基板處理方法以及基板處理裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及例如對半導體晶片、液晶表示裝置用基板、等離子顯示器用基板、FED (Field Emiss1n Display:場發(fā)射顯示器)用基板、光盤用基板、磁盤用基板、光磁盤用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等的基板進行處理的基板處理方法以及基板處理裝置。
【背景技術】
[0002]在半導體裝置或液晶表示裝置的制造工序中，進行向半導體晶片或液晶顯示面板用玻璃基板等基板的表面供給藥液以利用藥液對該基板的表面進行清洗的藥液處理、對基板進行加熱的高溫處理等。
[0003]例如對基板一張一張地進行處理的單張式的實施清洗處理的基板處理裝置具有:基板保持旋轉(zhuǎn)單元，將基板保持為大致水平，并使該基板旋轉(zhuǎn)；藥液噴嘴，用于向由該基板保持旋轉(zhuǎn)單元旋轉(zhuǎn)的基板的表面供給藥液。
[0004]作為這種單張式的基板處理裝置，已知有例如在基板保持旋轉(zhuǎn)單元的旋轉(zhuǎn)基座內(nèi)置加熱器的基板處理裝置(參照日本特開2008-4879號公報)。在該情況下，能夠利用旋轉(zhuǎn)基座將由基板保持旋轉(zhuǎn)單元保持的基板加熱至高溫。
[0005]本發(fā)明的發(fā)明人正在進行如下研宄，即，與基板保持旋轉(zhuǎn)單元不同地另外單獨設置內(nèi)置有加熱器的加熱板，并使加熱板以及基板保持單元相對升降。具體地說，在高溫處理時，在使加熱板的上表面與基板的下表面接近的狀態(tài)下，由加熱板對基板進行加熱。另一方面，在藥液處理時，使加熱板退避到基板保持單元的下方，在減少來自加熱板的傳熱量的狀態(tài)下，向基板供給藥液。
[0006]但是，在藥液供給工序(藥液處理時)中，從基板保持單元所保持的基板排出的藥液的液滴有可能降落到從基板保持單元向下方退避的加熱板的上表面。
[0007]當向加熱板的上表面直接供給藥液的液滴時，由處于發(fā)熱狀態(tài)的加熱板對藥液進行加熱，在加熱板的上表面對藥液進行加熱干燥。當在加熱板的上表面對藥液進行加熱干燥時，因該干燥藥液會變?yōu)轭w粒而飛散到氣體中等，而有可能污染基板。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]因此，本發(fā)明的目的在于提供一種基板處理方法，能夠在藥液供給工序中確實地避免藥液降落到加熱板的上表面，由此，防止因在加熱板上干燥藥液引起的顆粒的產(chǎn)生。
[0009]另外，本發(fā)明的另一目的在于提供一種能夠以簡單的結構實現(xiàn)在從保護液噴出口噴出保護液時能夠良好地在加熱板的上表面形成保護液的液膜的結構。
[0010]本發(fā)明提供一種基板處理方法，在基板處理裝置中執(zhí)行，該基板處理裝置具有用于保持基板的基板保持單元和用于對所述基板從下方進行加熱的加熱板，
[0011]該基板處理方法包括:
[0012]處理液供給工序，在所述加熱板配置在從所述基板保持單元向下方退避的退避位置的狀態(tài)下，向由所述基板保持單元保持的所述基板的上表面供給處理液；
[0013]保護液液膜形成工序，與所述處理液供給工序并行地在所述加熱板的上表面形成覆蓋該上表面的保護液的液膜；
[0014]基板加熱工序，一邊使所述加熱板與所述基板的下表面接近或接觸，一邊通過該加熱板對所述基板進行加熱。
[0015]根據(jù)該方法，與處理液供給工序并行地在加熱板的上表面上形成覆蓋該上表面的保護液的液膜。在處理液供給工序中，加熱板從基板保持單元向下方退避。因此，從基板保持單元所保持的基板排出的處理液的液滴有可能降落到加熱板的上表面。
[0016]但是，即使在這樣的情況下，由于加熱板的上表面由保護液的液膜覆蓋，所以來自基板的處理液的液滴不會直接供給到加熱板的上表面。因此，能夠確實地防止在處于發(fā)熱狀態(tài)的加熱板的上表面上的處理液的干燥。由此，能夠防止因在加熱板上干燥處理液引起的顆粒的產(chǎn)生。
[0017]在本發(fā)明的一實施方式中，所述保護液液膜形成工序包括向所述加熱板的上表面連續(xù)地供給保護液的工序。
[0018]根據(jù)該方法，與處理液供給工序并行地向加熱板的上表面連續(xù)地供給保護液，由此能用保護液的液膜覆蓋加熱板的上表面。
[0019]優(yōu)選所述保護液液膜形成工序包括從在所述加熱板的上表面上形成的保護液噴出口噴出保護液的工序。在該情況下，不需要另外設置噴出保護液用的噴嘴，就能夠向加熱板的上表面供給保護液。
[0020]另外，所述保護液液膜形成工序可以包括從保護液噴嘴向所述加熱板的上表面噴出保護液的工序。
[0021]所述處理液供給工序包括:
[0022]向所述基板的上表面供給藥液或沖洗液的工序，
[0023]有機溶劑供給工序，向所述基板的上表面供給有機溶劑以將所述基板的上表面上的藥液或沖洗液置換為有機溶劑的液膜；
[0024]在所述基板加熱工序中，通過所述有機溶劑供給工序形成在所述基板的上表面上的所述有機溶劑的液膜，在所述基板的上表面被加熱。
[0025]在該情況下，由于在加熱板上不會產(chǎn)生因藥液或沖洗液干燥引起的顆粒，所以能夠防止在之后進行的、在基板的上表面對有機溶劑的液膜進行加熱的工序中，基板被這些顆粒污染。
[0026]另外，本發(fā)明提供一種基板處理裝置，具有:
[0027]基板保持單元，用于將基板保持為水平姿勢；
[0028]處理液供給單元，向由所述基板保持單元保持的基板的上表面供給處理液；
[0029]加熱板，用于在所述加熱板與所述基板的下表面接近或接觸的狀態(tài)下，對所述基板從下方進行加熱；
[0030]保護液供給單元，與通過所述處理液供給單元供給所述處理液并行地，向所述加熱板的上表面供給保護液，以在所述加熱板的上表面上形成保護液的液膜。
[0031]根據(jù)該結構，與供給處理液并行地在加熱板上表面上形成保護液的液膜。因此，能夠確實地防止在處于發(fā)熱狀態(tài)的加熱板的上表面上的處理液的干燥。由此，能夠防止因在加熱板上干燥藥液弓I起的顆粒的產(chǎn)生。
[0032]在本發(fā)明的一實施方式中，所述加熱板具有:
[0033]保護液噴出口，在該加熱板的上表面上開口，
[0034]保護液流通路徑，與該保護液噴出口相連通，用于使向所述保護液噴出口供給的保護液流通，
[0035]保護液配管，用于劃分形成所述保護液噴出口和所述保護液流通路徑，并固定地設置在所述加熱板上，
[0036]堵塞構件，能夠在所述保護液流通路徑進行上下移動，且能夠?qū)λ霰Ｗo液噴出口進行堵塞。
[0037]并且，在未從所述保護液噴出口噴出保護液時，所述堵塞構件配置在對所述保護液噴出口進行堵塞的堵塞位置，且在從所述保護液噴出口噴出保護液時，所述堵塞構件配置在比所述加熱板的上表面靠上方的浮起位置。
[0038]在所述堵塞構件位于所述浮起位置的狀態(tài)下，所述堵塞構件將從所述保護液噴出口噴出的保護液向所述加熱板的外周部引導。
[0039]根據(jù)該結構，在未從保護液噴出口噴出保護液時，堵塞構件對保護液噴出口進行堵塞。另一方面，在從保護液噴出口噴出保護液時，堵塞構件浮起到加熱板的上表面的上方。在該狀態(tài)下，堵塞構件將從保護液噴出口噴出的保護液向加熱板的外周部引導，由此，促進在加熱板的上表面上形成保護液的液膜。
[0040]通過以上，能夠以簡單的結構實現(xiàn)如下結構，即，在未從保護液噴出口噴出保護液時，對加熱板的保護液噴出口進行堵塞，且在從保護液噴出口噴出保護液時，能夠在加熱板的上表面良好地形成保護液的液膜。
[0041 ] 在該情況下，所述堵塞構件能夠在所述保護液流通路徑自由地進行上下移動，
[0042]所述堵塞構件受到來自在所述保護液流通路徑流通的保護液的壓力，而配置在所述浮起位置。
[0043]根據(jù)該結構，在未從保護液噴出口噴出保護液時，保護液不在保護液流通路徑流通。此時，堵塞構件對保護液噴出口進行堵塞。另一方面，在從保護液噴出口噴出保護液時，保護液在保護液流通路徑內(nèi)流通，堵塞構件受到來自流通的保護液的壓力，浮起到加熱板的上表面的上方。由此，無需另外設置用于使堵塞構件上下移動的驅(qū)動構件。
[0044]在所述堵塞構件位于所述堵塞位置時，該堵塞構件的上表面可以與所述加熱板的所述上表面位于同一平面上，或從所述加熱板的上表面向下方退避。
[0045]根據(jù)該結構，在未從保護液噴出口噴出保護液時，堵塞構件的上表面與加熱板的上表面位于同一平面上或堵塞構件的上表面從加熱板的上表面退避到下方。因此，在加熱板上載置基板時，能夠在加熱板的整個上表面良好地對基板進行接觸支撐，且能良好地對整個基板進行加熱。
[0046]另外，所述處理液供給單元可以具有:
[0047]第一處理液供給單元，將含有藥液或沖洗液的第一處理液向所述基板供給，
[0048]第二處理液供給單元，將含有有機溶劑的第二處理液向所述基板供給，以在所述基板的上表面上形成該第二處理液的液膜；
[0049]所述加熱板在所述第二處理液的液膜形成在所述基板的上表面上的狀態(tài)下，對所述基板進行加熱。
[0050]根據(jù)該結構，能夠防止第一以及/或第二處理液的因在加熱板上表面上的干燥引起的顆粒的產(chǎn)生。因此，能夠在基板的上表面對含有有機溶劑的第二處理液的液膜進行加熱的工序中，能夠減少基板的顆粒污染。
[0051]本發(fā)明的前述或其他目的、特征以及效果，通過參照附圖如下敘述的實施方式的說明就更加清楚了。
【附圖說明】
[0052]圖1是本發(fā)明的一實施方式的基板處理裝置的結構的示意性的俯視圖。
[0053]圖2是圖1所示的基板處理裝置所具有的腔室的內(nèi)部的剖視圖。
[0054]圖3是圖2所示的基板保持旋轉(zhuǎn)單元以及加熱板的俯視圖。
[0055]圖4是將圖3以剖切線IV-1V剖切時的剖視圖。
[0056]圖5是將圖3以剖切線IV-1V剖切時的剖視圖。
[0057]圖6是對圖2所示的加熱板以及板支撐軸的主要部分放大表示的剖視圖。
[0058]圖7是對圖2所示的加熱板以及板支撐軸的主要部分放大表示的剖視圖。
[0059]圖8是示意性地表示固定銷的結構的剖視圖。
[0060]圖9是示意性地表示可動銷的結構的剖視圖。
[0061]圖10是對處理單元的處理對象的基板的表面放大表示的剖視圖。
[0062]圖11是用于對由處理單元執(zhí)行的藥液處理的處理例進行說明的工序圖。
[0063]圖12A?12H是用于說明圖11的處理例的示意圖。
[0064]圖13A、13B是用于說明圖11的處理例中的基板的上表面的狀態(tài)的示意性的剖視圖。
[0065]圖14以及圖15是對加熱板以及板支撐軸的變形例的主要部分放大表示的剖視圖。
[0066]圖16是表示本發(fā)明的其他實施方式的基板處理裝置的結構的示意性的剖視圖。
【具體實施方式】
[0067]圖1是本發(fā)明的一實施方式的基板處理裝置I的示意性的俯視圖。圖2是基板處理裝置I所具有的腔室4的內(nèi)部的剖視圖。
[0068]如圖1所示，基板處理裝置I是對半導體晶片等圓板狀的基板W—張一張地進行處理的單張式的裝置?；逄幚硌b置I包括:多個處理單元2，利用處理液或處理氣體對基板W進行處理；基板搬運機械手CR，相對于各處理單元2的腔室4進行基板W的搬入以及搬出；控制裝置3，對基板處理裝置I所具有的裝置的動作和閥的開閉等進行控制。
[0069]處理單元2是用于對圓形的基板W的表面(圖案形成面)實施利用了藥液的藥液處理的單張式的單元。各處理單元2包括:箱形的腔室4，具有內(nèi)部空間；基板保持旋轉(zhuǎn)單元(基板保持單元)5，一邊在腔室4內(nèi)將一張基板W保持為水平的姿勢，一邊使基板W圍繞通過基板W的中心的鉛垂的旋轉(zhuǎn)軸線Al旋轉(zhuǎn)；加熱板6，具有對基板W從下方進行加熱的基板相向面(上表面)6a，與基板W的下表面接觸來對基板W從下方進行支撐；處理液供給單元(第一處理液供給單元)7，向基板保持旋轉(zhuǎn)單元5所保持的基板W供給藥液、沖洗液等處理液；板升降單元8，用于使加熱板6升降；下供給單元(保護液供給單元)60，用于向加熱板6的基板相向面6a供給保護液；杯9，能夠在密閉狀態(tài)下容納基板保持旋轉(zhuǎn)