封裝基板及其制法暨半導(dǎo)體封裝件及其制法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種封裝基板及半導(dǎo)體封裝件，尤指一種提高良率的封裝基板、半導(dǎo)體封裝件及其制法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體封裝技術(shù)的演進(jìn)，半導(dǎo)體封裝件已開發(fā)出不同的封裝型態(tài)，且各種電子產(chǎn)品在尺寸上是日益要求輕、薄及小，因此可節(jié)省基板平面面積并可同時(shí)兼顧處理性能的內(nèi)嵌式封裝件(embedded package)愈來愈受到重視。
[0003]圖1A至IC為顯示現(xiàn)有的內(nèi)嵌式封裝件的制法。如圖1A所示，于一下層基板I上接置晶片12，且該晶片12周圍的下層基板I表面上形成有多個(gè)如金屬柱19的導(dǎo)電元件。
[0004]如圖1B所示，于該下層基板I上接置一上層基板1’，其藉由多個(gè)金屬柱19’及形成其上的焊料18進(jìn)行對(duì)位接合。
[0005]最后，如圖1C所示，形成封裝膠體17于該下層基板I與上層基板I’之間，以包覆該晶片12及該些金屬柱19，19’及焊料18。并可于該下層基板I下表面形成多個(gè)焊球16。
[0006]然而，現(xiàn)有半導(dǎo)體封裝件的制法中，因該些金屬柱19的端面皆為平面，以致于對(duì)位不易，然而，即便于正確對(duì)位后，在進(jìn)行金屬柱表面固接時(shí)，也容易發(fā)生滑動(dòng)偏移的問題，最后使制造良率低下。
[0007]因此，如何克服上述現(xiàn)有技術(shù)的種種問題，實(shí)已成目前亟欲解決的課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的種種缺失，本發(fā)明的主要目的為提供一種封裝基板及其制法暨半導(dǎo)體封裝件及其制法，能提高制造良率與產(chǎn)品品質(zhì)。
[0009]本發(fā)明的封裝基板，包括:層狀本體；形成于該層狀本體表面上的多個(gè)導(dǎo)電元件；以及定位結(jié)構(gòu)，各形成于對(duì)應(yīng)的該導(dǎo)電元件上。
[0010]本發(fā)明還提供一種封裝基板的制法，包括:于一層狀本體上形成具有多個(gè)開口的光阻層；于該開口中形成導(dǎo)電元件，并于該導(dǎo)電元件的終端制作定位結(jié)構(gòu)；以及移除該光阻層。
[0011 ] 于制法的一具體實(shí)施例中，通過于該開口中電鍍形成導(dǎo)電元件并同時(shí)形成定位結(jié)構(gòu)，且該定位結(jié)構(gòu)為凹穴或凸出部。
[0012]于一具體實(shí)施例中，該凹穴為V形凹穴或U形凹穴。
[0013]于一具體實(shí)施例中，當(dāng)同時(shí)形成導(dǎo)電元件及定位結(jié)構(gòu)時(shí)，該導(dǎo)電元件與定位結(jié)構(gòu)為一體成形。例如，該導(dǎo)電元件與定位結(jié)構(gòu)為金屬。
[0014]于又一具體實(shí)施例中，該定位結(jié)構(gòu)的制作包括:整平該導(dǎo)電元件與光阻層的高度；于該導(dǎo)電元件與光阻層上形成絕緣層；以及圖案化該導(dǎo)電元件上的絕緣層，并移除該光阻層上的絕緣層，以于各該導(dǎo)電元件上形成至少一塊體，以作為該定位結(jié)構(gòu)。在此實(shí)施例中，該塊體為一環(huán)形中空塊體，以外露出該導(dǎo)電元件的終端表面。
[0015]本發(fā)明另提供一種半導(dǎo)體封裝件，包括:本發(fā)明的封裝基板；電子元件，其具有多個(gè)形成于該電子元件上的金屬柱及形成于該金屬柱上的焊料，且該電子元件藉由該焊料接置于該定位結(jié)構(gòu)；以及封裝膠體，其形成于該封裝基板與電子元件之間，以包覆該導(dǎo)電元件、金屬柱及焊料。
[0016]前述的半導(dǎo)體封裝件中，還可包括半導(dǎo)體元件，其設(shè)置并電性連接于該封裝基板上或該電子元件上。
[0017]本發(fā)明并提供一種半導(dǎo)體封裝件的制法，其包括:提供一封裝基板，該封裝基板包含:層狀本體；形成于該層狀本體表面上的多個(gè)導(dǎo)電兀件；對(duì)應(yīng)形成于各該導(dǎo)電兀件上的定位結(jié)構(gòu)；于該定位結(jié)構(gòu)上接置電子元件，其中，該電子元件表面形成有多個(gè)金屬柱及形成于該金屬柱上的焊料，且藉由該焊料接置于該定位結(jié)構(gòu)；以及于該封裝基板與電子元件之間形成封裝膠體，以包覆該導(dǎo)電元件、金屬柱及焊料。
[0018]于該半導(dǎo)體封裝件的制法的一具體實(shí)施例中，該定位結(jié)構(gòu)為凹穴或凸出部。舉例而言，該凹穴為V形凹穴或U形凹穴。
[0019]又，該導(dǎo)電元件與定位結(jié)構(gòu)可為一體成形。
[0020]此外，該導(dǎo)電元件與定位結(jié)構(gòu)可同為金屬。但于另一具體實(shí)施例中，該定位結(jié)構(gòu)為絕緣材。
[0021]于另一具體實(shí)施例中，該定位結(jié)構(gòu)為一環(huán)形中空塊體，以外露出該導(dǎo)電元件的終端表面。
[0022]由上可知，本發(fā)明的封裝基板及其制法暨半導(dǎo)體封裝件及其制法，藉由在導(dǎo)電元件上形成定位結(jié)構(gòu)，使該封裝基板具有自動(dòng)定位(self alignment)的功能,且該定位結(jié)構(gòu)可于上方金屬柱進(jìn)行表面固接時(shí)，避免滑動(dòng)偏移的發(fā)生，故而改善上下封裝元件彼此定位接合的問題，提聞制造良率與廣品品質(zhì)。
【附圖說明】
[0023]圖1A至圖1C為現(xiàn)有內(nèi)嵌式封裝件的制法的剖視示意圖；
[0024]圖2A至圖2C’為本發(fā)明的封裝基板的制法的剖視示意圖，其中，圖2B’為圖2B的另一實(shí)施例，圖2C’為根據(jù)圖2B’而得的定位結(jié)構(gòu)剖視示意圖；
[0025]圖3A至圖3E’為本發(fā)明的封裝基板的另一制法的剖視示意圖，其中，圖3E’為圖3E的俯視圖；
[0026]圖4A至圖4B’為顯示定位結(jié)構(gòu)的另一實(shí)施例的示意圖；以及
[0027]圖5A至圖5C為本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件的制法剖視示意圖。
[0028]主要組件符號(hào)說明
[0029]I下層基板
[0030]I’上層基板
[0031]12晶片
[0032]16焊球
[0033]17封裝膠體
[0034]18焊料
[0035]19、19’金屬柱
[0036]20、50層狀本體
[0037]201導(dǎo)體層
[0038]202、302、502導(dǎo)電元件
[0039]202a、302a、303a、502a 定位結(jié)構(gòu)
[0040]21光阻層
[0041]210開口
[0042]302a’跡線
[0043]303絕緣層
[0044]5封裝基板
[0045]5’電子元件
[0046]52半導(dǎo)體元件
[0047]56焊球
[0048]57封裝膠體
[0049]58焊料
[0050]59金屬柱。
【具體實(shí)施方式】
[0051]以下藉由特定的具體實(shí)施例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，熟悉此技藝的人士可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)及功效。
[0052]須知，本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用于配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供熟悉此技藝的人士的了解與閱讀，并非用于限定本發(fā)明可實(shí)施的限定條件，所以不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時(shí)，本說明書中所引用的如“上”、及“一”等用語，也僅為便于敘述的明了，而非用于限定本發(fā)明可實(shí)施的范圍，其相對(duì)關(guān)系的改變或調(diào)整，在無實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)也視為本發(fā)明可實(shí)施的范疇。
[0053]圖2A至圖2C’為本發(fā)明的封裝基板的制法的剖視示意圖。
[0054]如圖2A所示，先提供一層狀本體20，該層狀本體20的實(shí)例可包括晶圓、晶片、硅中介板、電路板或其他可用于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)或半導(dǎo)體封裝的層狀本體。該層狀本體20上形成具有多個(gè)開口 210的光阻層21，該光阻層21可為干膜，且該開口 210中的層狀本體20表面具有導(dǎo)體層201，以供后續(xù)電鍍制程形成導(dǎo)電元件。
[0055]如圖2B所示，于該開口 210中電鍍形成導(dǎo)電元件202，且于此電鍍步驟中，于該導(dǎo)電元件202的終端制作定位結(jié)構(gòu)202a。例如，在本實(shí)施例中，由于電鍍液體與光阻層21開口 210壁面先產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，所以靠近該光阻層21開口 210壁的表面將先形成金屬，所以該定位結(jié)構(gòu)202a為凹穴。
[0056]此外，于此步驟中，可透過變更電鍍液成分，以形成各種不同于圖2B所示的U形凹穴，而形成如圖2B’所示的V的凹穴。
[0057]接著，如圖2C及圖2C’所示，移除該光阻層21，即可得到封裝基板。
[0058]根據(jù)前述的制法可知，該導(dǎo)電元件與定位結(jié)構(gòu)可為一體成形，且該導(dǎo)電元件與定位結(jié)構(gòu)皆為金屬。
[0059]請(qǐng)參閱圖3A至圖3E’，為本發(fā)明的封裝基板的另一制法的剖視示意圖。
[0060]如圖3A所示，其為接續(xù)圖2A的步驟，通過于該導(dǎo)體層201上電鍍制程形成導(dǎo)電元件302，且此實(shí)施例中，該導(dǎo)電元件302的高度高于該光阻層21的高度。
[0061]如圖3B所示，透過研磨的方式，整平該導(dǎo)電元件302與光阻層21的高度，使該導(dǎo)電元件302與光阻層21齊平。
[0062]如圖3C所示，于該導(dǎo)電元件302與光阻層21上形成絕緣層303。
[0063]接著，利用微影蝕刻等圖案化制程，圖案化該導(dǎo)電元件302上的絕緣層303，并移除該光阻層21上的絕緣層303，以于各該導(dǎo)電元件302上形成如圖3D所示的至少一塊體，以作為該定位結(jié)構(gòu)303a。
[0064]如圖3E所示，最后，移除該光阻層21，即可得到封裝基板。
[0065]此外，如圖3E’所示，該塊體或該定位結(jié)構(gòu)303a為一環(huán)形中空塊體，以外露出該導(dǎo)電元件302的終端表面。然而，當(dāng)該塊體或該定位結(jié)構(gòu)為絕緣材時(shí)，其尺寸必須小于該導(dǎo)電元件端面的面積，俾供電性連接電子元件。
[0066]當(dāng)然，該塊體可為其他外型，并使該導(dǎo)電元件302的終端表面外露出塊體。
[0067]請(qǐng)參閱圖4A，該定位結(jié)構(gòu)也可為其他外型的塊體，而為凸出部。例如，可圖案化圖3B所示的該導(dǎo)電元件302，以得到外型為凸出部的定位結(jié)構(gòu)302a。
[0068]如圖4B所示，還可接續(xù)圖3B所示的該導(dǎo)電元件302，于該導(dǎo)電元件302上利用電鍍法或印刷技術(shù)，形成如跡線302a’或其他外型的凸出部，以作為定位結(jié)構(gòu)。而是種導(dǎo)電材質(zhì)的凸出部，可令與凸出部對(duì)接的焊料潤(rùn)濕攀附于其上，而有內(nèi)聚的效果，以產(chǎn)生定位的作用。
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