半導(dǎo)體激光元件以及使用該半導(dǎo)體激光元件的近場光射出裝置的制造方法
【專利說明】
裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及單面雙電極型的半導(dǎo)體激光元件以及使用該半導(dǎo)體激光元件的近場光射出裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，在激光加工和大容量存儲的領(lǐng)域，利用近場光，使由于光的衍射極限而在過去不能實(shí)現(xiàn)的微細(xì)加工和高密度記錄變得可能。射出近場光的近場光射出裝置將激光引導(dǎo)到配置近場光發(fā)生元件的光波導(dǎo)，將由近場光發(fā)生元件產(chǎn)生的近場光照射到所期望的區(qū)域。
[0003]利用近場光來進(jìn)行高密度記錄的熱輔助磁記錄，為了使磁化更加穩(wěn)定，使用由磁各向異性能較大的磁性材料形成的磁記錄介質(zhì)。并且，通過近場光的加熱來使該磁記錄介質(zhì)的寫入數(shù)據(jù)的部分的各向異性磁場降低，緊接其后施加寫入磁場來進(jìn)行微小的尺寸的寫入。
[0004]在專利文獻(xiàn)I公開現(xiàn)有的熱輔助磁記錄頭。圖14、圖15表示該熱輔助磁記錄頭的概略主視圖以及主要部分立體圖。熱輔助磁記錄頭I具備浮動塊1(Slider)以及半導(dǎo)體激光元件40，配置在磁盤D上。
[0005]浮動塊10在旋轉(zhuǎn)的磁盤D上浮起，在面對磁盤D的一端部設(shè)置磁記錄部13以及磁再現(xiàn)部14。在磁記錄部13的近旁設(shè)置光波導(dǎo)15，在光波導(dǎo)15內(nèi)配置產(chǎn)生近場光的近場光發(fā)生元件(未圖示)。在浮動塊10的背面?zhèn)?與磁盤D相反的一側(cè))的設(shè)置面1a圖案形成供電用的端子17、18。
[0006]半導(dǎo)體激光元件40在基板41上形成半導(dǎo)體層疊膜42，由在半導(dǎo)體層疊膜42的上部所形成的脊部49形成條帶狀的光波導(dǎo)46。在基板41的底面形成第I電極47，在半導(dǎo)體層疊膜42的上表面形成第2電極(未圖示)。
[0007]半導(dǎo)體激光元件40的第2電極經(jīng)由焊料29粘結(jié)在副基臺21的形成有端子部22的端子面21b上。與副基臺21的端子面21b正交的前面21a經(jīng)由粘結(jié)劑等的固定構(gòu)件19固著在浮動塊10的設(shè)置面10a。這時，光波導(dǎo)46的一端面的射出部46a與浮動塊10的光波導(dǎo)15對置配置。
[0008]第I電極47經(jīng)由引線7與端子17連接，端子部22經(jīng)由引線8與端子18連接。由于第I電極47以及端子部22面向同一方向(圖14中左方)配置，因此能容易地連接引線7、8。
[0009]若對第I電極47與端子部22間施加電壓，則從射出部46a射出激光。從射出部46a射出的激光在浮動塊10的光波導(dǎo)15中導(dǎo)波而由近場光發(fā)生元件產(chǎn)生近場光。磁盤D由于從光波導(dǎo)15射出的近場光的熱而局部地各向異性磁場降低，由磁記錄部13進(jìn)行磁記錄。由磁再現(xiàn)部14讀出記錄在磁盤D的數(shù)據(jù)。
[0010]另外，半導(dǎo)體激光元件40的發(fā)熱經(jīng)由焊料29傳遞到副基臺21，經(jīng)由固定構(gòu)件19傳遞到浮動塊10。由此，半導(dǎo)體激光元件40的發(fā)熱從副基臺21以及浮動塊10放熱。
[0011]在先技術(shù)文獻(xiàn)
[0012]專利文獻(xiàn)
[0013]專利文獻(xiàn)I:JP特開2012-18747號公報(第7頁?第22頁、第2圖)
[0014]發(fā)明的概要
[0015]發(fā)明要解決的課題
[0016]根據(jù)上述現(xiàn)有的熱輔助磁記錄頭1，將在端子面21b粘結(jié)了半導(dǎo)體激光元件40的副基臺21粘結(jié)在浮動塊10。這時，如圖16所示那樣，若半導(dǎo)體激光元件40的射出部46a比副基臺21的前面21a在Z方向上更突出，就會變成接合不良。即，由于半導(dǎo)體激光元件40碰撞到浮動塊10，因此變得無法將副基臺21粘結(jié)在浮動塊10。
[0017]另外，在如圖17所示那樣副基臺21的前面21a相對于半導(dǎo)體激光元件40的射出部46a在Z方向上較大地突出的情況下也會變成接合不良。即，由于從射出部46a射出的激光L擴(kuò)散，因此入射到浮動塊10的光波導(dǎo)15 (參考圖14)的激光L減少。由此，若使從半導(dǎo)體激光元件40射出的激光的輸出較大，則半導(dǎo)體激光元件40的負(fù)載增加，從而可靠性降低。此外，半導(dǎo)體激光元件40的發(fā)熱增加，由于熱應(yīng)變等而使浮動塊10的光波導(dǎo)15的折射率發(fā)生變化，從而得不到所期望的近場光。
[0018]另外，若半導(dǎo)體激光元件40在與端子面21b平行的面內(nèi)、或與前面21a以及端子面21b垂直的面內(nèi)傾斜，則射出部46a和光波導(dǎo)15的對位變得困難。
[0019]由于這些，需要將半導(dǎo)體激光元件40相對于副基臺21高精度對位(例如Z方向的位置精度為±1?2μπι)。因此，存在熱輔助磁記錄頭I的工時變大且成品率降低的問題。
[0020]另外，并不限于熱輔助磁記錄頭1，在將半導(dǎo)體激光元件40設(shè)于光波導(dǎo)中配置了近場光發(fā)生元件的光學(xué)構(gòu)件上的近場光射出裝置中，同樣有工時變大且成品率降低的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0021]本發(fā)明目的在于，提供能謀求工時削減以及成品率提升的近場光射出裝置以及用在其中的半導(dǎo)體激光元件。
[0022]用于解決課題的手段
[0023]為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明的半導(dǎo)體激光元件的特征在于，具備:由半導(dǎo)體構(gòu)成的基板；層疊在所述基板上并且包含活性層的半導(dǎo)體層疊膜；相對于所述基板在形成有所述半導(dǎo)體層疊膜的一側(cè)的與所述活性層平行的面設(shè)置的第I電極以及第2電極；以及在與所述活性層垂直的相對置的兩端面設(shè)置的端面保護(hù)膜，將形成有所述端面保護(hù)膜的一個所述端面作為所述半導(dǎo)體激光元件的固定面使用。
[0024]另外，本發(fā)明在上述構(gòu)成的半導(dǎo)體激光元件的基礎(chǔ)上，其特征在于，在所述固定面上設(shè)置導(dǎo)電膜。
[0025]另外，本發(fā)明在上述構(gòu)成的半導(dǎo)體激光元件的基礎(chǔ)上，其特征在于，依次層疊基底層、阻擋層以及反應(yīng)層而形成所述導(dǎo)電膜。
[0026]另外，本發(fā)明在上述構(gòu)成的半導(dǎo)體激光元件的基礎(chǔ)上，其特征在于，所述基底層由Pt、T1、N1、Co、Cr、Pd、Zr的任意者構(gòu)成，所述阻擋層由Pt、T1、Ta、W的任意者構(gòu)成，所述反應(yīng)層由Au構(gòu)成。
[0027]另外，本發(fā)明在上述構(gòu)成的半導(dǎo)體激光元件的基礎(chǔ)上，其特征在于，振蕩波長為650nm ?llOOnm。
[0028]另外，本發(fā)明在上述構(gòu)成的半導(dǎo)體激光元件的基礎(chǔ)上，其特征在于，所述基板的厚度為所述兩端面間的長度的1/2以上或150 μπι以上。
[0029]另外，本發(fā)明在上述構(gòu)成的半導(dǎo)體激光元件的基礎(chǔ)上，其特征在于，依次層疊第I導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、所述活性層、第2導(dǎo)電型半導(dǎo)體層而形成所述半導(dǎo)體層疊膜，在所述基板上層疊絕緣膜以及所述導(dǎo)電膜。
[0030]另外，本發(fā)明在上述構(gòu)成的半導(dǎo)體激光元件的基礎(chǔ)上，其特征在于，所述基板是半絕緣性基板。
[0031]另外，本發(fā)明在上述構(gòu)成的半導(dǎo)體激光元件的基礎(chǔ)上，其特征在于，所述半絕緣性基板由無摻雜的GaAs或Si構(gòu)成。
[0032]另外，本發(fā)明在上述構(gòu)成的半導(dǎo)體激光元件的基礎(chǔ)上，其特征在于，在所述基板與第i導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間設(shè)置絕緣層。
[0033]另外，本發(fā)明在上述構(gòu)成的半導(dǎo)體激光元件的基礎(chǔ)上，其特征在于，所述絕緣層由無摻雜的半導(dǎo)體構(gòu)成。
[0034]另外，本發(fā)明在上述構(gòu)成的半導(dǎo)體激光元件的基礎(chǔ)上，其特征在于，所述絕緣層由交替層疊η型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的層疊膜構(gòu)成。
[0035]另外，本發(fā)明在上述構(gòu)成的半導(dǎo)體激光元件的基礎(chǔ)上，其特征在于，所述絕緣層由交替層疊η型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體、和半絕緣性的半導(dǎo)體的層疊膜構(gòu)成。
[0036]另外，本發(fā)明在上述構(gòu)成的半導(dǎo)體激光元件的基礎(chǔ)上，其特征在于，所述絕緣層由交替層疊η型半導(dǎo)體、半絕緣性的半導(dǎo)體、和P型半導(dǎo)體的層疊膜構(gòu)成。
[0037]另外，本發(fā)明在上述構(gòu)成的半導(dǎo)體激光元件的基礎(chǔ)上，其特征在于，所述絕緣膜由所述端面保護(hù)膜形成。
[0038]另外，本發(fā)明在上述構(gòu)成的半導(dǎo)體激光元件的基礎(chǔ)上，其特征在于，所述絕緣膜由從S1、Al、Ta、T1、Zr、Ga的任意者的氧化膜以及S1、Al、Ta、T1、Zr、Ga的任意者的氮化膜中選擇的單層膜或多層膜構(gòu)成。
[0039]另外，本發(fā)明的近場光射出裝置特征在于，具備:上述各構(gòu)成的半導(dǎo)體激光元件；和具有產(chǎn)生近場光的近場光發(fā)生元件的光學(xué)構(gòu)件，將所述固定面固定在所述光學(xué)構(gòu)件上。
[0040]另