專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，特別涉及能改善電阻率的半導(dǎo)體器件的制造方法。
一般來(lái)說(shuō)，隨著半導(dǎo)體器件高度集成，半導(dǎo)體器件內(nèi)的連線寬度減小，必然導(dǎo)致連線的電阻增加，產(chǎn)生諸如操作速度下降等的問(wèn)題。隨著連線寬度的減小，為防止連線薄層電阻率增加而形成較厚的連線，但由于連線的臺(tái)階覆蓋更大，產(chǎn)生器件的制造工藝變得更復(fù)雜并且產(chǎn)量更低的問(wèn)題。為了解決這些問(wèn)題，如硅化鎢(WSix)、硅化鈦(TiSi2)，或硅化鈷(CoSi2)等的難熔金屬硅化物形成在多晶硅層上，意在防止電阻率的增加。(以下將形成在多晶硅層上的難熔金屬硅化物稱(chēng)做“polycide”)。然而，雖然這可在某種程度上改善電阻率和臺(tái)階覆蓋，但仍需要一種可進(jìn)一步改善電阻率和臺(tái)階的形成polycide的方法。
下面結(jié)合附圖介紹制造半導(dǎo)體器件的常規(guī)方法。

圖1A-1C顯示了制造半導(dǎo)體器件的第一個(gè)常規(guī)方法的工藝步驟剖面圖，圖2A-2C顯示了制造半導(dǎo)體器件的第二個(gè)常規(guī)方法的工藝步驟剖面圖。用于減小半導(dǎo)體器件內(nèi)電阻率和臺(tái)階覆蓋的polycide制造工藝適用于形成柵電極或字線的工藝。
下面介紹制造半導(dǎo)體器件的第一個(gè)常規(guī)方法的工藝步驟，其中使用polycide制造工藝形成柵電極。
參考圖1A，工藝開(kāi)始于在半導(dǎo)體襯底1上淀積第一氧化膜2，和在第一氧化膜2上淀積多晶硅層3。多晶硅層3摻雜P型雜質(zhì)并能溶于水。淀積多晶硅層3完成后，多晶硅層3的摻雜可通過(guò)離子注入，或淀積POCl3，或在淀積多晶硅層的同時(shí)連續(xù)注入如PH3的摻雜氣體進(jìn)行。為除去在圖1B所示的形成多晶硅層3的工藝期間留在多晶硅層3上的自然氧化膜(或玻璃)，將工藝所得結(jié)構(gòu)浸泡在HF溶液中進(jìn)行清洗。用具有六氟化鎢(WF6)氣體的SiH4或SiH2Cl2化學(xué)汽相淀積形成硅化鎢層4，以形成polycide層。如圖1C所示，用形成柵電極使用的掩膜對(duì)硅化鎢層4、多晶硅層3和第一氧化膜2進(jìn)行光刻，各向異性腐蝕層2、3和4，最終形成柵蓋帽硅化物層4a、柵電極3a和柵氧化膜2a。輕摻雜的漏(LDD)區(qū)5形成在半導(dǎo)體襯底1上柵電極3a的兩側(cè)。第二氧化膜淀積在整個(gè)表面，并進(jìn)行各向異性腐蝕除去第二氧化膜，在柵蓋帽硅化物層4a、柵電極3a和柵氧化膜2a的兩側(cè)形成側(cè)壁絕緣膜6。除了柵電極3a下的部分，對(duì)在側(cè)壁絕緣膜6外的那部分半導(dǎo)體襯底1進(jìn)行重?fù)诫s，以在其中形成源/漏區(qū)7。
下面介紹制造半導(dǎo)體器件的第二個(gè)常規(guī)方法的工藝步驟，其中使用polycide制造工藝形成位線。
參見(jiàn)圖2A，工藝起始于在部分P型的半導(dǎo)體襯底1內(nèi)形成N型雜質(zhì)摻雜的層8。進(jìn)行化學(xué)汽相淀積在半導(dǎo)體襯底1上形成層間絕緣層9，選擇性除去層間絕緣層9形成接觸孔10，露出N型雜質(zhì)摻雜的層8。如圖2B所示，在整個(gè)表面上形成多晶硅層11。多晶硅層11摻雜P型雜質(zhì)并能溶于水。淀積多晶硅層11完成后，多晶硅層11的摻雜可通過(guò)離子注入，或淀積POCl3，或在淀積多晶硅層的同時(shí)連續(xù)注入如PH3的摻雜氣體進(jìn)行。為除去在圖2C所示的形成多晶硅層11的工藝期間留在多晶硅層11上的自然氧化膜(或玻璃)，將工藝所得結(jié)構(gòu)浸泡在HF溶液中進(jìn)行清洗。用具有六氟化鎢(WF6)氣體的SiH4或SiH2Cl2化學(xué)汽相淀積在多晶硅層11上形成硅化鎢層12，對(duì)硅化鎢層12進(jìn)行選擇性構(gòu)圖形成polycide層的位線。
然而，制造半導(dǎo)體器件的常規(guī)方法存在以下問(wèn)題。
由于根據(jù)常規(guī)方法通過(guò)在多晶硅層上淀積硅化鎢在半導(dǎo)體器件內(nèi)形成的柵電極或位線顯示出硅化鎢不是非晶態(tài)，也具有小的粒狀尺寸，在減小多晶硅層的電阻率方面，柵電極或位線存在著限制。由于這些原因，在尺寸低于0.25μm的高度封裝的器件中，制造半導(dǎo)體器件的常規(guī)方法不能減小多晶硅層的電阻率。
因此，本發(fā)明提供一種制造半導(dǎo)體器件的方法，可基本上避免由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和不足引起的幾個(gè)問(wèn)題。
本發(fā)明的目的是提供一種制造能改善電阻率的半導(dǎo)體器件的方法。
本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在下面的說(shuō)明部分中進(jìn)行闡述，部分從說(shuō)明部分中可明顯看出，或可通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐得到。在書(shū)面的說(shuō)明書(shū)及權(quán)利要求書(shū)以及附圖中具體地指出的結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)和得到本發(fā)明的目的及其它優(yōu)點(diǎn)。
為達(dá)到這些和其它優(yōu)點(diǎn)，根據(jù)本發(fā)明的目的，正如概括和概要地描述，制造半導(dǎo)體器件的方法包括以下步驟在襯底上形成硅層，在硅層上形成晶體的金屬硅化物層，通過(guò)注入離子到晶體的金屬硅化物層形成非晶金屬硅化物層，以及通過(guò)熱處理非晶金屬硅化物使非晶金屬硅化物結(jié)晶。
應(yīng)該理解以上的概述和以下的詳細(xì)說(shuō)明均為示例性和解釋性的，意在為所要求的發(fā)展提供進(jìn)一步的說(shuō)明。
構(gòu)成進(jìn)一步理解本發(fā)明的本說(shuō)明書(shū)的一部分的附示了本發(fā)明的實(shí)施例，并和描述部分一起介紹了本發(fā)明的基本原則。
附圖中圖1A-1C顯示了制造半導(dǎo)體器件的第一個(gè)常規(guī)方法的工藝步驟剖面圖；圖2A-2C顯示了制造半導(dǎo)體器件的第二個(gè)常規(guī)方法的工藝步驟剖面圖；圖3A-3C顯示了根據(jù)本發(fā)明的第一優(yōu)選實(shí)施例制造半導(dǎo)體器件的工藝步驟剖面圖；圖4A-4F顯示了根據(jù)本發(fā)明的第二優(yōu)選實(shí)施例制造半導(dǎo)體器件的工藝步驟剖面圖；圖5顯示了本發(fā)明摻雜的硅化鎢層的非晶特性的圖形；圖6顯示了本發(fā)明的硅化鎢層的離子劑量與電阻率的圖形；圖7顯示了在900℃進(jìn)行30分鐘熱處理后，本發(fā)明的硅化鎢層的離子劑量與電阻率的圖形；圖8顯示了當(dāng)使用P離子作摻雜劑時(shí)，本發(fā)明不同厚度的硅化鎢層的線寬與電阻率的圖形；圖9顯示了與圖8相同的條件下形成的0.25μm線寬的柵電極的電阻率圖形。
現(xiàn)在詳細(xì)介紹本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，例子顯示在附圖中。圖3A-3C顯示了根據(jù)本發(fā)明的第一優(yōu)選實(shí)施例制造半導(dǎo)體器件的工藝步驟剖面圖，其中難熔金屬硅化物形成在半導(dǎo)體器件內(nèi)，圖4A-4F顯示了根據(jù)本發(fā)明的第二優(yōu)選實(shí)施例制造半導(dǎo)體器件的工藝步驟剖面圖。
減小半導(dǎo)體器件電阻率的polycide制造工藝可用于形成柵電極或位線。下面介紹根據(jù)本發(fā)明使用polycide制造工藝形成柵電極的例子。
參照?qǐng)D3A，根據(jù)本發(fā)明的第一優(yōu)選實(shí)施例制造半導(dǎo)體器件的工藝步驟起始于在半導(dǎo)體襯底20上淀積第一氧化膜21，隨后使用ICT(集成的工具組(Integrated Cluster Tool))，在80Torr和660℃下在第一氧化膜21上淀積1000厚的摻雜的多晶硅層22。然后，在摻雜的多晶硅層22上淀積約200厚的未摻雜的多晶硅層23。在摻雜的多晶硅層22的淀積中，使用混有50％的SiH4和1％的PH3的H2作源氣。使用WF6和SiH2Cl2或WF6和SiH4作源氣在未摻雜的多晶硅層23上形成硅化鎢層24。摻雜的多晶硅層22和未摻雜的多晶硅層23位于硅化鎢層24之下，以防止在以后的步驟中通過(guò)注入離子將硅化鎢層24轉(zhuǎn)換成非晶的硅化鎢層時(shí)注入到硅化鎢層的離子的損失。摻雜的多晶硅層22可以淀積到約800厚，未摻雜的多晶硅層23可以淀積到約200厚，硅化鎢層24可以淀積到約1000厚。或者，可選地，摻雜的多晶硅層22可以淀積到約300厚，未摻雜的多晶硅層23可以淀積到約200厚，硅化鎢層24可以淀積到約2000厚。即，形成的硅化鎢層24的厚度范圍為1000-2000。如圖3B所示，能量為50KeV且劑量為1×1015～8×1015cm-3的N型磷離子注入到硅化鎢層24中，將硅化鎢層24轉(zhuǎn)換為非晶態(tài)。此時(shí)，磷離子注入能量為80KeV。在約900℃下進(jìn)行30分鐘的熱處理使非晶硅化鎢層24再結(jié)晶，形成大尺寸晶粒的硅化鎢層24a。進(jìn)行熱處理的溫度范圍為400～1100℃。此時(shí)，代替N型磷離子，注入劑量為1×1015-8×1015cm-3能量分別為70KeV或20KeV的P型砷離子(As)或硼(B)離子，通過(guò)熱處理形成大尺寸晶粒的硅化鎢層24a。如圖3C所示，為了形成柵電極，在各向異性腐蝕第一氧化膜、摻雜的多晶硅層22、未摻雜的多晶硅層23、大尺寸晶粒的硅化鎢層24a的疊層中使用掩膜，形成柵蓋帽硅化物層24b、柵電極22a和23a和柵氧化膜21a。LDD(輕摻雜的漏)區(qū)26形成在柵電極22a和23a兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底20內(nèi)，在整個(gè)表面上淀積第二氧化膜并進(jìn)行各向異性腐蝕選擇性地除去第二氧化膜，以在柵蓋帽硅化物層24b、柵電極22a和23a和柵氧化膜21a兩側(cè)形成側(cè)壁墊25。然后，除了柵電極22a和23a，重?fù)诫s側(cè)壁墊25兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底20內(nèi)的部分，形成源/漏區(qū)27。淀積并用HF清除摻雜多晶硅層后，淀積硅化鎢層24。
下面介紹當(dāng)劑量為5×1015cm-3離子注入形成1000厚的硅化鎢層24時(shí)的非晶相位。圖5為當(dāng)注入不同的離子時(shí)硅化鎢層24的XRD(X射線衍射)分析數(shù)據(jù)圖，其中(a)為沒(méi)有離子注入的情況，(b)為磷離子(P)注入的情況，(c)為硼離子(B)注入的情況，(d)為砷離子注入的情況，(e)為氬離子注入的情況。從硅化鎢層的2θ(角)為30℃和約40℃時(shí)X射線更強(qiáng)的事實(shí)可以知道X射線在硅化鎢為(111)晶向的這些角度處衍射，這意味著硅化鎢層為晶體性的。此外，可以知道在氬(Ar)和磷(P)的情況下，硅化鎢層24已完全轉(zhuǎn)變成非晶態(tài)，在硼(B)和砷(As)的情況下，硅化鎢層24沒(méi)有完全轉(zhuǎn)變成非晶態(tài)。如圖6所示，當(dāng)劑量不同時(shí)，如果劑量超過(guò)1×1015cm-3時(shí)，在所有的情況下，硅化鎢層24的電阻率急劇減小，既使在劑量不斷增加的情況下，電阻率也逐漸減小，這意味著在劑量為1×1015cm-3時(shí)，幾乎硅化鎢層24的所有部分都轉(zhuǎn)變?yōu)榉蔷B(tài)。如圖7所示的為在900℃下?lián)诫s并熱處理30分鐘硅化鎢層24的劑量與電阻率的關(guān)系，圖中顯示出對(duì)于砷(As)、硼(B)和磷(P)離子的情況下，隨著劑量的增加電阻率減少，在磷(P)離子的情況下，在注入能量為80KeV時(shí)減小量最大，但在砷(As)和硼(B)離子注入時(shí)形成化合物。另一方面，在氬(Ar)離子注入時(shí)，隨著劑量的增加電阻率增加，是由于在熱處理過(guò)程中惰性氣體氬(Ar)分解在硅化鎢層24中形成空隙。從這些實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)可以得出，優(yōu)選劑量為5×1015cm-3的磷(P)離子注入。接下來(lái)，如圖8和9所示，如果在淀積厚度為1000并注入50KeV的磷(P)離子的硅化鎢層和淀積厚度為1500并注入80KeV的磷(P)離子的硅化鎢層的情況下比較柵電極22a和23a的電阻率，當(dāng)柵電極22a和23a的最小線寬設(shè)置為0.25μm并且其它條件和以上相同時(shí)，可以看出淀積厚度為1500A并注入80KeV的磷(P)離子的硅化鎢層的電阻率最低。
下面介紹根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例制造半導(dǎo)體器件的方法。本發(fā)明的第二實(shí)施例適用于根據(jù)形成具有雙柵極的CMOS晶體管的第一實(shí)施例形成的非晶硅化鎢層的情況。
參考圖4A，根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例制造半導(dǎo)體器件的工藝步驟起始于在半導(dǎo)體襯底30上淀積50A厚的第一氧化膜31，隨后在第一氧化膜31上淀積約1000厚的未摻雜的多晶硅層32。如圖4B所示，將第一光刻膠膜33涂在未摻雜的多晶硅層32上，并進(jìn)行選擇性構(gòu)圖露出將要形成NMOS晶體管的未摻雜的多晶硅層32的部分。使用構(gòu)圖的光刻膠膜33作掩膜將N型磷(P)離子注入到未摻雜的多晶硅層32的部分中，形成N型多晶硅層32a。如圖4C所示，除去第一光刻膠膜33，并涂敷第二光刻膠膜34，然后進(jìn)行曝光和顯影以選擇性構(gòu)圖第二光刻膠膜34，在N型多晶硅層32a的邊上露出將要形成PMOS晶體管的未摻雜的多晶硅層32的部分。將P型砷(As)或硼(B)離子注入到未摻雜的多晶硅層32的露出部分，形成P型多晶硅層32b。然后，除去第二光刻膠膜34。如圖4D所示，在N型多晶硅層32a和P型多晶硅層32b上淀積約100厚的氮化鈦(TiN)，形成防擴(kuò)散膜35。在淀積100的氮化鈦時(shí)，淀積50的氮化鈦后再淀積50的氮化鈦，以使兩膜的晶粒間界不匹配，以提高防擴(kuò)散能力。除了氮化鈦(TiN)，還可淀積氮化鎢(WNx)、鎢硅氮化物(WSiN)、鉭硅氮化物(TaSiN)或類(lèi)似物作為防擴(kuò)散膜35。然后，使用WF6和SiH2Cl2或WF6和SiH4作源氣在防擴(kuò)散膜35上形成厚度為1000-2000的硅化鎢層36。形成防擴(kuò)散膜35后形成硅化鎢層36是為了形成雙柵極，而不影響具有柵蓋帽硅化物層36b的雙柵極CMOS器件，該柵蓋帽硅化物層36b是由非晶硅化鎢層36在以后的步驟中形成的。如圖4E所示，將能量為80KeV劑量為1×1015-8×1015cm-3，而優(yōu)選為多于5×1015cm-3的N型磷(P)離子注入到硅化鎢層36中，將硅化鎢轉(zhuǎn)變?yōu)榉蔷B(tài)，在約900℃下進(jìn)行約30分鐘的熱處理使非晶硅化鎢再結(jié)晶，形成大尺寸晶粒的硅化鎢層36a。此時(shí)，進(jìn)行熱處理的溫度范圍為400-1100℃。注入和上述相同的劑量能量分別為70KeV和20KeV的P型砷離子(As)或硼(B)離子，通過(guò)熱處理形成大尺寸晶粒的硅化鎢層36a。如圖4f所示，為了形成NMOS晶體管的柵電極，在各向異性腐蝕第一氧化膜31、N型多晶硅層32a和大尺寸晶粒的硅化鎢層36a的層疊中使用掩膜，形成柵蓋帽硅化物層36b、第一柵電極32c和柵氧化膜31a。為了形成PMOS晶體管的柵電極，在各向異性腐蝕第一氧化膜31、P型多晶硅層32b和大尺寸晶粒的硅化鎢層36a的層疊中使用掩膜，形成柵蓋帽硅化物層36b、第二柵電極32d和柵氧化膜31a。在沒(méi)有離子注入下形成防擴(kuò)散膜35和在900℃下熱處理非晶硅化鎢層36a后，通過(guò)濺射WSi2.2形成的靶以形成非晶硅化鎢層后，形成大尺寸晶粒的硅化鎢層36a。
在第一或第二實(shí)施例中，可用難熔金屬硅化物的硅化鈦層或硅化鉭層代替硅化鎢層。在形成硅化鈦層時(shí)，可使用TiCl4、TiI2、SiH4，或SiH2Cl2作源氣形成TiSi2，在形成硅化鉭層時(shí)，可使用TaCl5、SiH4，或SiH2Cl2作源氣形成TaSi2。
以上介紹的本發(fā)明的制造半導(dǎo)體器件的方法具有以下優(yōu)點(diǎn)。
首先，借助再結(jié)晶在柵電極上形成大尺寸晶粒的硅化鎢層使柵電極的電阻率減小，提高了器件的性能。
其次，在N型和P型摻雜的多晶硅上形成防擴(kuò)散膜35改善了雙柵極器件的可靠性。
對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)很顯然在本發(fā)明的制造半導(dǎo)體器件的方法中做出不同的修改和變形并不脫離本發(fā)明的精神或范圍。因此，本發(fā)明意在由權(quán)利要求及其等同物的范圍覆蓋本發(fā)明的修改和變形。
權(quán)利要求
1．一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟(1)在襯底上形成硅層；(2)在硅層上形成晶體的金屬硅化物層；(3)通過(guò)注入離子到晶體的金屬硅化物層形成非晶金屬硅化物層；以及(4)通過(guò)熱處理非晶金屬硅化物使非晶金屬硅化物結(jié)晶。
2．根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中步驟(1)包括步驟形成摻雜的硅層，和在摻雜的硅層上淀積未摻雜的硅層。
3．根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中步驟(1)包括步驟淀積摻雜的硅層，和用HF溶液清除摻雜的硅層。
4．根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中晶體的金屬硅化物層由鎢、鈦、或鉭形成。
5．根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中通過(guò)注入磷(P)、硼(B)、或砷(As)的離子將晶體的金屬硅化物層轉(zhuǎn)變成非晶態(tài)。
6．根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中磷(P)、硼(B)、或砷(As)的離子劑量范圍為1E15-8E15cm-3。
7．根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中形成的晶體的金屬硅化物層的厚度范圍為1000-2000。
8．根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中使用WF6和SiH4或WF6和SiH2Cl2作源氣用鎢形成晶體的金屬硅化物層。
9．根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中在400-1100℃下進(jìn)行非晶金屬硅化物的熱處理。
10．一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟(1)在襯底上淀積絕緣膜；(2)在絕緣膜的第一區(qū)上形成第一導(dǎo)電類(lèi)型的多晶硅層；(3)在絕緣膜的第二區(qū)上形成第二導(dǎo)電類(lèi)型的多晶硅層；(4)在第一和第二導(dǎo)電類(lèi)型的多晶硅層上形成防擴(kuò)散膜；(5)在防擴(kuò)散膜上形成晶體的金屬硅化物層；(6)通過(guò)將離子注入到晶體的金屬硅化物層中，將晶體的金屬硅化物層轉(zhuǎn)變成非晶金屬硅化物層，形成非晶金屬硅化物層；(7)通過(guò)熱處理非晶金屬硅化物層使非晶金屬硅化物層結(jié)晶；以及(8)腐蝕晶體的金屬硅化物層、第一和第二多晶硅層，和絕緣膜，形成CMOS晶體管。
11．根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中防擴(kuò)散膜35由氮化鈦(TiN)、氮化鎢(WNx)、鎢硅氮化物(WSiN)、或鉭硅氮化物(TaSiN)形成。
12．根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中晶體的金屬硅化物層由鎢(W)、鈦(Ti)、或鉭(Ta)形成。
13．根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中通過(guò)注入磷(P)、硼(B)、或砷(As)的離子將晶體的金屬硅化物層轉(zhuǎn)變成非晶態(tài)。
14．根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中磷(P)、硼(B)、或砷(As)的離子劑量范圍為1E15-8E15cm-3。
15．根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中形成的晶體的金屬硅化物層的厚度范圍為1000-2000。
16．根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中使用WF6和SiH4或WF6和SiH2Cl2作源氣用鎢形成晶體的金屬硅化物層。
17．根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中在400-1100℃下進(jìn)行非晶金屬硅化物的熱處理。
18．根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中形成非晶金屬硅化物層的步驟(6)包括形成防擴(kuò)散膜，和在防擴(kuò)散膜上濺射金屬硅化物層。
19．根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中形成的防擴(kuò)散膜的厚度數(shù)量級(jí)為100。
20．根據(jù)權(quán)利要求19的方法，其中分兩次淀積防擴(kuò)散膜，每次淀積50厚，以提高防擴(kuò)散特性。
21．根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中形成第一和第二導(dǎo)電多晶硅層的步驟(1)和(2)包括在絕緣膜上形成未摻雜的硅層，在硅層的第一區(qū)上形成第一導(dǎo)電類(lèi)型的多晶硅層，在硅層的第二區(qū)上形成第二導(dǎo)電類(lèi)型的多晶硅層。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種制造能改善電阻率的半導(dǎo)體器件的方法,包括以下步驟:在襯底上形成硅層,在硅層上形成晶體的金屬硅化物層,通過(guò)注入離子到晶體的金屬硅化物層形成非晶金屬硅化物層,以及通過(guò)熱處理非晶金屬硅化物使非晶金屬硅化物結(jié)晶。
文檔編號(hào)H01L21/8238GK1213163SQ97126460
公開(kāi)日1999年4月7日 申請(qǐng)日期1997年11月27日 優(yōu)先權(quán)日1997年9月29日
發(fā)明者卞正洙, 李炳學(xué) 申請(qǐng)人:Lg半導(dǎo)體株式會(huì)社