采用cdsem測(cè)試圖形的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種利用關(guān)鍵尺寸掃描電子顯微鏡(Critical Dimens1n Scanning Electronic Microscope, CDSEM)測(cè)試圖形的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前,在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，采用關(guān)鍵尺寸掃描電子顯微鏡(Critical Dimens1nScanning Electronic Microscope, Q)SEM)測(cè)量制作在晶片上的圖形的關(guān)鍵尺寸。隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體器件的CD越來(lái)越小，為保證光刻后晶片上圖形的準(zhǔn)確性，經(jīng)過(guò)曝光顯影將光罩上的圖形轉(zhuǎn)移到晶片上以后，帶有圖形的晶片會(huì)放置在⑶SEM機(jī)臺(tái)上，以確認(rèn)圖形的尺寸是否符合大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)要求，從而了解光刻準(zhǔn)確性。
[0003]基于模型的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正(0PC, Optical Proximity Correct1n)是通過(guò)測(cè)試圖形(test pattern)來(lái)對(duì)光刻結(jié)果進(jìn)行校正，在采用⑶SEM對(duì)測(cè)試圖形進(jìn)行量測(cè)時(shí)，為了獲得光刻工藝性能等結(jié)果，需要對(duì)大量的圖形樣式相同而尺寸接近的圖案進(jìn)行量測(cè)，在現(xiàn)有技術(shù)中，對(duì)于這些大量近似的圖案，現(xiàn)有技術(shù)中針對(duì)每一個(gè)圖案都需要建立一個(gè)量測(cè)方案(recipe)，這樣需要耗費(fèi)大量的時(shí)間和人力來(lái)進(jìn)行圖形量測(cè)。
[0004]因此，需要一種⑶SEM的測(cè)試圖形的方法，針對(duì)大量近似圖形，可以不必逐一建立量測(cè)方案，節(jié)省量測(cè)時(shí)間以及人力物力。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種采用CDSEM測(cè)試圖形的方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中針對(duì)大量近似圖形需要逐一建立量測(cè)方案而導(dǎo)致浪費(fèi)時(shí)間和人力物力的問(wèn)題。
[0006]本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種采用CDSEM測(cè)試圖形的方法，該方法包括:提供多個(gè)測(cè)試圖形；找出所述多個(gè)測(cè)試圖形中圖案相似的測(cè)試圖形；對(duì)多個(gè)圖案相似的測(cè)試圖形中的第一測(cè)試圖形建立量測(cè)方案，作為參考量測(cè)方案；依次將所述參考量測(cè)方案應(yīng)用于其他圖案相似的測(cè)試圖形。
[0007]可選地，對(duì)多個(gè)圖案相似的測(cè)試圖形中的每個(gè)建立對(duì)準(zhǔn)圖形，每個(gè)對(duì)準(zhǔn)圖形相同，且每個(gè)對(duì)準(zhǔn)圖形與其對(duì)應(yīng)的測(cè)試圖形的相對(duì)位置關(guān)系相同。
[0008]可選地，所述依次將所述參考量測(cè)方案應(yīng)用于其他圖案相似的測(cè)試圖形包括:基于所述對(duì)準(zhǔn)圖形找到所述多個(gè)圖案相似的測(cè)試圖形中的第二測(cè)試圖形；將所述參考量測(cè)方案應(yīng)用于所述第二測(cè)試圖形。
[0009]可選地，將所述參考量測(cè)方案應(yīng)用于所述第二測(cè)試圖形包括:獲取所述第一測(cè)試圖形的對(duì)準(zhǔn)圖形位置信息；獲取所述第二測(cè)試圖形的對(duì)準(zhǔn)圖形位置信息；將第一測(cè)試圖形對(duì)應(yīng)的對(duì)準(zhǔn)圖形的坐標(biāo)信息更改為第二測(cè)試圖形對(duì)應(yīng)的對(duì)準(zhǔn)圖形的坐標(biāo)信息；以及采用所述參考量測(cè)方案測(cè)試所述第二測(cè)試圖形。
[0010]可選地，所述多個(gè)圖案相似的測(cè)試圖形之間圖案相同，尺寸相同或者不同。
[0011]可選地，所述對(duì)準(zhǔn)圖形包括十字形、三角形、矩形或米字形。
[0012]可選地，所述量測(cè)方案包括:CDSEM機(jī)臺(tái)在對(duì)該測(cè)試圖形進(jìn)行測(cè)試時(shí)，其測(cè)試探針移動(dòng)的角度、深度和距離。
[0013]可選地，還包括保存所述參考量測(cè)方案。
[0014]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明測(cè)試圖形的方法，通過(guò)對(duì)大量圖案相似的測(cè)試圖形增加對(duì)準(zhǔn)圖形，首先獲得一個(gè)量測(cè)方案，并以此為參考，可以快速獲得具有其他圖案相似的測(cè)試圖形的量測(cè)方案，因此，根據(jù)本發(fā)明方案，可以不必對(duì)每一個(gè)圖案相似的測(cè)試圖形逐一建立量測(cè)方案，這樣可以節(jié)省CDSEM機(jī)臺(tái)進(jìn)行量測(cè)的時(shí)間，提高生產(chǎn)效率。
【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1是本發(fā)明實(shí)施例的采用CDSHM測(cè)試圖形方法的流程示意圖；
[0016]圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的測(cè)試圖形方法提供的具有對(duì)準(zhǔn)圖形的多個(gè)圖案相似的測(cè)試圖形；
[0017]圖3是本發(fā)明另一實(shí)施例的測(cè)試圖形方法的流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]為詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所實(shí)現(xiàn)目的及效果，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說(shuō)明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，因此本發(fā)明不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施例的限制。
[0019]針對(duì)進(jìn)行圖形測(cè)量時(shí)，存在的大量圖案相似的測(cè)試圖形(近似圖形)，發(fā)明人想到通過(guò)對(duì)這些大量近似圖形中的每一個(gè)設(shè)定一個(gè)對(duì)準(zhǔn)圖形，作為后續(xù)量測(cè)的參考，其中，對(duì)于每一個(gè)所述近似圖形而言，該對(duì)準(zhǔn)圖形的圖案相同，且每個(gè)對(duì)準(zhǔn)圖形與每一個(gè)對(duì)應(yīng)的所述近似圖形的相對(duì)位置關(guān)系也相同。
[0020]由于CDSEM系統(tǒng)在進(jìn)行圖形測(cè)試時(shí)具有一定的量測(cè)容錯(cuò)度，對(duì)于上述圖案相似的測(cè)試圖形，CDSEM系統(tǒng)可以根據(jù)其中一個(gè)測(cè)試圖形的量測(cè)方案(recipe)，來(lái)獲得與該測(cè)試圖形具有相似圖案的其他測(cè)試圖形的量測(cè)recipe。
[0021]參考圖1，本發(fā)明采用⑶SEM測(cè)試圖形方法包括:
[0022]SI，提供多個(gè)測(cè)試圖形；
[0023]S2，找出所述多個(gè)測(cè)試圖形中圖案相似的測(cè)試圖形；
[0024]S3，對(duì)多個(gè)圖案相似的測(cè)試圖形中的第一測(cè)試圖形建立量測(cè)方案，作為參考量測(cè)方案；
[0025]S4，依次將所述參考量測(cè)方案應(yīng)用于其他圖案相似的測(cè)試圖形。
[0026]以下結(jié)合圖2和圖3，詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明提供的一種利用關(guān)鍵尺寸掃描電子顯微鏡測(cè)試圖形的方法。
[0027]參考圖3，本發(fā)明采用⑶SEM測(cè)試圖形的方法包括:
[0028]步驟S101，提供多個(gè)測(cè)試圖形；
[0029]如前所述，在采用CDSEM對(duì)測(cè)試圖形進(jìn)行量測(cè)時(shí)，存在大量的圖形樣式相同而尺寸接近的圖案，下面步驟將詳述如何對(duì)這些圖案相似的測(cè)試圖形進(jìn)行量測(cè)。
[0030]步驟S102，找出所述多個(gè)測(cè)試圖形中圖案相似的測(cè)試圖形，對(duì)多個(gè)圖案相似的測(cè)試圖形中的每個(gè)建立對(duì)準(zhǔn)圖形；
[0031]參考圖2，圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的測(cè)試圖形方法提供的多個(gè)圖案相似的測(cè)試圖形，圖2僅示意性列舉了3個(gè)圖案相似的測(cè)試圖形。其中，所述多個(gè)圖案相似的測(cè)試圖形之間圖案相同，尺寸可以相同或者不同，其中，所謂圖案相同指的是測(cè)試圖形的線條布局相同。且所述多個(gè)圖案相似的測(cè)試圖形位于待量測(cè)晶片的多個(gè)不同位置，上述測(cè)試圖形即為前述的近似圖形。
[0032]本發(fā)明實(shí)施例中，對(duì)多個(gè)圖案相似的測(cè)試圖形中的每個(gè)建立對(duì)準(zhǔn)圖形，其中，每個(gè)對(duì)準(zhǔn)圖形相同，且每個(gè)對(duì)準(zhǔn)圖形與其對(duì)應(yīng)的測(cè)試圖形的相對(duì)位置關(guān)系相同，如此，可方便后續(xù)找到其他具有相似圖案的測(cè)試圖形。
[0033]可以采用多種方法獲得如圖2所示的具有對(duì)準(zhǔn)圖形的測(cè)試圖形，例如，可以通過(guò)在光刻工藝中在光罩上添加對(duì)準(zhǔn)圖形，然后經(jīng)過(guò)曝光顯影工藝，將光罩上的圖形轉(zhuǎn)移到晶片上，該圖形形成工藝為本領(lǐng)域所熟知，在此不予贅述。當(dāng)然，需要了解的是，在光罩上添加對(duì)準(zhǔn)圖形，需要滿足上述的對(duì)準(zhǔn)圖形與測(cè)試圖形之間的位置關(guān)系要求。
[0034]這樣，利用關(guān)鍵尺寸掃描電子顯微鏡進(jìn)行量測(cè)時(shí)，晶片上除了有測(cè)試圖形，還具有對(duì)準(zhǔn)圖形。所述對(duì)準(zhǔn)圖形可以為任何便于識(shí)別且方便制作的圖形，例如可以是十字形、三角形、矩形、米字形等等。在本實(shí)施例中，如圖2所示，所述對(duì)準(zhǔn)圖形為十字形。
[0035]并且，需要了解的是，對(duì)于每一個(gè)所述圖案相似的測(cè)試圖形而言，每一個(gè)對(duì)準(zhǔn)圖形的圖案相同，且每一個(gè)對(duì)準(zhǔn)圖形與其對(duì)應(yīng)的所述測(cè)試圖形的相對(duì)位置關(guān)系也