本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路工藝，尤其涉及一種晶舟及半導(dǎo)體設(shè)備和薄膜生長工藝中的防粘接方法。

背景技術(shù)：

1、多晶硅薄膜工藝常用于單晶硅片的吸雜，而在多晶硅薄膜生長過程，硅片（晶圓）和載體晶舟之間產(chǎn)生的粘接無法避免。且隨著薄膜厚度的增加，粘接程度也會越重，導(dǎo)致在硅片的邊緣表現(xiàn)出缺角、崩邊現(xiàn)象，進(jìn)而會影響硅片的強度，從而可能造成裂片并產(chǎn)生損失。

2、目前，常用的降低粘接程度的方式，一方面是通過增加晶舟上用于支撐硅片的舟齒（支撐腳）表面的粗糙度，來改變舟齒與硅片之間的接觸形貌；另一方面是采用將舟齒設(shè)計成向上傾斜一定角度的形式，以將與硅片之間的接觸方式由普通的面接觸改為線接觸，以此來減輕粘接程度。

3、然而，上述增加舟齒表面粗糙度的方式，會因舟齒與硅片之間的反復(fù)摩擦，以及清洗帶來的腐蝕作用而逐漸喪失其作用。而設(shè)計傾斜角度舟齒的方式，在晶舟的不斷使用過程中，以及經(jīng)過多次清洗后，上述的線接觸部位表面會慢慢被消耗，從而會慢慢轉(zhuǎn)變?yōu)樾∶娣e接觸，使得粘接程度又會逐漸加劇。而且，采用線接觸的傾斜舟齒設(shè)計方式，在應(yīng)對超高膜厚工藝（例如膜厚＞5μm）時基本無效，且所造成的缺角和崩邊損失比例極高。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述缺陷，提供一種晶舟及半導(dǎo)體設(shè)備和薄膜生長工藝中的防粘接方法。

2、為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

3、本發(fā)明提供一種晶舟，包括：

4、支撐組件，其包括第一支撐組件和第二支撐組件，所述第一支撐組件和所述第二支撐組件設(shè)置為能夠在軸向發(fā)生相對位置的變化，用于進(jìn)行交替支撐。

5、進(jìn)一步地，所述第一支撐組件和所述第二支撐組件至少其一活動設(shè)于晶舟上。

6、進(jìn)一步地，所述第一支撐組件為n個，所述第二支撐組件為m個，n≧3，m≧3，且各所述第一支撐組件和各所述第二支撐組件沿軸向分布于所述晶舟的邊緣上。

7、進(jìn)一步地，所述第一支撐組件包括沿軸向設(shè)置的第一支撐柱，和設(shè)于所述第一支撐柱上的一個或沿軸向排布的多個第一支撐腳，所述第二支撐組件包括沿軸向設(shè)置的第二支撐柱，和設(shè)于所述第二支撐柱上的一個或沿軸向排布的多個第二支撐腳，所述第一支撐腳與所述第二支撐腳在軸向上對應(yīng)設(shè)置，且位于不同的支撐平面上，所述第一支撐柱固定設(shè)于所述晶舟上，所述第二支撐柱移動設(shè)于所述晶舟上，當(dāng)所述第二支撐柱受驅(qū)動作相對于所述第一支撐柱的軸向移動時，所述第二支撐腳的位置由相對位于所述第一支撐腳所在支撐平面的一側(cè)變化至相對位于所述第一支撐腳所在支撐平面的另一側(cè)，在所述第一支撐腳與所述第二支撐腳之間發(fā)生支撐作用的更替。

8、進(jìn)一步地，所述第一支撐腳和所述第二支撐腳沿徑向設(shè)置或朝向所述晶舟的頂部傾斜設(shè)置。

9、進(jìn)一步地，還包括：頂板和底板，所述頂板和所述底板相對設(shè)置，所述第一支撐柱和所述第二支撐柱沿軸向設(shè)于所述頂板和所述底板之間，并沿所述頂板和所述底板的周向分布，所述第二支撐柱的上端和下端分別設(shè)有導(dǎo)柱，所述頂板和所述底板上分別設(shè)有與所述導(dǎo)柱對應(yīng)配合的導(dǎo)孔，所述第二支撐柱作軸向移動時，所述第二支撐柱的上端和下端與所述頂板和所述底板對應(yīng)抵觸時的位置，限定所述第二支撐腳在所述第一支撐腳所在支撐平面的兩側(cè)發(fā)生位置變化時的行程。

10、本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體設(shè)備，包括工藝腔體，和上述的晶舟，所述半導(dǎo)體設(shè)備用于將所述晶舟及其裝載的處理對象輸送至所述工藝腔體中進(jìn)行薄膜沉積工藝。

11、進(jìn)一步地，進(jìn)行薄膜沉積工藝前，所述半導(dǎo)體設(shè)備將所述處理對象裝載在所述晶舟中，并支撐于支撐組件中的第一支撐組件上，然后將裝載有所述處理對象的所述晶舟輸送至所述工藝腔體中進(jìn)行薄膜沉積工藝，進(jìn)行薄膜沉積工藝過程中，所述半導(dǎo)體設(shè)備控制使所述支撐組件中的第二支撐組件作相對于所述第一支撐組件向上移動，使得所述處理對象由所述第一支撐組件上被托起而更替為支撐于所述第二支撐組件上，并按照設(shè)定的單向移動頻次，控制使所述第二支撐組件作相對于所述第一支撐組件的上下往復(fù)移動，使所述處理對象在所述第一支撐組件和所述第二支撐組件上進(jìn)行周期性交替支撐。

12、本發(fā)明還提供一種薄膜生長工藝中的防粘接方法，使用上述的晶舟，包括：

13、將處理對象裝載在晶舟中，并支撐于支撐組件中的第一支撐組件上；

14、將所述晶舟送入工藝腔體，對所述晶舟中的所述處理對象進(jìn)行薄膜沉積工藝；

15、在進(jìn)行薄膜沉積工藝過程中，使所述支撐組件中的第二支撐組件作相對于所述第一支撐組件的向上移動，使得所述處理對象由所述第一支撐組件上被托起而更替為支撐于所述第二支撐組件上，并按照設(shè)定的單向移動頻次，使所述第二支撐組件作相對于所述第一支撐組件的上下往復(fù)移動，使所述處理對象在所述第一支撐組件和所述第二支撐組件上進(jìn)行周期性交替支撐。

16、進(jìn)一步地，所述單向移動頻次的設(shè)定方法，包括每經(jīng)過一定的時間進(jìn)行一次單向移動的設(shè)定方式或每沉積一定厚度的薄膜進(jìn)行一次單向移動的設(shè)定方式。

17、由上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明通過在晶舟上設(shè)置能夠彼此作相對運動的第一支撐組件和第二支撐組件，以通過第一支撐組件和第二支撐組件之間的相對位置變化，對處理對象進(jìn)行交替支撐，從而能夠在薄膜沉積工藝過程中避免因膜層沉積造成的處理對象與支撐部位之間發(fā)生相互粘接的問題。并通過在第一支撐組件和第二支撐組件之間形成周期性的往復(fù)移動，即可生產(chǎn)超高膜厚的膜層。

技術(shù)特征：

1.一種晶舟，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶舟，其特征在于，所述第一支撐組件和所述第二支撐組件至少其一活動設(shè)于晶舟上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶舟，其特征在于，所述第一支撐組件為n個，所述第二支撐組件為m個，n≧3，m≧3，且各所述第一支撐組件和各所述第二支撐組件沿軸向分布于所述晶舟的邊緣上。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶舟，其特征在于，所述第一支撐組件包括沿軸向設(shè)置的第一支撐柱，和設(shè)于所述第一支撐柱上的一個或沿軸向排布的多個第一支撐腳，所述第二支撐組件包括沿軸向設(shè)置的第二支撐柱，和設(shè)于所述第二支撐柱上的一個或沿軸向排布的多個第二支撐腳，所述第一支撐腳與所述第二支撐腳在軸向上對應(yīng)設(shè)置，且位于不同的支撐平面上，所述第一支撐柱固定設(shè)于所述晶舟上，所述第二支撐柱移動設(shè)于所述晶舟上，當(dāng)所述第二支撐柱受驅(qū)動作相對于所述第一支撐柱的軸向移動時，所述第二支撐腳的位置由相對位于所述第一支撐腳所在支撐平面的一側(cè)變化至相對位于所述第一支撐腳所在支撐平面的另一側(cè)，在所述第一支撐腳與所述第二支撐腳之間發(fā)生支撐作用的更替。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶舟，其特征在于，所述第一支撐腳和所述第二支撐腳沿徑向設(shè)置或朝向所述晶舟的頂部傾斜設(shè)置。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶舟，其特征在于，還包括：頂板和底板，所述頂板和所述底板相對設(shè)置，所述第一支撐柱和所述第二支撐柱沿軸向設(shè)于所述頂板和所述底板之間，并沿所述頂板和所述底板的周向分布，所述第二支撐柱的上端和下端分別設(shè)有導(dǎo)柱，所述頂板和所述底板上分別設(shè)有與所述導(dǎo)柱對應(yīng)配合的導(dǎo)孔，所述第二支撐柱作軸向移動時，所述第二支撐柱的上端和下端與所述頂板和所述底板對應(yīng)抵觸時的位置，限定所述第二支撐腳在所述第一支撐腳所在支撐平面的兩側(cè)發(fā)生位置變化時的行程。

7.一種半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，包括工藝腔體，和權(quán)利要求1-6任意一項所述的晶舟，所述半導(dǎo)體設(shè)備用于將所述晶舟及其裝載的處理對象輸送至所述工藝腔體中進(jìn)行薄膜沉積工藝。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，進(jìn)行薄膜沉積工藝前，所述半導(dǎo)體設(shè)備將所述處理對象裝載在所述晶舟中，并支撐于支撐組件中的第一支撐組件上，然后將裝載有所述處理對象的所述晶舟輸送至所述工藝腔體中進(jìn)行薄膜沉積工藝，進(jìn)行薄膜沉積工藝過程中，所述半導(dǎo)體設(shè)備控制使所述支撐組件中的第二支撐組件作相對于所述第一支撐組件向上移動，使得所述處理對象由所述第一支撐組件上被托起而更替為支撐于所述第二支撐組件上，并按照設(shè)定的單向移動頻次，控制使所述第二支撐組件作相對于所述第一支撐組件的上下往復(fù)移動，使所述處理對象在所述第一支撐組件和所述第二支撐組件上進(jìn)行周期性交替支撐。

9.一種薄膜生長工藝中的防粘接方法，使用權(quán)利要求1-6任意一項所述的晶舟，其特征在于，包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜生長工藝中的防粘接方法，其特征在于，所述單向移動頻次的設(shè)定方法，包括每經(jīng)過一定的時間進(jìn)行一次單向移動的設(shè)定方式或每沉積一定厚度的薄膜進(jìn)行一次單向移動的設(shè)定方式。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種晶舟及半導(dǎo)體設(shè)備和薄膜生長工藝中的防粘接方法，晶舟包括：支撐組件，其包括第一支撐組件和第二支撐組件，所述第一支撐組件和所述第二支撐組件設(shè)置為能夠在軸向發(fā)生相對位置的變化，用于進(jìn)行交替支撐。本發(fā)明通過第一支撐組件和第二支撐組件之間的相對位置變化，對處理對象進(jìn)行交替支撐，能夠在薄膜沉積工藝過程中避免因膜層沉積造成的處理對象與支撐部位之間發(fā)生相互粘接的問題，從而可生產(chǎn)超高膜厚的膜層。

技術(shù)研發(fā)人員：武瑞杰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海集成電路裝備材料產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6