技術(shù)編號(hào):40613856
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路工藝,尤其涉及一種晶舟及半導(dǎo)體設(shè)備和薄膜生長(zhǎng)工藝中的防粘接方法。背景技術(shù)、多晶硅薄膜工藝常用于單晶硅片的吸雜,而在多晶硅薄膜生長(zhǎng)過(guò)程,硅片(晶圓)和載體晶舟之間產(chǎn)生的粘接無(wú)法避免。且隨著薄膜厚度的增加,粘接程度也會(huì)越重,導(dǎo)致在硅片的邊緣表現(xiàn)出缺角、崩邊現(xiàn)象,進(jìn)而會(huì)影響硅片的強(qiáng)度,從而可能造成裂片并產(chǎn)生損失。、目前,常用的降低粘接程度的方式,一方面是通過(guò)增加晶舟上用于支撐硅片的舟齒(支撐腳)表面的粗糙度,來(lái)改變舟齒與硅片之間的接觸形貌;另一方面是采用將舟齒設(shè)計(jì)成向上傾斜...
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