基板處理裝置的制造方法
【專利說明】基板處理裝置
[0001]本申請(qǐng)是申請(qǐng)?zhí)枮?010101322451、申請(qǐng)日為2010年03月16日、發(fā)明名稱為“基板處理裝置”的申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002]本發(fā)明涉及基板處理裝置，特別是涉及在處理室內(nèi)設(shè)有加熱器，消除阻礙基板處理的主要原因的基板處理裝置。
【背景技術(shù)】
[0003]作為基板處理裝置，例如列舉出有半導(dǎo)體制造裝置、真空處理裝置、成膜處理裝置等，作為使用等離子體對(duì)基板進(jìn)行處理的基板處理裝置，公知有等離子處理裝置。等離子處理裝置具有在內(nèi)部產(chǎn)生等離子體的能減壓的處理室(室)，在該室內(nèi)配置有載置作為基板的晶圓的基板載置臺(tái)(基座)?；ㄅ渲糜谠摶纳媳砻娴膱A板狀的靜電吸盤(ESC)和配置于該靜電吸盤上表面的外周緣部的、例如由硅構(gòu)成的聚流環(huán)。
[0004]公知在等離子處理裝置中，在處理開始前進(jìn)行排出處理室內(nèi)氣體的排氣處理。即，通過預(yù)先去除吸附于處理室內(nèi)的壁面、構(gòu)成構(gòu)件的水分、反應(yīng)生成物等基板處理阻礙成分，使晶圓的蝕刻率的分布形態(tài)均勻化，由此提高面內(nèi)處理的均勻性。通常，加熱水分等使其蒸發(fā)，排出該蒸發(fā)的水分等而將其去除。可是，為了加熱水分等，在處理室內(nèi)配置例如金屬電阻式的加熱器，金屬暴露于處理室內(nèi)而成為異常放電的原因。
[0005]因此，提出一種基板處理裝置，該基板處理裝置在基座內(nèi)設(shè)有埋入式的導(dǎo)熱加熱器，控制聚流環(huán)和其周邊部的溫度(例如，參照專利文獻(xiàn)I)。
[0006]專利文獻(xiàn)1:日本特開2008-159931號(hào)公報(bào)
[0007]可是，基板處理裝置具有組合多個(gè)構(gòu)件的構(gòu)造，由于各構(gòu)件相互間的間隙作為真空絕熱層而起作用，所以導(dǎo)熱性降低，在以往的設(shè)有埋入式加熱器的基板處理裝置中，各構(gòu)成構(gòu)件特別是無法高效率地加熱聚流環(huán)和其周邊部。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的目的在于提供一種能不產(chǎn)生異常放電且高效率地加熱各構(gòu)成構(gòu)件的基板處理裝置。
[0009]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，技術(shù)方案I所述的基板處理裝置包括:能減壓的處理室、設(shè)于該處理室內(nèi)的基板載置臺(tái)、與該基板載置臺(tái)相對(duì)地設(shè)于上述處理室的頂部的簇射頭、配置于上述基板載置臺(tái)的上表面外周部的聚流環(huán)，其特征在于，具有配置在上述聚流環(huán)的附近的紅外線輻射式的環(huán)狀的加熱器，上述加熱器由紅外線輻射體和封入該紅外線輻射體的玻璃體構(gòu)成。
[0010]技術(shù)方案2所述的基板處理裝置是根據(jù)技術(shù)方案I所述的基板處理裝置，其特征在于，使在上述聚流環(huán)和上述加熱器之間不存在阻礙紅外線輻射的構(gòu)件。
[0011]技術(shù)方案3所述的基板處理裝置是根據(jù)技術(shù)方案I或2所述的基板處理裝置，其特征在于，上述聚流環(huán)和上述加熱器直接相鄰。
[0012]技術(shù)方案4所述的基板處理裝置是根據(jù)技術(shù)方案I?3中的任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于，上述加熱器經(jīng)由貫穿上述基板載置臺(tái)的電力供給線與外部電源連接。
[0013]技術(shù)方案5所述的基板處理裝置是根據(jù)技術(shù)方案I或2所述的基板處理裝置，其特征在于，上述加熱器以與上述聚流環(huán)隔有空間地圍繞該聚流環(huán)的方式設(shè)于該聚流環(huán)的外周部。
[0014]技術(shù)方案6所述的基板處理裝置是根據(jù)技術(shù)方案5所述的基板處理裝置，其特征在于，上述加熱器經(jīng)由貫穿上述處理室的側(cè)壁的電力供給線與外部電源連接。
[0015]技術(shù)方案7所述的基板處理裝置是根據(jù)技術(shù)方案5所述的基板處理裝置，其特征在于，上述處理室具有用于劃分上述基板載置臺(tái)與上述簇射頭之間的空間、和上述基板載置臺(tái)的下方的排氣空間這兩個(gè)空間的排氣板，上述加熱器經(jīng)由貫穿上述排氣板的電力供給線與外部電源連接。
[0016]技術(shù)方案8所述的基板處理裝置是根據(jù)技術(shù)方案5或7所述的基板處理裝置，其特征在于，上述加熱器被設(shè)置為沿著上述處理室的內(nèi)壁面在上下方向上自由移動(dòng)。
[0017]技術(shù)方案9所述的基板處理裝置是根據(jù)技術(shù)方案I?8中的任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于，在上述加熱器的上述玻璃體表面上的與構(gòu)件相對(duì)的部分涂敷有紅外線反射膜。
[0018]技術(shù)方案10所述的基板處理裝置是根據(jù)技術(shù)方案I?9中的任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于，上述紅外線輻射體由碳絲構(gòu)成。
[0019]技術(shù)方案11所述的基板處理裝置是根據(jù)技術(shù)方案I?10中的任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于，上述紅外線輻射體在波長1200nm附近具有發(fā)光峰值。
[0020]采用技術(shù)方案I所述的基板處理裝置，具有配置在聚流環(huán)附近的紅外線輻射式的環(huán)狀的加熱器，該加熱器由紅外線輻射體和封入該紅外線輻射體的玻璃體構(gòu)成，所以紅外線輻射體不暴露在處理室內(nèi)，始終絕緣，其結(jié)果，即使在處理室內(nèi)設(shè)置加熱器也能夠防止產(chǎn)生異常放電。此外，由于加熱器輻射紅外線，所以能夠高效率地加熱以聚流環(huán)為首的構(gòu)成構(gòu)件。
[0021]采用技術(shù)方案2所述的基板處理裝置，因?yàn)槭咕哿鳝h(huán)和加熱器之間不存在阻礙紅外線輻射的構(gòu)件，所以即使聚流環(huán)和加熱器不相鄰，也能夠由紅外線輻射而高效率地加熱聚流環(huán)。
[0022]采用技術(shù)方案3所述的基板處理裝置，因?yàn)榫哿鳝h(huán)和加熱器直接相鄰，所以不僅能夠用紅外線輻射加熱聚流環(huán)，而且能直接導(dǎo)熱加熱聚流環(huán)，由此，能進(jìn)一步高效率地加熱聚流環(huán)和周邊構(gòu)件。
[0023]采用技術(shù)方案4所述的基板處理裝置，因?yàn)榧訜崞鹘?jīng)由貫穿基板載置臺(tái)的電力供給線與外部電源連接，所以能消除因電力供給線暴露在處理室內(nèi)而造成的問題。
[0024]采用技術(shù)方案5所述的基板處理裝置，因?yàn)榧訜崞饕耘c聚流環(huán)隔有空間地圍繞該聚流環(huán)的方式設(shè)于該聚流環(huán)的外周部，所以能夠利用紅外線輻射高效率地間接加熱聚流環(huán)和其周邊構(gòu)件。而且也不會(huì)產(chǎn)生異常放電。
[0025]采用技術(shù)方案6所述的基板處理裝置，因?yàn)榧訜崞鹘?jīng)由貫穿處理室的側(cè)壁的電力供給線與外部電源連接，所以能盡可能地縮短處理室內(nèi)的電力供給線布線的長度。
[0026]采用技術(shù)方案7所述的基板處理裝置，因?yàn)樘幚硎揖哂杏糜趧澐只遢d置臺(tái)與簇射頭之間的空間、和基板載置臺(tái)的下方的排氣空間的排氣空間，加熱器經(jīng)由貫穿排氣板的電力供給線與外部電源連接，所以能盡可能地減小由在處理室內(nèi)配置電力供給線而造成的影響。
[0027]采用技術(shù)方案8所述的基板處理裝置，因?yàn)榧訜崞鞅辉O(shè)置為沿著處理室的內(nèi)壁面在上下方向上自由移動(dòng)，所以能夠根據(jù)需要使其移動(dòng)，從而積極地利用紅外線輻射間接加熱處理室內(nèi)需要加熱的部分。
[0028]采用技術(shù)方案9所述的基板處理裝置，因?yàn)樵诩訜崞鞯牟Ａw表面上的與構(gòu)件相對(duì)的部分涂敷有紅外線反射膜，所以通過使不需要加熱的構(gòu)成構(gòu)件與該部分相對(duì)，能夠避開對(duì)該構(gòu)成構(gòu)件的紅外線輻射，從而能防止加熱。
[0029]采用技術(shù)方案10所述的基板處理裝置，因?yàn)榧t外線輻射體由碳絲束構(gòu)成，所以作為加熱器的構(gòu)成材料能夠不使用金屬，由此，能避免異常放電。
[0030]采用技術(shù)方案11所述的基板處理裝置，因?yàn)榧t外線輻射體在波長為1200nm附近具有發(fā)光峰值，所以能夠利用特定波長的紅外線輻射，高效率地加熱各構(gòu)成構(gòu)件。
【附圖說明】
[0031]圖1是概略地表示本發(fā)明的第I實(shí)施方式的基板處理裝置的構(gòu)成的剖視圖。