進行波長轉換。然而，也可能的是，發(fā)光轉換材料作為薄層施加到發(fā)光二極管芯片1的輻射輸出耦合面上。此外，發(fā)光轉換材料可以作為薄層施加到反射器2的內壁14上。
在圖2中示出了在此所描述的表面發(fā)射的部件的第二實施例的示意性截面圖。在此，涂層10施加到光學元件2的設置在發(fā)光二極管芯片1后的內壁14上，該涂層可以包含以下材料中的至少一種發(fā)光轉換材料、反射材料、適于提高光學元件2的內壁14與填料8之間的粘合的材料。對此，對于含硅樹脂的填料8，例如硅酸鹽是適合的。優(yōu)選地，涂層10包含這些材料中的至少兩種的組合。
此外，填料8可以具有輻射輸出耦合面8a，該輻射輸出耦合面具有限定的曲率并且由此形成透鏡狀的附加的光學元件，如例如在共同部分所描述的那樣。由此，借助填料8的折射率和輻射輸出耦合面8a的曲率可以調節(jié)光電子部件的限定的輻射特性。
如果特別良好地導熱的材料用作支承體7，則此外還可以省去個別熱端子部分6的使用。在此，支承體7例如可以包含陶瓷材料。
圖3示出了在此所描述的光電子部件的第三實施例的示意性截面圖。在此，例如光電子部件施加到電路板12上。電路板12例如為印制的電路板(PCB)或者金屬芯電路板。部件例如借助釬焊方法與電路板12熱和電連接。在此，針對由發(fā)光二極管芯片1通過熱端子部分6所釋放的熱，電路板12例如在散熱器的意義上用作冷卻體。
在該實施例中，附加光學元件11設置在填料8的輻射輸出耦合面8a后，如例如在共同部分所描述的那樣。附加的光學元件11例如可以為衍射的(defraktiv)、折射的、全息或者菲涅耳光學系統(tǒng)，借助它們可以受限定地調節(jié)部件的輻射特性。
此外，附加的光學元件11可以包含發(fā)光轉換材料9，該發(fā)光轉換材料適于對由發(fā)光二極管芯片發(fā)出的電磁輻射進行波長轉換。
在圖3中，示出了附加的銷釘13，借助這些銷釘，光學元件2與支承體7通過壓配合件機械穩(wěn)定地相連。在此，銷釘13可以是光學元件2的一部分。然而，也可能的是銷釘13為單獨的元件或者銷釘13為支承體7的完整的組成部件。在此，反射器2可以如上面描述的那樣來涂布。
本專利申請要求德國專利申請102004045950.9-33的優(yōu)先權，其公開內容在此通過引用結合于此。
本發(fā)明并不受參照實施例的說明限制。更準確地說，本發(fā)明包括每個新特征以及這些特征的組合，特別是這些特征包含權利要求中的特征的任意組合，即使這些特征或者組合本身并未明確地在權利要求中或者實施例中說明。
權利要求
1.一種用于光電子部件的殼體，具有-帶芯片安裝面(3)的支承體(7)，以及-光學元件(2)，其中支承體(7)與光學元件(2)之間的分離面(15)設置在所述芯片安裝面(3)的平面中。
2.根據(jù)權利要求1所述的殼體，其中所述光學元件(2)的至少部分適于反射可預給定的波長范圍的電磁輻射。
3.根據(jù)權利要求1或者2所述的殼體，其中所述光學元件(2)至少部分根據(jù)以下光學元件中的至少一種的方式構成CPC、CEC、CHC、TIR。
4.根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的殼體，其中所述光學元件(2)包含反射的材料。
5.根據(jù)權利要求1至4中任一項所述的殼體，其中所述光學元件(2)包含適于促成所述光學元件(2)的內壁(14)與填料(8)之間的粘合的材料。
6.根據(jù)權利要求1至5中任一項所述的殼體，其中所述光學元件(2)包含發(fā)光轉換材料(9)。
7.根據(jù)權利要求1至5中任一項所述的殼體，其中所述發(fā)光轉換材料(9)在一層中至少局部地施加到所述光學元件(2)的內壁(14)上。
8.根據(jù)權利要求1至7中任一項所述的殼體，其中所述光學元件(2)包含以下材料中的至少一種鋁、氧化鋁、LCP、PEEK、PPA、二氧化硅、氮化硅。
9.根據(jù)權利要求1至8中任一項所述的殼體，其中所述光學元件(2)借助至少一個壓配合件與所述支承體(7)機械地相連。
10.一種光電子部件，具有根據(jù)權利要求1至9中任一項所述的殼體和至少一個薄膜結構類型的發(fā)光二極管芯片(1)。
11.根據(jù)權利要求10所述的光電子部件，其中所述光學元件(2)具有光輸入口，在所述發(fā)光二極管芯片(1)中所產(chǎn)生的電磁輻射的大部分通過所述光輸入口入射，并且所述光輸入口具有最大兩倍于所述發(fā)光二極管芯片的輻射輸出耦合面的面。
12.一種用于制造光電子部件的方法，具有以下步驟a)將半導體芯片(1)固定在支承體(7)上；b)電接觸所述半導體芯片(1)；c)將光學元件(2)固定在所述支承體(7)上。
13.根據(jù)權利要求12所述的方法，其中所述半導體芯片(1)在所述方法步驟b)中借助線接合(4)來接觸。
14.根據(jù)權利要求12或者13所述的方法，其中所述光學元件(2)在所述方法步驟c)中借助至少一個壓配合件與所述支承體(7)機械地相連。
15.根據(jù)權利要求12至14中的任一項所述的方法，其中在方法步驟c)之前將反射的涂層施加到所述光學元件(2)的所述內壁(14)上。
16.根據(jù)權利要求15所述的方法，其中所述反射的涂層借助脈沖化學氣相外延(PICVD)來施加。
17.根據(jù)權利要求12至16中任一項所述的方法，其中在所述方法步驟c)之前，將一個層施加到所述光學元件(2)的內壁(14)上，所述層包括發(fā)光轉換材料(9)。
18.根據(jù)權利要求12至17中任一項所述的方法，其中在方法步驟c)之前，將一個層(10)施加到所述光學元件(2)的所述內壁(14)上，所述層包括增附劑。
19.根據(jù)權利要求18所述的方法，其中所述增附劑借助火焰裂解施加到所述光學元件(2)的所述內壁(14)上。
全文摘要
本發(fā)明說明了一種用于光電子部件的殼體，其具有帶有芯片安裝面(3)的支承體(7)。在支承體(7)上施加有與支承體(7)分開制造的光學元件(2)，其中支承體(7)與光學元件(2)之間的分離面(15)設置在所述芯片安裝面(3)的平面中。此外還說明了一種具有這種殼體的光電子部件以及一種用于制造這種光電子部件的方法。
文檔編號H01L33/00GK101023533SQ200580031203
公開日2007年8月22日 申請日期2005年9月20日 優(yōu)先權日2004年9月22日
發(fā)明者喬治·伯格納, 赫貝特·布倫納, 邁克爾·耶格勒, 岡特·韋特 申請人:奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司