本發(fā)明涉及集成電路制造，尤其涉及一種封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法、封裝結(jié)構(gòu)的測(cè)試方法。
背景技術(shù)：
：：1、具有可潤(rùn)濕側(cè)面(wettable?flank)的qfn((quad?flat?no-lead，方形扁平無(wú)引腳)的半導(dǎo)體封裝技術(shù)廣泛應(yīng)用于汽車(chē)燈具有高可靠性需求的領(lǐng)域。可潤(rùn)濕側(cè)面技術(shù)是對(duì)qfn封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)面進(jìn)行金屬化，從而使得用于焊接的焊料能夠沿封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)面擴(kuò)散(即側(cè)爬)。通過(guò)可潤(rùn)濕側(cè)面技術(shù)能夠?qū)Ψ庋b結(jié)構(gòu)的焊接質(zhì)量進(jìn)行目視檢查和自動(dòng)光學(xué)檢查(aoi)，而且，可潤(rùn)濕側(cè)面技術(shù)還可以提高封裝結(jié)構(gòu)對(duì)機(jī)械應(yīng)力的抵抗力，從而改善封裝結(jié)構(gòu)的機(jī)械強(qiáng)度。但是，雖然可潤(rùn)濕側(cè)面技術(shù)可以對(duì)qfn封裝結(jié)構(gòu)的焊接質(zhì)量進(jìn)行檢查，但是，當(dāng)前的qfn封裝結(jié)構(gòu)無(wú)法準(zhǔn)確的進(jìn)行條帶os(open-short，斷路-短路)測(cè)試。這是因?yàn)?，在?duì)具有多個(gè)封裝單元的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行切割過(guò)程中，不能確保引線框架中的金屬線充分切斷，這就導(dǎo)致條帶os測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確度和可靠性降低，而且不利于條帶os測(cè)試效率的提高。2、因此，如何確保封裝結(jié)構(gòu)能夠進(jìn)行條帶os測(cè)試，同時(shí)提高條帶os測(cè)試的準(zhǔn)確度和可靠性，縮短進(jìn)行條帶os測(cè)試之間的切割時(shí)間，從而提高封裝結(jié)構(gòu)的處理效率，是當(dāng)前亟待解決的技術(shù)問(wèn)題。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路1、本發(fā)明提供一種封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法、封裝結(jié)構(gòu)的測(cè)試方法，用于確保封裝結(jié)構(gòu)能夠進(jìn)行條帶os測(cè)試等電性測(cè)試，同時(shí)提高電性測(cè)試的準(zhǔn)確度和可靠性，縮短進(jìn)行電性測(cè)試之前的切割時(shí)間，從而提高封裝結(jié)構(gòu)的處理效率。2、根據(jù)一些實(shí)施例，本發(fā)明提供了一種封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，包括如下步驟：3、形成初始框架，所述初始框架包括多個(gè)框架單元以及位于相鄰所述框架單元之間的支撐筋，所述框架單元包括基島以及位于所述基島外圍的引腳，所述支撐筋連接相鄰兩個(gè)所述框架單元中的所述引腳，所述支撐筋的厚度小于所述引腳的厚度；4、形成位于所述初始框架上方的初始封裝體，所述初始封裝體包括與多個(gè)所述框架單元一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)封裝單元；5、切割所述初始框架中的所述支撐筋，分離相鄰的所述框架單元；6、切割所述初始封裝體，分離相鄰的所述封裝單元，形成包括所述框架單元和其上方的所述封裝單元的封裝結(jié)構(gòu)。7、在一些實(shí)施例中，形成初始框架的具體步驟包括：8、提供載板；9、形成金屬框架于所述載板上，且所述金屬框架的背面朝向所述載板；10、圖案化所述金屬框架，形成包括多個(gè)所述框架單元以及位于相鄰所述框架單元之間的凹槽的所述初始框架，所述凹槽下方剩余的所述金屬框架作為所述支撐筋。11、在一些實(shí)施例中，所述支撐筋的厚度為所述引腳的厚度的1/5～1/2。12、在一些實(shí)施例中，形成位于所述初始框架上方的初始封裝體的具體步驟包括：13、貼裝芯片至所述框架單元中的所述基島的上方；14、形成電性連接芯片與引腳正面的金屬線；15、形成連續(xù)塑封多個(gè)所述框架單元中的所述基島并填充滿所述凹槽的塑封層，以形成包括所述塑封層和所述芯片的所述初始封裝體。16、在一些實(shí)施例中，切割所述初始框架中的所述支撐筋，分離相鄰的所述框架單元的具體步驟包括：17、去除所述載板；18、自所述初始框架的背面切割所述初始框架中的所述支撐筋以及所述凹槽內(nèi)的部分所述塑封層，形成貫穿所述初始框架并延伸至所述凹槽內(nèi)的第一切割槽，所述第一切割槽分隔相鄰的所述框架單元。19、在一些實(shí)施例中，所述第一切割槽的寬度大于所述凹槽的寬度，所述第一切割槽的深度小于所述引腳的厚度，切割后所述引腳背面的邊緣呈臺(tái)階狀。20、在一些實(shí)施例中，在所述引腳背面和所述基島背面形成焊錫層，且所述焊錫層自所述引腳的背面延伸至所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)表面。21、在一些實(shí)施例中，切割所述初始封裝體，分離相鄰的所述封裝單元的具體步驟包括：22、沿所述第一切割槽切割所述初始封裝體，形成貫穿所述初始封裝體的第二切割槽，所述第二切割槽分隔相鄰的所述封裝單元。23、在一些實(shí)施例中，所述第二切割槽的寬度大于或等于所述凹槽的寬度。24、在一些實(shí)施例中，所述第二切割槽的寬度小于所述凹槽的寬度。25、根據(jù)另一些實(shí)施例，本發(fā)明還提供了一種封裝結(jié)構(gòu)，采用如上所述的封裝結(jié)構(gòu)的形成方法形成，所述封裝結(jié)構(gòu)包括：26、基島；27、引腳，位于所述基島外圍，所述引腳的背面邊緣具有臺(tái)階結(jié)構(gòu)；28、芯片，設(shè)置于所述基島上且與所述引腳電連接；29、塑封層，包覆所述芯片；30、焊錫層，位于所述引腳背面，且所述焊錫層自所述引腳的背面延伸至所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)。31、在一些實(shí)施例中，所述引腳的側(cè)壁暴露于所述塑封層之外，且所述焊錫層未覆蓋所述引腳的側(cè)壁。32、在一些實(shí)施例中，所述引腳的側(cè)壁包覆在所述塑封層內(nèi)。33、根據(jù)又一些實(shí)施例，本發(fā)明還提供了一種封裝結(jié)構(gòu)的測(cè)試方法，包括如下步驟：34、形成初始框架，所述初始框架包括多個(gè)框架單元以及位于相鄰所述框架單元之間的支撐筋，所述框架單元包括基島以及位于所述基島外圍的引腳，所述支撐筋連接相鄰兩個(gè)所述框架單元中的所述引腳，所述支撐筋的厚度小于所述引腳的厚度；35、形成位于所述初始框架上方的初始封裝體，所述初始封裝體包括與多個(gè)所述框架單元一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)封裝單元；36、切割所述初始框架中的所述支撐筋，分離相鄰的所述框架單元；37、對(duì)所述框架單元及其上方的封裝單元進(jìn)行電性能測(cè)試；38、切割所述初始封裝體，分離相鄰的所述封裝單元，形成包括所述框架單元和其上方的所述封裝單元的封裝結(jié)構(gòu)。39、在一些實(shí)施例中，所述電性能測(cè)試為條帶os測(cè)試。40、本發(fā)明提供的封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法、封裝結(jié)構(gòu)的測(cè)試方法，形成多個(gè)框架單元以及位于相鄰所述框架單元之間的支撐筋，所述支撐筋連接相鄰兩個(gè)所述框架單元中的引腳，通過(guò)將所述支撐筋的厚度設(shè)置為小于引腳的厚度，從而在封裝結(jié)構(gòu)的形成過(guò)程中，在第一步切割工藝切割初始框架的過(guò)程中確保所述支撐筋能夠被充分切斷，從而不僅能夠在所述引腳背面的邊緣形成臺(tái)階狀的可潤(rùn)濕側(cè)爬結(jié)構(gòu)，而且使得相鄰的所述框架單元充分隔離，從而能夠進(jìn)行條帶os測(cè)試等電性測(cè)試，且提高了條帶os測(cè)試等電性測(cè)試的準(zhǔn)確度和可靠性。由于所述支撐筋的厚度較小，從而縮短了進(jìn)行條帶os測(cè)試等電性測(cè)試之前切割所述初始框架的時(shí)間，從而提高了封裝結(jié)構(gòu)的處理效率。技術(shù)特征：1.一種封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括如下步驟：2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成初始框架的具體步驟包括：3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述支撐筋的厚度為所述引腳的厚度的1/5～1/2。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成位于所述初始框架上方的初始封裝體的具體步驟包括：5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，切割所述初始框架中的所述支撐筋，分離相鄰的所述框架單元的具體步驟包括：6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一切割槽的寬度大于所述凹槽的寬度，所述第一切割槽的深度小于所述引腳的厚度，切割后所述引腳背面的邊緣呈臺(tái)階狀。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在所述引腳背面和所述基島背面形成焊錫層，且所述焊錫層自所述引腳的背面延伸至所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)表面。8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，切割所述初始封裝體，分離相鄰的所述封裝單元的具體步驟包括：9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第二切割槽的寬度大于或等于所述凹槽的寬度。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第二切割槽的寬度小于所述凹槽的寬度。11.一種封裝結(jié)構(gòu)，采用如權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)所述的封裝結(jié)構(gòu)的形成方法形成，其特征在于，所述封裝結(jié)構(gòu)包括：12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述引腳的側(cè)壁包覆在所述塑封層內(nèi)。13.一種封裝結(jié)構(gòu)的測(cè)試方法，其特征在于，包括如下步驟：14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的封裝結(jié)構(gòu)的測(cè)試方法，其特征在于，所述電性能測(cè)試為條帶os測(cè)試。技術(shù)總結(jié)本發(fā)明涉及一種封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法、封裝結(jié)構(gòu)的測(cè)試方法。所述封裝結(jié)構(gòu)的形成方法包括如下步驟：形成初始框架，初始框架包括多個(gè)框架單元以及位于相鄰框架單元之間的支撐筋，框架單元包括基島和引腳，支撐筋連接相鄰兩個(gè)框架單元中的引腳，支撐筋的厚度小于引腳的厚度；形成位于初始框架上方的初始封裝體，初始封裝體包括與多個(gè)框架單元一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)封裝單元；切割初始框架中的支撐筋，分離相鄰的框架單元；切割初始封裝體，分離相鄰的封裝單元，形成包括框架單元和其上方的封裝單元的封裝結(jié)構(gòu)。本發(fā)明不僅能夠在所述引腳背面的邊緣形成臺(tái)階狀的可潤(rùn)濕側(cè)爬結(jié)構(gòu)，而且能夠進(jìn)行條帶OS測(cè)試等電性測(cè)試。技術(shù)研發(fā)人員：崔晶漢受保護(hù)的技術(shù)使用者：長(zhǎng)電科技汽車(chē)電子（上海）有限公司技術(shù)研發(fā)日：技術(shù)公布日：2025/1/9