本公開的示例性實(shí)施例總體涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種熱處理設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、晶圓熱處理是半導(dǎo)體晶圓制造過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，通常在密閉的腔室中進(jìn)行，通過在腔室中通入工藝氣體并對(duì)晶圓加熱使晶圓發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，但相關(guān)技術(shù)中的獨(dú)立腔室在對(duì)晶圓熱處理時(shí)效率較低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開的目的在于提供一種熱處理設(shè)備，包括反應(yīng)腔室、支撐機(jī)構(gòu)、一個(gè)或多個(gè)加熱裝置以及隔板。反應(yīng)腔室具有沿橫向設(shè)置的進(jìn)氣側(cè)和出氣側(cè)，用于熱處理的氣體自進(jìn)氣側(cè)流入反應(yīng)腔室并經(jīng)出氣側(cè)流出反應(yīng)腔室。支撐機(jī)構(gòu)位于反應(yīng)腔室內(nèi)，待熱處理的工件被放置在支撐機(jī)構(gòu)上。一個(gè)或多個(gè)加熱裝置沿豎向位于反應(yīng)腔室的外部，并提供用于實(shí)施熱處理的能量。隔板設(shè)置于反應(yīng)腔室內(nèi)并將反應(yīng)腔室分隔為第一反應(yīng)腔和第二反應(yīng)腔，來自進(jìn)氣側(cè)的氣體包括第一工藝氣體和第二工藝氣體，第一工藝氣體流入第一反應(yīng)腔以熱處理工件的第一表面，第二工藝氣體流入第二反應(yīng)腔以熱處理工件的與第一表面相對(duì)的第二表面。

2、本公開在反應(yīng)腔室中設(shè)置隔板將反應(yīng)腔室的內(nèi)部空間分隔為第一反應(yīng)腔和第二反應(yīng)腔，在工件熱處理時(shí)，可以使工件的上下表面分別位于相對(duì)獨(dú)立的環(huán)境中經(jīng)受熱處理，提升工件的熱處理效率。

3、在一些實(shí)施方式中，進(jìn)氣側(cè)設(shè)置有熱處理設(shè)備的進(jìn)氣機(jī)構(gòu)，進(jìn)氣機(jī)構(gòu)包括擴(kuò)散板。隔板抵靠擴(kuò)散板面向反應(yīng)腔室的一側(cè)，以將擴(kuò)散板分為第一進(jìn)氣擴(kuò)散部和第二進(jìn)氣擴(kuò)散部，第一工藝氣體經(jīng)第一進(jìn)氣擴(kuò)散部流入第一反應(yīng)腔，第二工藝氣體經(jīng)第二進(jìn)氣擴(kuò)散部流入第二反應(yīng)腔。

4、在一些實(shí)施方式中，第一進(jìn)氣擴(kuò)散部包括多個(gè)第一孔洞，第二進(jìn)氣擴(kuò)散部包括多個(gè)第二孔洞。多個(gè)第一孔洞的數(shù)量與多個(gè)第二孔洞的數(shù)量之比與第一工藝氣體和第二工藝氣體的供應(yīng)量相關(guān)。

5、在一些實(shí)施方式中，隔板具有與工件的形狀適配的開口，工件位于開口中，且工件的第一表面位于第一反應(yīng)腔內(nèi)，工件的第二表面位于第二反應(yīng)腔內(nèi)。

6、在一些實(shí)施方式中，開口的中心與工件的中心同軸，且開口的半徑大于工件的半徑，以在開口與工件之間形成允許工件旋轉(zhuǎn)的間隙。

7、在一些實(shí)施方式中，開口的半徑與工件的半徑之間的差值大于等于0.5mm且小于等于2mm。

8、在一些實(shí)施方式中，熱處理設(shè)備還包括鄰近反應(yīng)腔室的腔壁設(shè)置的補(bǔ)氣機(jī)構(gòu)，補(bǔ)氣機(jī)構(gòu)的出氣端位于第一反應(yīng)腔內(nèi)以向第一反應(yīng)腔補(bǔ)充第一工藝氣體。

9、在一些實(shí)施方式中，補(bǔ)氣機(jī)構(gòu)的出氣端沿橫向被定位在進(jìn)氣側(cè)與出氣側(cè)之間的中點(diǎn)位置。

10、應(yīng)當(dāng)理解，
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
部分中所描述的內(nèi)容并非旨在限定本公開的實(shí)施例的關(guān)鍵或重要特征，亦非用于限制本公開的范圍。本公開的其它特征將通過以下的描述變得容易理解。

技術(shù)特征：

1.一種熱處理設(shè)備，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱處理設(shè)備，其中，所述進(jìn)氣側(cè)設(shè)置有所述熱處理設(shè)備的進(jìn)氣機(jī)構(gòu)，所述進(jìn)氣機(jī)構(gòu)包括擴(kuò)散板；

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的熱處理設(shè)備，其中，所述第一進(jìn)氣擴(kuò)散部包括多個(gè)第一孔洞，所述第二進(jìn)氣擴(kuò)散部包括多個(gè)第二孔洞；

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱處理設(shè)備，其中，所述隔板具有與所述工件的形狀適配的開口，所述工件位于所述開口中，且所述工件的所述第一表面位于所述第一反應(yīng)腔內(nèi)，所述工件的所述第二表面位于所述第二反應(yīng)腔內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的熱處理設(shè)備，其中，所述開口的中心與所述工件的中心同軸，且所述開口的半徑大于所述工件的半徑，以在所述開口與所述工件之間形成允許所述工件旋轉(zhuǎn)的間隙。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的熱處理設(shè)備，其中，所述開口的半徑與所述工件的半徑之間的差值大于等于0.5mm且小于等于2mm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的熱處理設(shè)備，其中，所述熱處理設(shè)備還包括鄰近所述反應(yīng)腔室的腔壁設(shè)置的補(bǔ)氣機(jī)構(gòu)，所述補(bǔ)氣機(jī)構(gòu)的出氣端位于所述第一反應(yīng)腔內(nèi)以向所述第一反應(yīng)腔補(bǔ)充所述第一工藝氣體。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的熱處理設(shè)備，其中，所述補(bǔ)氣機(jī)構(gòu)的所述出氣端沿所述橫向被定位在所述進(jìn)氣側(cè)與所述出氣側(cè)之間的中點(diǎn)位置。

技術(shù)總結(jié)
本公開提供一種熱處理設(shè)備，包括反應(yīng)腔室、支撐機(jī)構(gòu)、一個(gè)或多個(gè)加熱裝置以及隔板。反應(yīng)腔室具有沿橫向設(shè)置的進(jìn)氣側(cè)和出氣側(cè)。支撐機(jī)構(gòu)位于反應(yīng)腔室內(nèi)。一個(gè)或多個(gè)加熱裝置沿豎向位于反應(yīng)腔室的外部。隔板設(shè)置于反應(yīng)腔室內(nèi)并將反應(yīng)腔室分隔為第一反應(yīng)腔和第二反應(yīng)腔，第一工藝氣體流入第一反應(yīng)腔以熱處理工件的第一表面，第二工藝氣體流入第二反應(yīng)腔以熱處理工件的第二表面。本公開在反應(yīng)腔室中設(shè)置隔板將反應(yīng)腔室的內(nèi)部空間分隔為第一反應(yīng)腔和第二反應(yīng)腔，在工件熱處理時(shí)，可以使工件的上下表面分別位于相對(duì)獨(dú)立的環(huán)境中經(jīng)受熱處理，提升工件的熱處理效率。

技術(shù)研發(fā)人員：宋嶺,龐云玲,盛天佑,蒙小剛
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京屹唐半導(dǎo)體科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9