陣列式片狀電阻器的制造方法
【專利說明】陣列式片狀電阻器
[0001]本申請是申請日為2009年11月30日、申請?zhí)枮?00910246237.7、發(fā)明名稱為“陣列式片狀電阻器”的專利申請的分案申請，其全部內(nèi)容結(jié)合于此作為參考。
[0002]相關(guān)申請的交叉參考
[0003]本申請要求2009年9月4日向韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請?zhí)?0-2009-0083519和10-2009-0083521的權(quán)益，其內(nèi)容結(jié)合于此以供參考。
技術(shù)領(lǐng)域
[0004]本發(fā)明涉及一種陣列式片狀電阻器；更具體地，涉及這樣一種陣列式片狀電阻器，其中，電阻器元件設(shè)置在基板下方，從而，可防止電阻器元件由于受到外部碰撞而損壞。
【背景技術(shù)】
[0005]通常地，片狀電阻器指的是通過將多個電阻器裝配在一個本體內(nèi)以增加電子產(chǎn)品的集成度而制成半導(dǎo)體封裝類型的電阻器。
[0006]這種片狀電阻器通常裝配在半導(dǎo)體模塊上。個人電腦(PC)和服務(wù)器的尺寸逐漸變小，但是，在縮小裝配在PC或服務(wù)器上的半導(dǎo)體模塊(例如，存儲模塊)的尺寸方面是有限制的。
[0007]因此，集成地配置有多個電阻元件以增加其集成度的陣列式片狀電阻器已用作裝配在存儲模塊上的片狀電阻器。
[0008]陣列式片狀電阻器主要用來減少半導(dǎo)體封裝(其上裝配有存儲模塊)中反射的信號波的噪音。然而，已經(jīng)指出，當(dāng)裝配于印刷電路板上時，傳統(tǒng)的片狀電阻器具有許多由于外部環(huán)境所引起的質(zhì)量問題。
[0009]也就是說，傳統(tǒng)的片狀電阻器包括基板、形成于基板的頂表面上的電阻元件、連接至電阻元件并從頂表面延伸至其側(cè)表面和頂表面的外部電極。在此情況中，當(dāng)片狀電阻器裝配于PCB上時，由導(dǎo)體端子制成的外部電極用作電連接裝置。
[0010]當(dāng)裝配于PCB上或為了裝配而移動時，傳統(tǒng)的片狀電阻器具有由于工人的粗心而產(chǎn)生的外部碰撞而損壞其基板和轉(zhuǎn)角的問題。此外，當(dāng)在裝配過程中對暴露于基板頂表面的電阻元件施加外部碰撞時，可能損壞電阻元件。
[0011]在傳統(tǒng)的片狀電阻器中，可能由于片狀電阻器之間的外部摩擦或接觸而產(chǎn)生剝落印制于其側(cè)表面上的外部電極的涂層材料的劃痕現(xiàn)象。此外，當(dāng)為了裝配片狀電阻器而執(zhí)行焊接時，也可能由于劃痕現(xiàn)象而在電極之間產(chǎn)生短路。
[0012]同時，在形成連接至電阻元件的上部電極時在每個電極之間形成承載層，以防止由于片狀電阻器中的外部電極的劃痕而導(dǎo)致的電極短路。然而，承載層并不足以防止電極短路。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0013]為了解決上述問題而提出本發(fā)明，因此，本發(fā)明的一個目的是提供一種陣列式片狀電阻器，其中，電阻元件設(shè)置在基板下方，從而，當(dāng)裝配電阻元件時可防止電阻元件暴露于外部，這導(dǎo)致防止電阻元件由于受到外部碰撞而損壞。
[0014]此外，本發(fā)明的另一目的是，提供一種陣列式片狀電阻器，其可通過將暴露至基板外部的上部電極和側(cè)部電極的面積減到最小來防止由于劃痕導(dǎo)致的短路發(fā)生。
[0015]根據(jù)實現(xiàn)所述目的的本發(fā)明的一個方面，提供了這樣一種陣列式片狀電阻器，其包括:形成為長方體形狀的基板；等間隔設(shè)置在基板底表面的兩側(cè)上的下部電極；從所有下部電極中的形成于基板兩側(cè)的最外邊緣上的一些下部電極延伸至基板側(cè)表面的側(cè)部電極；介于基板底表面的下部電極之間的電阻元件；覆蓋在電阻元件上的保護層，保護層的兩側(cè)覆蓋下部電極的一部分和電阻元件；與暴露至保護層外部的下部電極接觸的整平電極；以及形成于整平電極上的鍍層。
[0016]優(yōu)選地，基板由通過鋁的表面陽極化處理而絕緣的氧化鋁材料制成，并且用作熱擴散路徑，從電阻元件產(chǎn)生的熱量通過該熱擴散路徑排放到外部。
[0017]而且，當(dāng)片狀電阻器裝配于主基板上時，下部電極與形成于主基板上的焊盤電接觸，并且，側(cè)部電極從所有下部電極中的形成于其最外邊緣的一些下部電極(即，形成于基板兩側(cè)上的一些下部電極)延伸至基板的側(cè)表面。
[0018]在此情況中，與基板側(cè)表面的高度相比，側(cè)部電極可形成為具有范圍在該高度的50%至100%內(nèi)的高度。
[0019]而且，保護層可由硅材料或玻璃材料制成，并且，保護層被覆蓋至暴露于電阻元件兩側(cè)的下部電極內(nèi)部的一部分。
[0020]在此情況中，在電阻元件覆蓋保護層之后，可以形成通過用激光修整電阻元件的一部分而形成的凹槽，以實現(xiàn)精確的電阻值。
[0021]優(yōu)選地，整平電極是使得有效面積被保護層減小的下部電極能夠具有擴大的有效面積的電極，并且，整平電極形成于暴露至保護層外部的下部電極上。
[0022]而且，鍍層執(zhí)行下部電極的保護，并且通過在整平電極上通過生長N1-Sn鍍層而形成外部電極，從而，其可暴露至片狀電阻器的外部。
[0023]而且，片狀電阻器可進一步包括覆蓋保護層外部的絕緣層，并且，絕緣層由聚合物制成并最終保護電阻元件。此外，當(dāng)用于形成外部電極的保護層被形成時，絕緣層防止電鍍液滲入電阻元件。
[0024]在此情況中，優(yōu)選地，鍍層形成為具有比絕緣層的高度高的高度。
[0025]根據(jù)實現(xiàn)所述目的的本發(fā)明的另一方面，提供了這樣一種陣列式片狀電阻器，其包括:形成為長方體形狀的基板；等間隔設(shè)置在基板底表面的兩側(cè)上的下部電極，通過將設(shè)置于基板兩側(cè)上的電極向上延伸至基板轉(zhuǎn)角而形成下部電極；介于基板底表面的下部電極之間的電阻元件；覆蓋在電阻元件上的保護層，保護層的兩側(cè)覆蓋下部電極的一部分和電阻元件；與暴露至保護層外部的下部電極接觸的整平電極；以及形成于整平電極上的鍍層，鍍層具有延伸得與基板轉(zhuǎn)角相接觸的一側(cè)，從而，鍍層與延伸至基板轉(zhuǎn)角的下部電極相對。
[0026]在此情況中，可通過將下部電極擴展至基板的側(cè)表面而形成側(cè)部電極，并且，當(dāng)形成于基板的側(cè)表面上時，與其側(cè)表面的高度相比，側(cè)部電極可形成為具有小于該高度的20%的高度。
【附圖說明】
[0027]通過結(jié)合附圖給出的實施例的以下描述，本發(fā)明總發(fā)明構(gòu)思的這些和/或其它方面和優(yōu)點將變得顯而易見且更易于理解，其中:
[0028]圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的片狀電阻器的透視圖；
[0029]圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的片狀電阻器的底部透視圖；
[0030]圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的片狀電阻器的平面圖；
[0031]圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的片狀電阻器的后視圖；
[0032]圖5是沿著圖1的線1-1’和11-11’剖開的剖視圖；
[0033]圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的片狀電阻器裝配在主基板上的情況的透視圖；
[0034]圖7至圖11分別是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的片狀電阻器的視圖，并且，圖7是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的片狀電阻器的透視圖；
[0035]圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的片狀電阻器的底部透視圖；
[0036]圖9至圖10分別是根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的片狀電阻器的平面圖和后視圖；以及
[0037]圖11是示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的片狀電阻器裝配在主基板上的情況的剖視圖。
【具體實施方式】
[0038]將參照附圖詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的陣列式片狀電阻器。當(dāng)參照附圖對其進行描述時，相同或相應(yīng)的部件由相同的參考數(shù)字代表，并且，將省略其重復(fù)描述。
[0039]圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的片狀電阻器的透視圖。圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的片狀電阻器的底部透視圖。圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的片狀電阻器的平面圖。圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的片狀電阻器的后視圖。圖5是沿著圖1的線1-1’和11-11’剖開的剖視圖。
[0040]如圖所示，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的片狀電阻器100包括:形成為長方體形狀的基板110，具有多個凹槽；形成于基板110的底表面上的電阻元件120，以及電連接至電阻元件120的多個下部電極130。
[0041]基板110可形成為類似長方體的薄板形狀，并可由通過鋁的表面陽極化處理而絕緣的氧化鋁材料形成。此外，由于基板110由具有高導(dǎo)熱性的材料形成，所以基板110用作熱擴散路徑，從電阻元件120產(chǎn)生的熱量通過該熱擴散路徑在片狀電阻器100的表面裝配時排放至外部。
[0042]以預(yù)定間隔設(shè)置的多個下部