制造微電路的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明主要涉及制造微電路的方法，尤其涉及一種制造不具有蝕刻偏差的均勻質(zhì)量的微電路的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]—般來說，蝕刻(etching)是一種在對象物上形成預定圖案的方法，例如，印刷電路板，是在一對象物的表面遮蔽住需要的部分后，再通過噴嘴將化學制品(蝕刻劑(etchant))涂覆至其它未遮蔽的部分。這種蝕刻被廣泛地用于半導體制造工序。
[0003]通過蝕刻方法制造的產(chǎn)品的質(zhì)量取決于蝕刻劑和蝕刻裝置的條件。更詳細地，各種條件如蝕刻劑的種類、溫度、濃度等，以及每一個噴嘴的形狀和尺寸，噴嘴的數(shù)量、內(nèi)部構(gòu)件、以及排列方式，OSC，對象物傳輸速度等作為確定蝕刻質(zhì)量的變量。簡要地說，蝕刻劑被噴涂在對象物上的形式對蝕刻的質(zhì)量是至關(guān)重要的。也就是說，從噴嘴噴灑的蝕刻劑直接與對象物接觸的情況下(噴涂蝕刻)與對象物被殘余的蝕刻劑浸入(dipping)而不是直接與噴射的蝕刻劑接觸的情況下，兩者之間在質(zhì)量上具有顯著差異。
[0004]與此同時，在蝕刻工序期間可能出現(xiàn)水坑(puddling)現(xiàn)象。水坑(puddling)現(xiàn)象是指噴涂在對象物的表面上的蝕刻劑過度地積存在對象物的一部分上，因而出現(xiàn)不期望的蝕刻結(jié)果，例如出現(xiàn)不均勻蝕刻，從而導致產(chǎn)品質(zhì)量的惡化的現(xiàn)象。盡管其程度僅根據(jù)噴嘴的數(shù)量、間距、或排列方式而變化，但這種水坑(puddling)現(xiàn)象必然出現(xiàn)。因此，必須發(fā)明一種有效地防止這種水坑現(xiàn)象的方法。
[0005]對此，相關(guān)制造者不斷地研發(fā)用于防止水坑(puddling)現(xiàn)象的方法，并且已經(jīng)提出如下數(shù)種方法。
[0006]如圖1所示，揭露一種蝕刻裝置10(以下稱為“傳統(tǒng)技術(shù)I”)，包括:噴嘴12，安裝在基板11之上；以及抽吸單元13，每一個位于噴嘴12與相鄰噴嘴(圖未示)之間。噴射的蝕刻劑可以自基板11外圍排出，殘余的蝕刻劑可以通過抽吸單元13從基板11去除。
[0007]此外，如圖2所示，揭露一種蝕刻裝置20(以下稱為“傳統(tǒng)技術(shù)2”)，包括:輸送滾輪22，直立地豎著基板21并且輸送該基板21 ；以及噴嘴23和噴嘴管24，安裝在基板21的相對側(cè)上并且振動，以使蝕刻劑可以均勻地噴涂在基板21上，且噴涂的蝕刻劑可以流下基板且排干。
[0008]然而，在傳統(tǒng)技術(shù)I的情況下，自噴嘴12噴射的顆粒不是密集地形成。因此，蝕刻劑不能被可靠地涂覆至微電路線之間的部分(50微米或更少)。因此，不能可靠地進行裝置的預期功能。在傳統(tǒng)技術(shù)2的情況下，因為蝕刻劑被噴涂在直立的基板21上，噴涂的蝕刻劑沿基板21流下，從而導致在基板21的上端上形成的圖案與下端上形成的圖案之間不平衡的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]技術(shù)問題
[0010]因此，本發(fā)明為觀察到上述出現(xiàn)在現(xiàn)有技術(shù)中的問題而創(chuàng)造的，并且本發(fā)明的目的是提供一種以蝕刻劑可以有效地從對象物去除，藉以可以均勻地蝕刻對象物的整個表面的方式制造微電路的方法。
[0011]技術(shù)方案
[0012]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種制造微電路的方法，包括:第一蝕刻操作，將蝕刻劑噴涂在整個基板上，以于其上形成微電路，并且憑借真空抽吸去除在基板上積存的蝕刻劑；第二蝕刻操作，混合并將包含蝕刻劑與氣體的雙流體噴涂在基板上；第三蝕刻操作，將蝕刻劑僅噴涂在基板的外圍，以部分地蝕刻基板；以及第四蝕刻操作，基于關(guān)于基板的傳輸信息將蝕刻劑間歇地噴涂在正在被傳輸?shù)幕迳稀?br>[0013]第四蝕刻操作可以在第三蝕刻操作之后進行。
[0014]第二蝕刻操作可以包括:加熱蝕刻劑，并且將蝕刻劑供應至包括多個噴嘴的噴嘴頭，以將雙流體噴涂在基板上；以及加熱與蝕刻劑混合的氣體，并且將氣體供應至噴嘴頭，其中，在噴嘴頭中彼此混合的加熱蝕刻劑和加熱氣體通過噴嘴噴涂在基板上。
[0015]該方法可以進一步包括:當噴嘴噴射雙流體時，來回地移動噴嘴頭。
[0016]該方法可以進一步包括:去除噴涂蝕刻劑時產(chǎn)生的氣體。
[0017]此外，去除氣體可以包括:通過在基板附近安裝的排氣管抽吸有害氣體；冷卻吸進排氣管的有害氣體且冷凝該有害氣體；以及收集通過冷凝有害氣體獲得的化學液體，并且將純凈氣體排出至外部。
[0018]有益效果
[0019]在根據(jù)本發(fā)明中制造微電路的方法中，可以可靠地防止在基板的上表面上出現(xiàn)水坑(puddling)現(xiàn)象。因此，可以防止基板的中心部分與周邊之間的蝕刻偏差，并且可以均勻地蝕刻基板的整個表面。
[0020]此外，雙流體混合噴涂使噴涂顆粒密集，從而使其可以形成線/空間(line/space)為30/30微米或更少的微電路。因此，可以顯著地改善產(chǎn)品質(zhì)量的可靠性。
【附圖說明】
[0021]圖1和圖2為說明傳統(tǒng)蝕刻方法的示意圖；
[0022]圖3為根據(jù)本發(fā)明的實施例中制造微電路的方法的流程圖；
[0023]圖4為說明根據(jù)本發(fā)明的實施例中微電路制造方法的第一蝕刻操作和氣體收集操作的示意圖；
[0024]圖5為說明圖3的第二蝕刻操作的示意圖；
[0025]圖6為說明圖3的第三蝕刻操作的示意圖；
[0026]圖7為說明圖3的第四蝕刻操作的示意圖；以及
[0027]圖8為說明噴嘴頭的往復運動操作的示意圖。
【具體實施方式】
[0028]下面將參考所附圖式詳細描述根據(jù)本發(fā)明的實施例中制造微電路的方法。
[0029]參考圖3，根據(jù)本發(fā)明的實施例中的微電路制造方法包括:第一蝕刻操作S10、第二蝕刻操作S20、第三蝕刻操作S30、第四蝕刻操作S40、以及氣體去除操作S50。
[0030]參考圖4，在第一蝕刻操作SlO中，噴嘴頭110的噴嘴111將蝕刻劑噴涂在移動基板101的對應上表面和下表面上，以在基板101上形成微電路。此外，通過真空抽吸去除在基板101的上表面上積存的液體，以防止水坑(puddling)現(xiàn)象。更詳細地，蝕刻劑是通過供給泵121從蝕刻劑箱120泵送至位于基板101之上和之下的噴嘴頭110抽吸蝕刻劑，然后自噴嘴頭110的噴嘴111將蝕刻劑噴涂在基板101的上表面和下表面上。這里，在基板101的上表面上通常聚集蝕刻劑而出現(xiàn)水坑(puddling)現(xiàn)象，更詳細地，是聚集在其中心部分。積存的液體通過使用真空吸嘴131進行真空抽吸來去除。在本實施例中，多個真空吸嘴131被放置，其相鄰于基板101的上表面。真空吸嘴131通過真空吸入管132連接至文氏管133，以使吸力可以施加于真空吸嘴131。也就是說，當液體通過循環(huán)泵134以高速移動至文氏管133時，在文氏管中產(chǎn)生吸力，且該吸力被傳輸至真空吸嘴131，藉以在基板101的上表面上積存的液體可以通過真空吸力去除。以此方式，當使用真空吸嘴131時，可以最小化在基板101的上表面上所需的空間。
[0031]為此，在第一蝕刻操作SlO中，進行將蝕刻劑噴涂在基板101的上表面和下表面的每一個的全部蝕刻工序。在該蝕刻工序期間，在基板101的上表面上積存的液體通過真空抽吸去除，藉以可以防止水坑(puddling)現(xiàn)象，并且蝕刻可以均勻地應用于基板101的整個上表面。因此，在相同條件下，微電路可以精確地形成在基板101的上表面和下表面上。
[0032]在第二蝕刻操作S20中，以包含蝕刻劑和氣體的雙流體被混合且噴涂在基板101上的方式進行蝕刻。更詳細地，如圖5所示，由氣體和蝕刻劑混合制成的雙流體被從設(shè)在噴嘴頭110’上提供的噴嘴111噴灑，且涂覆在基板101的上表面和下表面上。為此，因為噴涂的是包含氣體和蝕刻劑的