專利名稱：生產(chǎn)mos控制功率半導體組件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明與功率電子學領(lǐng)域有關(guān)，本發(fā)明介紹的是生產(chǎn)MOS控制功率半導體組件的方法，此功率半導體組件在共同的襯底上包括多個組件單元，它們布置成一個接一個，并且并聯(lián)連接，雙極晶體管由第一導電類型的集電極區(qū)、第二導電類型的上部基區(qū)和第一導電類型的發(fā)射區(qū)組成，此發(fā)射區(qū)從上面結(jié)合到基區(qū)(incorporated from aboveinto)，并在每個組件單元都有，控制雙極晶體管的MOS溝道結(jié)構(gòu)處在發(fā)射極側(cè)，此MOS溝道結(jié)構(gòu)包括第二導電類型的處在發(fā)射區(qū)上面的源區(qū)、第一導電類型的處在源區(qū)與基區(qū)之間的發(fā)射區(qū)邊緣的溝道區(qū)和以絕緣方式處在溝道區(qū)上面的柵電極。
今天的IGBT型(絕緣柵雙極晶體管，Insulated Gate BipolarTransistors)的MOS控制功率半導體組件包括多個相同的組件單元，它們并聯(lián)連接并一個接一個地容納在共同的半導體襯底上。雙極晶體管容納在這種功率半導體組件的每個組件單元的襯底2內(nèi)，這組件單元中的一個以剖視圖的形式表示在

圖1上，此雙極晶體管包括(P+摻雜的)集電極區(qū)4，(N摻雜的)基區(qū)3和(P+摻雜的)發(fā)射區(qū)6。在IGBT的發(fā)射極側(cè)，單元的MOS溝道結(jié)構(gòu)被用來控制集成的雙極晶體管的基極電流，此MOS溝道結(jié)構(gòu)包括(P摻雜的)溝道區(qū)7、(N+摻雜的)源區(qū)8和以絕緣方式處在溝道區(qū)7上面的(多晶硅的)柵電極9。
為此，溝道區(qū)7把源區(qū)8與基區(qū)3連接起來，也就是說連接到雙極晶體管的基極?；鶇^(qū)3是連續(xù)的基極層的一部分。集電極區(qū)4是連續(xù)的集電極層的一部分。氧化物10把柵電極9從下面的襯底2及上面的發(fā)射極觸點11的金屬化層絕緣開。該發(fā)射極觸點同時與發(fā)射區(qū)6及源區(qū)8接觸。集電極金屬化層5在集電極側(cè)的襯底2的下面，以便與IGBT相接觸。
組件單元可沿不同的幾何方向側(cè)向延伸?，F(xiàn)在知道和使用的兩種單元幾何結(jié)構(gòu)的例子以頂視圖的形式表示在圖2(a)和(b)。圖2(a)表示一種帶狀結(jié)構(gòu)，它有長形的發(fā)射區(qū)6，在發(fā)射區(qū)6的兩長邊上疊加帶形的兩源區(qū)8，而此兩源區(qū)8整個被柵電極9所包圍。圖2(b)表示多角形的單元結(jié)構(gòu)(在圖中為六角形)，其中，中心多角形發(fā)射區(qū)6’被連續(xù)的環(huán)形的源區(qū)8’復(fù)蓋其邊緣，并被柵電極9’所包圍。在兩個例子中省略了發(fā)射極觸點。
IGBT的一個問題是所謂組件的閉鎖強度如果雙極晶體管的空穴電流太高，則由源區(qū)8、發(fā)射區(qū)6、基區(qū)3和集電極區(qū)4所形成的寄生晶閘管就會被觸發(fā)。此外，如果短路，在MOS溝道結(jié)構(gòu)區(qū)域的功率密度會變得如此高，以至會發(fā)生組件熱破壞。因此，從根本上說，需要限制短路電流(如果短路，限制功率)，另外還要維持源區(qū)8四周的空穴旁路電阻盡可能小(減小閉鎖靈敏度)。應(yīng)以最小的處理工藝成本附加費用來實現(xiàn)這些方法。
當前，在一些IGBT中采用均勻源區(qū)，這意味著省去掩模(N+型)源區(qū)在不用掩模情況下由離子注入形成。離子注入由活性組件區(qū)域外的厚氧化物遮掩。在刻蝕接觸孔期間，又對最頂?shù)墓鑼舆M行刻蝕，再次將N+型層去掉。這就在接觸孔窗口邊緣處產(chǎn)生對源區(qū)的側(cè)向接觸。
這種無掩模源區(qū)離子注入以功率半導體組件12的組件單元的剖視圖的形式表示于圖3和4在這種組件的情況下，集電極區(qū)(集電極層)15最初從下面引入N摻雜的襯底13，此襯底同時形成基區(qū)14。發(fā)射區(qū)17和溝道區(qū)18隨后從上面通過窗口21利用隨后的柵電極19作掩模而形成。然后離子注入源區(qū)22，以柵電極19作掩模，把此源區(qū)的中心區(qū)域刻蝕掉，以便產(chǎn)生接觸孔23(圖4)。通過這接觸孔23，發(fā)射極觸點24與發(fā)射區(qū)17和源區(qū)22接觸。通過形成集電極金屬化層16實現(xiàn)在集電極側(cè)的接觸。
這種工藝的缺點是，N+型層或源區(qū)22不是沿著多晶硅柵電極的邊緣形成的，也就是說，沿著接觸孔23的邊緣形成。這對于MOS溝道結(jié)構(gòu)，造成了大的溝道寬度(在其上的區(qū)域，溝道起作用)，從而，如果短路，每個IGTB單元的功率密度變得非常大。
在其它已知的IGBT的類型的情況下，分離光刻掩模用于源區(qū)22的離子注入。適合于圖2(a)的單元幾何形狀的這類掩模25以平面圖的形式詳細地表示于圖5(a)。在這掩模25中有兩列小掩模開口26，N+離子注入通過這些開口進行。與圖2(a)比較，所造成的結(jié)構(gòu)分布著柵區(qū)27、發(fā)射區(qū)28和島狀源區(qū)29，如圖5(b)所示。這雖然以增加了處理的復(fù)雜性為代價，但使得有可能通過設(shè)計(在所有的源區(qū)上面)來設(shè)置溝道寬度，從而設(shè)置短路時的功率密度。這種方法的另一優(yōu)點是，N+型源區(qū)的側(cè)向限制開劈了空穴旁路，它減小了組件的閉鎖靈敏度。如上所述，這解決辦法要求起碼一個附加的掩蔽步驟，這不必要地使生產(chǎn)過程復(fù)雜化。
相應(yīng)地，本發(fā)明的一個目的是提供生產(chǎn)功率IGBT組件的新方法，它允許只稍微增加處理過程的復(fù)雜性的同時生產(chǎn)帶短路功率限制和減小了的空穴旁路電阻的IGBT。
在引言中提到的那類方法的情況下，這目標是通過這樣的事實來達到的，即構(gòu)成MOS溝道結(jié)構(gòu)的溝道寬度，并且這MOS溝道結(jié)構(gòu)的溝道寬度的構(gòu)成是借助用于組件生產(chǎn)過程的其它掩蔽步驟中的一個掩蔽步驟非直接地實現(xiàn)的。這MOS溝道結(jié)構(gòu)的溝道寬度的構(gòu)成，使得有可能把溝道寬度、因而把短路時的功率和空穴旁路電阻設(shè)置成希望值。通過利用在處理中早已有的掩蔽步驟來避免為這結(jié)構(gòu)使用特殊附加的掩模。
根據(jù)本發(fā)明的方法的第一最佳實施例用以下的事實來表征a)把發(fā)射區(qū)引入襯底的掩蔽步驟被用來構(gòu)成MOS溝道結(jié)構(gòu)的溝道寬度，b)使用把發(fā)射區(qū)引入襯底的掩模，此掩模有這樣的一些剪切塊，它們布置在掩模開口的邊緣并且以這樣的方式側(cè)向向外伸出，以至所引入的發(fā)射區(qū)在剪切塊區(qū)域有側(cè)向向外伸出的凸塊，c)這樣來選擇凸塊的長度，以便它側(cè)向凸出到起碼處在隨后引入的發(fā)射區(qū)以外。小心地和局部地以簡單方式用凸塊來防止在操作條件下控制溝道的形成。可以用凸塊的寬度、深度和數(shù)目，以簡單和可靠的方式設(shè)定飽和電流(短路時功率密度)和空穴旁路電阻的大小。
根據(jù)本發(fā)明的方法的第二最佳實施例以下面的事實為特色a)在組件單元之間的襯底頂側(cè)上布置場氧化層，并且在襯底上構(gòu)成場氧化層的掩蔽步驟被用來構(gòu)成MOS溝道結(jié)構(gòu)的溝道寬度，b)使用在襯底上構(gòu)成場氧化層的掩蔽步驟中所用的掩模，此掩模有從繞著組件單元的掩模區(qū)域的邊緣開始，并以這種方式向內(nèi)伸展的第一凸塊，以至繞著組件單元的所涂敷的場氧化物層在剪切塊區(qū)域內(nèi)有向內(nèi)伸展的第二凸塊，此第二凸塊防止或阻止在隨后步驟中要引入該源區(qū)的區(qū)域上形成源區(qū)。也就在這情況下，可以用第二凸塊的寬度、深度和數(shù)目，以簡單和可靠的方式設(shè)定飽和電流和空穴旁路電阻的大小。
根據(jù)本發(fā)明的方法的再一個最佳實施例用以下事實來表征a)在襯底上構(gòu)成柵電極的掩蔽步驟被用來構(gòu)成MOS溝道結(jié)構(gòu)的溝道寬度，b)使用在襯底上構(gòu)成柵電極的掩蔽步驟中所用的掩模，此掩模有從繞著組件單元的掩模區(qū)域的邊緣開始并以這種方式向內(nèi)伸展的第一凸塊，以至繞著組件單元的所涂敷的柵電極在剪切塊區(qū)域內(nèi)有向內(nèi)伸展的第二凸塊，此第二凸塊防止或阻止在隨后步驟中要引入該源區(qū)的區(qū)域上形成源區(qū)。也就在這情況下，通過第二凸塊的幾何形狀來設(shè)置所希望的參數(shù)。
根據(jù)所附的權(quán)利要求書可提出其它的實施例。
當結(jié)合附圖，參考下面詳細的描述，對本發(fā)明及其優(yōu)點有更好的理解時，就會清楚本發(fā)明的更全面的價值及其優(yōu)點，附圖中圖1表示已知的功率IGBT組件單元的剖視圖；圖2表示根據(jù)圖1的組件單元的兩個已知幾何結(jié)構(gòu)的平面圖；圖3表示在已知的功率IGBT單元中發(fā)射區(qū)和溝道區(qū)的自對準離子注入；
圖4表示圖3中的單元的源區(qū)的離子注入和觸點制備；圖5表示已知的形成源區(qū)用的掩模(a)和所得到的IGBT的幾何形狀(b)；圖6表示根據(jù)本發(fā)明的方法的作為范例的第一最佳實施例的生產(chǎn)IGBT的各個步驟，其中，為構(gòu)成MOS溝道結(jié)構(gòu)而構(gòu)成發(fā)射區(qū)；圖7表示根據(jù)本發(fā)明的方法的作為范例的第二最佳實施例的生產(chǎn)IGBT的各個步驟，其中，為構(gòu)成MOS溝道結(jié)構(gòu)而構(gòu)成場氧化物層；和圖8表示根據(jù)本發(fā)明的方法的作為范例的第三最佳實施例而生產(chǎn)的IGBT單元的幾何形狀的平面圖，其中，為構(gòu)成MOS溝道結(jié)構(gòu)而構(gòu)成多晶硅柵電極。
現(xiàn)在參考附圖，其中相同的標號表示遍布各圖的相同和對應(yīng)的部分，根據(jù)本發(fā)明的方法的作為范例的第一最佳實施例在圖6以各個處理步驟表示出來，以透視圖、剖視圖表示(準備生產(chǎn)的)單個IGBT單元。生產(chǎn)MOS控制功率半導體組件30的過程例如從N摻雜的(Si)襯底開始。形成IGBT單元的IGBT晶體管的集電極區(qū)33的P+摻雜層從襯底31的下面引入。襯底的其它部分形成基區(qū)32(圖6(a))。
然后把用于發(fā)射區(qū)37離子注入的掩模34涂敷到襯底31的頂面，并通過掩模34上的掩模開口35對P+摻雜發(fā)射區(qū)37進行離子注入(圖6(b))。本發(fā)明的掩模34的特殊性質(zhì)是，它有繞著掩模開口35邊緣配置并側(cè)向向外伸展的剪切塊36。這樣做的結(jié)果是，所引入的發(fā)射區(qū)37在剪切塊36的區(qū)域有側(cè)向向外伸展的凸塊38(圖6(c))。在這情況下如此選擇凸塊38的長度，即它的側(cè)向凸出起碼要超出在此過程之后引入的源區(qū)的范圍，如下所解釋的那樣。
在完成對帶狀發(fā)射區(qū)37離子注入和去掉掩模34之后，由多晶硅制成的和被氧化物40包圍的柵電極39被涂敷到襯底31的頂面而構(gòu)成柵電極39。在這情況下，處在發(fā)射區(qū)37中心的窗口是打開的(圖6(d))。通過窗口41把P摻雜溝道區(qū)42(圖6(e))和N+摻雜平面源區(qū)43(圖6(f))一個接一個地離子注入到襯底31。最后，在窗口41的區(qū)域，又把具有離子注入的源區(qū)43的襯底31的頂層刻蝕掉(圖6(g))，從而使得能夠通過在其上形成金屬化層而實現(xiàn)與發(fā)射區(qū)37和源區(qū)43的接觸。
溝道區(qū)42在發(fā)射區(qū)37中無凸塊38的區(qū)域處向內(nèi)擴散，直到它側(cè)向凸出于發(fā)射區(qū)之外，并且伸展到柵電極39的邊緣的下面(圖6(h))。以這方式，溝道區(qū)42把源區(qū)43連接到基區(qū)32，并且與上面的柵電極一起，構(gòu)成用于控制IGBT晶體管的MOS溝道結(jié)構(gòu)。在另一方面，在那些發(fā)射區(qū)37由于凸塊38而進一步伸展的區(qū)域，源區(qū)43被發(fā)射區(qū)37完全包圍。然后這些區(qū)域的閾值電壓處在高于所用的柵-發(fā)射極電壓，結(jié)果，這些區(qū)域?qū)刂艻GBT晶體管而言被省略掉。所得到的MOS溝道結(jié)構(gòu)是一種有源可控區(qū)域(在凸塊38之外)與鈍化區(qū)域(在凸塊38之內(nèi))交替出現(xiàn)的結(jié)構(gòu)。飽和電流(在短路時的功率密度)和空穴旁路電阻都能由凸塊38的寬度、深度和數(shù)目(重復(fù)率)來設(shè)置。在這情況下，凸塊38側(cè)向凸出起碼要超出源區(qū)43。另一種辦法是，它們能側(cè)向凸出超出溝道區(qū)42，而后者側(cè)向與源區(qū)43相連。
圖7表示過程的順序，對于根據(jù)本發(fā)明的方法的其它作為范例的最佳實施例，可與圖6作比較。生產(chǎn)MOS控制功率半導體組件的方法從帶有基區(qū)(N摻雜)、集電極區(qū)48(P+摻雜)和早已離子注入的帶狀的P+型發(fā)射區(qū)49(圖7(a))的襯底開始。
在現(xiàn)在高功率IGBT的情況下，兩組件單元之間的距離如此大，以致可以用(厚)場氧化物來使整個薄氧化物面積盡可能小(所產(chǎn)生的輸入電容)，現(xiàn)只在圖7考慮上述兩組件單元中的一個。需要掩模來在IGBT單元之間的襯底上構(gòu)成場氧化物層52，后者事先涂敷在整個面積上，此掩?；旧媳┞冻鰡卧膮^(qū)域而復(fù)蓋單元之間的區(qū)域。這種掩模50以變更的形式用于襯底46的頂面(圖7(b))。變更的情況是掩模50有第一凸塊51，它從繞著組件單元的掩模區(qū)域的邊緣開始向內(nèi)伸展。如果隨后刻蝕掉場氧化物層52，這場氧化物層52在第一凸塊51的區(qū)域有第二凸塊53(圖7(c))。這些第二凸塊53向內(nèi)伸展超出發(fā)射區(qū)49的邊緣(圖7(c)的剖視圖右半邊)，雖然在第二凸塊53的外面，場氧化物層52終止于遠離發(fā)射區(qū)49的地方(圖7(c)的剖視圖左半邊)。
在隨后把源區(qū)引入襯底期間，此第二凸塊53防止或阻止在其區(qū)域上形成源區(qū)為離子注入溝道區(qū)和源區(qū)，如圖6(d-f)所示，再一次在襯底46上的場氧化物層52上形成被氧化物55包圍的柵電極54(多晶硅制成)，并且這柵電極54在組件單元的區(qū)域內(nèi)有帶狀的窗口65(圖7(d))。由于它們的長度，場氧化物層52的第二凸塊53部分凸出于窗口65的開口。
通過窗口65一個接一個地對P摻雜溝道區(qū)56(圖7(e))和N+摻雜源區(qū)57(圖7(f))進行離子注入。在這情況下凸進窗口65的凸塊53防止在凸塊區(qū)域形成MOS溝道結(jié)構(gòu)。最后，源區(qū)57的中心區(qū)域再一次被刻蝕掉，以便能通過形成的接觸孔58形成與發(fā)射區(qū)49接觸的觸點(圖7(g))。在制成的單元的情況下，有源可控區(qū)域(在第二凸塊53的外面，圖7(g)剖視圖的左半邊)在這情況下也再一次與鈍化區(qū)域(第二凸塊53的下面；圖7(g)剖視圖的右半邊)交替出現(xiàn)。溝道寬度和因而短路電流密度能通過第二凸塊53的寬度和數(shù)目(重復(fù)率)的選擇來設(shè)置。
根據(jù)本發(fā)明的方法的作為范例的另一最佳實施例可以用在圖8所示的已完成的組件單元59的幾何圖形來解釋在這組件單元59的情況下，發(fā)射區(qū)用的掩模62有一簡單的矩形開口，結(jié)果發(fā)射區(qū)是簡單的帶狀(如圖7(a)所示)。與圖6和7的情況不同，柵電極用的掩模63，因而柵電極60本身沒有直的連續(xù)的縱向邊緣，而是掩模63有凸塊64。向內(nèi)伸展到發(fā)射區(qū)(掩模62)邊緣上方的柵電極60上的凸塊與這些凸塊64對應(yīng)。在溝道區(qū)和源區(qū)離子注入期間(見圖6(e，f)或圖7(e，f))，柵電極60的構(gòu)成過程造成了所希望的形成了的MOS溝道結(jié)構(gòu)在區(qū)域A(在凸塊64的外面)形成正常MOS控制結(jié)構(gòu)，防止在區(qū)域B(在凸塊64的里面)形成溝道，在此區(qū)域內(nèi)，離子注入的N+型源區(qū)完全處在P+型發(fā)射區(qū)內(nèi)(掩模62)。也就在這情況下，有效溝道寬度能再次由凸塊64的寬度和數(shù)目(重復(fù)率)以簡單方式來設(shè)置。如圖8所示，發(fā)射極接觸區(qū)用的掩模61最好是參照掩模63的輪廓，從而不會產(chǎn)生額外的發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻。
總的說來，根據(jù)本發(fā)明的方法使得可以生產(chǎn)這樣的MOS控制功率半導體組件，這種MOS控制功率半導體組件優(yōu)化了短路時的功率密度和空穴旁路電阻，而在生產(chǎn)過程中不要求額外的掩蔽步驟。
顯然，根據(jù)上面的技術(shù)，可以有許多關(guān)于本發(fā)明的修改和變更，因此要理解，在所附的權(quán)利要求的范圍內(nèi)，本發(fā)明可以用此處特定描述以外的辦法來實施。
權(quán)利要求
1.一種生產(chǎn)MOS控制功率半導體組件(30，45)的方法，其特征在于所述功率半導體組件(30，45)在共同的襯底(31，46)上包括多個組件單元(59)，它們布置成一個接一個，并且并聯(lián)連接，雙極晶體管由第一導電類型的集電極區(qū)(33，48)、第二導電類型的上部基區(qū)(32，47)和第一導電類型的發(fā)射區(qū)(37，49)組成，此發(fā)射區(qū)從上面嵌入基區(qū)(32，47)，并在每個組件單元(59)都有，控制雙極晶體管的MOS溝道結(jié)構(gòu)(39，42，43和54，56，57)處在發(fā)射極側(cè)，此MOS溝道結(jié)構(gòu)(39，42，43和54，56，57)包括第二導電類型的處在發(fā)射區(qū)(37，49)上面的源區(qū)(43，57)、第一導電類型的處在源區(qū)(43，57)與基區(qū)(32，47)之間的發(fā)射區(qū)(37，49)邊緣的溝道區(qū)(42，56)和以絕緣方式處在溝道區(qū)(42，56)上面的柵電極(39，54)，其中構(gòu)成了MOS溝道結(jié)構(gòu)(39，42，43和54，56，57)的溝道寬度，而其中MOS溝道結(jié)構(gòu)(39，42，43和54，56，57)的溝道寬度的構(gòu)成是通過借助用于組件生產(chǎn)過程的其它掩蔽步驟中的一個掩蔽步驟非直接地完成的。
2.權(quán)利要求1的方法，其特征在于使用把發(fā)射區(qū)(37)引入襯底(31)的掩蔽步驟來構(gòu)成MOS溝道結(jié)構(gòu)(39，42，43)的溝道寬度。
3.權(quán)利要求2的方法，其特征在于使用了把發(fā)射區(qū)(37)引入襯底(31)的掩模(34)，此掩模有這樣的一些剪切塊(36)，它們布置在掩模開口(35)的邊緣并且以這樣的方式側(cè)向向外伸出，以致所引入的發(fā)射區(qū)(37)在剪切塊(36)區(qū)域有側(cè)向向外伸出的凸塊(38)；而其中這樣來選擇凸塊(38)的長度，以便它側(cè)向凸出到起碼處在隨后引入的發(fā)射區(qū)(43)以外。
4.權(quán)利要求3的方法，其特征在于這樣來選擇凸塊(38)的長度，以便它側(cè)向凸出到起碼處在隨后引入的溝道區(qū)(42)以外，后者側(cè)向與發(fā)射區(qū)(43)相連。
5.權(quán)利要求3和4中的一個權(quán)利要求的方法，其特征在于MOS溝道結(jié)構(gòu)(39，42，43)的溝道寬度由凸塊(38)的數(shù)目和寬度來設(shè)置。
6.權(quán)利要求1的方法，其特征在于在組件單元之間的襯底(46)頂側(cè)上布置場氧化層(52)，并且在襯底(46)上構(gòu)成場氧化層的掩蔽步驟被用來構(gòu)成MOS溝道結(jié)構(gòu)(54，56，57)的溝道寬度。
7.權(quán)利要求6的方法，其特征在于使用在襯底(46)上構(gòu)成場氧化層(52)的掩蔽步驟中所用的掩模，此掩模有從繞著組件單元的掩模區(qū)域的邊緣開始，并以這種方式向內(nèi)伸展的第一凸塊(51)，以至繞著組件單元的所涂敷的場氧化物層(52)在第一凸塊(51)區(qū)域內(nèi)有向內(nèi)伸展的第二凸塊(53)，此第二凸塊防止或阻止在隨后步驟中要引入該源區(qū)的區(qū)域上形成源區(qū)(57)。
8.權(quán)利要求7的方法，其特征在于MOS溝道結(jié)構(gòu)(54，56，57)的溝道寬度由第二凸塊(53)的數(shù)目和寬度來設(shè)置。
9.權(quán)利要求1的方法，其特征在于使用在襯底上構(gòu)成柵電極(60)的掩蔽步驟來構(gòu)成MOS溝道結(jié)構(gòu)的溝道寬度。
10.權(quán)利要求9的方法，其特征在于使用在襯底上構(gòu)成柵電極(60)的掩蔽步驟中所用的掩模(63)，此掩模有從繞著組件單元的掩模區(qū)域的邊緣開始并以這種方式向內(nèi)伸展的第一凸塊(64)，以至繞著組件單元的所涂敷的柵電極(60)在剪切塊(64)區(qū)域內(nèi)有向內(nèi)伸展的第二凸塊，此第二凸塊防止或阻止在隨后步驟中要引入該源區(qū)的區(qū)域上形成溝道結(jié)構(gòu)。
11.權(quán)利要求10的方法，其特征在于MOS溝道結(jié)構(gòu)的溝道寬度由第二凸塊(53)的數(shù)目和寬度來設(shè)置。
全文摘要
一種生產(chǎn)MOS控制功率半導體組件(30)的方法?？刂齐p極晶體管的MOS溝道結(jié)構(gòu)(39,42,43)處在發(fā)射極側(cè),它包括第二導電類型的處在發(fā)射區(qū)(37)上面的源區(qū)(43)、第一導電類型的處在源區(qū)(43)與基區(qū)(32)之間的發(fā)射區(qū)(37)邊緣的溝道區(qū)(42)和以絕緣方式處在溝道區(qū)(42)上面的柵電極(39)。這樣來設(shè)置短路時的電流密度和空穴旁路電阻:構(gòu)成MOS溝道結(jié)構(gòu)(39,42,43)的溝道寬度,并且該溝道寬度的構(gòu)成是借助用于組件生產(chǎn)的其它掩蔽步驟中的一個掩蔽步驟非直接地完成的。
文檔編號H01L29/78GK1186331SQ9712627
公開日1998年7月1日 申請日期1997年12月23日 優(yōu)先權(quán)日1996年12月23日
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