本發(fā)明屬于電子設(shè)計(jì)，具體為一種降低mlcc內(nèi)部燒結(jié)應(yīng)力的設(shè)計(jì)方法。

背景技術(shù)：

1、mlcc是由陶瓷介質(zhì)層與金屬電極層交錯(cuò)堆疊，再經(jīng)過高溫?zé)Y(jié)而成，而陶瓷介質(zhì)膜片與金屬電極漿料的燒結(jié)收縮率差異較大，從而在燒結(jié)后陶瓷介質(zhì)與金屬電極層間會(huì)產(chǎn)生較大的內(nèi)部應(yīng)力，電極層數(shù)越多，內(nèi)部應(yīng)力積聚越大，從而易導(dǎo)致mlcc的內(nèi)部裂紋，影響產(chǎn)品可靠性，當(dāng)前針對(duì)mlcc內(nèi)部燒結(jié)應(yīng)力的解決方向主要是從燒結(jié)工藝進(jìn)行，通過調(diào)整最佳的燒結(jié)升降溫速率，盡可能在燒結(jié)過程中減小內(nèi)應(yīng)力積聚，合適的燒結(jié)工藝對(duì)于mlcc產(chǎn)品的性能至關(guān)重要，但對(duì)于一些較高層數(shù)的產(chǎn)品或者高壓產(chǎn)品，仍然存在較高比例因燒結(jié)應(yīng)力導(dǎo)致的內(nèi)部裂紋，從而影響產(chǎn)品可靠性，對(duì)此，我們提出了一種降低mlcc內(nèi)部燒結(jié)應(yīng)力的設(shè)計(jì)方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供了一種降低mlcc內(nèi)部燒結(jié)應(yīng)力的設(shè)計(jì)方法，以解決以上技術(shù)問題。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：一種降低mlcc內(nèi)部燒結(jié)應(yīng)力的設(shè)計(jì)方法，設(shè)計(jì)步驟為：

3、s1、在整體電極層中心位置插入≥2層的空白介質(zhì)層，形成空白插層段cn；

4、s2、空白介質(zhì)插層段相鄰的上一層電極與插層段相鄰的下一層電極與同一個(gè)端子連接，即疊層時(shí)在中心疊空白插層后的一個(gè)電極層與疊空白插層前的一個(gè)電極層的疊層錯(cuò)位數(shù)保持一致，即相對(duì)不錯(cuò)位；

5、s3、其中空白介質(zhì)層與左端子連接的電極層為a，空白介質(zhì)層與右端子連接的電極層為b，空白介質(zhì)層為c，本文附圖1，設(shè)計(jì)公式為：cx+aba+cn+aba+cy。

6、優(yōu)選地，s1步驟中空白介質(zhì)層為空白無電極的，s2與s3步驟中電極層為印有電極的介質(zhì)層；s1步驟中中間位置基于電極層數(shù)確定，靠近中間的2層電極之間即為中間位置。

7、優(yōu)選地，mlcc由電極層與空白介質(zhì)按設(shè)計(jì)公式交替堆疊而成。

8、優(yōu)選地，s3步驟中cx表示為與最底層電極層相連的空白介質(zhì)層的組合。

9、優(yōu)選地，s3步驟中aba為電極層排列模式，表示為一個(gè)與左端子連接的電極層a、一個(gè)與右端子連接的電極層b、另一個(gè)再次與左端子連接的電極層a。

10、優(yōu)選地，s3步驟中cy表示為另一組與最上層電極層相連的空白介質(zhì)層的組合。

11、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果如下：

12、本申請(qǐng)通過在常規(guī)mlcc內(nèi)電極設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)中間加2層及以上介質(zhì)層，形成一個(gè)中間空白介質(zhì)插層段，減小中間部位的燒結(jié)應(yīng)力，降低中間發(fā)生裂紋的風(fēng)險(xiǎn)；且插層段上、下的兩層電極層不錯(cuò)位，相當(dāng)于將一個(gè)mlcc分為兩個(gè)并聯(lián)的mlcc，每個(gè)mlcc的電極層數(shù)是總層數(shù)的一半，從大大降低由于陶瓷介質(zhì)膜片與內(nèi)電極漿料燒結(jié)收縮率差異較大而積聚的燒結(jié)應(yīng)力，提升產(chǎn)品的可靠性。

技術(shù)特征：

1.一種降低mlcc內(nèi)部燒結(jié)應(yīng)力的設(shè)計(jì)方法，其特征在于，設(shè)計(jì)步驟為：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低mlcc內(nèi)部燒結(jié)應(yīng)力的設(shè)計(jì)方法，其特征在于：s1步驟中空白介質(zhì)層為空白無電極,s2與s3步驟中電極層為印有電極的介質(zhì)層；s1步驟中中間位置基于電極層數(shù)確定，靠近中間的2層電極之間即為中間位置。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低mlcc內(nèi)部燒結(jié)應(yīng)力的設(shè)計(jì)方法，其特征在于：mlcc由電極層與空白介質(zhì)按設(shè)計(jì)交替堆疊而成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低mlcc內(nèi)部燒結(jié)應(yīng)力的設(shè)計(jì)方法，其特征在于：s3步驟中cx表示為與最底層電極層相連的空白介質(zhì)層的組合。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低mlcc內(nèi)部燒結(jié)應(yīng)力的設(shè)計(jì)方法，其特征在于：s3步驟中aba為電極層的排列模式，表示為一個(gè)與左端子連接的電極層a、一個(gè)與右端子連接的電極層b、另一個(gè)再次與左端子連接的電極層a。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低mlcc內(nèi)部燒結(jié)應(yīng)力的設(shè)計(jì)方法，其特征在于：s3步驟中cy表示為另一組與最上層電極層相連的空白介質(zhì)層的組合。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及電子設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種降低MLCC內(nèi)部燒結(jié)應(yīng)力的設(shè)計(jì)方法，設(shè)計(jì)步驟為：S1、在整體電極層中心位置插入≥2層的空白介質(zhì)層，形成空白插層段C<subgt;n</subgt;；S2、空白介質(zhì)插層段相鄰的上一層電極與插層段相鄰的下一層電極與同一個(gè)端子連接，即疊層時(shí)在中心疊空白插層后的一個(gè)電極層與疊空白插層前的一個(gè)電極層的疊層錯(cuò)位數(shù)保持一致，即相對(duì)不錯(cuò)位。本申請(qǐng)通過在常規(guī)MLCC內(nèi)電極設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)中間加2層及以上空白介質(zhì)層，形成一個(gè)中間空白介質(zhì)插層段，減小中間部位的燒結(jié)應(yīng)力，降低中間發(fā)生裂紋的風(fēng)險(xiǎn)，從而可降低由于陶瓷介質(zhì)膜片與內(nèi)電極漿料燒結(jié)收縮率差異較大而積聚的燒結(jié)應(yīng)力，提升產(chǎn)品的可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員：張楠,裴鈺
受保護(hù)的技術(shù)使用者：元六鴻遠(yuǎn)（蘇州）電子科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9