)不同于一個(gè)或多個(gè)其余的鰭112' -112""的wFIN。因此，與向半導(dǎo)體器件添加另外的半導(dǎo)體鰭結(jié)構(gòu)相反，半導(dǎo)體器件100所提供的驅(qū)動(dòng)電流可通過(guò)調(diào)整一個(gè)或多個(gè)鰭112' -112""的wFIN而被更精確地控制。盡管圖17A和17B示例出在相應(yīng)柵極溝道122^ -122""的側(cè)壁上形成且沿著相應(yīng)鰭112' -112""的寬度延伸的柵極疊層126' -126""，但是將理解，多晶硅阻隔層124可被蝕刻為使得柵極疊層126' -126""在相應(yīng)柵極溝道122' -122""的所有側(cè)面上形成。
[0051]如圖17A-17B進(jìn)一步所示的那樣，半導(dǎo)體器件100可形成為這樣的多柵FinFET:該多柵FinFET包括至少一個(gè)柵極溝道122 ^ -122""，所述至少一個(gè)柵極溝道122' -122""的柵極長(zhǎng)度(Imte)不同于一個(gè)或多個(gè)其余的柵極溝道122' -122""的柵極長(zhǎng)度。因此，與常規(guī)多柵FinFET(其中電流沿著平面方向且平行于源(S)和漏(D)之間的柵極溝道流動(dòng))不同，在半導(dǎo)體器件100所形成的多柵FinFET中流動(dòng)的電流(i)沿著非平面方向流動(dòng)。例如，該電流可源自第一源結(jié)116'，并且垂直地流動(dòng)通過(guò)第一柵極溝道122'，以便該電流被第一漏結(jié)118'收集。因此，與常規(guī)多柵FinFET器件(其使電流沿著與鰭112' -112""的寬度垂直的襯底長(zhǎng)度在平面方向上流動(dòng)，參見(jiàn)圖1)不同，半導(dǎo)體器件100使電流沿著非平面方向垂直地流動(dòng)。
[0052]本文中所用的術(shù)語(yǔ)，僅僅是為了描述特定的實(shí)施例，而不意圖限定本發(fā)明。本文中所用的單數(shù)形式的“一”和“該”，旨在也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文中明確地另行指出。還要知道，“包含”一詞在本說(shuō)明書(shū)中使用時(shí)，說(shuō)明存在所指出的特征、整體、步驟、操作、單元和/或組件，但是并不排除存在或增加一個(gè)或多個(gè)其它特征、整體、步驟、操作、單元組件，以及/或者它們的組合。
[0053]下面的權(quán)利要求中的所有裝置或步驟加功能要素的對(duì)應(yīng)結(jié)構(gòu)、材料、動(dòng)作和等價(jià)物旨在包括用于與具體地要求保護(hù)的其他要求保護(hù)的要素組合地執(zhí)行功能的任何結(jié)構(gòu)、材料或動(dòng)作。本發(fā)明的說(shuō)明書(shū)是為了示例和說(shuō)明的目的而給出的，而不旨在以所公開(kāi)的形式窮舉或限制本發(fā)明。只要不脫離本發(fā)明的范圍和精神，多種修改和變化對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言是顯而易見(jiàn)的。為了最好地解釋本發(fā)明的原理和實(shí)際應(yīng)用，且為了使本領(lǐng)域的其他普通技術(shù)人員能夠理解本發(fā)明的具有適于所預(yù)期的特定用途的各種修改的各種實(shí)施例，選擇和描述了實(shí)施例。
[0054]本文中示出的流程圖只是一個(gè)實(shí)例。本文中描述的該圖或步驟(或操作)可以存在許多變型而不偏離本發(fā)明的精神。例如，可以按不同的順序執(zhí)行所述步驟，或者可以添加、刪除或修改步驟。所有這些變型都被視為要求保護(hù)的發(fā)明的一部分。
[0055]盡管已經(jīng)描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但是將理解，本領(lǐng)域的技術(shù)人員現(xiàn)在和將來(lái)都可做出落在下面的權(quán)利要求的范圍內(nèi)的各種改進(jìn)和增強(qiáng)。這些權(quán)利要求應(yīng)該被視為保持對(duì)首先描述的本發(fā)明的適當(dāng)保護(hù)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體器件，包括: 襯底，其沿著第一方向延伸以限定襯底長(zhǎng)度，并沿著與所述第一方向垂直的第二方向延伸以限定襯底寬度； 第一半導(dǎo)體鰭，其形成于所述襯底的上表面上，所述第一半導(dǎo)體鰭沿著所述第二方向延伸第一距離以限定第一鰭寬度； 第一柵極溝道，其形成于在所述襯底中形成的第一源/漏結(jié)與在所述第一半導(dǎo)體鰭中形成的第二源/漏結(jié)之間； 第一柵極疊層，其形成于所述第一柵極溝道的側(cè)壁上；以及 第一間隔物，其被設(shè)置在所述第一柵極疊層與所述第一源/漏結(jié)之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括: 第二半導(dǎo)體鰭，其形成于所述襯底的所述上表面上，所述第二半導(dǎo)體鰭沿著所述第二方向延伸不同于所述第一距離的第二距離以控制所述半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)電流流動(dòng)； 第二柵極溝道，其形成于在所述襯底中形成的第三源/漏結(jié)與在所述第二半導(dǎo)體鰭中形成的第四源/漏結(jié)之間， 第二柵極疊層，其形成于所述第二柵極溝道的側(cè)壁上；以及 第二間隔物，其被設(shè)置在所述第二柵極疊層與所述第三源/漏結(jié)之間，所述第一間隔物被配置為減小所述第一柵極溝道與所述第一源/漏結(jié)之間的電容耦合，所述第二間隔物被配置為減小所述第二柵極溝道與所述第三源/漏結(jié)之間的電容耦合。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一鰭寬度小于所述第二鰭寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一鰭寬度大于所述第二鰭寬度。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一和第二柵極溝道中的至少一者與至少一個(gè)相應(yīng)的源/漏結(jié)不在同一平面內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一柵極溝道具有第一柵極長(zhǎng)度，并且所述第二柵極溝道具有不同于所述第一柵極長(zhǎng)度的第二柵極長(zhǎng)度。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二源/漏結(jié)以第一深度被注入所述第一半導(dǎo)體鰭的上表面中以限定所述第一柵極長(zhǎng)度，并且所述第四源/漏結(jié)以不同于所述第一深度的第二深度被注入所述第二半導(dǎo)體鰭的上表面中以限定所述第二柵極長(zhǎng)度。
8.—種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括: 形成襯底，該襯底沿著第一方向延伸以限定襯底長(zhǎng)度并沿著與所述第一方向垂直的第二方向延伸以限定襯底寬度； 在所述襯底的上表面上形成第一半導(dǎo)體鰭，所述第一半導(dǎo)體鰭沿著所述第二方向延伸第一距離以限定第一鰭寬度； 在形成于所述襯底中的第一源/漏結(jié)與形成于所述第一半導(dǎo)體鰭中的第二源/漏結(jié)之間形成第一柵極溝道； 在所述第一源/漏結(jié)的上表面上形成第一間隔物；以及 在所述第一間隔物上和所述第一柵極溝道的側(cè)壁上形成第一柵極疊層，以便所述第一間隔物被設(shè)置在所述第一柵極疊層與所述第一源/漏結(jié)之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，進(jìn)一步包括: 在所述襯底的所述上表面上形成第二半導(dǎo)體鰭，所述第二半導(dǎo)體鰭沿著所述第二方向延伸不同于所述第一距離的第二距離； 在形成于所述襯底中的第三源/漏結(jié)與形成于所述第二半導(dǎo)體鰭中的第四源/漏結(jié)之間形成第二柵極溝道， 在所述第三源/漏結(jié)的上表面上形成第二間隔物；以及 在所述第二間隔物上和所述第二柵極溝道的側(cè)壁上形成第二柵極疊層，以便所述第二間隔物被設(shè)置在所述第二柵極疊層與所述第三源/漏結(jié)之間，所述第一間隔物被配置為減小所述第一柵極溝道與所述第一源/漏結(jié)之間的電容耦合，所述第二間隔物被配置為減小所述第二柵極溝道與所述第三源/漏結(jié)之間的電容耦合。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，進(jìn)一步包括通過(guò)相對(duì)于所述第二半導(dǎo)體鰭的所述第二鰭寬度改變所述第一半導(dǎo)體鰭的所述第一鰭寬度來(lái)控制流過(guò)所述半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)電流。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，進(jìn)一步包括將所述第一鰭寬度形成為小于所述第二鰭寬度。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，進(jìn)一步包括將所述第一鰭寬度形成為大于所述第二鰭寬度。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述第一和第二柵極溝道中的至少一者與至少一個(gè)相應(yīng)的源/漏結(jié)不在同一平面內(nèi)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，進(jìn)一步包括將所述第一柵極溝道形成為具有第一柵極長(zhǎng)度，并且將所述第二柵極溝道形成為具有不同于所述第一柵極長(zhǎng)度的第二柵極長(zhǎng)度。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，進(jìn)一步包括以第一深度將所述第二源/漏結(jié)注入所述第一半導(dǎo)體鰭的上表面中以限定所述第一柵極長(zhǎng)度，并且以不同于所述第一深度的第二深度將所述第四源/漏結(jié)注入所述第二半導(dǎo)體鰭的上表面中以限定所述第二柵極長(zhǎng)度。
【專利摘要】本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法。一種半導(dǎo)體器件包括：襯底，其沿著第一方向延伸以限定襯底長(zhǎng)度，并沿著與所述第一方向垂直的第二方向延伸以限定襯底寬度。第一半導(dǎo)體鰭形成于所述襯底的上表面上。所述第一半導(dǎo)體鰭沿著所述第二方向延伸第一距離以限定第一鰭寬度。第一柵極溝道形成于在所述襯底中形成的第一源/漏結(jié)與在所述第一半導(dǎo)體鰭中形成的第二源/漏結(jié)之間。第一柵極疊層形成于所述第一柵極溝道的側(cè)壁上。第一間隔物被設(shè)置在所述第一柵極疊層與所述第一源/漏結(jié)之間。
【IPC分類】H01L29-78, H01L21-336
【公開(kāi)號(hào)】CN104752507
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410705030
【發(fā)明人】V·S·巴斯克, 劉作光, 山下典洪, 葉俊呈
【申請(qǐng)人】國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司
【公開(kāi)日】2015年7月1日
【申請(qǐng)日】2014年11月26日
【公告號(hào)】US20150187867